JPH0229540U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0229540U JPH0229540U JP1988108790U JP10879088U JPH0229540U JP H0229540 U JPH0229540 U JP H0229540U JP 1988108790 U JP1988108790 U JP 1988108790U JP 10879088 U JP10879088 U JP 10879088U JP H0229540 U JPH0229540 U JP H0229540U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- lead wire
- circuit board
- support plate
- thin lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例に係わる電力用ハイ
ブリツドICを示す第2図の―線縦断面図、
第2図は第1図の電力用ハイブリツドICの平面
図、第3図は第1図の電力用ハイブリツドICを
使用したスイツチングレギユレータを示す回路図
、第4図は従来の電力用ハイブリツドICを示す
平面図、第5図は第4図の―線断面図である
。 1…支持板、2…パワートランジスタチツプ、
4〜8…外部リード、31…回路基板、32…リ
ード細線、35…保護樹脂、36…樹脂封止体。
ブリツドICを示す第2図の―線縦断面図、
第2図は第1図の電力用ハイブリツドICの平面
図、第3図は第1図の電力用ハイブリツドICを
使用したスイツチングレギユレータを示す回路図
、第4図は従来の電力用ハイブリツドICを示す
平面図、第5図は第4図の―線断面図である
。 1…支持板、2…パワートランジスタチツプ、
4〜8…外部リード、31…回路基板、32…リ
ード細線、35…保護樹脂、36…樹脂封止体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 支持板と、該支持板の一端側に配置された外部
リードと、前記支持板に固着された半導体素子及
び回路基板とを有し、前記半導体素子が前記外部
リードに対してリード細線を介して接続されてお
り、前記支持板及び前記外部リードの端部が外囲
体によつて被覆されている半導体装置において、 前記リード細線は前記回路基板に対して少なく
とも2点で固着されており、前記回路基板の上面
には前記リード細線の前記2点を両端とする区間
を被覆するように第1の樹脂層が形成されており
、前記第1の樹脂層の外周側には前記リード細線
の前記区間を除く部分を被覆する前記外囲体の一
部もしくは前記外囲体とは異なる第2の樹脂層が
形成されており、前記第1の樹脂層の熱伝導性が
前記第2の樹脂層の熱伝導性よりも低いことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988108790U JPH0627958Y2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988108790U JPH0627958Y2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229540U true JPH0229540U (ja) | 1990-02-26 |
| JPH0627958Y2 JPH0627958Y2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=31344457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988108790U Expired - Lifetime JPH0627958Y2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627958Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP1988108790U patent/JPH0627958Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0627958Y2 (ja) | 1994-07-27 |