JPH03198335A - 薬液処理方法 - Google Patents
薬液処理方法Info
- Publication number
- JPH03198335A JPH03198335A JP33966789A JP33966789A JPH03198335A JP H03198335 A JPH03198335 A JP H03198335A JP 33966789 A JP33966789 A JP 33966789A JP 33966789 A JP33966789 A JP 33966789A JP H03198335 A JPH03198335 A JP H03198335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pure water
- chemical liquid
- semiconductor substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 14
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は現像およびエツチング工程における一枚の半導
体基板を処理する薬液処理方法に関する。
体基板を処理する薬液処理方法に関する。
従来、この種の薬液処理方法は、回転機構のっいた支持
台に半導体基板を乗せ、真空吸着した後、現像液および
エツチング液等の薬液を滴下し、処理完了後支持台を回
転しながら上の純水を滴下して薬液を洗浄し、最後に半
導体基板を回転し、乾燥を行っていた。
台に半導体基板を乗せ、真空吸着した後、現像液および
エツチング液等の薬液を滴下し、処理完了後支持台を回
転しながら上の純水を滴下して薬液を洗浄し、最後に半
導体基板を回転し、乾燥を行っていた。
しかしながら、上述した従来の薬液処理方法では、常温
の純水で薬液を洗浄しているため、半導体基板上に微細
なパターンが形成されている場合、このパターン間には
いりこんだ薬液が純粋に完全に溶解せずに乾燥後に残っ
たりあるいはパターン間にはいりこんだ純水が回転乾燥
後に残る欠点がある。特に、薬液が現像液である場合、
エツチング時に残った現像液がマスクとなり、エツチン
グ後にパターンのくずれの原因ともなる。
の純水で薬液を洗浄しているため、半導体基板上に微細
なパターンが形成されている場合、このパターン間には
いりこんだ薬液が純粋に完全に溶解せずに乾燥後に残っ
たりあるいはパターン間にはいりこんだ純水が回転乾燥
後に残る欠点がある。特に、薬液が現像液である場合、
エツチング時に残った現像液がマスクとなり、エツチン
グ後にパターンのくずれの原因ともなる。
本発明の目的は、かかる欠点を解消する薬液処理方法を
提供することにある。
提供することにある。
本発明の薬液処理方法は、−枚の半導体基板を保持し、
回転しながら薬液を滴下し前記半導体基板の一主面を処
理し、引続き純水を滴下して前記薬液を洗い落し、回転
させ乾燥する薬液処理方法において、前記純水の温度が
４０℃から８０℃であることを特徴としている。
回転しながら薬液を滴下し前記半導体基板の一主面を処
理し、引続き純水を滴下して前記薬液を洗い落し、回転
させ乾燥する薬液処理方法において、前記純水の温度が
４０℃から８０℃であることを特徴としている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の薬液処理方法の一実施例を説明するた
めの薬液処理装置の断面図である。まず、回転機構１を
有する回転台２に半導体基板３を乗せ、この半導体基板
３にフォトレジスト液を滴下し、フォトレジストを塗布
する０次に、露光装置で露光し、回路パターンを焼きつ
けた後、再び回転台２に半導体基板３を乗せ、この半導
体基板３上にノズル４から有機アルカリ系現像液を滴下
し現像処理を行う０次に、現像処理後、半導体基板３の
表面を洗浄するため半導体基板３を回転しながらノズル
５から温度制御部６により４０℃から８０℃に加熱され
た純水を３０秒間滴下して洗浄する０次に、半導体基板
３を４００ Ｏｒ、ｐ、ｍの速度で回転し、表面を乾燥
させる。
めの薬液処理装置の断面図である。まず、回転機構１を
有する回転台２に半導体基板３を乗せ、この半導体基板
３にフォトレジスト液を滴下し、フォトレジストを塗布
する０次に、露光装置で露光し、回路パターンを焼きつ
けた後、再び回転台２に半導体基板３を乗せ、この半導
体基板３上にノズル４から有機アルカリ系現像液を滴下
し現像処理を行う０次に、現像処理後、半導体基板３の
表面を洗浄するため半導体基板３を回転しながらノズル
５から温度制御部６により４０℃から８０℃に加熱され
た純水を３０秒間滴下して洗浄する０次に、半導体基板
３を４００ Ｏｒ、ｐ、ｍの速度で回転し、表面を乾燥
させる。
現像後のレジストパターンの間隔が、例えば１μｍ以下
のような狭い場所に、従来の方法では、常温の純水では
、はいりこんだ現像液は他の広い領域に比べて純水によ
る洗浄を行った時に除去されに＜＜、現像液が水に溶解
せずに残ることがある。この現像液の残りは、前述で説
明したように、エツチング時にマスクとなり、エツチン
グ後のパターンのくずれの原因となっていた。一方、こ
の薬液処理方法で実施したところ、現像液の洗浄に使用
する純水の温度を４０℃以上の高温にしているため、現
像液の純水に対する溶解度が高くなり現像液の残りは減
少する結果を得な。また、回転乾燥時の乾燥速度もより
早くなり、水滴の残りがほとんど認められなかった。さ
らに、薬液をリン酸を処理を行ったが、同様の結果が得
られた。
のような狭い場所に、従来の方法では、常温の純水では
、はいりこんだ現像液は他の広い領域に比べて純水によ
る洗浄を行った時に除去されに＜＜、現像液が水に溶解
せずに残ることがある。この現像液の残りは、前述で説
明したように、エツチング時にマスクとなり、エツチン
グ後のパターンのくずれの原因となっていた。一方、こ
の薬液処理方法で実施したところ、現像液の洗浄に使用
する純水の温度を４０℃以上の高温にしているため、現
像液の純水に対する溶解度が高くなり現像液の残りは減
少する結果を得な。また、回転乾燥時の乾燥速度もより
早くなり、水滴の残りがほとんど認められなかった。さ
らに、薬液をリン酸を処理を行ったが、同様の結果が得
られた。
以上説明したように本発明は、半導体基板上に付着した
薬液を洗浄するための純水の温度を上げることにより、
洗浄効果が高くまた純水の乾燥速度も早くすることが出
来るので、半導体基板上に薬液の残りあるいは水滴を残
すことがなくパターンの欠陥及び汚染を低減できる薬液
処理方法が得られるという効果がある。
薬液を洗浄するための純水の温度を上げることにより、
洗浄効果が高くまた純水の乾燥速度も早くすることが出
来るので、半導体基板上に薬液の残りあるいは水滴を残
すことがなくパターンの欠陥及び汚染を低減できる薬液
処理方法が得られるという効果がある。
第１図は本発明の薬液処理方法を説明するための薬液処
理装置の断面図である。 １・・・回転機構部、２・・・回転台、３・・・半導体
基板、４・・・薬液滴下ノズル、５・・・純水滴下ノズ
ル、６・・・温度制御部。
理装置の断面図である。 １・・・回転機構部、２・・・回転台、３・・・半導体
基板、４・・・薬液滴下ノズル、５・・・純水滴下ノズ
ル、６・・・温度制御部。
Claims (1)
- 一枚の半導体基板を保持し、回転しながら薬液を滴下し
前記半導体基板の一主面を処理し、引続き純水を滴下し
て前記薬液を洗い落し、回転させ乾燥する薬液処理方法
において、前記純水の温度が４０℃から８０℃であるこ
とを特徴とする薬液処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33966789A JPH03198335A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 薬液処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33966789A JPH03198335A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 薬液処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03198335A true JPH03198335A (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=18329668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33966789A Pending JPH03198335A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 薬液処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03198335A (ja) |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33966789A patent/JPH03198335A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20030159719A1 (en) | Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof | |
| JPH0837143A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH06124887A (ja) | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 | |
| JPS5831528A (ja) | フオトレジストの除去方法 | |
| JPH11102854A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH09171989A (ja) | 半導体基板のウエットエッチング方法 | |
| JP3810056B2 (ja) | 基板処理方法、現像処理方法および基板処理装置 | |
| JPH1074686A (ja) | 薬液処理方法、および、装置 | |
| JPS6241792B2 (ja) | ||
| JP3625707B2 (ja) | 基板現像装置および基板現像方法 | |
| JPH0330426A (ja) | ウエハー裏面洗浄装置 | |
| JPH10199791A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH0356041Y2 (ja) | ||
| JPH04155915A (ja) | 被処理基板の現像方法 | |
| KR19990035265A (ko) | 반도체 감광막의 현상방법 | |
| JPS593549B2 (ja) | 被処理基板の表面処理方法 | |
| JPH088210B2 (ja) | 現像方法 | |
| JPH03262563A (ja) | 塗布装置 | |
| JPS6218713A (ja) | 現像装置 | |
| JPH04318916A (ja) | レジスト塗布装置の基板洗浄装置 | |
| JPH03231227A (ja) | 電極パターンの形成方法 | |
| JPH021298B2 (ja) | ||
| JPS62243331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002208550A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH01133324A (ja) | エッチング方法 |