JPH02299860A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH02299860A JPH02299860A JP12229589A JP12229589A JPH02299860A JP H02299860 A JPH02299860 A JP H02299860A JP 12229589 A JP12229589 A JP 12229589A JP 12229589 A JP12229589 A JP 12229589A JP H02299860 A JPH02299860 A JP H02299860A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- common electrode
- technique
- thermal head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は、たとえば、ファクシミリ装置の印字プリン
タとして用いられるサーマルヘッドに係り、基板上に複
数の抵抗発熱体を設け、それらを選択的に発熱させるた
めのドライバー10を搭載したサーマルヘッドに関する
。
タとして用いられるサーマルヘッドに係り、基板上に複
数の抵抗発熱体を設け、それらを選択的に発熱させるた
めのドライバー10を搭載したサーマルヘッドに関する
。
(ロ)従来の技術
従来この種のサーマルヘッドにおいては、復敢の抵抗発
熱体と、抵抗発熱体に共通に接続した共通電極と、抵抗
発熱体に個別に接続したリード電極を基板上に形成し、
更にドライバー【Cを基板上に搭載して共通tt4とリ
ード電極とを介して各発熱抵抗体にドライバーICから
選択的に発熱電流を供給するようにしている。このよう
なサーマルヘッドの組み立てに際しては、ドライバーI
Cの出力電極とリード電極とを接続するためにフェイス
ダウンボンディング法(フリップチップをハンダバンプ
を介してリード電極に接続する方法)及びワイヤーボン
ディング法の三方式が一般的に用いられてきた。特にワ
イヤーボンディング法を使用する場合ζこは、リード電
極を比抵抗か小さく基板とのなじみが良好でハンダに吸
収されにくいAIによって形成するのが一般的である。
熱体と、抵抗発熱体に共通に接続した共通電極と、抵抗
発熱体に個別に接続したリード電極を基板上に形成し、
更にドライバー【Cを基板上に搭載して共通tt4とリ
ード電極とを介して各発熱抵抗体にドライバーICから
選択的に発熱電流を供給するようにしている。このよう
なサーマルヘッドの組み立てに際しては、ドライバーI
Cの出力電極とリード電極とを接続するためにフェイス
ダウンボンディング法(フリップチップをハンダバンプ
を介してリード電極に接続する方法)及びワイヤーボン
ディング法の三方式が一般的に用いられてきた。特にワ
イヤーボンディング法を使用する場合ζこは、リード電
極を比抵抗か小さく基板とのなじみが良好でハンダに吸
収されにくいAIによって形成するのが一般的である。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のこのようなサーマルヘッドにおい
て、A1層をメッキ法によって形成することが困難であ
るので、蒸着またはスパッタ法によって形成しするため
、製造工程が複雑であるばかりでなく、高価な製造装置
を必要とするという問題点があった。
て、A1層をメッキ法によって形成することが困難であ
るので、蒸着またはスパッタ法によって形成しするため
、製造工程が複雑であるばかりでなく、高価な製造装置
を必要とするという問題点があった。
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、
安価な製造設備を使用して、単純な工程によって製作す
ることが可能なサーマルヘッドを提供するものである。
安価な製造設備を使用して、単純な工程によって製作す
ることが可能なサーマルヘッドを提供するものである。
(ニ)課題を解決するための手段
この発明は、複数の抵抗発熱体と、その抵抗体発熱体に
共通に接続した共通電極と、抵抗発熱体に個別に接続し
たリード電極とを基板上に形成し、共通電極とリード電
極を介して各抵抗発熱体に発熱電流を供給しうるように
構成したサーマルヘッドにおいて、共通電極が、基板上
にメッキ法によって積層されたCu層からなり、個別電
極が、基板上にメッキ法によって積層されたNi層と、
このNi層上にメッキ法によって積層されたAu層との
二重金属層からなることを特徴とするサーマルヘッドで
ある。
共通に接続した共通電極と、抵抗発熱体に個別に接続し
たリード電極とを基板上に形成し、共通電極とリード電
極を介して各抵抗発熱体に発熱電流を供給しうるように
構成したサーマルヘッドにおいて、共通電極が、基板上
にメッキ法によって積層されたCu層からなり、個別電
極が、基板上にメッキ法によって積層されたNi層と、
このNi層上にメッキ法によって積層されたAu層との
二重金属層からなることを特徴とするサーマルヘッドで
ある。
この発明においては、抵抗発熱体を設けた基板上に抵抗
発熱体に接続される配線パターン(共通電極およびリー
ド電極を含む)をすべてメッキ法により形成することが
できろ。
発熱体に接続される配線パターン(共通電極およびリー
ド電極を含む)をすべてメッキ法により形成することが
できろ。
(ホ)作用
共通電極及び個別電極が基板上にすべてメッキ法を用い
て形成することができるので、高価な設備が不要となる
と共に製造工程が単純化される。
て形成することができるので、高価な設備が不要となる
と共に製造工程が単純化される。
(へ)実施例
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する
。これによってこの発明が限定されるしのではない。
。これによってこの発明が限定されるしのではない。
第1図はこの発明によるサーマルヘッドの上面図であり
、」は電気絶縁性材料(たとえばアルミナセラミック)
からなる基板であり、その上面には複数の抵抗発熱体か
らなる発熱抵抗部2、発熱抵抗部2への給電を制御する
ドライバーIC3、抵抗発熱体に共通に接続された共通
電極部4および各抵抗発熱体にドライバーIC3の出力
を接続するリード電極部4がそれぞれ設けられている。
、」は電気絶縁性材料(たとえばアルミナセラミック)
からなる基板であり、その上面には複数の抵抗発熱体か
らなる発熱抵抗部2、発熱抵抗部2への給電を制御する
ドライバーIC3、抵抗発熱体に共通に接続された共通
電極部4および各抵抗発熱体にドライバーIC3の出力
を接続するリード電極部4がそれぞれ設けられている。
第2図は第1図の部分断面図であり、基板Iの表面にガ
ラスをコーティングすることによってグレーズ層6を形
成し、さらにメッキ法によってCu層を形成し、フォト
リソグラフィ法によりバターニングして共通電極4が形
成する。次に、その上にTa5iOtをスパッタリング
してフォトリソグラフィ法によりバターニングして個々
の抵抗発熱体2aを形成する。次に、メッキ法によって
Ni層5aとAu層5bとをそれぞれメッキ法によって
積層し、フォトリゾグラフィ法によりバターニングして
、リード電極5を形成する。このとき、Ni層5aの厚
さは05〜4μm1望ましくは1〜2μlであり、Au
層5bの厚さは0.1〜2μ11望ましくは0.2〜0
,8μIである。共通型′WA4を構成するCu層は比
抵抗か小さく、しかもIOμ1以上の厚メッキが可能で
あり、基板(アルミナセラミック)とのなじみが良いた
め、電力損失か極めて少な(接着強度の高い電極となる
。なお、リード電極5はNi層5aとAu層5bとの二
重構造となっているが、熱処理条件を施こすことにより
Ni層5aとAu層5b間やN1層5aとグレーズ層6
間の密着強度を向上させAu層5bと発熱抵抗体2aと
のオーミックコンタクトのバラツキを抑制することがで
きる。従って、形成されたNi層5aとAu層5bを2
50℃乃至550℃の温度で空気中またはN、ガス中で
熱処理し、NiとAuの合金層にする。この熱処理工程
は、サーマルヘッドにドライバーtCをマウントする場
合のマウント方法によって温度条件がコントロールされ
る。すなわち、ワイヤーボンディング法によってドライ
バーICをマウントする場合には、熱処理温度を250
〜400℃としてAu層5bの表面までNi層5aの合
金化が進行しないように処理することにより、リード電
極5をボンディング性に優れた電極構造とすることがで
きる。一方、フェイスダウンボンディング方式を用いて
ドライバーtCをマウントする場合には、A u 層5
bを厚くするとAuが溶融ハンダに吸収されやすいた
め、ボンディングの接着強度が低下するという問題があ
る。従ってAu層5bが厚くならないように250〜5
50℃の温度範囲において熱処理温度を設定すると共に
熱処理時間を適切に選択して行う。これによってリード
電極5をフェイスダウンボンディング法に適した電極構
造とすることができる。なお、第2図における保護層7
は熱処理後に形成される。
ラスをコーティングすることによってグレーズ層6を形
成し、さらにメッキ法によってCu層を形成し、フォト
リソグラフィ法によりバターニングして共通電極4が形
成する。次に、その上にTa5iOtをスパッタリング
してフォトリソグラフィ法によりバターニングして個々
の抵抗発熱体2aを形成する。次に、メッキ法によって
Ni層5aとAu層5bとをそれぞれメッキ法によって
積層し、フォトリゾグラフィ法によりバターニングして
、リード電極5を形成する。このとき、Ni層5aの厚
さは05〜4μm1望ましくは1〜2μlであり、Au
層5bの厚さは0.1〜2μ11望ましくは0.2〜0
,8μIである。共通型′WA4を構成するCu層は比
抵抗か小さく、しかもIOμ1以上の厚メッキが可能で
あり、基板(アルミナセラミック)とのなじみが良いた
め、電力損失か極めて少な(接着強度の高い電極となる
。なお、リード電極5はNi層5aとAu層5bとの二
重構造となっているが、熱処理条件を施こすことにより
Ni層5aとAu層5b間やN1層5aとグレーズ層6
間の密着強度を向上させAu層5bと発熱抵抗体2aと
のオーミックコンタクトのバラツキを抑制することがで
きる。従って、形成されたNi層5aとAu層5bを2
50℃乃至550℃の温度で空気中またはN、ガス中で
熱処理し、NiとAuの合金層にする。この熱処理工程
は、サーマルヘッドにドライバーtCをマウントする場
合のマウント方法によって温度条件がコントロールされ
る。すなわち、ワイヤーボンディング法によってドライ
バーICをマウントする場合には、熱処理温度を250
〜400℃としてAu層5bの表面までNi層5aの合
金化が進行しないように処理することにより、リード電
極5をボンディング性に優れた電極構造とすることがで
きる。一方、フェイスダウンボンディング方式を用いて
ドライバーtCをマウントする場合には、A u 層5
bを厚くするとAuが溶融ハンダに吸収されやすいた
め、ボンディングの接着強度が低下するという問題があ
る。従ってAu層5bが厚くならないように250〜5
50℃の温度範囲において熱処理温度を設定すると共に
熱処理時間を適切に選択して行う。これによってリード
電極5をフェイスダウンボンディング法に適した電極構
造とすることができる。なお、第2図における保護層7
は熱処理後に形成される。
第3図はワイヤーボンディング法によってドライバーI
Cを搭載する場合の組み立て構造を示す部分断面図であ
り、第4図はフェイスダウンボンディング法によってド
ライバーICを搭載する場合の部分断面図である。これ
らの図において、8はハンダバンブ、9はAuワイヤー
である。
Cを搭載する場合の組み立て構造を示す部分断面図であ
り、第4図はフェイスダウンボンディング法によってド
ライバーICを搭載する場合の部分断面図である。これ
らの図において、8はハンダバンブ、9はAuワイヤー
である。
このようにしてドライバーICをワイヤーボンディング
法によって基板上に搭載する場合でも、フェイスダウン
ボンディング法によって搭載する場合でも、リード電極
の熱処理条件を変化させるだけで電極材料を変えること
なく対応でき、しかも、リード電極、共通電極の基板お
よびグレーズ層に対する密着性が向上するため、信頼性
の高いサーマルヘッドが製作される。さらに、共通電極
およびリード電極がすべてメッキ法によって形成される
のでサーマルヘッドの製造工程が単純化されると共に高
価な製造装置が不要となる。
法によって基板上に搭載する場合でも、フェイスダウン
ボンディング法によって搭載する場合でも、リード電極
の熱処理条件を変化させるだけで電極材料を変えること
なく対応でき、しかも、リード電極、共通電極の基板お
よびグレーズ層に対する密着性が向上するため、信頼性
の高いサーマルヘッドが製作される。さらに、共通電極
およびリード電極がすべてメッキ法によって形成される
のでサーマルヘッドの製造工程が単純化されると共に高
価な製造装置が不要となる。
(ト)発明の効果
この発明によれば、抵抗発熱体に発熱電流を供給する共
通電極及び鑓別電極がいずれもメッキ法によって基板上
に形成されるので、サーマルヘッドの製造工程が単純化
されろと共に高価な製造装置か不要となる。
通電極及び鑓別電極がいずれもメッキ法によって基板上
に形成されるので、サーマルヘッドの製造工程が単純化
されろと共に高価な製造装置か不要となる。
第1図はこの発明の一実施例を示す上面図、第2図およ
び第3図は第【図の部分断面図、第4図は第3図に示す
実施例の変形例を示す部分断面図である。 ■・・・・・・基板、 2・・・・・・発熱
抵抗部、2ユ・・・・・・抵抗発熱体、 3・・・・・・ドライバー[C14・・・・・・共通電
極、5・・・・・・リード電極、 5a・・・・・
・Ni層、5b・・・・・・Au層、 6・・・
・・・グレーズ層、7・・・・・・保護膜、
9・・・・・・Auワイヤー、lO・・・・・・ハンダ
バンプ。 笥 1 !
び第3図は第【図の部分断面図、第4図は第3図に示す
実施例の変形例を示す部分断面図である。 ■・・・・・・基板、 2・・・・・・発熱
抵抗部、2ユ・・・・・・抵抗発熱体、 3・・・・・・ドライバー[C14・・・・・・共通電
極、5・・・・・・リード電極、 5a・・・・・
・Ni層、5b・・・・・・Au層、 6・・・
・・・グレーズ層、7・・・・・・保護膜、
9・・・・・・Auワイヤー、lO・・・・・・ハンダ
バンプ。 笥 1 !
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の抵抗発熱体と、その抵抗体発熱体に共通に接
続した共通電極と、抵抗発熱体に個別に接続したリード
電極とを基板上に形成し、共通電極とリード電極を介し
て各抵抗発熱体に発熱電流を供給しうるように構成した
サーマルヘッドにおいて、 共通電極が、基板上にメッキ法によって積層されたCu
層からなり、個別電極が、基板上にメッキ法によって積
層されたNi層と、このNi層上にメッキ法によって積
層されたAu層との二重金属層からなることを特徴とす
るサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12229589A JPH02299860A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12229589A JPH02299860A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02299860A true JPH02299860A (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=14832422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12229589A Pending JPH02299860A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02299860A (ja) |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP12229589A patent/JPH02299860A/ja active Pending
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