JPH0229635B2 - - Google Patents

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JPH0229635B2
JPH0229635B2 JP59233853A JP23385384A JPH0229635B2 JP H0229635 B2 JPH0229635 B2 JP H0229635B2 JP 59233853 A JP59233853 A JP 59233853A JP 23385384 A JP23385384 A JP 23385384A JP H0229635 B2 JPH0229635 B2 JP H0229635B2
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Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本願にかかる発明は、セラミツク部品と金属部
品を機械的に結合する方法に関するものである。 〔従来技術およびその問題点〕 窒化珪素、炭化珪素等のセラミツク材は、耐熱
性、耐熱衝撃性に優れているため、構造用部品と
して有望な材料といわれている。現実には、たと
えばデイーゼルエンジンの部品として使用され始
めている。しかし、このような部品において耐熱
性を要求される部分には、セラミツク材を使用
し、耐熱性を必要としない部分には金属材を使用
するのが、製造技術面、コスト面からみて望まし
い。 そのためには、セラミツク材と金属材とを結合
する方法が必要となる。結合方法には、メタライ
ズ法等のろう付け、融接、固相接合等の溶接、無
機系接着剤によるものあるいは焼ばめ等が知られ
ている。これらのうちでも、焼ばめる方法は、最
も簡単な方法である。また、板状部品の場合に
は、ボルト−ナツトで締結することも行われる。 しかしながら、焼ばめ又は、ボルト締めの場合
には、金属材により締め付けられたセラミツク材
の表面部には圧縮応力、これに隣接する自由表面
には引張応力が発生する。この部分の応力分布状
況は引張から圧縮へと急激な変化を示しており、
この部分からセラミツク材が破壊しやすいという
欠点がある。 出願人は、先に、セラミツク材の表面に金属膜
を形成し、その表面から高エネルギーイオンを照
射することにより、金属膜をセラミツク材に強固
に接着するとともに、セラミツク材の靭性を向上
させる方法発明を出願した(特願昭59−31880
号)。 そこで発明者らは、上記発明をセラミツク材と
金属材との結合に応用してセラミツク材の性質を
変えれば、セラミツク材の表面に発生する引張応
力を減少させることができて、結合部でのセラミ
ツク材の破壊が防止できるものと考えた。 本発明者らは、これを試みるべく種々検討した
結果、本発明を為すに至つた。 本発明の目的は、セラミツク部品と金属部品と
の結合部において、セラミツク材の破壊を防止で
きる結合方法を提供することである。 〔本発明の構成および作用〕 本願にかかる第1の発明(以下、第1発明とい
う)は、セラミツク材と金属材とを機械的に結合
する方法において、セラミツク材の結合部表面に
膜厚が0.1〜0.5μmの金属膜を形成する膜形成工
程と、該金属膜表面に高エネルギーイオンを照射
して該金属膜とセラミツク材とを融合させるイオ
ン照射工程と、セラミツク材と金属材とを、その
両者間に上記金属膜を挟持して、結合する結合工
程とからなるセラミツク部品と金属部品との結合
方法である。 本願にかかる第2の発明(以下、第2発明とい
う)は、セラミツク材と金属材とを機械的に結合
する方法において、セラミツク材の結合部表面に
膜厚が0.1〜0.5μmの金属膜を形成する膜形成工
程と、該金属膜表面に高エネルギーイオンを照射
して、金属膜とセラミツク材とを融合させるイオ
ン照射工程と、該金属膜表面を、エツチングした
のちさらに金属をメツキするメツキ工程と、セラ
ミツク材と金属材とを、その両者間に上記メツキ
した金属膜を挟持して結合する結合工程とからな
ることを特徴とするセラミツク部品と金属部品と
の結合方法である。本第2発明は、前記第1発明
にメツキ工程を付加したものである。 本発明によれば、セラミツク材と金属材とを機
械的に強く締結してもセラミツク材に破壊を生ず
ることが極く少なくなる。 以下、本願にかかる発明をより詳細に説明す
る。 本願において、セラミツク材とは、酸化アルミ
ニウム(Al2O3)、ジルコニア(ZrO2)等の酸化
物セラミツク材、窒化珪素(Si3N4)、炭化珪素
(SiC)を主体とする非酸化物セラミツク材が代
表的なものである。これらのセラミツク材は、上
記物質の粉末を所望の形状に焼結したものであ
る。焼結体には、酸化イツトリウム等の焼結用助
剤等、その他の添加成分が含まれていてもよい。
該セラミツク材の製造法としては、常圧焼結、ホ
ツトプレス等、いずれの方法で製造したものでも
よい。 上記セラミツク材の、金属材と結合する部分を
含む部分の表面に、膜形成工程を施し金属膜を形
成する。該膜の形成は、結合によつて引張応力が
発生する部分すなわち、結合部に隣接する部分、
と直接結合に与かる部位とにまたがつて被覆す
る。該金属膜を形成するための金属としては、い
わゆる金属であればよい。しかし、本願にかかる
発明のより大きな効果を得るためには、チタン
(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、
バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、クロム(Cr)、
ニツケル(Ni)、コバルト(Co)がよい。 上記金属膜を形成する方法としては、電子ビー
ム蒸着、スパツタ蒸着等の物理的蒸着法(PVD)
でもよいし、化学的気相蒸着法(CVD)でもよ
い。金属膜形成部位は、膜成形に先立つてアセト
ン洗浄等によつて清浄な面にしておくのが望まし
い。その後、上記方法により膜を形成する。形成
する膜の厚さは、次工程であるイオン照射工程に
おける照射イオンのエネルギー量によつて異な
り、一概に決まらないが、0.1〜0.5μmが実用的
である。また、結合工程での結合精度との関連
で、膜厚を選択するのがよい。膜厚が薄いと、一
様な膜を形成するのが困難となり、むらが生じや
すくなる。また、結合部においてセラミツク材に
生ずる応力集中を柔らげる効果が発揮されなくな
る。一方、膜厚が大きくなると、照射イオンのエ
ネルギーを無やみに大きくしなければならないと
いう問題が生じる。セラミツク材上に形成した金
属膜は、通常の場合、セラミツク材と強固に結合
していない。それ故、引つかいたりすると、はく
離することがあるので、取扱いには注意する必要
がある。 次に、上記金属膜にイオン照射工程を施し、高
エネルギーイオンを照射する。イオン照射には、
例えばコツククロフト型加速器、バンデグラー
フ、線形加速器、サイクロトロン等を使用するこ
とができる。照射イオンとしては、電場で容易に
加速できるものであればよい。特に、常温で気体
状態のものであると照射作業が簡単である。具体
的なイオン種としては窒素(N)、ネオン(Ne)、
アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)等がある。そ
の他、チタン(Ti)、ニツケル(Ni)、クロム
(Cr)、セレン(Ce)等の金属イオンであつても
よい。照射イオンに与えるエネルギーの大きさ
は、金属膜中でのイオン飛程が、膜厚程度になる
ようにするのがよい。これは、セラミツク材と金
属膜との界面での原子混合を起こさせて、両者を
融合させるためである。それ故、イオンに与える
エネルギーは30keV〜5MeV程度が望ましい。高
エネルギーイオンの照射量は、照射面積1cm2当た
り1×1013〜1×1018個くらいがよい。より多く
のイオンを照射しても、これに見合うだけの効果
は得られない。また少ないとイオン照射の効果が
得られない。イオン照射工程を施すと、金属膜は
セラミツク材に強固に付着し、ダイヤモンド針で
引つかいてもはがれにくくなる。 イオン照射工程を施したのち、第1発明では結
合工程を施すが、第2発明ではメツキ工程を施
す。該メツキ工程では、まずイオン照射した金属
膜表面を清浄にするために、極く薄膜除去する。
薄膜除去する方法としては、微粒砥粒による研
磨、アルゴン等不活性ガスによるスパツタで、約
100Å程度エツチングするのがよい。その後金属
膜表面に、ニツケル(Ni)、銅(Cu)等の比較的
軟質の金属を厚さで0.5〜50μm程度メツキする。
メツキ層は結合材間の緩衝材としての作用をす
る。 以上の工程を施したセラミツク材に結合工程を
施す。該結合工程は、上記セラミツク材と金属材
とを、ボルト締め、あるいは焼ばめにより結合す
る工程である。セラミツク材と金属材との結合部
は焼ばめ、あるいは、セラミツク材を金属材によ
り挟持し、ボルト−ナツト等により締結するもの
等の形式のものがよい。 焼ばめによる場合には、セラミツク材と金属材
とは常温状態で焼ばめ代を有し、金属材を昇温し
て、上記焼ばめ代を減少又は消滅せしめ両者を結
合せしめる。焼ばめ代としては、結合部が円柱、
円筒の組合せの場合には、使用最高温度において
焼ばめ代を5〜10μm程度になるようにとるのが
よい。当然のことながら焼ばめ代が大きいとセラ
ミツク材が破壊するおそれがあり、注意を要す
る。 第2発明の場合には、メツキ層の厚さにより、
該焼ばめ代を調節することができという利点があ
る。 一方、金属材によりセラミツク材を挟持し、ネ
ジで締結する場合には、ネジ締付け強さをセラミ
ツク材が破壊しないように、強くしすぎないよう
に注意する必要がある。いずれの型式の結合にお
いても、金属材の端部とセラミツク材の当たり部
では、金属材とセラミツク材との間に金属膜が挟
持されている必要がある。さらに金属膜が金属材
端部からセラミツク材側へ少なくとも10mm程度余
分に形成されているのがよい。セラミツク材は、
前記のように、イオン照射工程を受けているの
で、金属膜と強固に結合している。この金属膜の
存在によつて、応力集中が起こりにくくなり、結
合部での亀裂の発生が抑制される。このため、結
合部の強度が向上するものと思われる。金属材の
材質としては、鋼が一般的であるが、他のAl合
金、銅合金でもよい。本発明は、たとえば、内燃
機関用のターボチヤージヤ内の金属製圧縮タービ
ン軸とセラミツクス製排気タービン軸との結合等
高温部と低温部にまたがる部品の結合に有用なも
のである。 〔本発明の効果〕 本第1発明により結合したセラミツク材と金属
材との結合部では、結合力によりセラミツク材に
発生する引張応力値が、膜形成工程、イオン照射
工程を施していない場合に比べて小さくなるとと
もに、応力集中度合も低下するので、セラミツク
材の耐折損性が向上する。 また、メツキ工程を施す第2発明によれば、結
合材にさらに、大きな負荷が加わつても破壊が生
じにくくなり、耐折損性が一層向上する。 〔実施例〕 実施例 1 図に示すように、セラミツク結合部11の形状
が直径15mmの棒状である窒化珪素製排気タービン
1と、金属結合部21が肉厚2mmの円筒状である
SCM5製軸部とを焼ばめにより結合した。 まず、結合部11の外表面を粗さ0.3s程度で研
磨したのち、表の試料番号1〜6に示す条件で電
子ビーム蒸着による膜形成工程、コツククロフト
型加速器によるイオン照射工程を施した。
【表】 なお、金属膜の形成時およびイオン照射時に
は、一様な厚さの金属膜の形成と、一様なイオン
照射とが行えるように結合部を10rpmで回転させ
た。 その後、金属結合部を600℃に加熱してセラミ
ツク材の結合部にはめ合わせて組付け、放冷する
ことによりターボチヤージヤ用タービンを得た。 これらのタービンをターボチヤージヤに取付け
150000rpmでの運転を行つたのち、再び取りはず
し、抗折試験に供した。その結果を表の最下欄に
示す。 なお、比較例として、膜形成工程、イオン照射
工程を行わないで焼ばめを行つたもの(試料番号
C1)を製作し、その抗折力をも求めた。 これらの結果からわかるように、上記膜形成工
程、イオン照射工程を行うことにより抗折強度が
高くなる。 実施例 2 表の試料番号1および5と同様の条件でセラミ
ツク材の結合部に金属膜を形成、イオン照射した
のち、金属表面をアルゴンによるスパツタエツチ
ングし、金属膜表面を約100Å除去した。そして、
チタン膜の上には厚さ5μmの無電解ニツケルメ
ツキ層を、ニツケル膜の上には厚さ10μmの湿式
メツキによる銅メツキ層を形成した。その後、実
施例1と同様の焼ばめ代を有する金属結合部を焼
ばめ、タービンを得た。さらに、これらのタービ
ンを実施例1と同様の運転を行い、抗折試験に供
した。その結果、チタン膜上にニツケルメツキを
施したものは、70Kg/mm2、ニツケル膜の上に銅メ
ツキを施したものは65Kg/mm2の抗折力を示した。
【図面の簡単な説明】
図は、実施例を示し、セラミツク材としての排
気タービンと金属材としての圧縮タービンを示す
断面図である。 1……セラミツク製排気タービン、11……セ
ラミツク結合部、2……金属製軸部、3……アル
ミニウム製コンプレツサ部、21……金属結合
部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 セラミツク材と金属材とを機械的に結合する
    方法において、セラミツク材の結合部表面に膜厚
    が0.1〜0.5μmの金属膜を形成する膜形成工程と、
    該金属膜表面に高エネルギーイオンを照射して該
    金属膜とセラミツク材とを融合させるイオン照射
    工程と、セラミツク材と金属材とを、その両者間
    に上記金属膜を挟持して、結合する結合工程とか
    らなるセラミツク部品と金属部品との結合方法。 2 上記金属膜は、チタン(Ti)、ジルコニウム
    (Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニ
    オブ(Nb)、クロム(Cr)、ニツケル(Ni)、コ
    バルト(Co)のいずれかにより形成することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の結合方
    法。 3 上記金属膜は、電子ビーム蒸着、スパツタ蒸
    着又は、化学的気相蒸着により形成することを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の結合方法。 4 上記高エネルギーイオンは、窒素(N)、ネ
    オン(Ne)、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の結合方法。 5 上記結合工程は、焼ばめにより行うことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の結合方法。 6 セラミツク材と金属材とを機械的に結合する
    方法において、セラミツク材の結合部表面に膜厚
    が0.1〜0.5μmの金属膜を形成する膜形成工程と、
    該金属膜表面に高エネルギーイオンを照射して、
    金属膜とセラミツク材とを融合させるイオン照射
    工程と、該金属膜表面を、エツチングしたのちさ
    らに金属をメツキするメツキ工程と、セラミツク
    材と金属材とを、その両者間に上記メツキした金
    属膜を挟持して結合する結合工程とからなること
    を特徴とするセラミツク部品と金属部品との結合
    方法。 7 上記金属膜は、チタン(Ti)、ジルコニウム
    (Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニ
    オブ(Nb)、クロム(Cr)、ニツケル(Ni)、コ
    バルト(Co)のいずれかにより形成することを
    特徴とする特許請求の範囲第6項記載の結合方
    法。 8 上記金属膜は、電子ビーム蒸着、スパツタ蒸
    着又は、化学的気相蒸着により形成することを特
    徴とする特許請求の範囲第6項記載の結合方法。 9 上記高エネルギーイオンは、窒素(N)、ネ
    オン(Ne)、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載
    の結合方法。 10 上記結合工程は、焼ばめにより行うことを
    特徴とする特許請求の範囲第6項記載の結合方
    法。
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