JPH0229948A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0229948A JPH0229948A JP63181156A JP18115688A JPH0229948A JP H0229948 A JPH0229948 A JP H0229948A JP 63181156 A JP63181156 A JP 63181156A JP 18115688 A JP18115688 A JP 18115688A JP H0229948 A JPH0229948 A JP H0229948A
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- JP
- Japan
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- information recording
- recording medium
- recording
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- optical
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は情報記録媒体に関し、特に光によって情報の記
録、再生を行う光情報記録媒体に関する。
録、再生を行う光情報記録媒体に関する。
[従来の技術]
近年社会の情報化が進み、多種多様の情報を効率良く取
扱う手段として、光ディスク、光カード2光テープ等の
光学的に情報の記録又は再生を行う情報記録担体及び光
学的情報記録再生装置が多く提案されている。前記情報
記録担体には二値化された情報が反射率の変化、ピット
(穴)の有無の様な表面形状の変化に伴なう反射光強度
の変化、磁気光学効果による偏光面の変化を強度変化に
変換して検出出来るものがある。前述した情報記録担体
の特徴としては、記録密度が高く、且つ非接触で記録再
生が可能な為に、寿命が長い等の優れた点がある。
扱う手段として、光ディスク、光カード2光テープ等の
光学的に情報の記録又は再生を行う情報記録担体及び光
学的情報記録再生装置が多く提案されている。前記情報
記録担体には二値化された情報が反射率の変化、ピット
(穴)の有無の様な表面形状の変化に伴なう反射光強度
の変化、磁気光学効果による偏光面の変化を強度変化に
変換して検出出来るものがある。前述した情報記録担体
の特徴としては、記録密度が高く、且つ非接触で記録再
生が可能な為に、寿命が長い等の優れた点がある。
そして、携帯性に優れ、且つ大きさに比べて大容量であ
るカード状の情報記録担体(以下、光カードとする。)
についても最近盛んに研究、開発されており、提案もさ
れ始めている。
るカード状の情報記録担体(以下、光カードとする。)
についても最近盛んに研究、開発されており、提案もさ
れ始めている。
以下、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録担体と
して、光カードを取り上げて説明する。
して、光カードを取り上げて説明する。
光学的に情報の記録・再生方法について述べると、たと
えばエネルギービームにより磁化方向を反転させる光磁
気記録、また凹凸ピット形成による記録、或は光学的反
射率の高低による記録が行われるが、通常、SN光が高
く、製作の容易な光学的反射率の高低による記録担体が
広く用いられている。
えばエネルギービームにより磁化方向を反転させる光磁
気記録、また凹凸ピット形成による記録、或は光学的反
射率の高低による記録が行われるが、通常、SN光が高
く、製作の容易な光学的反射率の高低による記録担体が
広く用いられている。
光学的反射率の高低による記録担体としては、例えば、
銀粒子をゼラチンマトリックス中に分散してなる記録層
を有するカード類か提案されている。この記録層への情
報の書き込みは、レーザビームを記録層に照射して記録
ピットを形成して行われている。
銀粒子をゼラチンマトリックス中に分散してなる記録層
を有するカード類か提案されている。この記録層への情
報の書き込みは、レーザビームを記録層に照射して記録
ピットを形成して行われている。
一方また、記録層にレーザビームなどのエネルギービー
ムをスポット状に照射して、記録層の一部を状態変化さ
せて記録する、いわゆるヒートモード記録材料か提案さ
れている。これらの記録層としては、テルル、ビスマス
などの金属薄膜、ポリスチレン、ニトロセルロースなど
の有機薄膜、シアニン類などの色素薄膜、或いは相転移
を利用したテルル低酸化物膜などが用いられている。こ
れらの記録材料は、情報の書込みの後現像処理などの必
要がなく、「書いた後直読する」ことのできる、いわゆ
るDRAW(ダイレクト リード アフター ライト
;direct read after write
)媒体であり、高密度記録が可能であり追加書込みも可
能である。
ムをスポット状に照射して、記録層の一部を状態変化さ
せて記録する、いわゆるヒートモード記録材料か提案さ
れている。これらの記録層としては、テルル、ビスマス
などの金属薄膜、ポリスチレン、ニトロセルロースなど
の有機薄膜、シアニン類などの色素薄膜、或いは相転移
を利用したテルル低酸化物膜などが用いられている。こ
れらの記録材料は、情報の書込みの後現像処理などの必
要がなく、「書いた後直読する」ことのできる、いわゆ
るDRAW(ダイレクト リード アフター ライト
;direct read after write
)媒体であり、高密度記録が可能であり追加書込みも可
能である。
ところて上述の様な情報記録媒体としては、従来一般に
第2図に示すように、ポリカーボネイトやポリメタクリ
ル酸メチルの様な絶縁性の表基板を用い、その上に記録
層を形成し、更に接着剤を介して保護基板を貼合せて形
成されている。
第2図に示すように、ポリカーボネイトやポリメタクリ
ル酸メチルの様な絶縁性の表基板を用い、その上に記録
層を形成し、更に接着剤を介して保護基板を貼合せて形
成されている。
しかしながら、上記従来例では、該情報記録媒体を製造
する高低において、該表基板を搬送や加熱−冷却等々の
製造プロセスを経させると、その表面に〜l0KV程度
の静電気を帯びさせてしまう。静電気を帯びさせると浮
遊している粉塵を吸引し、そのままにしておくと欠陥と
なってしまう。粉塵の大きさは様々であるか、クリーン
ルーム内(クラス1000)に放置(lh、)L、てお
き人の近傍の通過等もあると、最大100gmのものも
付着する。しかし光によって情報の記録再生を行う様な
光情報記録媒体においては27zm以上の欠陥は光情報
記録媒体への記録再生の際のエラーの原因となってしま
う為、静電気の帯電による粉塵等の吸引は大きな問題と
なる。
する高低において、該表基板を搬送や加熱−冷却等々の
製造プロセスを経させると、その表面に〜l0KV程度
の静電気を帯びさせてしまう。静電気を帯びさせると浮
遊している粉塵を吸引し、そのままにしておくと欠陥と
なってしまう。粉塵の大きさは様々であるか、クリーン
ルーム内(クラス1000)に放置(lh、)L、てお
き人の近傍の通過等もあると、最大100gmのものも
付着する。しかし光によって情報の記録再生を行う様な
光情報記録媒体においては27zm以上の欠陥は光情報
記録媒体への記録再生の際のエラーの原因となってしま
う為、静電気の帯電による粉塵等の吸引は大きな問題と
なる。
また、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等
は未重合のモノマー残渣か PPMオーターで残っていることかあり、この様な残渣
か記録層を劣化させてしまうという問題点もあった。
は未重合のモノマー残渣か PPMオーターで残っていることかあり、この様な残渣
か記録層を劣化させてしまうという問題点もあった。
[発明か解決しようとしている問題点]本発明はポリカ
ーボネートやポリメチルメタクリレート等の絶縁基板の
静電気の帯電を防止し、絶縁基板への粉塵等の付着によ
る欠陥のない信頼性の高い情報記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
ーボネートやポリメチルメタクリレート等の絶縁基板の
静電気の帯電を防止し、絶縁基板への粉塵等の付着によ
る欠陥のない信頼性の高い情報記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
又、本発明は絶縁基板中に含まれるモノマー残渣の記録
層への影響を防止し耐久性のある情報記録媒体を提供す
ることを他の目的とするものである。
層への影響を防止し耐久性のある情報記録媒体を提供す
ることを他の目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明の情報記録媒体は、光照射によって微小なスポッ
トを形成して、情報を記録する光情報記録媒体において
、基板表面に透明電極層を有することを特徴とするもの
である。
トを形成して、情報を記録する光情報記録媒体において
、基板表面に透明電極層を有することを特徴とするもの
である。
即ち、絶縁性の表基板上の凹凸プリフォーマットの形成
されている側に透明導電層を設けることで表基板の静電
気の帯電を防止し、静電気による表基板への粉塵の付着
による欠陥のない信頼性の高い情報記録媒体を得ること
ができるものである。
されている側に透明導電層を設けることで表基板の静電
気の帯電を防止し、静電気による表基板への粉塵の付着
による欠陥のない信頼性の高い情報記録媒体を得ること
ができるものである。
更に絶縁基板に含まれる千ツマー残液の記録層への悪影
響を防止することができる。
響を防止することができる。
次に本発明を図を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明に係る情報記録媒体の1実施態様を示し
たものである。第1図において1は表基板、2は透明電
極層、3は光によって情報の記録・再生を行うことので
きる記録層、4は接着層で5は保護基板、6は表基板の
表面を保護する為のハードコート層である。
たものである。第1図において1は表基板、2は透明電
極層、3は光によって情報の記録・再生を行うことので
きる記録層、4は接着層で5は保護基板、6は表基板の
表面を保護する為のハードコート層である。
製造過程において表基板への静電気の帯電を防ぎ且つ表
基板のモノマー残渣の記録層への影響を防止する為の透
明電極としては、透明で導電性のある膜であれば特に限
定されないが、抵抗値と透過率の点でITO膜(In2
O3+ 5n02膜)、Z、O,膜等が好ましい。
基板のモノマー残渣の記録層への影響を防止する為の透
明電極としては、透明で導電性のある膜であれば特に限
定されないが、抵抗値と透過率の点でITO膜(In2
O3+ 5n02膜)、Z、O,膜等が好ましい。
この透明電極の形成方法としては真空蒸着方法か用いら
れるかポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等
の樹脂基板に形成する場合基板加熱温度は80℃以下に
抑えるのが好ましく、低温反応性イオンブレーティング
法または低温反応性スパッタリング法が望ましい。この
極の膜厚はlOOλ〜1000人特に300人〜600
人が好ましい。即ち1000Å以上とした場合、記録・
再生光の透過率か低下してしまい、また100Å以下で
は表基板のモノマー残渣のカバーリングが不完全となる
。
れるかポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等
の樹脂基板に形成する場合基板加熱温度は80℃以下に
抑えるのが好ましく、低温反応性イオンブレーティング
法または低温反応性スパッタリング法が望ましい。この
極の膜厚はlOOλ〜1000人特に300人〜600
人が好ましい。即ち1000Å以上とした場合、記録・
再生光の透過率か低下してしまい、また100Å以下で
は表基板のモノマー残渣のカバーリングが不完全となる
。
本発明において、情報記録媒体の表基板に用いる材料と
しては光学的な記録・再生に於て不都合の少ないものか
好ましく、またトラック溝の形成に成型性の良い熱可塑
性のものか好ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポ
リイミド系樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリオレフィン
樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース誘導体などを用いる
事が出来る。
しては光学的な記録・再生に於て不都合の少ないものか
好ましく、またトラック溝の形成に成型性の良い熱可塑
性のものか好ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポ
リイミド系樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリオレフィン
樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース誘導体などを用いる
事が出来る。
また保護基板としては、通常の情報記録媒体の基板とし
て用いる事か出来るあらゆる材料が使用可能てあり、具
体的にはポリ塩化ビニル、塩化ビニル/酢酸ビニル共重
合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチル等
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン/ブタジェン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合に依っては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛等の金属シート、合成紙
1紙等も用い得る。更には、上記の様な材料の積層体も
用いられる。
て用いる事か出来るあらゆる材料が使用可能てあり、具
体的にはポリ塩化ビニル、塩化ビニル/酢酸ビニル共重
合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチル等
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン/ブタジェン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合に依っては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛等の金属シート、合成紙
1紙等も用い得る。更には、上記の様な材料の積層体も
用いられる。
また保護基板には、必要に応じてコロナ放電処理、プラ
ズマ処理、プライマー処理などの接着性改良の為の前処
理をしてもよい。
ズマ処理、プライマー処理などの接着性改良の為の前処
理をしてもよい。
光記録層22としては、再生のエネルギービームの波長
か650nm以上、特に700〜900nmである場合
には、記録部て・あるピットに於る反射率と未記録部の
それとの差か大きいものか好ましい。また、記録のエネ
ルギービームの照射によって反射率の変化か生ずるのに
必要とされるエネルギーが小さい方か好ましい。
か650nm以上、特に700〜900nmである場合
には、記録部て・あるピットに於る反射率と未記録部の
それとの差か大きいものか好ましい。また、記録のエネ
ルギービームの照射によって反射率の変化か生ずるのに
必要とされるエネルギーが小さい方か好ましい。
更に、再生のエネルギービームによって記録部および未
記録部の反射率の変化しないものか好ましい。例えば、
Te、 Sb、 Mo、 Ge、 V 、 Sn等の酸
化物、Te−5n、 Te0x−Geなどの化合物等は
エネルギービームの照射により相転移を生じて反射率が
変化する。また、Te CH4+ Te−C32。
記録部の反射率の変化しないものか好ましい。例えば、
Te、 Sb、 Mo、 Ge、 V 、 Sn等の酸
化物、Te−5n、 Te0x−Geなどの化合物等は
エネルギービームの照射により相転移を生じて反射率が
変化する。また、Te CH4+ Te−C32。
Te−スチレン、 5n−3O□、 GeS −5n、
SnS −3などの金属と有機化合物または無機硫化
物との複合物や、5in2/ Ti/ 5in2/ A
fL等の多層膜も使用可能である。更に、ニトロセル
ロース、ポリスチレン、ポリエチレンなどの熱可塑性樹
脂中に銀などの金属粒子を分散させたもの、あるいはこ
の熱可塑性樹脂の表面に金属粒子を凝集させたものなど
も使用可能である。また、カルコゲン或は発色型のMO
O:l −Cu、 MOO3−Sn −Cuなども用い
られ、場合に依っては、泡形成型の有機薄膜と金属薄膜
との多層体も用いる事が出来−る。また、エネルギービ
ームで光学的な物性変化可能な有機薄膜も使用可能て、
例えば、アントラキノン誘導体、特にインダスレン骨格
を有する物、ジオキサジン化合物及びその誘導体、トリ
フエツジチアジン化合物、フェナンスレン誘導体、シア
ニン化合物、メロシアニン化合物、ピリリウム系化合物
、キサンチン系化合物、トリフェニルメタン系化合物、
クロコニウム系色素、クロコン類等の色素を挙げる事か
出来、これらは溶液塗布による連続製造か可能な事から
、本発明には好ましいものである。
SnS −3などの金属と有機化合物または無機硫化
物との複合物や、5in2/ Ti/ 5in2/ A
fL等の多層膜も使用可能である。更に、ニトロセル
ロース、ポリスチレン、ポリエチレンなどの熱可塑性樹
脂中に銀などの金属粒子を分散させたもの、あるいはこ
の熱可塑性樹脂の表面に金属粒子を凝集させたものなど
も使用可能である。また、カルコゲン或は発色型のMO
O:l −Cu、 MOO3−Sn −Cuなども用い
られ、場合に依っては、泡形成型の有機薄膜と金属薄膜
との多層体も用いる事が出来−る。また、エネルギービ
ームで光学的な物性変化可能な有機薄膜も使用可能て、
例えば、アントラキノン誘導体、特にインダスレン骨格
を有する物、ジオキサジン化合物及びその誘導体、トリ
フエツジチアジン化合物、フェナンスレン誘導体、シア
ニン化合物、メロシアニン化合物、ピリリウム系化合物
、キサンチン系化合物、トリフェニルメタン系化合物、
クロコニウム系色素、クロコン類等の色素を挙げる事か
出来、これらは溶液塗布による連続製造か可能な事から
、本発明には好ましいものである。
[実施例]
次に本発明を実施例を示して更に詳細に説明する。
実施例1
表基板として幅54mm、長さ85.6mm、厚さ0.
3mmのポリメチルメタクリレートフィルムを用い熱プ
レス法によってトラック溝幅37zm、トラックピッチ
logm、深さ0.15JLmの案内溝を形成した。
3mmのポリメチルメタクリレートフィルムを用い熱プ
レス法によってトラック溝幅37zm、トラックピッチ
logm、深さ0.15JLmの案内溝を形成した。
この基板上にスパッタリングによって
ITO膜(In、03+ SnO,膜)を600人の膜
厚に形成した。このITO膜の抵抗値は、4にΩ/cI
12てありまた833−nmの半導体レーザー光の透過
率は94%であった。
厚に形成した。このITO膜の抵抗値は、4にΩ/cI
12てありまた833−nmの半導体レーザー光の透過
率は94%であった。
次いでこの透明電極上に1.1,5.5−テトラキス−
(p−ジエチルアミノフェニル)−2,4−ペンタジエ
ニウム過塩素酸塩からなる膜厚1500人の光記録層を
形成した。保護基板に厚さ0.3mmの基板と同一の材
料を用いて、接着剤としてエチレン−酢酸ビニル系接着
剤を用いて、ロールラミネーターで接着温度100″C
で接着し更に表基板の記録・再生光の入射面にアクリル
変性樹脂からなるハードコート層を形成し本発明の情報
記録媒体を得た。
(p−ジエチルアミノフェニル)−2,4−ペンタジエ
ニウム過塩素酸塩からなる膜厚1500人の光記録層を
形成した。保護基板に厚さ0.3mmの基板と同一の材
料を用いて、接着剤としてエチレン−酢酸ビニル系接着
剤を用いて、ロールラミネーターで接着温度100″C
で接着し更に表基板の記録・再生光の入射面にアクリル
変性樹脂からなるハードコート層を形成し本発明の情報
記録媒体を得た。
この様に製造した情報記録媒体を光学的情報記録・再生
装置に装着し、波長830nmの半導体レーザーを用い
て表基板側より記録パワー4、W、記録周波数100K
Hzスポツトサイズ3gmΦのレーザーを用いて100
トラツクに情報を書き込み、再生パワー0.4.、、W
で再生した。このときの表基板の帯電圧を測定し、ラー
レートは3.5X10”’であり静電気による粉塵の付
着はみられなかった。
装置に装着し、波長830nmの半導体レーザーを用い
て表基板側より記録パワー4、W、記録周波数100K
Hzスポツトサイズ3gmΦのレーザーを用いて100
トラツクに情報を書き込み、再生パワー0.4.、、W
で再生した。このときの表基板の帯電圧を測定し、ラー
レートは3.5X10”’であり静電気による粉塵の付
着はみられなかった。
比較例1
実施例1においてITO膜を設けない以外は同様の方法
で情報記録媒体を得た。得られた情報記録媒体に実施例
1と同様の記録・再生試験を行ったところ、表基板の帯
電圧はIKVで静電気によるゴミの吸着がみられバイト
エラーレートはa、5xto−3であった。
で情報記録媒体を得た。得られた情報記録媒体に実施例
1と同様の記録・再生試験を行ったところ、表基板の帯
電圧はIKVで静電気によるゴミの吸着がみられバイト
エラーレートはa、5xto−3であった。
[発明の効果]
以上説明した様に、表基板の凹凸プリフォーマットが形
成されている面に透明電極を形成した情報記録媒体によ
って製造プロセス上の静電気による粉塵の吸引によって
発生する欠陥を防止し、又、情報記録媒体表面への粉塵
の吸引も防止できる。
成されている面に透明電極を形成した情報記録媒体によ
って製造プロセス上の静電気による粉塵の吸引によって
発生する欠陥を防止し、又、情報記録媒体表面への粉塵
の吸引も防止できる。
更に、記録層材料と表基板が、接触しないため表基板中
の未反応上ツマー等の物質が材料と反応しないため記録
層材料の特性を劣化させることがない。
の未反応上ツマー等の物質が材料と反応しないため記録
層材料の特性を劣化させることがない。
第1図は本発明に係る情報記録媒体の模式的断面図であ
る。 第2図は従来の光記録媒体の模式的断面図である。 l・・・表基板 2・・・透明電極層 3・・・記録層 4・・・接着層 5・・・保護基板
る。 第2図は従来の光記録媒体の模式的断面図である。 l・・・表基板 2・・・透明電極層 3・・・記録層 4・・・接着層 5・・・保護基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光照射によって微小なスポットを形成して 情報を記録する光情報記録媒体において、基板表面に透
明電極層を有することを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181156A JPH0229948A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181156A JPH0229948A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229948A true JPH0229948A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16095867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181156A Pending JPH0229948A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229948A (ja) |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63181156A patent/JPH0229948A/ja active Pending
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