JPH02273305A - 磁気ヘッドの製造法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造法Info
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- JPH02273305A JPH02273305A JP9445889A JP9445889A JPH02273305A JP H02273305 A JPH02273305 A JP H02273305A JP 9445889 A JP9445889 A JP 9445889A JP 9445889 A JP9445889 A JP 9445889A JP H02273305 A JPH02273305 A JP H02273305A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気ディスク装置において611気デイスクに
対して情報を記録再生する磁気ヘッド及びその製造法に
関する。
対して情報を記録再生する磁気ヘッド及びその製造法に
関する。
詳しくは、エアーベアリング面を有するスライダに取り
付けられることによりフローティングないし浮上形と称
される磁気ヘッド及びその製造法に関する。
付けられることによりフローティングないし浮上形と称
される磁気ヘッド及びその製造法に関する。
[従来の技術]
フローティング磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置に
おいては、磁気ディスク上に磁気ヘッドをある距離(浮
上量と呼ばれる。)をもって配置し、磁気ヘッドが有す
る磁気回路(この回路を構成する部材はコアと呼ばれる
。)で記録再生を行なっている。浮上量はディスクの回
転によって強制的に作られる空気の流れの中に、断面が
くさび状になるようエアーベアリング表面(これを外側
に作りこんだ部材はスライダと呼ばれる。)を配置し、
その表面に動圧を発生させ、その動圧で保たせている。
おいては、磁気ディスク上に磁気ヘッドをある距離(浮
上量と呼ばれる。)をもって配置し、磁気ヘッドが有す
る磁気回路(この回路を構成する部材はコアと呼ばれる
。)で記録再生を行なっている。浮上量はディスクの回
転によって強制的に作られる空気の流れの中に、断面が
くさび状になるようエアーベアリング表面(これを外側
に作りこんだ部材はスライダと呼ばれる。)を配置し、
その表面に動圧を発生させ、その動圧で保たせている。
故に磁気ヘッドは浮上量を保つエアーベアリング表面を
もつスライダと記録再生を行なう磁気ヘッドチップとの
2つの主要部からなる。
もつスライダと記録再生を行なう磁気ヘッドチップとの
2つの主要部からなる。
磁気ヘッドは、磁性材料(例えばMn−Znフェライト
)を用いてスライダと磁気へラドチップとを一体で削り
出したモノリシックヘッドと、硬質非磁性材料(例えば
CaTiO3゜AIt203 TiC)のスライダに磁
性材料でできた磁気へラドチップを埋め込んだコンポジ
ットヘッドとに大別される。
)を用いてスライダと磁気へラドチップとを一体で削り
出したモノリシックヘッドと、硬質非磁性材料(例えば
CaTiO3゜AIt203 TiC)のスライダに磁
性材料でできた磁気へラドチップを埋め込んだコンポジ
ットヘッドとに大別される。
第2図はコンポジットヘッドの一例を示す斜視図であり
、磁気ヘッドチップ1がスライダ2に取り付けられてい
る。スライダ2は2条のエアーベアリング面3.4を有
する。このコンポジットヘッドでは、スライダ2のエア
ーヘアリング面4に沿って流れる空気流の出口端にスラ
イダ長手方向のスリット9が設けられており、該スリッ
ト9内に磁気へラドチップ1が差し込まれ、ガラスで接
着して埋められている。第3図は磁気へラドチップ1の
拡大斜視図である。第3図の如く、磁気ヘッドチップ1
はガラス7で結合された1対のコア5.6を有し、コア
5.6の間にギャップ8が形成されている。符号10は
巻線窓である。この巻線窓10を形成するために、一方
のコア5は直線的な棒形状であるが、他方のコア6はC
字形状となっている。そして、コア5はIコアと通称さ
れ、コア6はCコアと通称されている。なお、コア5.
6はMn01ZnO及びFe2e3を主体とするMn−
Znフェライトセラミックス焼結体などよりなる。
、磁気ヘッドチップ1がスライダ2に取り付けられてい
る。スライダ2は2条のエアーベアリング面3.4を有
する。このコンポジットヘッドでは、スライダ2のエア
ーヘアリング面4に沿って流れる空気流の出口端にスラ
イダ長手方向のスリット9が設けられており、該スリッ
ト9内に磁気へラドチップ1が差し込まれ、ガラスで接
着して埋められている。第3図は磁気へラドチップ1の
拡大斜視図である。第3図の如く、磁気ヘッドチップ1
はガラス7で結合された1対のコア5.6を有し、コア
5.6の間にギャップ8が形成されている。符号10は
巻線窓である。この巻線窓10を形成するために、一方
のコア5は直線的な棒形状であるが、他方のコア6はC
字形状となっている。そして、コア5はIコアと通称さ
れ、コア6はCコアと通称されている。なお、コア5.
6はMn01ZnO及びFe2e3を主体とするMn−
Znフェライトセラミックス焼結体などよりなる。
ディスク媒体はある半径の円周に沿って磁化されるが、
そのドーナツ状の磁化部分の幅(トラッり幅と呼ばれる
。)を小さくするために、磁気へラドチップ1はスリッ
ト9に差し込む前にディスクとの対向側の部分が予め薄
く加工(この加工はトラック絞り加工と呼ばれる。)さ
れる。
そのドーナツ状の磁化部分の幅(トラッり幅と呼ばれる
。)を小さくするために、磁気へラドチップ1はスリッ
ト9に差し込む前にディスクとの対向側の部分が予め薄
く加工(この加工はトラック絞り加工と呼ばれる。)さ
れる。
トラック絞り加工された形状は、種々考案されており、
急激な断面積の変化で磁束の流れを阻害しないようにす
るために、第5図のように徐々に薄くするものがある。
急激な断面積の変化で磁束の流れを阻害しないようにす
るために、第5図のように徐々に薄くするものがある。
また、第4図のように厚みを徐々に絞っていく形状もあ
るが、これは、矢印11のように脇に漏れる磁束が増加
し、媒体の磁化部分がトラック幅方向ににじみ、好まし
くない。
るが、これは、矢印11のように脇に漏れる磁束が増加
し、媒体の磁化部分がトラック幅方向ににじみ、好まし
くない。
このため、コンポジットヘッドの磁気ヘッドチップは第
3図に示すように、トラック幅と同一の厚みである高さ
(例えば0.1mm)だけ突出した断面形状をもつトラ
ック絞り(この絞りはほぼ階段状であることからステッ
プ形トラック絞りと称される。)を主に用いる。なお、
第3図の如きコアはステップ形コアと称される。
3図に示すように、トラック幅と同一の厚みである高さ
(例えば0.1mm)だけ突出した断面形状をもつトラ
ック絞り(この絞りはほぼ階段状であることからステッ
プ形トラック絞りと称される。)を主に用いる。なお、
第3図の如きコアはステップ形コアと称される。
第3図において、上記の突出した部分は肉薄の片状部8
0であり、それ以外の箇所は厚肉の本体部90である。
0であり、それ以外の箇所は厚肉の本体部90である。
磁気記録の分野においては、記録の高密度化に向けての
検討が、媒体及びヘッドの両方から進められている。媒
体の高保磁力化に対応して、磁気ヘッドは狭ギャップ化
・狭トラツク化の方向で対応しているが、従来のフェラ
イトヘッドでは、飽和磁束密度が5000G程度である
ことから、媒体を飽和させるのに十分なヘッド磁界を発
生できない状況になってきている。そこで、第3図に示
すように、■コア5のCコア6と結合される側(以下、
接合面ということがある。)の面に高飽和磁束密度を有
する強磁性金属薄膜(層)9をスパッタリング法により
付着させた磁気ヘッドが用いられてきている。
検討が、媒体及びヘッドの両方から進められている。媒
体の高保磁力化に対応して、磁気ヘッドは狭ギャップ化
・狭トラツク化の方向で対応しているが、従来のフェラ
イトヘッドでは、飽和磁束密度が5000G程度である
ことから、媒体を飽和させるのに十分なヘッド磁界を発
生できない状況になってきている。そこで、第3図に示
すように、■コア5のCコア6と結合される側(以下、
接合面ということがある。)の面に高飽和磁束密度を有
する強磁性金属薄膜(層)9をスパッタリング法により
付着させた磁気ヘッドが用いられてきている。
この磁気ヘッドは、その構造が極めて単純で生産性に優
れ、また強磁性金属薄膜9の膜厚とは無関係にトラック
幅を設定できるという利点を有している。
れ、また強磁性金属薄膜9の膜厚とは無関係にトラック
幅を設定できるという利点を有している。
ところが、この磁気へラドチップ1はコア5と強磁性金
属薄膜9との境界面16が磁気ギャップ8と平行に位置
しているため、上記境界面16が疑似ギャップ(sec
ondary gap)として作用してしまい、記録再
生特性の劣化を招く原因となってしまっている。即ち、
第9図に示す如く、ギャップ8による再生出力E−のほ
かに、この疑似ギャップにより別の再生出力E2が発生
する。そして、このために再生信号の周波数特性にうね
りを生じ、再生出力の低下を招いてしまう。
属薄膜9との境界面16が磁気ギャップ8と平行に位置
しているため、上記境界面16が疑似ギャップ(sec
ondary gap)として作用してしまい、記録再
生特性の劣化を招く原因となってしまっている。即ち、
第9図に示す如く、ギャップ8による再生出力E−のほ
かに、この疑似ギャップにより別の再生出力E2が発生
する。そして、このために再生信号の周波数特性にうね
りを生じ、再生出力の低下を招いてしまう。
上述の疑似ギャップを解消するため、特開昭60722
9210号公報のように、強磁性金属薄膜を磁気ギャッ
プに対して10〜80°程度傾けて成膜し、疑似ギャッ
プをアジマス損失によって低減したもの、あるいは強磁
性金属薄膜を付着させる面に溝や凹凸を設け、フェライ
トとの境界面が磁気ギャップと平行にならないようにす
る方法が提案されている。しかしながら、これらの方法
では生産性や製造コストの点で問題かあった。
9210号公報のように、強磁性金属薄膜を磁気ギャッ
プに対して10〜80°程度傾けて成膜し、疑似ギャッ
プをアジマス損失によって低減したもの、あるいは強磁
性金属薄膜を付着させる面に溝や凹凸を設け、フェライ
トとの境界面が磁気ギャップと平行にならないようにす
る方法が提案されている。しかしながら、これらの方法
では生産性や製造コストの点で問題かあった。
さらに、特開昭63−39106号及び特開昭63−3
2709号にあるように、磁気コア部と強磁性金属薄膜
との境界面に高透磁率材料よりなる下地膜を介在させた
方法などが提案されている。しかし、この方法では強磁
性薄膜として鉄−アルミニウム−シリコン系(Fe−A
l2−3t系)合金薄膜を用い、ニッケルー鉄(N i
−Fe)下地膜を用いた場合、ガラスボンディング時
の加熱により、NiがFe−AIL−Si中へ拡散する
ことがより明らかとなっており(゛88応用磁気予稿集
)、磁性膜の特性を低下させ、疑似ギャップを十分に低
減させることができない。
2709号にあるように、磁気コア部と強磁性金属薄膜
との境界面に高透磁率材料よりなる下地膜を介在させた
方法などが提案されている。しかし、この方法では強磁
性薄膜として鉄−アルミニウム−シリコン系(Fe−A
l2−3t系)合金薄膜を用い、ニッケルー鉄(N i
−Fe)下地膜を用いた場合、ガラスボンディング時
の加熱により、NiがFe−AIL−Si中へ拡散する
ことがより明らかとなっており(゛88応用磁気予稿集
)、磁性膜の特性を低下させ、疑似ギャップを十分に低
減させることができない。
また、酸化ニッケル、酸化亜鉛及び酸化鉄を含むフェラ
イト(Ni−Znフェライト)等を下地膜として用いる
場合、十分な軟磁性が得られる下地膜を安定して製造す
ることが困難であった。
イト(Ni−Znフェライト)等を下地膜として用いる
場合、十分な軟磁性が得られる下地膜を安定して製造す
ることが困難であった。
非磁性であるクロム(Cr ) lliをフェライトコ
アとFe−Al1−3t膜との間に介在させ、フェライ
トとFe−Al2−Si膜の反応を防止する方法も提案
されている(特開昭63−311611号、特開昭64
−1109号)。
アとFe−Al1−3t膜との間に介在させ、フェライ
トとFe−Al2−Si膜の反応を防止する方法も提案
されている(特開昭63−311611号、特開昭64
−1109号)。
即ち、特開昭61−311611号の特許請求の範囲に
は、「強磁性酸化物を主体とする磁気コアの少なくとも
作動ギャップ近傍部が金属磁性体からなる複合型磁気ヘ
ッドにおいて、無歪高平坦度面となした強磁性酸化物表
面に、100Å〜1000A厚みのCr薄膜、Fe−A
l1−3i系合金薄膜の順に積層された金属磁性体を有
することを特徴とする複合型磁気ヘッド。」と記載され
ている。
は、「強磁性酸化物を主体とする磁気コアの少なくとも
作動ギャップ近傍部が金属磁性体からなる複合型磁気ヘ
ッドにおいて、無歪高平坦度面となした強磁性酸化物表
面に、100Å〜1000A厚みのCr薄膜、Fe−A
l1−3i系合金薄膜の順に積層された金属磁性体を有
することを特徴とする複合型磁気ヘッド。」と記載され
ている。
また、特開昭64−1109号の特許請求の範囲にはr
(1)lii!気ギャップの近傍に真空薄膜形成技術に
より強磁性金属薄膜を形成し、これを挟むように後部磁
路を強磁性酸化物で形成してなる磁気ヘッドにおいて、
上記強磁性金属薄膜と上記強磁性酸化物の間に非磁性元
素膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッド。(2)前
記非磁性元素膜としてCrあるいはTiを含んだことを
特徴とする第1項記載の磁気ヘッド。(3)前記非磁性
元素膜の膜厚が200〜2000Aであることを特徴と
する第1項記載の磁気ヘッド。」が記載されている。
(1)lii!気ギャップの近傍に真空薄膜形成技術に
より強磁性金属薄膜を形成し、これを挟むように後部磁
路を強磁性酸化物で形成してなる磁気ヘッドにおいて、
上記強磁性金属薄膜と上記強磁性酸化物の間に非磁性元
素膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッド。(2)前
記非磁性元素膜としてCrあるいはTiを含んだことを
特徴とする第1項記載の磁気ヘッド。(3)前記非磁性
元素膜の膜厚が200〜2000Aであることを特徴と
する第1項記載の磁気ヘッド。」が記載されている。
これらの請求の範囲からも明らかな通り、特開昭63−
311611号及び64−1109号の磁気ヘッドは、
Fe−Aft−5i膜とフェライトコアとの間にCr層
か残留されるのである。しかし、これらの方法では疑似
ギャップを小さくすることはできなかった。即ち、Cr
自体の透磁率が1であり、残留するCr層が疑似ギャッ
プ層として作用してしまうのである。
311611号及び64−1109号の磁気ヘッドは、
Fe−Aft−5i膜とフェライトコアとの間にCr層
か残留されるのである。しかし、これらの方法では疑似
ギャップを小さくすることはできなかった。即ち、Cr
自体の透磁率が1であり、残留するCr層が疑似ギャッ
プ層として作用してしまうのである。
このように、高透磁率材料または非磁性材料よりなる下
地膜を介在させる方法も、信頼性や製造コスト、生産性
の面で問題があった。
地膜を介在させる方法も、信頼性や製造コスト、生産性
の面で問題があった。
[発明が解決しようとする課題]
前述したように、上記の強磁性金属薄膜を6fl気ギヤ
ツプに対して平行に形成した磁気ヘッドでは、生産性や
精度に優れているものの、疑似ギャップの影響が大ぎく
信頼性に問題がある。強磁性金属薄膜を磁気ギャップに
対して斜めに形成した磁気ヘッドや磁気コア部と強磁性
金属薄膜との境界面に高透磁率材料や非磁性材料よりな
る下地膜を介在させた磁気ヘッドでは、生産性や製造コ
ストの点で問題があった。
ツプに対して平行に形成した磁気ヘッドでは、生産性や
精度に優れているものの、疑似ギャップの影響が大ぎく
信頼性に問題がある。強磁性金属薄膜を磁気ギャップに
対して斜めに形成した磁気ヘッドや磁気コア部と強磁性
金属薄膜との境界面に高透磁率材料や非磁性材料よりな
る下地膜を介在させた磁気ヘッドでは、生産性や製造コ
ストの点で問題があった。
また、コアとFe−Al2−3t薄膜層との間にクロム
層を形成する場合であっても、疑似ギャップを小さくす
ることが困難である。
層を形成する場合であっても、疑似ギャップを小さくす
ることが困難である。
本発明の目的は、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対し
て平行に形成した磁気ヘッドの特徴を活かした上で、磁
気コア部と強磁性金属薄膜との間に生じる疑似ギャップ
の影響を抑え、信頼性及び生産性に優れた磁気ヘッドと
その製造法を提供することにある。
て平行に形成した磁気ヘッドの特徴を活かした上で、磁
気コア部と強磁性金属薄膜との間に生じる疑似ギャップ
の影響を抑え、信頼性及び生産性に優れた磁気ヘッドと
その製造法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の磁気ヘッドは、磁気空隙を介して一対のフェラ
イトコアな対向して配置し、その少なくとも一方のコア
の対向面に金属強磁性合金膜を蒸着させたもので、この
強磁性合金膜とフェライトコアとの接合面を、フェライ
ト中の酸素原子や強磁性合金膜を通さない不動態とした
ことを特徴とするものである。
イトコアな対向して配置し、その少なくとも一方のコア
の対向面に金属強磁性合金膜を蒸着させたもので、この
強磁性合金膜とフェライトコアとの接合面を、フェライ
ト中の酸素原子や強磁性合金膜を通さない不動態とした
ことを特徴とするものである。
この不動態は、その厚みが少なくとも3Aは必要で、厚
くとも100A以下であることが必要である。
くとも100A以下であることが必要である。
この不動態としては、クロム、ハフニウム、ジルコニウ
ム、チタンの酸化物層が望ましく、特にクロムの酸化物
が望ましい。
ム、チタンの酸化物層が望ましく、特にクロムの酸化物
が望ましい。
本発明で使用される強磁性合金膜としては、通常センダ
ストと呼ばれる鉄−アルミニウムシリコン系強磁性合金
膜、パーマロイ系のFeNi、高飽和磁束のFe−3i
合金膜、あるいは高飽和磁束密度あるいは高透磁率のア
モルファス合金例えばCo−Nb (Ta)−Zr系の
薄膜をスパッタリングなどによって付着生成させたもの
が適切である。これらの合金膜に2重量%以下のクロム
を含有させたものは、耐食性に優れている。
ストと呼ばれる鉄−アルミニウムシリコン系強磁性合金
膜、パーマロイ系のFeNi、高飽和磁束のFe−3i
合金膜、あるいは高飽和磁束密度あるいは高透磁率のア
モルファス合金例えばCo−Nb (Ta)−Zr系の
薄膜をスパッタリングなどによって付着生成させたもの
が適切である。これらの合金膜に2重量%以下のクロム
を含有させたものは、耐食性に優れている。
本発明の磁気ヘッドの製造法は、ガラスにより結合され
る1対のフェライトコアのうちの一方のコアの結合され
る側の面にクロムをスパッタリングしてクロム層を形成
すると共に、クロムとフェライト中の酸素とを結合させ
て該クロム層とフェライトとの間に厚さ3〜100Aの
酸化クロムの層を形成する工程と、該クロム層を酸化雰
囲気に接触させることなく次工程のスパッタリングを行
なってクロム層の上に鉄−アルミニウム−シリコン系合
金の薄膜を形成する工程と、熱処理してクロムを鉄−ア
ルミニウム−シリコン系合金中に拡散させ、該合金が酸
化クロム層に直接に接するようにする工程と、コア同志
をガラスで結合する工程と、を備えてなるものである。
る1対のフェライトコアのうちの一方のコアの結合され
る側の面にクロムをスパッタリングしてクロム層を形成
すると共に、クロムとフェライト中の酸素とを結合させ
て該クロム層とフェライトとの間に厚さ3〜100Aの
酸化クロムの層を形成する工程と、該クロム層を酸化雰
囲気に接触させることなく次工程のスパッタリングを行
なってクロム層の上に鉄−アルミニウム−シリコン系合
金の薄膜を形成する工程と、熱処理してクロムを鉄−ア
ルミニウム−シリコン系合金中に拡散させ、該合金が酸
化クロム層に直接に接するようにする工程と、コア同志
をガラスで結合する工程と、を備えてなるものである。
。
磁気ヘッドの製造法においては、Crの拡散とガラスボ
ンディングとを同一工程で行なうようにすることが望ま
しい。
ンディングとを同一工程で行なうようにすることが望ま
しい。
ここで、酸化雰囲気とは水分圧と酸素分圧の和が10”
”Pa以上のものである。スパッタリングの全工程にわ
たって、水分圧と酸素分圧の和が10’Pa未満、望ま
しくは10’Pa未溝に保つことが良い。
”Pa以上のものである。スパッタリングの全工程にわ
たって、水分圧と酸素分圧の和が10’Pa未満、望ま
しくは10’Pa未溝に保つことが良い。
[作用]
フェライトコア部と強磁性合金膜の間に不動態を形成す
ることにより、両者間の反応を抑制する。この不動態は
拡散のし易い酸素原子、アルミニウム原子、マンガン原
子の相互拡散を防止する。
ることにより、両者間の反応を抑制する。この不動態は
拡散のし易い酸素原子、アルミニウム原子、マンガン原
子の相互拡散を防止する。
この不動態としては、クロム、ハフニウム、ジルコニウ
ム、チタンの酸化物層が使用できるが、これらの金属膜
をフェライトコア上にスパッタリングなどの蒸着によっ
て形成したとき、これらの金属とフェライト材料との境
界で、一部反応が起こる。この反応層はその後の加熱で
成長することもある。この不動態の厚みは少なくとも3
Aは必要であり、疑似ギャップを生じないためには10
0八以下にする必要がある。この不動態の厚さは1oA
以上あると酸素原子、アルミニウム原子、マンガン原子
の相互拡散を完全に防ぐことが出来るようである。
ム、チタンの酸化物層が使用できるが、これらの金属膜
をフェライトコア上にスパッタリングなどの蒸着によっ
て形成したとき、これらの金属とフェライト材料との境
界で、一部反応が起こる。この反応層はその後の加熱で
成長することもある。この不動態の厚みは少なくとも3
Aは必要であり、疑似ギャップを生じないためには10
0八以下にする必要がある。この不動態の厚さは1oA
以上あると酸素原子、アルミニウム原子、マンガン原子
の相互拡散を完全に防ぐことが出来るようである。
強磁性合金膜としては、フェライト材料よりも高い飽和
磁束密度と高い透磁率を有する材料が用いられる。通常
センダストと呼ばれる鉄−アルミニウム−シリコン系強
磁性合金膜、パーマロイ系のFe−Ni合金膜、Fe−
5t合金膜、あるいはアモルファス磁性合金膜を0.5
〜20μmの厚さに作成したものが用いられる。
磁束密度と高い透磁率を有する材料が用いられる。通常
センダストと呼ばれる鉄−アルミニウム−シリコン系強
磁性合金膜、パーマロイ系のFe−Ni合金膜、Fe−
5t合金膜、あるいはアモルファス磁性合金膜を0.5
〜20μmの厚さに作成したものが用いられる。
不動態を上のように薄くするために、本発明では例えば
金属クロムをフェライト面上にスパッタリングで付ける
。この金属クロムのフェライトに付いている境界部にお
いて酸化反応によってクロムの酸化層が形成される。こ
の金属クロム上に強磁性合金膜を形成し、その後加熱す
ると、金属クロムは合金膜中に拡散してしまい。上で生
じたクロムの酸化層だけがフェライトと強磁性合金膜の
境界に残り、きわめて薄いものとなる。予め付着させる
金属クロムの厚さは、ある程度の厚さにする必要がある
。あまりに薄いものであると、散点状又は島状(1sl
ands状)となって、フェライトと合金膜を直接に付
けることになる。そこで、必要とするクロムの厚さは、
合金膜を付けるフェライトコアの面の全体を覆う程度は
必要である。クロムの厚さが少々厚くとも酸化物になら
なかった部分は合金中に拡散してしまうので問題がなく
、合金中のCr含有量が4wt%未満、望ましくは2w
t%以下のときは耐食性を改善する面から望ましいもの
である。
金属クロムをフェライト面上にスパッタリングで付ける
。この金属クロムのフェライトに付いている境界部にお
いて酸化反応によってクロムの酸化層が形成される。こ
の金属クロム上に強磁性合金膜を形成し、その後加熱す
ると、金属クロムは合金膜中に拡散してしまい。上で生
じたクロムの酸化層だけがフェライトと強磁性合金膜の
境界に残り、きわめて薄いものとなる。予め付着させる
金属クロムの厚さは、ある程度の厚さにする必要がある
。あまりに薄いものであると、散点状又は島状(1sl
ands状)となって、フェライトと合金膜を直接に付
けることになる。そこで、必要とするクロムの厚さは、
合金膜を付けるフェライトコアの面の全体を覆う程度は
必要である。クロムの厚さが少々厚くとも酸化物になら
なかった部分は合金中に拡散してしまうので問題がなく
、合金中のCr含有量が4wt%未満、望ましくは2w
t%以下のときは耐食性を改善する面から望ましいもの
である。
このようにクロムなどを合金中に拡散させるためにはク
ロムなどの表面が酸化されない条件下ですべてのスパッ
タリングを行なう必要がある。その条件は温度によって
も変わるが、通常スパッタリングが行なわれる400℃
以下においては、酸素分圧と水分圧の合計で10’Pa
未満、望ましくは1O−2Pa未溝にする。
ロムなどの表面が酸化されない条件下ですべてのスパッ
タリングを行なう必要がある。その条件は温度によって
も変わるが、通常スパッタリングが行なわれる400℃
以下においては、酸素分圧と水分圧の合計で10’Pa
未満、望ましくは1O−2Pa未溝にする。
[実施例]
以下、本発明を適用した磁気ヘッドの実施例を図面を参
考にしながら説明する。
考にしながら説明する。
第1図は本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す拡大
斜視図であり、第6図はその磁気記録媒体対向面を示す
拡大平面図である。
斜視図であり、第6図はその磁気記録媒体対向面を示す
拡大平面図である。
この磁気ヘッドにおいては、磁気コア部5.6がMn−
Znフェライトで形成され、磁気コア5の接合面には、
厚さ3〜100人の酸化クロム層12が形成されている
。この酸化クロム層12に直接に接して、フロントギャ
ップ形成面からバッり磁気ヘッド形成面に至るまで、連
続してCrが拡散したFe−Al1.−3i系薄膜9が
形成されている。
Znフェライトで形成され、磁気コア5の接合面には、
厚さ3〜100人の酸化クロム層12が形成されている
。この酸化クロム層12に直接に接して、フロントギャ
ップ形成面からバッり磁気ヘッド形成面に至るまで、連
続してCrが拡散したFe−Al1.−3i系薄膜9が
形成されている。
なお、第1.6図は模式図であり、酸化クロム層12及
びFe−An−Si層9もある厚みをもって示されてい
る。しかしながら、これらの厚みは3〜100Aあるい
は数μm以下であり、肉眼では識別できないことは明ら
かである。
びFe−An−Si層9もある厚みをもって示されてい
る。しかしながら、これらの厚みは3〜100Aあるい
は数μm以下であり、肉眼では識別できないことは明ら
かである。
この磁気ヘッドの製造法を次に説明する。
まず、■コア5とCコア6とをMn−Znフェライトを
用いて別々に作成する。次に、スパッタリング装置に■
コアを入れ、■コアの接合面にクロム(Cr)をスパッ
タリングする。このスパッタリングにより好ましくは厚
さ20〜400A。
用いて別々に作成する。次に、スパッタリング装置に■
コアを入れ、■コアの接合面にクロム(Cr)をスパッ
タリングする。このスパッタリングにより好ましくは厚
さ20〜400A。
特に好ましくは50〜150AのCr層を形成するので
あるが、この際、おそらくはCr原子がフェライト表面
に衝突するエネルギーにより、フェライト中の酸素(0
)とCrとが反応して酸化クロム層が少なくとも一部が
形成される。
あるが、この際、おそらくはCr原子がフェライト表面
に衝突するエネルギーにより、フェライト中の酸素(0
)とCrとが反応して酸化クロム層が少なくとも一部が
形成される。
Cr層を形成した後、このCr層を大気など酸化雰囲気
に晒すことなく次工程のスパッタリングを行ない、Cr
層の上にFe−Afl−Si系合金層を好ましくは0.
5〜20μm、特に好ましくは1〜5μmの厚さとなる
ように形成する。
に晒すことなく次工程のスパッタリングを行ない、Cr
層の上にFe−Afl−Si系合金層を好ましくは0.
5〜20μm、特に好ましくは1〜5μmの厚さとなる
ように形成する。
次いで、熱処理によりCrをFe−Al2−S4層中に
拡散させ、Cr層を消失させる。このときフェライトと
Cr層の境界のクロムの酸化層も増えると考えられる。
拡散させ、Cr層を消失させる。このときフェライトと
Cr層の境界のクロムの酸化層も増えると考えられる。
この熱処理温度は640〜730℃が好適であり、処理
時間は10mi n以上とりわけ20m1n以上が好適
である。これにより、Crを含んだFe−Al2−3i
層9が酸化クロム層12に直に接するように形成される
。
時間は10mi n以上とりわけ20m1n以上が好適
である。これにより、Crを含んだFe−Al2−3i
層9が酸化クロム層12に直に接するように形成される
。
このIコア5は、次にガラス7によりCコア6と結合さ
れる。このガラスは、磁気ヘッドをスライダに固定する
ときに用いられるよりも軟化点(softening
point)の高いものを用いる。この理由は、磁気ヘ
ッドをスライダに固定するために加熱したときに、■コ
アとCコアとを結合しているガラス7が軟化しないよう
にするためである。
れる。このガラスは、磁気ヘッドをスライダに固定する
ときに用いられるよりも軟化点(softening
point)の高いものを用いる。この理由は、磁気ヘ
ッドをスライダに固定するために加熱したときに、■コ
アとCコアとを結合しているガラス7が軟化しないよう
にするためである。
本−発明においては、Cr層の上にFe−Af1St層
を形成した後、Cr拡散のためだけの熱処理を行なわず
、代わりに、■コアとCコアとをガラスボンディングす
るために加熱するときに、Cr層をFe−Al1−づ1
層中に拡散させ、酸化クロム層が直接にCrを含んだF
e−Al1−3i層と接するようにしても良い。このよ
うにすると、熱処理工程が一つ減少することになる。
を形成した後、Cr拡散のためだけの熱処理を行なわず
、代わりに、■コアとCコアとをガラスボンディングす
るために加熱するときに、Cr層をFe−Al1−づ1
層中に拡散させ、酸化クロム層が直接にCrを含んだF
e−Al1−3i層と接するようにしても良い。このよ
うにすると、熱処理工程が一つ減少することになる。
コア同志をガラスボンディングする際の温度は640〜
730℃が好適である。ガラスボンディング時にCrの
拡散を行なう場合は、加熱時間は好ましくは10分(m
in)以上、特に20m1n以上とし、Crが十分にF
e−Al2−St層に拡散するようにする。
730℃が好適である。ガラスボンディング時にCrの
拡散を行なう場合は、加熱時間は好ましくは10分(m
in)以上、特に20m1n以上とし、Crが十分にF
e−Al2−St層に拡散するようにする。
なお、Cコア6のIコア5との合せ側の面にも高透磁率
の磁性合金薄膜を形成しても良い。
の磁性合金薄膜を形成しても良い。
本発明において用いられる好適なFe−Al−5i系磁
性合金としては、重量%にてAn:2〜10%、Si:
3〜16%、残部実質的にFeであるものが挙げられ、
Au:4〜8%、Si:6〜11%、残部実質的にP
eであるものがとりわけ好適である。
性合金としては、重量%にてAn:2〜10%、Si:
3〜16%、残部実質的にFeであるものが挙げられ、
Au:4〜8%、Si:6〜11%、残部実質的にP
eであるものがとりわけ好適である。
なお、Ti、Ruをそれぞれ2%以下ずつ含んでいても
、耐食性、耐摩耗性を向上させることができ、好適であ
る。
、耐食性、耐摩耗性を向上させることができ、好適であ
る。
なお、Cコア、Iコアの構成材料としてはMn−Znフ
ェライト、Ni−Znフェライト等が好適である。Mn
−Znフェライトの好ましい組成としては、モル%でM
nO:25〜37%、ZnO:B 〜23%、F e
203 : 51〜57%が挙げられる。
ェライト、Ni−Znフェライト等が好適である。Mn
−Znフェライトの好ましい組成としては、モル%でM
nO:25〜37%、ZnO:B 〜23%、F e
203 : 51〜57%が挙げられる。
Cコアと1コアとを結合するためのガラスとしては5i
o2−PbO−R2O(Rは7 )Liカリ金属)系ガ
ラス又はSiO2PbO’R20B203系ガラスが好
適である。特に好ましい組成は次に例示される。このガ
ラスは軟化点が560〜580℃である。
o2−PbO−R2O(Rは7 )Liカリ金属)系ガ
ラス又はSiO2PbO’R20B203系ガラスが好
適である。特に好ましい組成は次に例示される。このガ
ラスは軟化点が560〜580℃である。
S i 02 28〜49wt%
B2O35〜15wt%
N a 2 0” 7〜1 3 w t%pbo
残部 磁気ヘッドをスライダに結合するためのガラスとしては
、PbO−5to2 Al12y3−B2 Os系ガラ
スが好適であり、特に好ましい組成は次の通りである。
残部 磁気ヘッドをスライダに結合するためのガラスとしては
、PbO−5to2 Al12y3−B2 Os系ガラ
スが好適であり、特に好ましい組成は次の通りである。
P b O70〜83 w t%
AJ220s3〜10wt%
5i02 6〜13wt%
B203 4〜10wt%
PbOを主成分としたこのガラスの軟化点は410〜4
50℃である。
50℃である。
以下、製造の実施例を参照しながら本発明についてさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
実施例1
■コア5を高性能排気系を有するスパッタ装置内に配置
する。この系を、以下の条件まで排気した後、金属Cr
(純度99.99%以上)とFe−Al1−3t合金を
順次形成する。
する。この系を、以下の条件まで排気した後、金属Cr
(純度99.99%以上)とFe−Al1−3t合金を
順次形成する。
〈排気特性〉
H20分圧<10−’Pa
02分圧<1O−3Pa
コアの温度=300℃
〈スパッタ条件〉
スパッタ電力=IKW
Cr膜厚 5oA
Fe−Al2−3t膜厚 2.5μm
さらに、該コアを700℃の間の温度で30分間熱処理
を施すことにより、Crの拡散を完了させた。これによ
り、Crを拡散させたFe−Al1゜Si膜が形成され
た磁気コア5が製造された。
を施すことにより、Crの拡散を完了させた。これによ
り、Crを拡散させたFe−Al1゜Si膜が形成され
た磁気コア5が製造された。
次に、5i02 35wt%、B2O510wt%、N
a2o310wt%、残部pboなる組成を有し、軟化
点570℃のガラスを用いてIコアとCコアとを接合し
た。この加熱温度は700℃、時間は60m1n、雰囲
気はN2である。
a2o310wt%、残部pboなる組成を有し、軟化
点570℃のガラスを用いてIコアとCコアとを接合し
た。この加熱温度は700℃、時間は60m1n、雰囲
気はN2である。
第6図は製造された磁気ヘッドの磁気記録媒体との対向
面の要部拡大図である。第7図は第6図に示した領域に
おけるA−A線に沿うMnとCrの分布測定結果を示す
グラフである。この測定から、第6図におけるフェライ
トコア5とFe−AJL−3i膜の境界部分13には、
厚さ約25Aの酸化クロムの層が形成されていることが
確認された。Cr層は全く存在せず、CrはFe−Al
2−3i膜9中に拡散していることが確認された。
面の要部拡大図である。第7図は第6図に示した領域に
おけるA−A線に沿うMnとCrの分布測定結果を示す
グラフである。この測定から、第6図におけるフェライ
トコア5とFe−AJL−3i膜の境界部分13には、
厚さ約25Aの酸化クロムの層が形成されていることが
確認された。Cr層は全く存在せず、CrはFe−Al
2−3i膜9中に拡散していることが確認された。
即ち、この酸化クロム層はフェライトコア5と、Crを
含有するようになったFe−AjZ−Si合金層9に直
に接している。なお、用いたコアの組成はMn O:
31モル%、zn O: 16モル%、残部Fe2O3
であり、Fe−AIL−3t合金はAl2 : 6wt
%、Si:9wt%、残部Feであった。
含有するようになったFe−AjZ−Si合金層9に直
に接している。なお、用いたコアの組成はMn O:
31モル%、zn O: 16モル%、残部Fe2O3
であり、Fe−AIL−3t合金はAl2 : 6wt
%、Si:9wt%、残部Feであった。
実施例2
実施例1においてCrスパッタリング時のコアの温度を
300℃にすると共に、スパッタ電力を2KWとし、C
r膜厚を20OAとしたこと以外は同様にして磁気ヘッ
ドを製造した。
300℃にすると共に、スパッタ電力を2KWとし、C
r膜厚を20OAとしたこと以外は同様にして磁気ヘッ
ドを製造した。
その結果、■コアとFe−Al2−3L系合金との間に
厚さ50Aの酸化クロム層が形成されている磁気ヘッド
が製造された。
厚さ50Aの酸化クロム層が形成されている磁気ヘッド
が製造された。
実施例3.比較例1
スパッタリング時のコアの温度、スパッタ電力を実施例
と同様にし、ガラスボンディング時の加熱時間を次のよ
うにしたほかは実施例1と同様にして磁気ヘッドを製造
した。金属クロムの一部分は酸化クロムとなり、一部分
は金属クロムとして残留し、この非磁性層がIコアとF
e−Afl。
と同様にし、ガラスボンディング時の加熱時間を次のよ
うにしたほかは実施例1と同様にして磁気ヘッドを製造
した。金属クロムの一部分は酸化クロムとなり、一部分
は金属クロムとして残留し、この非磁性層がIコアとF
e−Afl。
St系合金の間にそれらに接して形成された。非磁性層
の膜厚は、次の表の通りであった。
の膜厚は、次の表の通りであった。
実施例1〜3、比較例1で製造された磁気ヘッドの疑似
ギャップビーク比を測定した。結果を表Iに示す。疑似
ギャップビーク比は、第9図に示すようにギャップによ
る再生出力ピークE+と、疑似ギャップによる再生出力
ピークE2との比E 2 / E Iの百分比である。
ギャップビーク比を測定した。結果を表Iに示す。疑似
ギャップビーク比は、第9図に示すようにギャップによ
る再生出力ピークE+と、疑似ギャップによる再生出力
ピークE2との比E 2 / E Iの百分比である。
再生出力の測定は、保磁力80KAT/mのハードディ
スクを用い、E2/E、は125kHzで測定した孤立
再生波形より読み取った。
スクを用い、E2/E、は125kHzで測定した孤立
再生波形より読み取った。
表I 疑似ギャップピーク比 E 2 / E +に)
上記の通り、酸化クロム層(非磁性層)を100A以下
形成すると、疑似ギャップピーク比が極めて小さく、ノ
イズが著しく小さくなることが明らかである。また、非
磁性層が100Aを超えると、疑似ギャップピーク比が
かなり大きくなることも認められる。
上記の通り、酸化クロム層(非磁性層)を100A以下
形成すると、疑似ギャップピーク比が極めて小さく、ノ
イズが著しく小さくなることが明らかである。また、非
磁性層が100Aを超えると、疑似ギャップピーク比が
かなり大きくなることも認められる。
比較例2.3.4
実施例1.2.3において、Iコアに61層を形成した
後、このIコアを大気に晒した。その後、このIコアの
Cr層の上にFe−A11−St系金合金層形成した。
後、このIコアを大気に晒した。その後、このIコアの
Cr層の上にFe−A11−St系金合金層形成した。
その他の条件は実施例1.2.3と同様にして磁気ヘッ
ドを製造した。
ドを製造した。
第8図は比較例2で製造された磁気ヘッドの第7図と同
様の分析図である。第8図の通り、比較例2ではCrは
拡散せずにCr層のまま残留している。残留Cr層の厚
さは、スパッタしたCr層の厚さと一致していた。
様の分析図である。第8図の通り、比較例2ではCrは
拡散せずにCr層のまま残留している。残留Cr層の厚
さは、スパッタしたCr層の厚さと一致していた。
各磁気ヘッドの疑似ギャップピーク比を測定した。結果
は次表11の通りである。
は次表11の通りである。
表I+ 疑似ギャップピーク比
表1.11から明らかな通り、Cr層が残留すると疑似
ギャップピーク比が著しく大きくなり、磁気ヘッドのノ
イズか大きくなる。
ギャップピーク比が著しく大きくなり、磁気ヘッドのノ
イズか大きくなる。
実施例4
1コアの上に形成するCrの膜厚か50〜500Aの間
である種々の磁気ヘッドを実施例1と同様にして製造し
た。各磁気ヘッドにおいては、厚さが約10〜40Aの
酸化クロム層がIコアとFe−A11−St系金合金層
の間に形成されており、Cr層は残留していなかった。
である種々の磁気ヘッドを実施例1と同様にして製造し
た。各磁気ヘッドにおいては、厚さが約10〜40Aの
酸化クロム層がIコアとFe−A11−St系金合金層
の間に形成されており、Cr層は残留していなかった。
各磁気ヘッドの疑似ギャップピーク比(%)の測定結果
を第10図に示す。
を第10図に示す。
比較例5
■コアの上に形成するCrの膜厚が30〜500Aの間
である種々の磁気ヘッドを比較例1と同様にして製造し
た。■コアとFe−Au−3i合金層との間にはCr層
が残留しており、残留Cr層の厚さは形成したCr層の
厚さと同じであった。各磁気ヘッドの疑似ギャップピー
ク比(%)の測定結果を第10図に併せて示す。
である種々の磁気ヘッドを比較例1と同様にして製造し
た。■コアとFe−Au−3i合金層との間にはCr層
が残留しており、残留Cr層の厚さは形成したCr層の
厚さと同じであった。各磁気ヘッドの疑似ギャップピー
ク比(%)の測定結果を第10図に併せて示す。
比較例6
Cr層を形成することなくIコアの上に直接にFe−A
u2−3i系合金層を形成したほかは、実施例1と同様
にして磁気ヘッドを製造した。疑似ギャップピーク比(
%)の測定結果を第10図に示す。
u2−3i系合金層を形成したほかは、実施例1と同様
にして磁気ヘッドを製造した。疑似ギャップピーク比(
%)の測定結果を第10図に示す。
第5図より明らかな通り、Cr層が残留すると、Cr層
を拡散消失させたものに比べ疑似ギャップピーク比が2
倍以上に大きなものとなる。即ち、Crが残留する場合
には、Crの透磁率は1であるため、Cr層自身が疑似
ギャップとして作用し、疑似ギャップピーク比が大きく
なる。そして、この残留Cr層の疑似ギャップピーク比
への影響は、残留Cr層の膜厚が犬ぎくなるほど顕著に
なる。
を拡散消失させたものに比べ疑似ギャップピーク比が2
倍以上に大きなものとなる。即ち、Crが残留する場合
には、Crの透磁率は1であるため、Cr層自身が疑似
ギャップとして作用し、疑似ギャップピーク比が大きく
なる。そして、この残留Cr層の疑似ギャップピーク比
への影響は、残留Cr層の膜厚が犬ぎくなるほど顕著に
なる。
Cr層を形成しなかった比較例6の磁気ヘッドについて
オージェによる分析をしたところ、500〜1000八
程度のAu2の酸化層及びフェライトの酸素欠乏層がコ
アとフェライト層との界面部分に生成されていることが
認められた。この反応によって生じた疑似ギャップによ
り、疑似ギャップピーク比は13%にまで及んでいる。
オージェによる分析をしたところ、500〜1000八
程度のAu2の酸化層及びフェライトの酸素欠乏層がコ
アとフェライト層との界面部分に生成されていることが
認められた。この反応によって生じた疑似ギャップによ
り、疑似ギャップピーク比は13%にまで及んでいる。
コアの上にCr層を形成した後、このCr層を大気等の
酸素含有τ囲気に晒すことな(FeAft−Si膜をス
パッタリングにより形成すると、Fe−An−3t膜と
Mn−Znフェライト間のイ」着力が著しく増加する。
酸素含有τ囲気に晒すことな(FeAft−Si膜をス
パッタリングにより形成すると、Fe−An−3t膜と
Mn−Znフェライト間のイ」着力が著しく増加する。
この内股間の測定結果を表I11に示す。なお、この付
着力は引っかき法により求めた値である。
着力は引っかき法により求めた値である。
表I11の値はFe−A11−Si膜が剥離する荷重を
示す。表II+から明らかな通り、Cr下地膜がない場
合、5〜9Nと非常に小さい付着力しか得られず、機械
的強度も弱いため、ヘッド製造時の歩留も非常に低い。
示す。表II+から明らかな通り、Cr下地膜がない場
合、5〜9Nと非常に小さい付着力しか得られず、機械
的強度も弱いため、ヘッド製造時の歩留も非常に低い。
これに対して、Cr薄膜を30〜500人形成させ拡散
した場合、付着力が26〜4ONと格段に大きくなる。
した場合、付着力が26〜4ONと格段に大きくなる。
このCr層は、最終的にはFe−Al1−3 i合金中
に拡散して消失するのであるが、このCr層は酸化クロ
ム層を介してコアと強固に付着していたものであり、コ
アとCr含有Fe−Al1−Siliiとは酸化クロム
層を介して強固に付着したものとなる。
に拡散して消失するのであるが、このCr層は酸化クロ
ム層を介してコアと強固に付着していたものであり、コ
アとCr含有Fe−Al1−Siliiとは酸化クロム
層を介して強固に付着したものとなる。
このように、本発明の製造法は、疑似ギャップを抑制し
、しかも機械的強度を増すことができるため、複合型ヘ
ッドに非常に適した方法である。
、しかも機械的強度を増すことができるため、複合型ヘ
ッドに非常に適した方法である。
なお、本実施例では、Cr下地膜とFe−AnSt膜を
連続し形成した後、熱処理することにより、Cr成分を
拡散させ、さらにガラス接合しているが、ガラス接合時
にCr成分が拡散する条件で行なうことでも全く同一の
結果が得られることが認められた。
連続し形成した後、熱処理することにより、Cr成分を
拡散させ、さらにガラス接合しているが、ガラス接合時
にCr成分が拡散する条件で行なうことでも全く同一の
結果が得られることが認められた。
表 II!
[発明の効果]
本発明の磁気ヘッドによれば、従来アジマス損失の利用
や、高透磁率材料よりなる下地膜を介在させなければ低
減できなかった磁気コアと強磁性金属薄膜との境界面の
疑似ギャップの影響を、Cr薄膜でFe−A11−St
薄膜中に拡散させることにより、大幅に低減できる。
や、高透磁率材料よりなる下地膜を介在させなければ低
減できなかった磁気コアと強磁性金属薄膜との境界面の
疑似ギャップの影響を、Cr薄膜でFe−A11−St
薄膜中に拡散させることにより、大幅に低減できる。
本発明の磁気ヘッドは構造が単純で、かつ製造方法も簡
単であるため、製造コストが低減でき、かつ高い信頼性
も確保できる利点がある。
単であるため、製造コストが低減でき、かつ高い信頼性
も確保できる利点がある。
本発明の磁気ヘッドの製造法によると、上記の磁気ヘッ
ドを容易にかつ低コストに製造できる。
ドを容易にかつ低コストに製造できる。
また、コアと強磁性合金層との付着強度が高く、信頼性
の高い磁気ヘッドを製造できる。
の高い磁気ヘッドを製造できる。
第1図は本発明を適用した磁気ヘッドの外観斜視図、第
2図はスライダの斜視図、第3図、第4図及び第5図は
従来の磁気ヘッドの斜視図、第6図は磁気ヘッドの媒体
対向面の拡大図、第7図及び第8図はコア接合部の元素
分布図、第9図は再主出力波形図、第10図は疑似ギャ
ップピーク比の測定図である。 1・・・磁気へラドチップ、 5 6・・・コア、 9・・・Fe−An−3t合金層、 12・・・酸化クロム層。
2図はスライダの斜視図、第3図、第4図及び第5図は
従来の磁気ヘッドの斜視図、第6図は磁気ヘッドの媒体
対向面の拡大図、第7図及び第8図はコア接合部の元素
分布図、第9図は再主出力波形図、第10図は疑似ギャ
ップピーク比の測定図である。 1・・・磁気へラドチップ、 5 6・・・コア、 9・・・Fe−An−3t合金層、 12・・・酸化クロム層。
Claims (9)
- (1)磁気空隙を介して一対のフェライトコアを対向し
て配置し、その少なくとも一方のコアの対向面に金属強
磁性合金膜を蒸着させた磁気ヘッドにおいて、金属強磁
性合金膜とフェライトコアとの接合面を不動態としたこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - (2)請求項(1)において、不動態層の厚みを3〜1
00Åとしたことを特徴とする磁気ヘッド。 - (3)磁気空隙を介して一対のフェライトコアを対向し
て配置、その少なくとも一方のコアの対向面に金属強磁
性合金膜を蒸着させた磁気ヘッドにおいて、金属強磁性
合金膜とフェライトコアとの接合面にクロム酸化層を生
成させたことを特徴とする磁気ヘッド。 - (4)請求項(3)において、クロム酸化層の厚みを3
〜100Åとしたことを特徴とする磁気ヘッド。 - (5)請求項(3)あるいは(4)において、金属強磁
性合金膜が、鉄−アルミニウム−シリコン系強磁性合金
膜であることを特徴とする磁気ヘッド。 - (6)請求項(3)〜(4)のいずれかにおいて、金属
強磁性合金膜は2wt%以下のクロムを含有することを
特徴とする磁気ヘッド。 - (7)ガラスにより結合される1対のフェライトコアの
うちの一方のコアの結合される側の面にクロムをスパッ
タリングしてクロム層を形成すると共に、クロムとフェ
ライト中の酸素とを結合させて該クロム層とフェライト
との間に厚さ3〜100Åの酸化クロムの層を形成する
工程と、該クロム層を酸化雰囲気に接触させることなく
次工程のスパッタリングを行なってクロム層の上に鉄−
アルミニウム−シリコン系合金の薄膜を形成する工程と
、 コア同志を、ガラスで結合する工程と、 を備えてなる磁気ヘッドの製造法。 - (8)ガラスにより結合される1対のフェライトコアの
うちの一方のコアの結合される側の面にクロムをスパッ
タリングしてクロム層を形成し、クロムとフェライト中
の酸素とを結合させて該クロム層とフェライトとの間に
厚さ3〜100Åの酸化クロムの層を形成する工程と、 該クロム層を酸化雰囲気に接触させることなく次工程の
スパッタリングを行なってクロム層の上に鉄−アルミニ
ウム−シリコン系合金の薄膜を形成する工程と、 熱処理してクロムを鉄−アルミニウム−シリコン系合金
中に拡散させ、該合金が酸化クロム層に直接に接するよ
うにする工程と、 一方のコアの該クロム層と他方のコアとの間にガラスを
介在させ、加熱してガラスによりコア同志を結合すると
共に、クロムを前記鉄−アルミニウム−シリコン系合金
薄膜層中に拡散させ、該合金層が酸化クロム層に直接に
接するようにする工程と、 を備えてなる磁気ヘッドの製造法。 - (9)請求項(7)あるいは(8)において、クロムの
スパッタリング工程から鉄−アルミニウム−シリコン系
合金の薄膜を形成する工程までを、酸素分圧と水分圧の
合計で10^−^1Pa未満の雰囲気で行なうことを特
徴とする磁気ヘッドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094458A JPH0827909B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 磁気ヘッドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094458A JPH0827909B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 磁気ヘッドの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02273305A true JPH02273305A (ja) | 1990-11-07 |
| JPH0827909B2 JPH0827909B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=14110826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1094458A Expired - Lifetime JPH0827909B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 磁気ヘッドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827909B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145510A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPS63195813A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Sony Corp | 重ね書き用複合磁気ヘツド |
| JPS63311611A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
| JPS641109A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-05 | Seiko Epson Corp | Magnetic head |
| JPH01100714A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Sony Corp | 複合磁気ヘッド |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1094458A patent/JPH0827909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145510A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPS63195813A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Sony Corp | 重ね書き用複合磁気ヘツド |
| JPS641109A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-05 | Seiko Epson Corp | Magnetic head |
| JPS63311611A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
| JPH01100714A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Sony Corp | 複合磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0827909B2 (ja) | 1996-03-21 |
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