JPH0334913Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0334913Y2 JPH0334913Y2 JP1984187130U JP18713084U JPH0334913Y2 JP H0334913 Y2 JPH0334913 Y2 JP H0334913Y2 JP 1984187130 U JP1984187130 U JP 1984187130U JP 18713084 U JP18713084 U JP 18713084U JP H0334913 Y2 JPH0334913 Y2 JP H0334913Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- resin
- semiconductor chip
- sealing resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、半導体チツプを取付けた放熱板全体
が、封止樹脂で包まれ、外部装置に取付ける場合
に、特に絶縁のための介在物を用いず直接取付け
のできる、絶縁型樹脂封止半導体装置に関する。
が、封止樹脂で包まれ、外部装置に取付ける場合
に、特に絶縁のための介在物を用いず直接取付け
のできる、絶縁型樹脂封止半導体装置に関する。
第2図は従来の絶縁型樹脂封止半導体装置の一
例を示す断面図である。図において、リードフレ
ーム放熱板11の上面に半導体チツプ2が取付け
られ、半導体チツプ2は放熱板11と共に全体的
に封止樹脂4で包まれ、絶縁型に形成されてい
る。しかして、外部放熱体に、この半導体装置を
取付けた場合に、外部放熱体への熱放散をよくす
るために、放熱板11の下面側の樹脂厚は薄く形
成されている。例えば、1500Vの耐圧品では約
0.5mmである。これに対し、半導体チツプ2のあ
る上面側の樹脂厚は、チツプの厚み、ボンデイン
グ線の高さを考慮し、約3mm位いの厚さになつて
いる。
例を示す断面図である。図において、リードフレ
ーム放熱板11の上面に半導体チツプ2が取付け
られ、半導体チツプ2は放熱板11と共に全体的
に封止樹脂4で包まれ、絶縁型に形成されてい
る。しかして、外部放熱体に、この半導体装置を
取付けた場合に、外部放熱体への熱放散をよくす
るために、放熱板11の下面側の樹脂厚は薄く形
成されている。例えば、1500Vの耐圧品では約
0.5mmである。これに対し、半導体チツプ2のあ
る上面側の樹脂厚は、チツプの厚み、ボンデイン
グ線の高さを考慮し、約3mm位いの厚さになつて
いる。
このような従来の半導体装置では、封止樹脂4
を加圧成形する場合、リードフレーム放熱板のチ
ツプのある上面側は樹脂の廻り込みはよいが、下
面側では樹脂の入り込む部分は狭いので、樹脂の
廻り込みは悪くなり、ピンホールの発生が多くな
る。
を加圧成形する場合、リードフレーム放熱板のチ
ツプのある上面側は樹脂の廻り込みはよいが、下
面側では樹脂の入り込む部分は狭いので、樹脂の
廻り込みは悪くなり、ピンホールの発生が多くな
る。
この欠点を補うために、第3図の断面図に示す
ように、リードフレーム放熱板上面側のリード引
出しと反対側の部分の封止樹脂を部分的に薄くし
た封止樹脂体3をもつ構造のものが使用されてい
る。しかしながら、本例においても、放熱板下面
の封止樹脂が薄い部分に対する樹脂の廻り込不足
をカバーすることはできず、ピンホール発生の欠
点は改善されない。
ように、リードフレーム放熱板上面側のリード引
出しと反対側の部分の封止樹脂を部分的に薄くし
た封止樹脂体3をもつ構造のものが使用されてい
る。しかしながら、本例においても、放熱板下面
の封止樹脂が薄い部分に対する樹脂の廻り込不足
をカバーすることはできず、ピンホール発生の欠
点は改善されない。
上記のとおり、従来の絶縁型樹脂封止半導体装
置では、熱伝導を確保するために、外部放熱体に
取付ける取付け面となるリードフレーム放熱板下
面の樹脂厚を薄くしている部分には、樹脂の廻り
込みが悪く、ピンホールが発生し易いという問題
を抱えている。
置では、熱伝導を確保するために、外部放熱体に
取付ける取付け面となるリードフレーム放熱板下
面の樹脂厚を薄くしている部分には、樹脂の廻り
込みが悪く、ピンホールが発生し易いという問題
を抱えている。
上記問題点に対し、本考案では、半導体チツプ
を搭載した放熱板を全体的に樹脂で包んで絶縁型
とすることにおいて、前記半導体チツプが搭載さ
れた部分の反対側の放熱板下面を部分的に下側へ
の凸出面とし、この部分で封止樹脂層の厚さを薄
くしている。
を搭載した放熱板を全体的に樹脂で包んで絶縁型
とすることにおいて、前記半導体チツプが搭載さ
れた部分の反対側の放熱板下面を部分的に下側へ
の凸出面とし、この部分で封止樹脂層の厚さを薄
くしている。
つぎに本考案を実施例により説明する。
第1図は本考案の一実施例の断面図である。図
において、リードフレームの放熱板1の上面に半
導体チツプ2が搭載され、半導体チツプ2を搭載
した部分の放熱板1の搭載面と反対側の下面は、
部分的に凸出した凸出面1aとなつている。勿
論、この凸出面の広さは、上面の半導体チツプ2
で発生した熱を、可能な限り薄くしたこの凸出面
を覆う封止樹脂を通して外部に放散させるため
に、半導体チツプ2の面積を頂面とし、下方に拡
がつた熱伝導径路を充分に含むだけの面積とす
る。
において、リードフレームの放熱板1の上面に半
導体チツプ2が搭載され、半導体チツプ2を搭載
した部分の放熱板1の搭載面と反対側の下面は、
部分的に凸出した凸出面1aとなつている。勿
論、この凸出面の広さは、上面の半導体チツプ2
で発生した熱を、可能な限り薄くしたこの凸出面
を覆う封止樹脂を通して外部に放散させるため
に、半導体チツプ2の面積を頂面とし、下方に拡
がつた熱伝導径路を充分に含むだけの面積とす
る。
本考案によれば、封止成形の際の樹脂の廻り込
み難い樹脂層の薄い部分、すなわち、放熱板凸出
面の部分にも、この部分の面積が、凸出面としな
い場合よりも小さくされており、凸出面は平坦で
あるため容易に樹脂の廻り込みがなされ、ピンホ
ール発生が少くなる。また、放熱効率も、半導体
チツプの放熱径路範囲の樹脂厚が従来と同様に薄
く、凸出面が全面放熱板となるので、従来に比べ
悪くはならない。よつて、放熱効率を下げずに、
ピンホールの発生を効果的に減少した半導体装置
が得られる。
み難い樹脂層の薄い部分、すなわち、放熱板凸出
面の部分にも、この部分の面積が、凸出面としな
い場合よりも小さくされており、凸出面は平坦で
あるため容易に樹脂の廻り込みがなされ、ピンホ
ール発生が少くなる。また、放熱効率も、半導体
チツプの放熱径路範囲の樹脂厚が従来と同様に薄
く、凸出面が全面放熱板となるので、従来に比べ
悪くはならない。よつて、放熱効率を下げずに、
ピンホールの発生を効果的に減少した半導体装置
が得られる。
第1図は本考案の一実施例の断面図、第2図お
よび第3図はそれぞれ従来例の一実施例および他
の従来例の断面図である。 1,11……リードフレーム放熱板、1a……
放熱板凸出部、2……半導体チツプ、3,4……
封止樹脂。
よび第3図はそれぞれ従来例の一実施例および他
の従来例の断面図である。 1,11……リードフレーム放熱板、1a……
放熱板凸出部、2……半導体チツプ、3,4……
封止樹脂。
Claims (1)
- 半導体チツプを搭載した放熱板全体を前記半導
体チツプと共に樹脂で包覆してなる絶縁型樹脂封
止半導体装置において、前記放熱板の前記半導体
チツプ搭載部の反対側の面が部分的に平坦な凸出
面とされ、この部分で前記封止樹脂が薄くなつて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984187130U JPH0334913Y2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984187130U JPH0334913Y2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102048U JPS61102048U (ja) | 1986-06-28 |
| JPH0334913Y2 true JPH0334913Y2 (ja) | 1991-07-24 |
Family
ID=30744595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984187130U Expired JPH0334913Y2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334913Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225905Y2 (ja) * | 1981-04-30 | 1987-07-02 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP1984187130U patent/JPH0334913Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61102048U (ja) | 1986-06-28 |