JPH0586756B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0586756B2 JPH0586756B2 JP2866686A JP2866686A JPH0586756B2 JP H0586756 B2 JPH0586756 B2 JP H0586756B2 JP 2866686 A JP2866686 A JP 2866686A JP 2866686 A JP2866686 A JP 2866686A JP H0586756 B2 JPH0586756 B2 JP H0586756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- heating resistor
- insulating layer
- melting point
- thermal head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板の端面方向に発熱抵抗体を形成
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
従来、基板の端部に発熱抵抗体を形成したサー
マルヘツドとしては、本願出願人が特願昭59−
213116号としてすでに出願している装置がある。
第５図はこのサーマルヘツドの概要を示す構成図
である。図に示すサーマルヘツドは、基板１の一
方の面に、第１の電極層２、電気絶縁層および熱
抵抗層となるガラス層３、第２の電極層４、およ
び保護ガラス層５を逐次積層形成するとともに、
各層を含む基板１の端部を切断して、各電極層
２，４の露出した端面に発熱抵抗体６を形成する
ようにしたものである。また、発熱抵抗体６は選
択電極を構成する第１の電極層２の形状に合わせ
て、複数に分離されている。
マルヘツドとしては、本願出願人が特願昭59−
213116号としてすでに出願している装置がある。
第５図はこのサーマルヘツドの概要を示す構成図
である。図に示すサーマルヘツドは、基板１の一
方の面に、第１の電極層２、電気絶縁層および熱
抵抗層となるガラス層３、第２の電極層４、およ
び保護ガラス層５を逐次積層形成するとともに、
各層を含む基板１の端部を切断して、各電極層
２，４の露出した端面に発熱抵抗体６を形成する
ようにしたものである。また、発熱抵抗体６は選
択電極を構成する第１の電極層２の形状に合わせ
て、複数に分離されている。
第６図は第５図に示したサーマルヘツドの断面
図である。図において、７は発熱抵抗体６の上に
形成された保護および耐摩耗層である。
図である。図において、７は発熱抵抗体６の上に
形成された保護および耐摩耗層である。
このように形成されたサーマルヘツドにおいて
は、発熱抵抗体６（発熱部）が記録紙等に確実に
接触するので、熱効率の良いサーマルヘツドを得
ることができる。また、基板１の端部は平面部に
比べて平坦に加工することが容易であるので、複
数の発熱部を記録紙等に均等に接触させることが
でき、高い印字品質を得ることができる。さら
に、発熱抵抗体６における発熱部の長さは電極層
間に形成するガラス層３の厚さにより決定される
ので、この厚さを調節することにより発熱部の長
さを自由に制御して、基板１の強度などに影響を
与えることなく、高分解能のサーマルヘツドを実
現することができる。
は、発熱抵抗体６（発熱部）が記録紙等に確実に
接触するので、熱効率の良いサーマルヘツドを得
ることができる。また、基板１の端部は平面部に
比べて平坦に加工することが容易であるので、複
数の発熱部を記録紙等に均等に接触させることが
でき、高い印字品質を得ることができる。さら
に、発熱抵抗体６における発熱部の長さは電極層
間に形成するガラス層３の厚さにより決定される
ので、この厚さを調節することにより発熱部の長
さを自由に制御して、基板１の強度などに影響を
与えることなく、高分解能のサーマルヘツドを実
現することができる。
しかしながら、このようなサーマルヘツドにお
いては、第１および第２の電極層２，４の間に形
成する発熱抵抗体の下地層となるガラス層３とし
ては、1200℃以上の温度で焼成される高融点のガ
ラスが使用されている。このため、このガラス層
３の下に形成される第１の電極層２には、融点の
低い金属材料を使用することができず、一般的な
金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAlなどは使
用できない。一方、1000℃程度以下の焼成温度で
ガラス層が形成されれば、第１の電極層２には融
点の低い金属材料を使用することができ、電極材
料の選択が容易となる。しかしんがら、低融点ガ
ラスは発熱抵抗体の信頼性を損なう鉛Pbやナト
リウムNaの成分を含有するものが多く、かつ、
焼成後のガラス層内に気泡を多く包み、切断、研
磨加工を行なつた後、研磨面が平滑にならず、発
熱抵抗体の下地としては不適切である。
いては、第１および第２の電極層２，４の間に形
成する発熱抵抗体の下地層となるガラス層３とし
ては、1200℃以上の温度で焼成される高融点のガ
ラスが使用されている。このため、このガラス層
３の下に形成される第１の電極層２には、融点の
低い金属材料を使用することができず、一般的な
金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAlなどは使
用できない。一方、1000℃程度以下の焼成温度で
ガラス層が形成されれば、第１の電極層２には融
点の低い金属材料を使用することができ、電極材
料の選択が容易となる。しかしんがら、低融点ガ
ラスは発熱抵抗体の信頼性を損なう鉛Pbやナト
リウムNaの成分を含有するものが多く、かつ、
焼成後のガラス層内に気泡を多く包み、切断、研
磨加工を行なつた後、研磨面が平滑にならず、発
熱抵抗体の下地としては不適切である。
本発明は、上記のような従来装置の欠点をなく
し、第１および第２の電極層の間に形成するガラ
ス層の材料として低融点のガラスを使用すること
ができ、電極材料に高融点の材料を必要としない
とともに、発熱抵抗体の下地面として、スパツタ
絶縁薄膜を使用することにより、発熱抵抗体の信
頼性を有するサーマルヘツドを簡単な構成により
実現することを目的としたものである。
し、第１および第２の電極層の間に形成するガラ
ス層の材料として低融点のガラスを使用すること
ができ、電極材料に高融点の材料を必要としない
とともに、発熱抵抗体の下地面として、スパツタ
絶縁薄膜を使用することにより、発熱抵抗体の信
頼性を有するサーマルヘツドを簡単な構成により
実現することを目的としたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のサーマルヘツドおよびその製造方法
は、複数の電極層をそれぞれ電気絶縁層および熱
抵抗層となるガラス層を介して対向するように基
板の一方の面に逐次積層形成するとともに前記各
層を含む基板端部の切断により前記各電極層の露
出した端面に発熱抵抗体を形成するようにしたサ
ーマルヘツドにおいて、前記ガラス層として1000
℃程度以下の温度で焼成される低融点ガラス層を
使用するとともに、この低融点ガラス層と発熱抵
抗体との間に低融点ガラス層を被覆して発熱抵抗
体に対して平滑な下地層を形成する絶縁層を設
け、さらに導電層を用いて各電極層を絶縁層上に
導き、各電極層と発熱抵抗体との間を導通させる
ようにしたものである。
は、複数の電極層をそれぞれ電気絶縁層および熱
抵抗層となるガラス層を介して対向するように基
板の一方の面に逐次積層形成するとともに前記各
層を含む基板端部の切断により前記各電極層の露
出した端面に発熱抵抗体を形成するようにしたサ
ーマルヘツドにおいて、前記ガラス層として1000
℃程度以下の温度で焼成される低融点ガラス層を
使用するとともに、この低融点ガラス層と発熱抵
抗体との間に低融点ガラス層を被覆して発熱抵抗
体に対して平滑な下地層を形成する絶縁層を設
け、さらに導電層を用いて各電極層を絶縁層上に
導き、各電極層と発熱抵抗体との間を導通させる
ようにしたものである。
このように、ガラス層と発熱抵抗体との間にス
パツタ薄膜による絶縁層を介在させると、ガラス
層に含まれる不純物物質が発熱抵抗体の信頼性に
影響を与えることがなく、高い焼成温度の必要な
高融点ガラスを使用することは必要なく、ガラス
材料として低融点のガラスを使用することができ
る。
パツタ薄膜による絶縁層を介在させると、ガラス
層に含まれる不純物物質が発熱抵抗体の信頼性に
影響を与えることがなく、高い焼成温度の必要な
高融点ガラスを使用することは必要なく、ガラス
材料として低融点のガラスを使用することができ
る。
また、電気めつきにより露出した電極層上にの
み導電層を選択的に形成することにより、各電極
層と発熱抵抗体との接続を容易に行なうことがで
きる。
み導電層を選択的に形成することにより、各電極
層と発熱抵抗体との接続を容易に行なうことがで
きる。
以下、本発明のサーマルヘツドおよびその製造
方法を図面を使用して説明する。図において、前
記第５図および第６図と同様のものは同一符号を
付して示す。第１図〜第４図は本発明のサーマル
ヘツドおよびその製造方法の一実施例を、製造工
程の順を追つて示したものである。
方法を図面を使用して説明する。図において、前
記第５図および第６図と同様のものは同一符号を
付して示す。第１図〜第４図は本発明のサーマル
ヘツドおよびその製造方法の一実施例を、製造工
程の順を追つて示したものである。
第２図は従来と同様の工程により、基板１の一
方の面に、第１の電極層２、ガラス層３、第２の
電極層４および保護ガラス層５を逐次積層形成し
た後、各層を含む基板１の端部を直線状に切断し
た状態を示したものである。図に示すように、切
断された端面には各電極層２，４が露出してい
る。
方の面に、第１の電極層２、ガラス層３、第２の
電極層４および保護ガラス層５を逐次積層形成し
た後、各層を含む基板１の端部を直線状に切断し
た状態を示したものである。図に示すように、切
断された端面には各電極層２，４が露出してい
る。
ここで、本発明においては、導電層を形成する
手法として、電気めつきを行なうことにより、容
易に導電層を形成することが可能である。電気め
つきに際しては、各電極層２，４におけるリード
パターンが利用され、このリードパターンを介し
てめつき面（各電極層２，４）にめつきのための
電流が与えられる。また、めつき材料には、例え
ば、ニツケルNiなどの金属が使用され、10μm程
度の厚さに積層される。ニツケルは比較的硬度が
高く、拡散防止効果を有しているので、めつき材
料として好適である。なお、導電層としてめつき
法以外に、スパツタや蒸着により金属層を形成
し、フオトリングラフによりパターンを形成して
も良いことは当然である。
手法として、電気めつきを行なうことにより、容
易に導電層を形成することが可能である。電気め
つきに際しては、各電極層２，４におけるリード
パターンが利用され、このリードパターンを介し
てめつき面（各電極層２，４）にめつきのための
電流が与えられる。また、めつき材料には、例え
ば、ニツケルNiなどの金属が使用され、10μm程
度の厚さに積層される。ニツケルは比較的硬度が
高く、拡散防止効果を有しているので、めつき材
料として好適である。なお、導電層としてめつき
法以外に、スパツタや蒸着により金属層を形成
し、フオトリングラフによりパターンを形成して
も良いことは当然である。
さらに、この導電層を含む端面には、スパツタ
または蒸着により酸化ケイ素SiO2や酸化アルミ
ニウムAl2O2などの絶縁層が、例えば５〜10μm
程度の膜厚で形成される。これらの絶縁層材料は
ち密性が高く、後述する発熱抵抗体６の下地層と
して好適である。
または蒸着により酸化ケイ素SiO2や酸化アルミ
ニウムAl2O2などの絶縁層が、例えば５〜10μm
程度の膜厚で形成される。これらの絶縁層材料は
ち密性が高く、後述する発熱抵抗体６の下地層と
して好適である。
以上の工程を経た端面の拡大図を第３図に示
す。図中、８は導電層、９は絶縁層である。図に
示されるように、各電極層２，４は導電層８によ
り端面から突出しており、絶縁層９は導電層８を
含む端面に一様に形成されている。
す。図中、８は導電層、９は絶縁層である。図に
示されるように、各電極層２，４は導電層８によ
り端面から突出しており、絶縁層９は導電層８を
含む端面に一様に形成されている。
次に、このように形成された端面には、図中の
破線ｌのレベルまで研磨加工が施される。研磨加
工により端面に残される絶縁層９の厚さは、概略
数μm程度である。この結果、研磨された絶縁層
９の表面には、第４図に示す如く、各電極層２，
４のパターンに対応した導電層８が露出するよう
になる。
破線ｌのレベルまで研磨加工が施される。研磨加
工により端面に残される絶縁層９の厚さは、概略
数μm程度である。この結果、研磨された絶縁層
９の表面には、第４図に示す如く、各電極層２，
４のパターンに対応した導電層８が露出するよう
になる。
本発明においては、上記のようにして導電層８
が露出した端面に、従来と同様の工程により発熱
抵抗体６を形成し、パターン形成を行ない発熱抵
抗体とする。したがつて、第１図に示す如く、発
熱抵抗体ろく導電層８を介して各電極層２，４と
導通するとともに、絶縁層９を介してガラス層３
の上に被着することになる。ここで、発熱抵抗体
層６の膜厚は、その抵抗値との関連で決定される
ものであるが、薄膜抵抗体では概略0.1μm程度で
ある。また、発熱抵抗体６の上には保護および耐
摩耗層７が形成される。
が露出した端面に、従来と同様の工程により発熱
抵抗体６を形成し、パターン形成を行ない発熱抵
抗体とする。したがつて、第１図に示す如く、発
熱抵抗体ろく導電層８を介して各電極層２，４と
導通するとともに、絶縁層９を介してガラス層３
の上に被着することになる。ここで、発熱抵抗体
層６の膜厚は、その抵抗値との関連で決定される
ものであるが、薄膜抵抗体では概略0.1μm程度で
ある。また、発熱抵抗体６の上には保護および耐
摩耗層７が形成される。
このように、ガラス層３の上に比較的厚い絶縁
層９を形成し、さらにこの絶縁層９の上に発熱抵
抗体６を形成し、絶縁層９としてち密性の高い材
料を使用することにより、発熱抵抗体６に対して
平滑な下地層を得ることができ、良好な密着性を
有し、信頼性の高い発熱抵抗体６を得ることがで
きる。また、ガラス層３の材質が発熱抵抗体６へ
直接影響しないので、ガラス層３の材料として低
融点のガラスを使用することができ、電極層２の
材料にも高融点の材料を必要とすることがない。
層９を形成し、さらにこの絶縁層９の上に発熱抵
抗体６を形成し、絶縁層９としてち密性の高い材
料を使用することにより、発熱抵抗体６に対して
平滑な下地層を得ることができ、良好な密着性を
有し、信頼性の高い発熱抵抗体６を得ることがで
きる。また、ガラス層３の材質が発熱抵抗体６へ
直接影響しないので、ガラス層３の材料として低
融点のガラスを使用することができ、電極層２の
材料にも高融点の材料を必要とすることがない。
以上説明したように、本発明のサーマルヘツド
およびその製造方法では、複数の電極層をそれぞ
れ電気絶縁層および熱抵抗層となるガラス層を介
して対向するように基板の一方の面に逐次積層形
成するとともに前記各層を含む基板端部の切断に
より各電極層の露出した端面に発熱抵抗体を形成
するようにしたサーマルヘツドにおいて、ガラス
層として1000℃程度以下の温度で焼成される低融
点ガラス層を使用するとともに、この低融点ガラ
ス層と発熱抵抗体との間に低融点ガラス層を被覆
して発熱抵抗体に対して平滑な下地層を形成する
絶縁層を設け、さらに導電層を用いて各電極層を
絶縁層上に導き、各電極層と発熱抵抗体との間を
導通させるようにしているので、ガラス層の材質
が発熱抵抗体の信頼性に直接影響を与えることが
なく、第１および第２の電極層の間に形成するガ
ラス層の材料として低融点のガラスを使用するこ
とができ、電極材料に高融点の材料を必要としな
いとともに、信頼性の高い発熱抵抗体を有するサ
ーマルヘツドを簡単な構成により実現することが
できる。
およびその製造方法では、複数の電極層をそれぞ
れ電気絶縁層および熱抵抗層となるガラス層を介
して対向するように基板の一方の面に逐次積層形
成するとともに前記各層を含む基板端部の切断に
より各電極層の露出した端面に発熱抵抗体を形成
するようにしたサーマルヘツドにおいて、ガラス
層として1000℃程度以下の温度で焼成される低融
点ガラス層を使用するとともに、この低融点ガラ
ス層と発熱抵抗体との間に低融点ガラス層を被覆
して発熱抵抗体に対して平滑な下地層を形成する
絶縁層を設け、さらに導電層を用いて各電極層を
絶縁層上に導き、各電極層と発熱抵抗体との間を
導通させるようにしているので、ガラス層の材質
が発熱抵抗体の信頼性に直接影響を与えることが
なく、第１および第２の電極層の間に形成するガ
ラス層の材料として低融点のガラスを使用するこ
とができ、電極材料に高融点の材料を必要としな
いとともに、信頼性の高い発熱抵抗体を有するサ
ーマルヘツドを簡単な構成により実現することが
できる。
第１図〜第４図は本発明のサーマルヘツドおよ
びその製造方法の一実施例を示す構成図、第５図
および第６図は従来のサーマルヘツドの一例を示
す構成図である。 １……基板、２，４……電極層、３……ガラス
層、５……保護ガラス層、６……発熱抵抗体、７
……保護層、８……導電層、９……絶縁層。
びその製造方法の一実施例を示す構成図、第５図
および第６図は従来のサーマルヘツドの一例を示
す構成図である。 １……基板、２，４……電極層、３……ガラス
層、５……保護ガラス層、６……発熱抵抗体、７
……保護層、８……導電層、９……絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の電極層をそれぞれ電気絶縁層および熱
抵抗層となるガラス層を介して対向するように基
板の一方の面に逐次積層形成するとともに前記各
層を含む基板端部の切断により前記各電極層の露
出した端面に発熱抵抗体を形成するようにしたサ
ーマルヘツドにおいて、前記ガラス層として1000
℃程度以下の温度で焼成される低融点ガラス層を
使用するとともに、この低融点ガラス層と前記発
熱抵抗体との間に形成され低融点ガラス層を被覆
して発熱抵抗体に対して平滑な下地層を形成する
絶縁層と、前記各電極層を前記絶縁層上に導き前
記各電極層と前記発熱抵抗体との間を導通させる
導電層とを具備してなるサーマルヘツド。 ２ 複数の電極層をそれぞれ低融点ガラス層を介
して対向するように基板の一方の面に逐次積層形
成する工程と、前記各層を含む基板をその端部に
おいて切断する工程と、この切断工程により端面
に露出した各電極層上に導電層を積層する工程
と、この導電層を含む前記切断端面に絶縁層を形
成し発熱抵抗体に対して平滑な下地層を形成する
工程と、この端面における前記絶縁層部分および
前記導電層部分を研磨して導電層を絶縁層上に露
出させる工程と、この研磨された端面に発熱抵抗
体を形成する工程とを含むサーマルヘツドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2866686A JPS62184864A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2866686A JPS62184864A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62184864A JPS62184864A (ja) | 1987-08-13 |
| JPH0586756B2 true JPH0586756B2 (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=12254834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2866686A Granted JPS62184864A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62184864A (ja) |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP2866686A patent/JPS62184864A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62184864A (ja) | 1987-08-13 |
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