JPH02295104A - 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH02295104A JPH02295104A JP11492389A JP11492389A JPH02295104A JP H02295104 A JPH02295104 A JP H02295104A JP 11492389 A JP11492389 A JP 11492389A JP 11492389 A JP11492389 A JP 11492389A JP H02295104 A JPH02295104 A JP H02295104A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
？産業上の利用分野１
本発明は高飽和磁束密度を有する強磁性薄膜に係り、特
に磁気ディスク装置、ＶＴＲなどに用いる磁気ヘッドお
よび磁気ヘッドのコア材に適した強磁性薄膜に関する。
に磁気ディスク装置、ＶＴＲなどに用いる磁気ヘッドお
よび磁気ヘッドのコア材に適した強磁性薄膜に関する。
磁気ヘッド材料としては、記録時における磁気飽和を防
ぐために高飽和磁束密度を有することが必要である。ま
た、ヘッドの再生効率の面からは低保磁力、高透磁率の
特性を有することが必要である。 このような高飽和磁束密度を有する磁性材料として、Ｆ
ｅを主成分とする合金の開発が進められており、例えば
特開昭５２−１１２７９７に論じられているようなＦｅ
−Ｓｉ系合金で高飽和磁束密度および高透磁率が得られ
ている。
ぐために高飽和磁束密度を有することが必要である。ま
た、ヘッドの再生効率の面からは低保磁力、高透磁率の
特性を有することが必要である。 このような高飽和磁束密度を有する磁性材料として、Ｆ
ｅを主成分とする合金の開発が進められており、例えば
特開昭５２−１１２７９７に論じられているようなＦｅ
−Ｓｉ系合金で高飽和磁束密度および高透磁率が得られ
ている。
【発明が解決しようとする課題ｌ
上記従来技術に述べられているようなＦｅを主成分とす
る合金薄膜を、Ｍ ｎ − Ｚ ｎフエライト、Ｓｉｎ
．、Ａｌ■Ｏ，等の酸化物基板上に形成した場合、合金
薄膜と基板との接着力が弱いために、１μｍ以上の膜厚
では、上記基板より剥離してしまう等の問題があった。 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し，酸化物
基板との接着力が強い強磁性薄膜およびこれを用いた高
密度磁気記録用の磁気ヘッドを提供することにある。 【課題を解決するための手段】 本発明者等は酸化物基板上に形成したＦｅおよびＦｅを
主成分とする合金薄膜について研究を重ねた結果、合金
薄膜と基板との界面にＦｅとＡｌを主成分とする下地層
、あるいはＮｉ．Ｃｏ．Ｖ、Ｔｉ．Ｍｏ．Ｗ．Ｃｒの中
から選ばれる一種以上の金属からなる下地層を設けるこ
とにより、上記合金薄膜と基板との接着力を向上させる
ことができ、剥離を防止できることを明らかにした。
る合金薄膜を、Ｍ ｎ − Ｚ ｎフエライト、Ｓｉｎ
．、Ａｌ■Ｏ，等の酸化物基板上に形成した場合、合金
薄膜と基板との接着力が弱いために、１μｍ以上の膜厚
では、上記基板より剥離してしまう等の問題があった。 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し，酸化物
基板との接着力が強い強磁性薄膜およびこれを用いた高
密度磁気記録用の磁気ヘッドを提供することにある。 【課題を解決するための手段】 本発明者等は酸化物基板上に形成したＦｅおよびＦｅを
主成分とする合金薄膜について研究を重ねた結果、合金
薄膜と基板との界面にＦｅとＡｌを主成分とする下地層
、あるいはＮｉ．Ｃｏ．Ｖ、Ｔｉ．Ｍｏ．Ｗ．Ｃｒの中
から選ばれる一種以上の金属からなる下地層を設けるこ
とにより、上記合金薄膜と基板との接着力を向上させる
ことができ、剥離を防止できることを明らかにした。
【作用１
上述のようにＦｅあるいはＦｅを主成分とする合金薄膜
と酸化物基板との界面にＦｅとＡＩを主成分とする下地
層、あるいはＮｉ，Ｇｏ、Ｔｉ、Ｍｏ．Ｗ．Ｃｒ．Ｖの
中から選ばれる一種以上の金属からなる下地層を設ける
ことにより、Ｍ ｎ −Ｚｎフェライト基板と下地層と
の界面および下地暦とＦｅ−Ｃ磁性膜との界面に反応層
が見られ、相互拡散層が形成され、合金薄膜と酸化物基
板との剥離を防止することができる。また、上記強磁性
薄膜を用いた磁気ヘッドにおいては擬似ギャップ効果を
低減できる。 ［実施例】 以下に本発明の一実施例について，図表を参照しながら
説明する。 〔実施例１〕 強磁性薄膜の作製にはデュアル・イオンビームスパッタ
リング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行
なった。 イオンガス・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ＡｒＡｒガス圧力・・・・
・・・・・・・・・・・２．５×１０や”Ｐａ蒸着用イ
オンガン加速電圧・・・・・・１２００Ｖ蒸着用イオン
ガンイオン電流・・・・・・１２０ｍＡ基板照射用イオ
ンガン加速電圧・・・２００ｖ基板照射用イオンガンイ
オン電流・・・４０ｍＡターゲット・基板間距離・・・
・・・・・・・・・１２７ｍｍ作製した強磁性薄膜の断
面図を第１図に示す。 本実施例では磁性膜１１としてＦｅ，Ｆｅ−１０ａｔ％
Ｓｉ，Ｆｅ−１ａｔ％Ｃ薄膜、下地層１２としてＦｅ．
Ａｌ．Ｆｅ−２〜８０ａｔ％Ａｌ．Ｆｅ−９Ｓｉ−５Ａ
ｌ （センダスト）、基板１３としてＭｎＺｎフエライ
トを用いた。 磁性膜１１の膜厚は１０μｍ，下地層１２の股厚は１０
０人とした。スパッタリングに用いた基板の枚数は，そ
れぞれの磁性膜、下地層について２０枚である。 接着力の評価は、２０枚の基板上に剥離せずに形成でき
た強磁性薄膜の枚数で行なった。すなわち、剥離せず｝
こ形成できた強磁性薄膜の枚数が２０枚に近いほど、接
着力が強いとした。 第１表に実験結果を示す。 第１表に示すように、適当な組成のＦ ｅ − Ａ １
合金を下地層に用いることにより、Ｍ ｎ − Ｚ ｎ
フエライト基板とＦｅ系合金との接着力を向上すること
ができた。特に、ＡＩ濃度が５〜４０ａし％のＦｅ−Ａ
ｌ合金において優れた効果を示した。 第１表 またＦｅ−９８ ｉ−５Ａｌのセンダスト合金も同等の
効果を示した。第１表においては磁性膜材料の種類を変
えた場合についての結果も示されており、これによると
Ｆｅ−Ｓｉ系磁性膜よりもＦｅ−Ｃ系磁性膜においてＦ
ｅ−Ａｌ合金下地層の効果が大きいことが分かる。 Ｆｅ−Ｃ系磁性膜は高飽和磁束密度および高透磁率を有
するが、Ｍ ｎ − Ｚ ｎフェライト基板との接着力
が弱いため、これまで磁気ヘッドの作製が困難であった
。これに対し、Ｆｅ−Ｃ系磁性膜の磁気ヘッドへの応用
に対して、本発明は極めて効果的である。 また、Ｆｅ−Ｃ磁性膜を用いた強磁性薄膜について、電
子顕微鏡で断面構造をｗ１察したところ、接着力の強い
Ｆｅ−Ａｌ合金下地層を用いた膜では、Ｍ ｎ − Ｚ
ｎフェライト基板と下地層との界面および下地層とＦ
ｅ−Ｃ磁性膜との界面に反応層が見られ、相互拡散して
いることが分かった。この反応層が接着力を向上させて
いる原因と考えられる。 そこで、オージエ電子分光分析により膜深さ方向の分析
をしたところ、この反応層はＦｅとＡｌの合金層である
ことが分かった。 また、剥離した試料を観察した結果、剥離は下地層のＡ
ｌ濃度が低い強磁性薄膜では基板と下地層との界面で起
こり、下地層のＡｌ濃度が高い強磁性薄膜では下地層と
磁性薄膜との界面で生じていた。 さらに基板１ ３ ）：− ＬテＳ ｉ Ｏ，， Ａ
１，０，， ａ−Ｆｅ２０３、（Ｍｎ○）Ｔｏ（Ｎｌ○
）３ｏ．Ｚｎフェライト基板を用いた実験を行なったと
ころ、これらの基板においても、Ｆｅ−Ａｌ合金下地層
を用いることにより、磁性膜と基板との接着力が向上し
た。 また、上述した各種酸化物基板上に形成する下地層とし
てＮｉ．Ｃｏを用いた場合にはＦｅ−１０ａｔ％Ａｌ合
金よりも優れた接着力を示し，Ｔｉ．Ｍｏ，Ｖ．Ｗ，Ｃ
ｒについては第１表に示された結果と同等の良好な接着
力を示した。このため、酸化物基板と合金薄膜とのれ離
を防止するための下地層として、これらの元素も有効で
あるあることが分かった。 〔実施例２〕 第２回に示すような積層磁性薄膜を形成した。 本実施例では主磁性膜２１として膜厚９５０人のＦｅ−
１ａｔ％Ｃ合金、中間層２２として膜厚５０人のＮｉ−
２０ａｔ％Ｆｅ合金、基板２４としてＳｉ○２を用いた
。磁性膜は５０周期積層した。下地層２３としてはＦｅ
−１０ａｔ％Ａｌ合金を用い，膜厚を変化した。 Ｆｅ−Ａｌ合金下地層の膜厚変化によるＦｅ−Ｃ多層膜
の比透磁率の変化を第３図に示す。この図に示されるよ
うに、下地層の膜厚が厚くなるほど、比透磁率は減少す
る。このため比透磁率の減少を最小限にするためには下
地層の膜厚は２００人以下が好ましい。また膜厚２０人
以下では下地層の効果がなく、磁性膜は基板より剥離す
る。 従って、下地層の膜厚としては２０〜２００人の範囲が
好ましい。、 この膜厚依存性は第１表に示したその他の組成のＦｅ−
Ａｌ合金やセンダスト合金さらにはＮｉ、Ｃｏ．Ｔｉ．
Ｍｏ．Ｗ．Ｃｒ．Ｖなどの下地層についても同様であっ
た。 ζ施例３〕 第２図に示すような構造の積層磁性薄膜を用いてＶＴＲ
用磁気ヘッドを作製した。 本実施例では主磁性膜２１として膜厚９５０人のＦｅ−
１ａｔ％Ｃ合金、中間層２２として膜厚５０人のＮｉ−
２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。磁性膜は１００周期積層
し、膜厚は約１０μｍとした。下地Ｊｌ２．３には第１
表に示したＦｅ−Ａｌ合金とＡｌを用い、膜厚は１００
人とした。 第４図に示すＶＴＲ用磁気ヘッド９０の作製工程を以下
に述べる。 第４図（ａ）に示す溝８１を有するＭｎ−Ｚｎフェライ
トからなる基板８２を用意し、第４図（ｂ）に示すごと
く基板８２の表面に膜厚約１０μｍの上記積層構造を有
する強磁性薄膜８３をイオンビーム・スパッタリング法
により作製した。 次に第４図（ｃ）に示すごとくガラス８４を用いて溝８
１を充填し、さらに第４図（ｄ）に示すごとくガラス８
４の表面を研磨してギャップ構成面８５を形成し、ヘッ
ドコア半休ブロック８６を作製した。さらに，ギャップ
構成面８５にギャップ材となるＳｉｎ２膜をスパッタリ
ング法により形成し、第４図（ｅ）に示すごとく巻線窓
８７を有するヘッドコア半休ブロック８８と上記へッド
コア半休ブロック８６とをギャップ材を介して重ねあわ
せて５００℃の温度で３０分間加熱してガラス８４を再
度溶融、固化して接合ブロック８９を作製した。さらに
第４図（ｅ）に示す２点鎖線部を切断して第４図（ｆ）
に示すＶ Ｔ’Ｒ用磁気ヘッド９０を得た。 上述の工程によって作製した本発明の磁気ヘッドの記録
再生特性を保磁力１４０００ｅのメタルテープを用いて
測定した。この結果を第２表に示す。また、参考のため
に下地暦としてＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた磁気
ヘッドについての結果も示す。 第２表に示すように、下地層の組成によってヘッドの再
生出力やコンター出力は影響を受け，再生出力とコンタ
ー出力とは逆の傾向を示した。 コンター出力はＡｔ濃度が４０ａ ｔ％を越えると急激
に増加する傾向を示すため、下地層の組成としては２〜
４０ａｔ％Ａｌを含むＦ ｅ − Ａ １合金が好まし
いことが分かった。しかも、Ｆｅ−Ａｌ合金は上述のよ
うに軟磁気特性を示すＮｉ−Ｆｅ合金よりも擬似ギャッ
プ効果の低減に有効であることも分かった。 第２表 同様に、下地層としてＮｉ．Ｃｏ、Ｔｉ．Ｍｏ、Ｗ．Ｃ
ｒ，Ｖを用いたヘッドについても検討したところ、上述
したＦ ｅ − Ａ １合金と同等以上の特性を示した
。特に、Ｎｉ，Ｃｏは擬似ギャップ効果の低減に非常に
有効であることが分かった。 この結果、磁性膜と基板との界面にＦｅ−Ａｌ系合金や
Ｎｉ．Ｃｏ、Ｔｉ，Ｍｏ、Ｗ．Ｃｒ．Ｖからなる下地溜
を設けることにより、高飽和磁束密度を有するＦｅ系磁
性膜を形成することができ、記録・再生特性の優れた磁
気ヘッドが得られた。
と酸化物基板との界面にＦｅとＡＩを主成分とする下地
層、あるいはＮｉ，Ｇｏ、Ｔｉ、Ｍｏ．Ｗ．Ｃｒ．Ｖの
中から選ばれる一種以上の金属からなる下地層を設ける
ことにより、Ｍ ｎ −Ｚｎフェライト基板と下地層と
の界面および下地暦とＦｅ−Ｃ磁性膜との界面に反応層
が見られ、相互拡散層が形成され、合金薄膜と酸化物基
板との剥離を防止することができる。また、上記強磁性
薄膜を用いた磁気ヘッドにおいては擬似ギャップ効果を
低減できる。 ［実施例】 以下に本発明の一実施例について，図表を参照しながら
説明する。 〔実施例１〕 強磁性薄膜の作製にはデュアル・イオンビームスパッタ
リング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行
なった。 イオンガス・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ＡｒＡｒガス圧力・・・・
・・・・・・・・・・・２．５×１０や”Ｐａ蒸着用イ
オンガン加速電圧・・・・・・１２００Ｖ蒸着用イオン
ガンイオン電流・・・・・・１２０ｍＡ基板照射用イオ
ンガン加速電圧・・・２００ｖ基板照射用イオンガンイ
オン電流・・・４０ｍＡターゲット・基板間距離・・・
・・・・・・・・・１２７ｍｍ作製した強磁性薄膜の断
面図を第１図に示す。 本実施例では磁性膜１１としてＦｅ，Ｆｅ−１０ａｔ％
Ｓｉ，Ｆｅ−１ａｔ％Ｃ薄膜、下地層１２としてＦｅ．
Ａｌ．Ｆｅ−２〜８０ａｔ％Ａｌ．Ｆｅ−９Ｓｉ−５Ａ
ｌ （センダスト）、基板１３としてＭｎＺｎフエライ
トを用いた。 磁性膜１１の膜厚は１０μｍ，下地層１２の股厚は１０
０人とした。スパッタリングに用いた基板の枚数は，そ
れぞれの磁性膜、下地層について２０枚である。 接着力の評価は、２０枚の基板上に剥離せずに形成でき
た強磁性薄膜の枚数で行なった。すなわち、剥離せず｝
こ形成できた強磁性薄膜の枚数が２０枚に近いほど、接
着力が強いとした。 第１表に実験結果を示す。 第１表に示すように、適当な組成のＦ ｅ − Ａ １
合金を下地層に用いることにより、Ｍ ｎ − Ｚ ｎ
フエライト基板とＦｅ系合金との接着力を向上すること
ができた。特に、ＡＩ濃度が５〜４０ａし％のＦｅ−Ａ
ｌ合金において優れた効果を示した。 第１表 またＦｅ−９８ ｉ−５Ａｌのセンダスト合金も同等の
効果を示した。第１表においては磁性膜材料の種類を変
えた場合についての結果も示されており、これによると
Ｆｅ−Ｓｉ系磁性膜よりもＦｅ−Ｃ系磁性膜においてＦ
ｅ−Ａｌ合金下地層の効果が大きいことが分かる。 Ｆｅ−Ｃ系磁性膜は高飽和磁束密度および高透磁率を有
するが、Ｍ ｎ − Ｚ ｎフェライト基板との接着力
が弱いため、これまで磁気ヘッドの作製が困難であった
。これに対し、Ｆｅ−Ｃ系磁性膜の磁気ヘッドへの応用
に対して、本発明は極めて効果的である。 また、Ｆｅ−Ｃ磁性膜を用いた強磁性薄膜について、電
子顕微鏡で断面構造をｗ１察したところ、接着力の強い
Ｆｅ−Ａｌ合金下地層を用いた膜では、Ｍ ｎ − Ｚ
ｎフェライト基板と下地層との界面および下地層とＦ
ｅ−Ｃ磁性膜との界面に反応層が見られ、相互拡散して
いることが分かった。この反応層が接着力を向上させて
いる原因と考えられる。 そこで、オージエ電子分光分析により膜深さ方向の分析
をしたところ、この反応層はＦｅとＡｌの合金層である
ことが分かった。 また、剥離した試料を観察した結果、剥離は下地層のＡ
ｌ濃度が低い強磁性薄膜では基板と下地層との界面で起
こり、下地層のＡｌ濃度が高い強磁性薄膜では下地層と
磁性薄膜との界面で生じていた。 さらに基板１ ３ ）：− ＬテＳ ｉ Ｏ，， Ａ
１，０，， ａ−Ｆｅ２０３、（Ｍｎ○）Ｔｏ（Ｎｌ○
）３ｏ．Ｚｎフェライト基板を用いた実験を行なったと
ころ、これらの基板においても、Ｆｅ−Ａｌ合金下地層
を用いることにより、磁性膜と基板との接着力が向上し
た。 また、上述した各種酸化物基板上に形成する下地層とし
てＮｉ．Ｃｏを用いた場合にはＦｅ−１０ａｔ％Ａｌ合
金よりも優れた接着力を示し，Ｔｉ．Ｍｏ，Ｖ．Ｗ，Ｃ
ｒについては第１表に示された結果と同等の良好な接着
力を示した。このため、酸化物基板と合金薄膜とのれ離
を防止するための下地層として、これらの元素も有効で
あるあることが分かった。 〔実施例２〕 第２回に示すような積層磁性薄膜を形成した。 本実施例では主磁性膜２１として膜厚９５０人のＦｅ−
１ａｔ％Ｃ合金、中間層２２として膜厚５０人のＮｉ−
２０ａｔ％Ｆｅ合金、基板２４としてＳｉ○２を用いた
。磁性膜は５０周期積層した。下地層２３としてはＦｅ
−１０ａｔ％Ａｌ合金を用い，膜厚を変化した。 Ｆｅ−Ａｌ合金下地層の膜厚変化によるＦｅ−Ｃ多層膜
の比透磁率の変化を第３図に示す。この図に示されるよ
うに、下地層の膜厚が厚くなるほど、比透磁率は減少す
る。このため比透磁率の減少を最小限にするためには下
地層の膜厚は２００人以下が好ましい。また膜厚２０人
以下では下地層の効果がなく、磁性膜は基板より剥離す
る。 従って、下地層の膜厚としては２０〜２００人の範囲が
好ましい。、 この膜厚依存性は第１表に示したその他の組成のＦｅ−
Ａｌ合金やセンダスト合金さらにはＮｉ、Ｃｏ．Ｔｉ．
Ｍｏ．Ｗ．Ｃｒ．Ｖなどの下地層についても同様であっ
た。 ζ施例３〕 第２図に示すような構造の積層磁性薄膜を用いてＶＴＲ
用磁気ヘッドを作製した。 本実施例では主磁性膜２１として膜厚９５０人のＦｅ−
１ａｔ％Ｃ合金、中間層２２として膜厚５０人のＮｉ−
２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。磁性膜は１００周期積層
し、膜厚は約１０μｍとした。下地Ｊｌ２．３には第１
表に示したＦｅ−Ａｌ合金とＡｌを用い、膜厚は１００
人とした。 第４図に示すＶＴＲ用磁気ヘッド９０の作製工程を以下
に述べる。 第４図（ａ）に示す溝８１を有するＭｎ−Ｚｎフェライ
トからなる基板８２を用意し、第４図（ｂ）に示すごと
く基板８２の表面に膜厚約１０μｍの上記積層構造を有
する強磁性薄膜８３をイオンビーム・スパッタリング法
により作製した。 次に第４図（ｃ）に示すごとくガラス８４を用いて溝８
１を充填し、さらに第４図（ｄ）に示すごとくガラス８
４の表面を研磨してギャップ構成面８５を形成し、ヘッ
ドコア半休ブロック８６を作製した。さらに，ギャップ
構成面８５にギャップ材となるＳｉｎ２膜をスパッタリ
ング法により形成し、第４図（ｅ）に示すごとく巻線窓
８７を有するヘッドコア半休ブロック８８と上記へッド
コア半休ブロック８６とをギャップ材を介して重ねあわ
せて５００℃の温度で３０分間加熱してガラス８４を再
度溶融、固化して接合ブロック８９を作製した。さらに
第４図（ｅ）に示す２点鎖線部を切断して第４図（ｆ）
に示すＶ Ｔ’Ｒ用磁気ヘッド９０を得た。 上述の工程によって作製した本発明の磁気ヘッドの記録
再生特性を保磁力１４０００ｅのメタルテープを用いて
測定した。この結果を第２表に示す。また、参考のため
に下地暦としてＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた磁気
ヘッドについての結果も示す。 第２表に示すように、下地層の組成によってヘッドの再
生出力やコンター出力は影響を受け，再生出力とコンタ
ー出力とは逆の傾向を示した。 コンター出力はＡｔ濃度が４０ａ ｔ％を越えると急激
に増加する傾向を示すため、下地層の組成としては２〜
４０ａｔ％Ａｌを含むＦ ｅ − Ａ １合金が好まし
いことが分かった。しかも、Ｆｅ−Ａｌ合金は上述のよ
うに軟磁気特性を示すＮｉ−Ｆｅ合金よりも擬似ギャッ
プ効果の低減に有効であることも分かった。 第２表 同様に、下地層としてＮｉ．Ｃｏ、Ｔｉ．Ｍｏ、Ｗ．Ｃ
ｒ，Ｖを用いたヘッドについても検討したところ、上述
したＦ ｅ − Ａ １合金と同等以上の特性を示した
。特に、Ｎｉ，Ｃｏは擬似ギャップ効果の低減に非常に
有効であることが分かった。 この結果、磁性膜と基板との界面にＦｅ−Ａｌ系合金や
Ｎｉ．Ｃｏ、Ｔｉ，Ｍｏ、Ｗ．Ｃｒ．Ｖからなる下地溜
を設けることにより、高飽和磁束密度を有するＦｅ系磁
性膜を形成することができ、記録・再生特性の優れた磁
気ヘッドが得られた。
以上説明したごとく、ＦｅあるいはＦｅを主成分とする
合金薄膜を酸化物基板上に形成する場合、磁性膜と基板
との界面にＦｅ−Ａｌ系合金やＮｉ、Ｃｏ．Ｔｉ．Ｍｏ
，Ｗ．Ｃｒ．Ｖからなる下地層を設けることにより、磁
性膜と基板との接着力が向上し、剥離を伴わずに数μｍ
の膜厚の強磁性薄膜を形成することが可能となった。ま
た、上述した下地層は剥離防止ばかりでなく、磁気ヘッ
ドの擬似ギャップ効果を低減する効果がある。 以上の結果、高飽和磁束密度を有するＦｅ系合金、Ｆｅ
系合金多層膜を磁気ヘッドに適用することが可能になり
、高密度磁気記録用の磁気ヘッドを得ることができる．
合金薄膜を酸化物基板上に形成する場合、磁性膜と基板
との界面にＦｅ−Ａｌ系合金やＮｉ、Ｃｏ．Ｔｉ．Ｍｏ
，Ｗ．Ｃｒ．Ｖからなる下地層を設けることにより、磁
性膜と基板との接着力が向上し、剥離を伴わずに数μｍ
の膜厚の強磁性薄膜を形成することが可能となった。ま
た、上述した下地層は剥離防止ばかりでなく、磁気ヘッ
ドの擬似ギャップ効果を低減する効果がある。 以上の結果、高飽和磁束密度を有するＦｅ系合金、Ｆｅ
系合金多層膜を磁気ヘッドに適用することが可能になり
、高密度磁気記録用の磁気ヘッドを得ることができる．
第１図は本発明の下地層を有する強磁性薄膜の断面図、
第２図は本発明の下地層を有する積層磁性薄膜の断面図
、第３図は本発明の強磁性薄膜の比透磁率の下地暦膜厚
依存性を示すグラフ、第４第１図 第２図 ッドの作製工程を示す斜視図である。 符号の説明 １１・・・磁性膜，１２・・・下地層、１３・・・基板
、２１・・・主磁性膜、２２・・・中間膜、２３・・・
下地暦、２４・・・基板、８１・・・溝、８２・・・基
板、８３・・・強磁性薄膜、８４・・・ガラス、８５・
・・ヘッドギャップ構成面、８６・・・ヘッドコア半休
ブロック、８７・・・巻線窓、８８・・・巻線窓を有す
るヘッドコア半休ブロック、８９・・・接合ブロック、
９０・・・ＶＴＲ用磁気ヘッド。 第３図 Ｆｅ．−Ａｌ令全（鑞っ帖（お （ｇ２ ｙｔ ヘブｌ″キセーｌ７′旧４琢頗 Ｖ丁Ｋ用ｋ５
第２図は本発明の下地層を有する積層磁性薄膜の断面図
、第３図は本発明の強磁性薄膜の比透磁率の下地暦膜厚
依存性を示すグラフ、第４第１図 第２図 ッドの作製工程を示す斜視図である。 符号の説明 １１・・・磁性膜，１２・・・下地層、１３・・・基板
、２１・・・主磁性膜、２２・・・中間膜、２３・・・
下地暦、２４・・・基板、８１・・・溝、８２・・・基
板、８３・・・強磁性薄膜、８４・・・ガラス、８５・
・・ヘッドギャップ構成面、８６・・・ヘッドコア半休
ブロック、８７・・・巻線窓、８８・・・巻線窓を有す
るヘッドコア半休ブロック、８９・・・接合ブロック、
９０・・・ＶＴＲ用磁気ヘッド。 第３図 Ｆｅ．−Ａｌ令全（鑞っ帖（お （ｇ２ ｙｔ ヘブｌ″キセーｌ７′旧４琢頗 Ｖ丁Ｋ用ｋ５
Claims (8)
- １．酸化物基板上に形成した強磁性薄膜において上記強
磁性薄膜がＦｅあるいはＦｅを主成分とする合金であり
、上記強磁性薄膜と上記酸化物基板との界面にＦｅとＡ
ｌを主成分とする合金からなる下地層を設けたことを特
徴とする強磁性薄膜。 - ２．特許請求の範囲第１項記載の強磁性薄膜に用いた下
地層がＡｌを２〜４０ａｔ％含むＦｅを主成分とする金
属薄膜であることを特徴とする強磁性薄膜。 - ３．酸化物基板上に形成した強磁性薄膜において上記強
磁性薄膜がＦｅあるいはＦｅを主成分とする合金であり
、上記強磁性薄膜と上記酸化物基板との界面にＣｏ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、の中から選ばれる一種
以上の金属からなる下地層を設けたことを特徴とする強
磁性薄膜。 - ４．上記下地層の膜厚が２０〜２００Åであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか
に記載の強磁性薄膜。 - ５．特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の強磁性薄膜を磁気回路の少なくとも一部に用いたこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - ６．酸化物層と、Ｆｅを主成分とする強磁性層とを有す
る強磁性膜において、上記酸化物層と強磁性層の間に両
者と相互拡散による反応層をそれぞれの界面に形成する
下地層を有することを特徴とする強磁性薄膜。 - ７．前記酸化物は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、ＳｉＯ＿２
およびＡｌ＿２Ｏ＿３のうちから選ばれる少なくともひ
とつであることを特徴とする請求項６記載の強磁性薄膜
。 - ８．前記下地層はＦｅとＡｌを主成分とし、前記反応層
はＦｅとＡｌの合金層であることを特徴とする請求項６
記載の強磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11492389A JPH02295104A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11492389A JPH02295104A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02295104A true JPH02295104A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14650009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11492389A Pending JPH02295104A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02295104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583889A3 (en) * | 1992-07-22 | 1994-10-12 | Ngk Insulators Ltd | A method of pickling Sendust and pickling a pattern in layers of Sendust and chrome. |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11492389A patent/JPH02295104A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583889A3 (en) * | 1992-07-22 | 1994-10-12 | Ngk Insulators Ltd | A method of pickling Sendust and pickling a pattern in layers of Sendust and chrome. |
| US5413672A (en) * | 1992-07-22 | 1995-05-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of etching sendust and method of pattern-etching sendust and chromium films |
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