JPH0531201B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0531201B2 JPH0531201B2 JP60285530A JP28553085A JPH0531201B2 JP H0531201 B2 JPH0531201 B2 JP H0531201B2 JP 60285530 A JP60285530 A JP 60285530A JP 28553085 A JP28553085 A JP 28553085A JP H0531201 B2 JPH0531201 B2 JP H0531201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- soft magnetic
- magnetic
- gap
- magnetic alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘツドに関する。
〔発明の背景〕
記録密度の向上に伴ない、記録波長が短くな
り、これによりギヤツプ長は狭小化の一途をたど
つている。さらにヘツド出力向上のために、磁気
テープにメタルテープが開発され、これに対応す
る高飽和磁束密度の軟磁性合金膜をコア材に用い
たヘツドが開発されている。（特開昭49−127195
号等）従来これら軟磁性合金膜をコア材に用いた
ヘツドでは、一般にギヤツプをガラスを主成分と
するボンデイング材を用いて、突合せ接合により
形成するいわゆるボンデイングタイプのヘツドで
あつた。しかしこのタイプのヘツドでは、ギヤツ
プの狭小化に伴つて要求されるギヤツプ長の制御
を高精度で行なうことが困難であり、歩留り低下
にもつながつていた。 斯る問題を是正してなるものとして、特開昭57
−55526号に記載された様に非磁性基板上に軟磁
性合金膜、ギヤツプスペーサ、軟磁性合金膜を順
次積層してなる積層薄膜磁気ヘツドが提案されて
いる。すなわち、非磁性基板上に第１の軟磁性合
金膜を被着し、第１の軟磁性合金膜の一部をアジ
マス角度を持つバイト等により切削除去して斜面
を持つ段差を形成し、この斜面上にAl2O3、SiO2
等の酸化物をギヤツプスペーサ膜としてスパツタ
リング、蒸着等で成膜し、さらにその上から第２
の軟磁性合金膜を被着し、該第２の軟磁性合金膜
上面と前記第１の軟磁性合金膜上面を厚さがトラ
ツク幅相当分となるように研摩しさらにその上に
保護膜を形成し、前記第１及び第２の軟磁性合金
膜ではさんだギヤツプスペーサが磁気ヘツドの動
作ギヤツプを形成するようにしてなるものであ
る。 斯る磁気ヘツドによれば、ギヤツプ長は、スパ
ツタリング、蒸着等の膜堆積で行なえるので、高
精度で制御出来るという長所がある。しかしなが
ら、今後、さらに一層の記録波長の短波長化に伴
ないギヤツプ長の狭小化が行なわれた場合、
SIO2、Al2O3等の酸化物でギヤツプスペーサ膜を
形成していては、ピンホールの発生が多くなり、
第１と第２の軟磁性合金膜との間が磁気的シヨー
ト状態となり、また、ギヤツプ部の磁気抵抗が小
さくなり、第３図に示す様に再生出力の低下を招
く問題があつた。 第４図は、SiO2膜をスパツタリングで成膜し
た場合の膜厚と抵抗値の関係を示す特性図であつ
て、同図から膜厚3000Å以下でピンホールが発生
していることが分る。これに対し、金属膜では約
1000Å位までピンホールは生じていないことが分
る。 ピンホールの発生を防止する方法は、例えば、
特開昭55−22275号に記載の様に、ギヤツプ部に
アルミニウムキーレート化合物をスピンコート法
で形成し、絶縁性の良い被膜を形成する方法があ
るが、この方法ではギヤツプ長の狭小化には精度
上問題がある。 また、金属膜をギヤツプ部に配置したものとし
て、例えば特開昭57−203218号に記載の様に、
Al、Cu、Au等の良導体をギヤツプ部に配置する
ことにより、ギヤツプ部の磁気抵抗下防止、もれ
磁界の増加によるヘツド効率低下の防止に効果が
あるが、一般に良導体金属膜は、耐摩耗性に問題
があり、VTR等の接触型磁気ヘツドでは軟磁性
膜に比べて耐摩耗性が劣るため、ギヤツプのだれ
が生じ、出力劣化の原因となる。また、一般に、
金属一酸化物との付着に比べ、金属と金属との付
着では金属と金属の付着力は弱く、例えば、アモ
ルフアス等の軟磁性合金膜上にCuを付着しても
付着力が弱く、ヘツド製造プロセスには耐えられ
ない。金属と金属の付着力向上のために、熱処理
を施してお互い金属を拡散させて接着する方法が
あるが、この方法によると、ギヤツプ近傍の膜組
成が変化し、特性劣化要因となる。特に軟磁性合
金膜がアルモフアス合金であつた場合には、熱処
理を施すことも不可能である。 なお前記従来技術はギヤツプ材のピンホールに
よる効率低下防止については配慮されていない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、短波長記録に伴う狭トラツク
化においても、電磁変換効率が良くヘツド出力低
下を招くことのないかつ歩留りの良い薄膜磁気ヘ
ツドを提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の特徴は、ギヤツプ材に、軟磁性合金膜
の成分に含まれる非磁性で、かつ少なくとも軟磁
性合金膜よりも耐摩耗性の優れた金属を用いたこ
とである。これにより、軟磁性合金膜との親和性
が良く、付着力が向上し、かつギヤツプのだれが
生じない状態で、ピンホールによる磁気抵抗の低
下をなくすことが出来る。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘ
ツドのテープ摺動面の正面図である。同図におい
て、１はガラス等からなる非磁性基板、２，４は
例えばCo−Nb−Zr系のアモルフアス等からなる
軟磁性合金膜を示し、該合金膜の相対向する面は
図示の如く傾斜している。３は軟磁性合金膜２，
４の相対向する面及び軟磁性合金膜４と基板１と
の間に設けられた略Ｌ字状のギヤツプスペーサ膜
を示し、該ギヤツプスペーサ膜は前記軟磁性合金
膜の構成元素を少なくとも一種類例えばZr、Nb
等を含む金属膜からなる。またギヤツプスペーサ
膜３は単体元素である必要はなく、第１の軟磁性
合金膜２の構成元素のある元素が、少なくとも一
種類含まれており、かつ非磁性であれば、多元素
合金膜でもよい。また実施例では、Zr、Nb等の
金属をギヤツプ材の一成分としているが、これは
例えば第１及び第２の軟磁性合金膜２の構成元素
にＢ等のメタロイド（Metalloid）が含まれてい
る場合には、これをギヤツプ材の構成元素として
もよい。また、更に第１、第２の軟磁性合金膜
２，４の構成元素が異なる場合には、少なくとも
どちらか一方に含まれている元素をギヤツプ材の
構成元素とすれば良い。 具体的には軟磁性合金膜に応じて下表の如く選
ばれる。
り、これによりギヤツプ長は狭小化の一途をたど
つている。さらにヘツド出力向上のために、磁気
テープにメタルテープが開発され、これに対応す
る高飽和磁束密度の軟磁性合金膜をコア材に用い
たヘツドが開発されている。（特開昭49−127195
号等）従来これら軟磁性合金膜をコア材に用いた
ヘツドでは、一般にギヤツプをガラスを主成分と
するボンデイング材を用いて、突合せ接合により
形成するいわゆるボンデイングタイプのヘツドで
あつた。しかしこのタイプのヘツドでは、ギヤツ
プの狭小化に伴つて要求されるギヤツプ長の制御
を高精度で行なうことが困難であり、歩留り低下
にもつながつていた。 斯る問題を是正してなるものとして、特開昭57
−55526号に記載された様に非磁性基板上に軟磁
性合金膜、ギヤツプスペーサ、軟磁性合金膜を順
次積層してなる積層薄膜磁気ヘツドが提案されて
いる。すなわち、非磁性基板上に第１の軟磁性合
金膜を被着し、第１の軟磁性合金膜の一部をアジ
マス角度を持つバイト等により切削除去して斜面
を持つ段差を形成し、この斜面上にAl2O3、SiO2
等の酸化物をギヤツプスペーサ膜としてスパツタ
リング、蒸着等で成膜し、さらにその上から第２
の軟磁性合金膜を被着し、該第２の軟磁性合金膜
上面と前記第１の軟磁性合金膜上面を厚さがトラ
ツク幅相当分となるように研摩しさらにその上に
保護膜を形成し、前記第１及び第２の軟磁性合金
膜ではさんだギヤツプスペーサが磁気ヘツドの動
作ギヤツプを形成するようにしてなるものであ
る。 斯る磁気ヘツドによれば、ギヤツプ長は、スパ
ツタリング、蒸着等の膜堆積で行なえるので、高
精度で制御出来るという長所がある。しかしなが
ら、今後、さらに一層の記録波長の短波長化に伴
ないギヤツプ長の狭小化が行なわれた場合、
SIO2、Al2O3等の酸化物でギヤツプスペーサ膜を
形成していては、ピンホールの発生が多くなり、
第１と第２の軟磁性合金膜との間が磁気的シヨー
ト状態となり、また、ギヤツプ部の磁気抵抗が小
さくなり、第３図に示す様に再生出力の低下を招
く問題があつた。 第４図は、SiO2膜をスパツタリングで成膜し
た場合の膜厚と抵抗値の関係を示す特性図であつ
て、同図から膜厚3000Å以下でピンホールが発生
していることが分る。これに対し、金属膜では約
1000Å位までピンホールは生じていないことが分
る。 ピンホールの発生を防止する方法は、例えば、
特開昭55−22275号に記載の様に、ギヤツプ部に
アルミニウムキーレート化合物をスピンコート法
で形成し、絶縁性の良い被膜を形成する方法があ
るが、この方法ではギヤツプ長の狭小化には精度
上問題がある。 また、金属膜をギヤツプ部に配置したものとし
て、例えば特開昭57−203218号に記載の様に、
Al、Cu、Au等の良導体をギヤツプ部に配置する
ことにより、ギヤツプ部の磁気抵抗下防止、もれ
磁界の増加によるヘツド効率低下の防止に効果が
あるが、一般に良導体金属膜は、耐摩耗性に問題
があり、VTR等の接触型磁気ヘツドでは軟磁性
膜に比べて耐摩耗性が劣るため、ギヤツプのだれ
が生じ、出力劣化の原因となる。また、一般に、
金属一酸化物との付着に比べ、金属と金属との付
着では金属と金属の付着力は弱く、例えば、アモ
ルフアス等の軟磁性合金膜上にCuを付着しても
付着力が弱く、ヘツド製造プロセスには耐えられ
ない。金属と金属の付着力向上のために、熱処理
を施してお互い金属を拡散させて接着する方法が
あるが、この方法によると、ギヤツプ近傍の膜組
成が変化し、特性劣化要因となる。特に軟磁性合
金膜がアルモフアス合金であつた場合には、熱処
理を施すことも不可能である。 なお前記従来技術はギヤツプ材のピンホールに
よる効率低下防止については配慮されていない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、短波長記録に伴う狭トラツク
化においても、電磁変換効率が良くヘツド出力低
下を招くことのないかつ歩留りの良い薄膜磁気ヘ
ツドを提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の特徴は、ギヤツプ材に、軟磁性合金膜
の成分に含まれる非磁性で、かつ少なくとも軟磁
性合金膜よりも耐摩耗性の優れた金属を用いたこ
とである。これにより、軟磁性合金膜との親和性
が良く、付着力が向上し、かつギヤツプのだれが
生じない状態で、ピンホールによる磁気抵抗の低
下をなくすことが出来る。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘ
ツドのテープ摺動面の正面図である。同図におい
て、１はガラス等からなる非磁性基板、２，４は
例えばCo−Nb−Zr系のアモルフアス等からなる
軟磁性合金膜を示し、該合金膜の相対向する面は
図示の如く傾斜している。３は軟磁性合金膜２，
４の相対向する面及び軟磁性合金膜４と基板１と
の間に設けられた略Ｌ字状のギヤツプスペーサ膜
を示し、該ギヤツプスペーサ膜は前記軟磁性合金
膜の構成元素を少なくとも一種類例えばZr、Nb
等を含む金属膜からなる。またギヤツプスペーサ
膜３は単体元素である必要はなく、第１の軟磁性
合金膜２の構成元素のある元素が、少なくとも一
種類含まれており、かつ非磁性であれば、多元素
合金膜でもよい。また実施例では、Zr、Nb等の
金属をギヤツプ材の一成分としているが、これは
例えば第１及び第２の軟磁性合金膜２の構成元素
にＢ等のメタロイド（Metalloid）が含まれてい
る場合には、これをギヤツプ材の構成元素として
もよい。また、更に第１、第２の軟磁性合金膜
２，４の構成元素が異なる場合には、少なくとも
どちらか一方に含まれている元素をギヤツプ材の
構成元素とすれば良い。 具体的には軟磁性合金膜に応じて下表の如く選
ばれる。
本発明によれば、ギヤツプの狭小化において
も、ギヤツプシヨートによる磁気抵抗低下がな
く、かつ耐摩耗性、付着力の十分な薄膜磁気ヘツ
ドを得ることができ、これによつて電磁変換効率
歩留りを上げることが出来る効果がある。
も、ギヤツプシヨートによる磁気抵抗低下がな
く、かつ耐摩耗性、付着力の十分な薄膜磁気ヘツ
ドを得ることができ、これによつて電磁変換効率
歩留りを上げることが出来る効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘツ
ドのテープ摺動面の正面図、第２図は本発明の他
の実施例を示す正面図、第３図はヘツド出力を示
す図、第４図はSiO2膜厚と抵抗との関係を示す
図、第５図、第６図は本発明の説明に係する特性
図である。 １……基板、２……第１の軟磁性合金膜、３…
…ギヤツプスペーサ膜、４……第２の軟磁性合金
膜、５……保護膜、６……下部コア、７……上部
コア。
ドのテープ摺動面の正面図、第２図は本発明の他
の実施例を示す正面図、第３図はヘツド出力を示
す図、第４図はSiO2膜厚と抵抗との関係を示す
図、第５図、第６図は本発明の説明に係する特性
図である。 １……基板、２……第１の軟磁性合金膜、３…
…ギヤツプスペーサ膜、４……第２の軟磁性合金
膜、５……保護膜、６……下部コア、７……上部
コア。
Claims (1)
- １ 非磁性基板上に軟磁性合金からなる第１の磁
気コアを形成し、前記磁気コア上に磁気ギヤツプ
となる磁気ギヤツプ材を形成しさらに前記磁気ギ
ヤツプ材上に軟磁性合金からなる第２の磁気コア
を形成してなる積層型薄膜磁気ヘツドにおいて、
前記磁気ギヤツプ材が、第１または第２の磁気コ
アの軟磁性合金の構成元素の内、Fe、Ni、Co以
外の元素を少なくとも一種類含む金属膜からなる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28553085A JPS62145522A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28553085A JPS62145522A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145522A JPS62145522A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0531201B2 true JPH0531201B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=17692723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28553085A Granted JPS62145522A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145522A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095714A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60223012A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-07 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP28553085A patent/JPS62145522A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145522A (ja) | 1987-06-29 |
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