JPH022999A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

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Publication number
JPH022999A
JPH022999A JP63145913A JP14591388A JPH022999A JP H022999 A JPH022999 A JP H022999A JP 63145913 A JP63145913 A JP 63145913A JP 14591388 A JP14591388 A JP 14591388A JP H022999 A JPH022999 A JP H022999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
mirror
mask
emitted light
reciprocating movement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63145913A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Fujii
清 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63145913A priority Critical patent/JPH022999A/ja
Publication of JPH022999A publication Critical patent/JPH022999A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はX線露光装置に関し、ざらに詳しくは大面積の
X線マスクパターンを均一に転写できるX線露光装置に
関する。
[従来の技術] シンクロトロン放射光を使用づるX線露光装置の原理は
第3図に示すように、蓄積リング1中のシンクロトロン
放射光源2より発Vられたシンクロトロン放射光3をX
線吸収祠によりマスクパターンの描かれたX線マスク4
を通−して被加工物6上のレジス1〜膜5にマスクパタ
ーンを転写するものである。
シンクロトロン放射光3は、電子軌道面に平行な方向に
は強度が均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布をも
つため、放飼光源から約107r1.離れた位置でも、
縦方向には幅fI1mmの均一露光領域しか得られない
。従来、露光領域を拡大覆る方法として、1983年に
発行された用行物[ジャーナル・オブ・バキューム・1
ノイエンス・アンド・テクノ[1ジーJ (Journ
al or Vacuum 5cience andr
ecbnology)[31巻、1262〜1266頁
に開示されているように、シンクロ1〜ロン敢則光源2
とX線マスク4の間に設置したX線ミラー8を回転11
17を中心として振動さぜる方法が実施されている。
[発明が解決しようとする課題] 以上述べた装置においでは、露光領域を拡大するという
目的は達しているが、次のような欠点を有している。
即ら、マスク上を縦幅数mmのX線ビームが上下に走査
するため、マスク上でX線に照射されている部分のみが
熱膨張を起し、被加工物にマスクパターンを転写する際
に位置ずれの原因となる。
本発明の[1的は、このような従来の問題点を除去し、
位置ずれの少ない大面積にわたる転写が可能なX線露光
装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、シンクロトロン放射光源から放射されるシン
クロトロン放射光をX線ミラーで反則させ、X線マスク
を通してX線レジストが塗布された被加工物上に照射し
てなるX線露光装置において、X線ミラーとして縦方向
に直線往復運動を覆る凸面鏡を用いることを特徴とする
X線露光装置である。
[実施例] 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第1図は本発明に係るX線露光装置の一実施例のX線ミ
ラ一部の概略構成図である。X線ミラ部以外の構成につ
いては第3図のX線露光装置と同様であるので、その説
明を省略する。
叩ら、本発明では、第3図におけるX線ミラー8のかわ
りに第1図に示すにうな往復運動する凸面v111を有
している。シンクロトロン放射光3は第1図の如きX線
ミラーで反則され、X線マスクおよび被加工物上に照射
されるが、X線ミラーは凸面鏡11なのでビーム幅は拡
大される。さらに、駆動軸12をql(1としてミラー
を縦方向(ビーム方向に対して垂直な方向)に往復運動
させることにより、照削角13が変化するため、シンク
ロトロン放射光3の出射角が変化し、ビームがマスク上
をスキAノンする。
第2図はマスク上におけるビーム幅を示す図でAは本発
明によるビーム強度、Bは従来法によるビーム強度を示
す。同図かられかるように、ビーム幅を数倍に拡大する
ことは容易であり、マスクの部分的な熱膨張による位置
ずれを大幅に軽減できる。J:た、本発明ではミラーの
運動は直線運動だけなので、リニアアクチュエータ等を
用い、駆動111111を直接駆動することにより、装
置を単純化することかできる。
[発明の効果] 以上詳述した如く、本発明によればシンクロトロン敢q
・1光を用いて大面積の均一露光を行う際、マスクの部
分的な熱膨張による位置ずれの少ない露光ができるとい
う顕著な効果を有するX線露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のX線ミラーを示づ概略構成
図、第2図は本発明によるX線露光におけるマスクーヒ
のX線強度分布を従来例と比較して承り図、第3図は従
来のX線露光装置の概略4111成図である。 1・・・蓄積リング 2・・・シンクロトロン放射光源 3・・・シンクロトロン放射光 4・・・X線マスク    5・・・レジスト膜6・・
・被加工物     7・・・回転軸8・・・X線ミラ
ー    11・・・凸面鏡12・・・駆動4qb 13・・・照I、!1角

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シンクロトロン放射光源から放射されるシンクロ
    トロン放射光をX線ミラーで反射させ、X線マスクを通
    してX線レジストが塗布された被加工物上に照射してな
    るX線露光装置において、X線ミラーとして縦方向に直
    線往復運動をする凸面鏡を用いることを特徴とするX線
    露光装置。
JP63145913A 1988-06-15 1988-06-15 X線露光装置 Pending JPH022999A (ja)

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JP63145913A JPH022999A (ja) 1988-06-15 1988-06-15 X線露光装置

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JPH022999A true JPH022999A (ja) 1990-01-08

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ID=15395972

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JP (1) JPH022999A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6669815B1 (en) 1997-09-11 2003-12-30 Hymo Corporation Sheet surface treating agent and ink-jet printing paper
US9264830B2 (en) 2006-08-08 2016-02-16 Thomson Licensing Audio level meter

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6669815B1 (en) 1997-09-11 2003-12-30 Hymo Corporation Sheet surface treating agent and ink-jet printing paper
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