JPH0230025B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〈産業上の利用分野〉 本発明は、交流駆動型容量性フラツト・マトリ
ツクスデイスプレイパネル、すなわち、薄膜EL
表示装置の駆動方法に関するものである。 〈発明の概要〉 本発明はEL層を、互いに交差する方向に配列
した走査側電極とデータ側電極との間に介設して
構成した薄膜EL表示装置であり、前記走査側電
極にデータ側電極に対して負極性の書き込みパル
スを印加する第１のフイールドと、前記走査側電
極に、データ側電極に対して正極性の書き込みパ
ルスを印加する第２のフイールドとを有し、前記
第１及び第２のフイールドを交互にくり返す線順
次駆動をしてなる薄膜EL表示装置の駆動方法に
おいて、前記各フイールド毎に前記走査側電極に
書き込みパルスを印加した後、当該フイールドに
おける書き込みパルスと逆極性の分極補正パルス
を印加したことにより、薄膜EL表示装置が半発
光状態になることを防止し、良好な表示を得るも
のである。 〈従来の技術〉 例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜EL
表示装置は次のように構成される。 第８図に図示のように、ガラス基板１の上に
In₂O₃よりなる帯状の透明電極２を平行に設けこ
の上に例えばY₂O₃，Si₃N₄，TiO₂，Al₂O₃等の誘
電物質層３、Mn等の活性剤をドープしたZnSよ
りなるEL層４、上記と同じくY₂O₃，Si₃N₄，
TiO₂，Al₂O₃等の誘電物質層３′を蒸着法、スパ
ツタリング法のような薄膜技術を用いて順次500
〜10000Åの膜厚に積層して３層構造にし、その
上に上記透明電極２と直交する方向にAl₂O₃にな
る帯状の背面電極５を平行に設ける。 上記薄膜EL素子はその電極間に、誘電物質３，
３′で挾持されたEL物質４を介在させたものであ
るから、等価回路的には容量性素子と見ることが
できる。また、該薄膜EL素子は第９図に示す電
圧−輝度特性から明らかな如く、250V程度の比
較的高電圧を印加して駆動される。 従来、このような薄膜EL表示装置のため、走
査側電極の駆動回路としてNchMOSドライバー
とPchMOSドライバーを備え、フイールド（１
画面の線順次駆動）毎に極性を反転するいわゆる
フイールド反転駆動を行なう駆動装置が用いられ
てきた。さらに特願昭59−105375号において一走
査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性を変え
る事により、パネルの印加電圧極性による発光強
度のバラツキが平均化され、フリツカが低減でき
る駆動装置が提案された。また、特願昭60−
125384号において、データ側にプツシユプル構成
のドライバーICを使用し、EL表示装置の絵素に
印加される正負極性のパルス電圧波形を完全対称
として、分極による焼き付け現象をなくし長期信
頼性を向上させると共に、消費電力の低減もされ
た。 〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、これらの駆動方法では第１０図に示す
様に、絵素に加わるパルスで発光に奇与するもの
は１フイールドに１個しかなく、各絵素は１フイ
ールド内で最高１回発光するだけである。交流駆
動型ELは、発光時に流れる発光電流が内部分極
を形成し、次のフイールドの逆極性パルス印加時
にはこの内部分極が外部電界に重畳して発光を強
める方向に働き、効率の良い発光が得られる構造
を持つている。 このように連続して発光を続ける状態の分極形
成は良い結果を与えるが、一方発光から非発光、
非発光から発光と、その状態が変化する場合には
分極形成は悪い結果を示す。 例えば発光しきい値電圧がV_W（＝190V）で変
調電圧がV_M（＝60V）の場合の印加波形と発光状
態を第１０図に示す。 絵素に印加される電圧が時間tiまでV_W＋V_M（発
光）であつたのに時間t_i+1からV_W（非発光）にな
つた場合、実際の発光は内部分極のため時間t_i+1
で半発光状態になる。逆に時間tjまで非発光（＝
V_W）であつた時間t_j+1から発光（＝V_W＋V_M）に
なつた場合は、分極が形成されていないために時
間t_j+1で半発光状態になる。 通常、静止画表示では、この半発光状態は時間
にして1/60秒程度であるから全く問題がないが、
表示状態が常に変化する高速スクロール等の動画
ではこの半発光状態が残像現象となつて現われる
ため、表示品質が悪くなる。半発光状態について
は第１１図のような交流型ELの等価回路で次の
様に説明される。第１１図において薄膜EL素子
は容量性であるから、発光しきい値電圧V_W以下
では、発光層C_Zに加わる電圧V_Zは、外部に印加
される電圧Ｖに対し V_Z＝Ｃ／C_Z・Ｖ（１／Ｃ＝ １／C₁＋１／C_Z＋１／C₂） の関係がある。等価回路は発光量C_Zに加わる電
圧がV_ZW以下ではD_ZおよびＲに電流が流れず非発
光の状態であることを示すが、それ以上では抵抗
分Ｒに電流が流れて発光状態を示す。この等価回
路において最初のフイールドでは 分極していない状態でＶ＝V_W＋V_Mが印加さ
れると発光量C_ZにはV_Z＝V_ZW＋V_ZMが加わる。
これはV_ZWより大きいのでV_ZM／Ｒの電流が流
れる。発光量C_Zの電圧はV_ZWになり変化分の−
V_ZMが分極として形成される。この時の発光量
は電流V_ZM／Ｒ＝I_Bに比例する。 外部電圧が取り除かれても発光量C_Zには分
極電圧−V_ZMが残る。 次のフイールドでは逆極性の電圧−Ｖ＝−
（V_W＋V_M）が印加され、発光層C_Zには−V_Z＝
−（V_ZW＋V_ZM）と分極電圧−V_ZMが加わつて−
（V_ZW＋ZV_ZM）となるため、−Ｚ・V_ZM／Ｒの電
流が流れる。発光層C_Zの電圧は−V_ZWになり＋
V_ZMが分極として形成される。このフイールド
での発光量は電流でＺ・V_ZM／Ｒ＝Ｚ・I_Bに比
例する。 外部電圧が取り除かれても発光層C_Zには分
極電圧＋V_ZMが残る。 次のフイールドは極性が再び反転して前記
に戻るが分極V_ZMが重畳されるから電流がＺ・
V_ZM／Ｒだけ流れ発光量はＺ・I_Bに比例する。 一方前記の次のフイールドが非発光で、Ｖ
＝V_Wが印加された場合、発光層C_ZはV_Z＝V_ZW
と分極V_ZMが加わり電流がV_ZM／Ｒだけ流れる
ので、I_Bに比例して発光する。こうして前記
，のように ｜Ｖ｜＝V_W＋V_Mが定常的に印加されている
状態ではＺ・I_Bに比例した発光をするが、前記
のように非発光から発光状態に変わる場合や
前記のようにその逆の場合には、I_Bに比例し
た発光すなわち半発光状態が現われる。 本発明は、このような事情に鑑みてなされたも
ので、高速スクロール等の動画においても残像の
ない表示品質の高いEL表示装置の駆動方法を提
供することを目的とする。 〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、絵素に加わる電圧波形を第１図のよ
うに、第１フイールドの線順次駆動において、ｎ
番目の走査側電極にデータ側電極に対して負極性
の書き込みパルスを印加した後、正極性の分極補
正パルスを印加する画面と、第２フイールドの線
順次駆動においてｎ番目の走査側電極に正極性の
書き込みパルスを印加した後、負極性の分極補正
パルスを印加する画面を、交互に繰り返すことを
特徴とし、さらに１フイールド内で各走査側電極
に印加されを書き込みパルスが一走査電極毎に極
性を変える駆動（ライン反転駆動）では奇数番走
査電極と偶数番走査電極とに分割してそれぞれ分
極補正パルスを印加し、１フイールド内で各走査
電極に印加される書き込みパルスがすべて同極性
の駆動（ライン非反転駆動）では、全走査電極に
同時分極補正パルスを印加することを特徴とす
る。 〈作用〉 これにより、書き込みパルスによる発光で生じ
た分極がその後分極補正パルスで元の状態に戻
り、次のフイールドの書き込みパルスによる発光
状態に影響を与えないので、半発光状態をなくす
ことができる。 この様子を第１１図の等価回路で説明すると次
のようになる。 分極のない状態で書き込み電圧Ｖ＝V_W＋V_M
（発光）が印加されると前述のようにV_ZM／Ｒ
分の発光があり、−V_ZMの分極が形成される。 次に分極補正パルス−V_Cが印加されると−
（V_ZC＋V_ZM−V_ZW）／Ｒの電流に比例した発光
が得られ、V_ZC−V_ZWが分極として残る。ここ
で分極補正パルスの電圧がV_C＝V_Wであれば
V_ZC−V_ZW＝Ｏとなり、分極は全く残らず、こ
のフイールドでの総発光量は、V_ZM／Ｒ＋
V_ZM／Ｒ＝2I_Bとなる。これは全発光状態である
ことを表わしている。 次のフイールドで、非発光の書き込み電圧−
Ｖ＝−V_Wが印加されると、分極がないためC_Z
にはV_ZWしか加わらず、電流が流れないので分
極も形成されない。これに続く分極補正パルス
（V_C＝V_W）印加時も同様にして電流が流れず
分極形成もない。従つてこのフイールドでは全
く発光しない。 こうして分極補正パルスの印加により、１フイ
ールドの最後は常に分極がない状態が得られる。 分極補正パルス波高値の最高値は上述のように
発光しきい値電圧V_Wであるが、実験により第２
図に示す様にV_W−20VからV_W＋10Vの範囲で発
光比が0.1以下となり、効果が得られている。 〈実施例〉 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳
述する。なお、これによつて本発明が限定される
ものではない。 第３図は本発明の一実施例を示す電気回路図で
ある。 １０は発光しきい電圧190V（＝V_W）の薄膜EL
表示装置を示し、この図ではＸ方向電極をデータ
側電極とし、Ｙ方向電極を走査側電極として電極
のみを示している。２０，３０はＹ方向電極の奇
数ラインと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側
Nch高耐圧MOSIC（第１スイツチング回路に相
当）、２１，３１は各IC２０，３０の中のシフト
レジスタ等の論理回路である。４０，５０は同走
査側Pchの高耐圧MOSIC（第２スイツチング回路
に相当）、４１，５１は各IC４０，５０の中のシ
フトレジスタ等の論理回路である。 ２００はＸ方向電極に対応するデータ側ドライ
バICであり、ドライバ部分は片方が電圧V_M（＝
60V）の電源に接続されプルアツプ機能を有する
PchFETもしくはPNPトランジスタUT₁〜UT_i
（第３スイツチング回路に相当）、片側が接地され
プルダウン機能を有するNchFETもしくはNPN
トランジスタDT₁〜DT_i（第４スイツチング回路
に相当）及びそれぞれのトランジスタと逆方向に
電流を流す為のダイオードUD₁〜UD_i，DD₁〜
DD_iで構成され、それぞれが同IC内のシフトレジ
スタ等の論理回路２０１によつてコントロールさ
れる。 ３００は前記走査側Pch高耐圧MOSIC４０，
５０のソース電位切換え回路であり、電位190V
（＝V_W）と250V（＝V_W＋V_M）と0Vとが信号
“PSW”により開閉するスイツチSW１と記号
“PSC”によつて開閉するスイツチSW２によつ
て切換えられる。 ４００は前記走査側Nch高耐圧MOSIC２０，
３０のソース電位切換え回路であり、電位−
190V（＝−V_W）と0Vとが、記号“NSC”により
開閉するスイツチSW３によつて切換えられる。 ５００はデータ反転コントロール回路である。 ６００は、データ側ドライバIC２００内のト
ランジスタUT₁〜UT_i及びダイオードUD₁〜UD_i
の共通線（以下Vcc₂と呼ぶ）をコントロールす
る為の回路であり、スイツチＴ１を“OFF”ス
イツチＴ２を“ON”にし、コンデンサC_Mに30V
（1/2V_M）を充電し、スイツチＴ１を“ON”スイ
ツチＴ２を“OFF”にして電位60V（V_M）に引き
上げる。スイツチＴ３は、共通線電位Vcc₂をス
イツチＴ１，Ｔ２でコントロールされる電位とフ
ローテイングとを切換えるスイツチである。 次に、第４図のタイムチヤートを用いて、第１
図の動作を説明する。 ここでは線順次駆動で絵素Ａを含むY₁と絵素
Ｂを含むY₂の走査側電極が選択されるものとす
る。また、この駆動装置では、１ライン毎に絵素
に印加される電圧の極性を反転して駆動されるが
走査側選択電極に接続されているNch高耐圧
MOSIC２０，３０のトランジスタをONし、そ
の電極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印
加する１ラインの駆動タイミングをNch駆動タイ
ミングと呼び、一方、走査側選択電極に接続され
ているPch高耐圧MOSIC４０，５０のトランジ
スターをONし、その電極ライン上に絵素に正の
書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミ
ングをPch駆動タイミングと呼ぶことにする。 又、走査側奇数ラインに対してNch駆動をし偶
数ラインに対してPch駆動を実行するフイールド
（画面）をNPフイールド、その逆のフイールド
をPNフイールドと呼ぶことにする。 第４図において、“Ｈ”は水平同期信号であり
“High”期間はデータ有効期間を示す。“Ｖ”は
垂直同期信号であり、この信号の立ち上がりか
ら、１フレームの駆動が開始する。“DLS”はデ
ータラツチ信号であり、１ラインのデータ転送が
終了後出力される。“DCK”は、データ側データ
転送クロツクである。“RVC”は、データ反転信
号であり、Pch駆動を行なうラインのデータ転送
期間に“High”になり、この期間中のデータを
全て反転させる。“DATA”は表示データ信号で
ある。D₁〜D_iはデータ側のドライバIC２００の
トランジスタUT₁〜UT_i，DT₁〜DT_iに入力され
るデータである。その他の信号については第１表
に説明している。

【表】

【表】 データ側の駆動は、基本的には、表示データ
（Ｈ：発光、Ｌ：非発光）に従つて１水平期間の
周期で各データ側ラインに印加する電圧を、60V
（＝V_M）と0Vに切り換えることにより行なう。 次に、その切り換えるタイミングについて説明
する。第５図ａはデータ側ドライバIC２００の
論理回路２０１の内部構成を示している。あるラ
インの駆動が実行されている期間に、次のライン
の表示データ（Ｈ：発光、Ｌ：非発光）と信号
“RVC”との排他的論理和出力が順次１ライン分
の記憶容量をもつシフトレジスタ２０１１に入力
される。このシフトレジスタに入力された
“DATARVC”は、１ラインのデータ転送終了
後、入力される信号“DLS”によつてラツチ回
路２０１２に取り込まれ、以後、その駆動タイミ
ングの終了時までラツチ回路２０１２に於いて記
憶される。そしてラツチ回路２０１２の出力によ
りトランジスタUT₁〜UT_i、DT₁〜DT_iをそれぞ
れコントロールする。ゆえにデータ側の電極の電
圧は信号“DLS”の入力毎に１水平期間の周期
を切り換わることになる。 但し、本案駆動回路の特長としてトランジスタ
UTnが“ON”してもすぐに60V（＝V_M）は印加
されずVcc₂コントロール回路６００により、
30V（＝1/2V_M）から60V（V_M）へと段階状の駆動
を行ない変調時の消費電力を3/4に低減している。 又、信号“RVC”は、Pch駆動を実行するライ
ンのデータ転送期間中にHighになり、この期間
中のデータを反転させる為のデータ反転信号であ
るが、Pch駆動の表示データを反転させる理由を
以下に示す。 後述のように、Pch駆動では、書き込みパルス
印加時に走査側の選択ラインをPch高耐圧
MOSIC４０，５０のトランジスタを“ON”に
して250V（＝V_W＋V_M）に引き上げ、データ側の
選択ラインを0Vにし、250V（＝V_W＋V_M）を絵素
に印加することにより発光させる。この時、非選
択ラインは60V（＝V_M）にし、（V_W＋V_M）−V_M＝
190Vを絵素に印加するが、これは発光のしきい
値以下なので、この絵素は発光しない。このよう
な駆動を実行する為にデータ側の選択ラインＮに
接続されているトランジスタUTnは“OFF”、ト
ランジスタDTnは“ON”にする。非選択ライン
Ｍでは、トランジスタUTmを“ON”、トランジ
スタDTmを“OFF”にする。つまり、選択ライ
ンの入力データDnは“Low”、非選択ラインの入
力データDmは“High”にしなければならない。
これは、入力の表示データ（Ｈ：発光、Ｌ：非発
光）とは逆になり、データを反転する為の信号
“RVC”が必要となる。以上の駆動によるデータ
側の印加波形を第４図にデータ側X₂として示す。
実線は全面発光時、点線は全面消去時の印加波形
である。 次に走査側の駆動について説明する。走査側は
選択ラインに書き込みパルスが印加される期間と
１フイールドの終わりに奇数側全ラインと偶数側
全ラインにそれぞれ分極補正パルスが印加される
期間に分けられる。まず書き込みパルスが印加さ
れる期間の駆動について説明する。 なお、Nch高耐圧MOSIC２０，３０の内部構
成例を第５図ｂに、Pch高耐圧MOSIC４０，５
０の内部構成例を第５図ｃに示し、それぞれの論
理回路の真理値表を第２表、第３表に示す。この
２つのICは、相補型の回路構成からなり、論理
は全て逆になるが構成は同様である為、Nch高耐
圧MOSIC２０，３０についてのみ説明する。

【表】

【表】 シフトレジスタ３０００は走査側の選択ライン
を記憶しておく為の回路であり、CLOCK信号の
High期間で“”を取り込み、Low期間
で転送する構成とする。この駆動装置では
CLOCK信号として、奇数側Nch高耐圧MOSIC２
０には第４図の信号“NSTodd”を、偶数側Nch
高耐圧MOSIC３０には信号“NSTeven”をそれ
ぞれ入力する。又、NDATA信号として、第４
図のように１フレームに１回、Ｖ信号の立ち上が
りの後に入力される最初のCLOCK信号
“NSTodd”、“NSTeven”のHigh期間だけLow
にした信号を入力する。このように２回の水平期
間に対して、１回の割り合いで、CLOCK信号
“NSTodd”、“NSTeven”を入力するのは、１ラ
イン毎にNch駆動とPch駆動とを繰り返して実行
するためである。ゆえにNch高耐圧MOSICと
Pch高耐圧MOSICに入力するCLOCK信号の位相
は、１水平期間分ずらして入力する。又NPフイ
ールドでは、奇数ラインに対してNch駆動を実行
する為、信号“NSTodd”（＝“CLOCKodd”）の
みに、PNフイールドでは偶数ラインに対して
Nch駆動を実行する為信号“NSTeven”（＝
“CLOCKeven”）のみに、パルス信号を入力する
ことにより目的の駆動を実現している。 論理回路３００１は、信号“NST”と信号
“NCL”の２種類を使い、高耐圧MOSICのトラ
ンジスタを“ON”、“OFF”、シフトレジスタ３
０００のデータに従う３つの状態に切り換える為
の回路であり、その論理は前記第２表の真理値に
よる。 次に分極補正パルスが印加される期間の駆動を
説明する。NPフイールドでは、１フイールド終
了後の２水平期間で、奇数側全ラインに対しPch
駆動を行ないその後偶数側全ラインに対しNch駆
動を行なう。 Pch駆動では、ソープ電位切換え回路３００の
ソース電位を190V（＝V_W）にしてPch高耐圧
MOSIC４０のトランジスタをシフトレジスタ４
１のデータに従つて“ON”し、Nch駆動ではソ
ース電位切換え回路４００のソース電位を−
190V（＝−V_W）にしてNck高耐圧MOSIC５０の
トランジスタをシフトレジスタ５１のデータに従
つて“ON”する。この期間のデータ側は、Vcc₂
コントロール回路６００のソース電位を0Vにす
るので、電極X₁〜X_iはすべて0Vになる。また、
PNフイールドではこの逆の駆動を行なう。 以上の動作をまとめると、この駆動回路の動作
は、前述のとおり大きく分けてNPフイールド
PNフイールドの２種類のタイミングから構成さ
れ、この２つのフイールドの実行を完了すること
により、薄膜EL表示装置の全絵素に対して発光
に必要な交流パルスを閉じるものである。更に、
それぞれのフイールドはNch駆動と、Pch駆動の
２種類のタイミングから構成されており、書き込
みパルス印加期間はNPフイールドでは走査側の
奇数番目選択ラインに対してPch駆動を実行し、
PNフイールドではその逆の駆動を実行する。 分極補正パルス印加期間はNPフイールドでは
走査側の奇数番目の全ラインに対してPch駆動を
実行した後偶数番目全ラインに対してNch駆動を
実行し、PNフイールドではその逆の駆動を実行
する。 次にそれぞれの駆動期間について第６図に示す
第３図の等価回路図を用いて説明する。なお、第
４表は第６図の記号の説明を示す。

【表】

【表】 １ NPフイールドNch駆動における書き込み期
間 Nch高耐圧MOSトランジスタのソース電位を
−190V（＝V_W）にする為、信号“NSC”を
“ON”にし、Pch高耐圧MOSトランジスタのソ
ース電位を0Vにする為、信号“PSC”を“OFF”
にする。そしてシフトレジスタ２１のデータに従
つて奇数側Nch高耐圧MOSトランジスタNTodd
の中から１ラインを選択しトランジスタNTsを
“ON”にする。その他のNch及びPch高耐圧
MOSトランジスタは全て“OFF”にする。デー
タ側のトランジスタUT_B、UT_D、DT_B、DT_Dは変
調期間の駆動を継続し、ラインVcc₂は、まずス
イツチＴ３を“ON”にし電位を0Vから1/2V_Mに
切り換え、次にスイツチＴ２を“OFF”、スイツ
チＴ１を“ON”にし、電位V_Mに引き上げる。こ
れによりデータ側の選択絵素を含む電極はV_M＝
60V非選択電極は0Vの電位になり走査側の選択
電極が−V_W＝−190Vであるから、走査側の選択
電極とデータ側の選択電極間の絵素C_BSには60V
−（−190V）＝250Vが印加され発光する。データ
側の非選択電極間の絵素C_DSには、0V−（−
190V）＝190Vが印加されるが発光するしきい値
以下なので発光しない。又走査側非選択ライン上
の絵素C_B、C_Dについては走査側の電極はフロー
テイングであるからデータ側の選択ラインと非選
択ラインの比率によつて0Vから60Vまで変化す
る。 ２ NPフイールドPch駆動における書き込み期
間 Pch高耐圧MOSトランジスタのソース電位を
V_W＋V_M＝250Vにする為、信号“PSW”及び信
号“PSC”を“ON”にし、Nch高耐圧MOSトラ
ンジスタのソース電位を0Vにする為、信号
“NSC”を“OFF”にする。そしてシフトレジス
タ５１のデータに従つて偶数側Pch高耐圧MOS
トランジスタPTevenの中から１ラインを選択し
トランジスタPTsを“ON”にする。その他の
Nch及びPch高耐圧MOSトランジスタPT、
NTs、NTは全て“OFF”にする。データ側のト
ランジスタUT_B、UT_D、DT_B、DT_Dは変調期間の
駆動を継続し、ラインVcc₂はまずスイツチＴ３
を“ON”にし、電位を0Vから1/2V_Mに切り換え
次にスイツチＴ２を“OFF”、スイツチＴ１を
“ON”にし電位V_Mに引き上げる。これによりデ
ータ側の選択絵素を含む電極は0V、非選択電極
はV_M＝60Vの電位になり、走査側の選択電極が
V_W＋V_M＝250Vであるから、走査側の選択電極
とデータ側の選択電極間の絵素には250V−0V＝
250Vが前Nch駆動の書き込みパルスとは逆極性
で印加されることになり、発光する。しかしデー
タ側の非選択電極間の絵素では250V−60V＝
190Vが印加されるが発光するしきい値以下なの
で発光しない。 ３ NPフイールドPch駆動における補正パルス
印加期間 Pch高耐圧MOSトランジスタのソース電位を
V_W＝190Vにする為、信号“PSW”を“OFF”、
信号“PSC”を“ON”にし、Nch高耐圧MOSト
ランジスタのソース電位を0Vにする為、信号
“NSC”を“OFF”にする。そして奇数側Pch高
耐圧MOSトランジスタPToddすべてを“ON”
にする。その他のNch及びPch高耐圧MOSトラ
ンジスタPTeven、NTeven、NToddは全て
“OFF”にする。データ側はスイツチＴ３を
“OFF”にして0Vにする。これによりデータ側の
すべての電極は0Vの電位になり、走査側奇数側
ラインの絵素にはすべて190V−0V＝190Vの補正
パルスが書き込みパルスとは逆極性で印加される
ことになる。 ４ NPフイールドNch駆動における補正パルス
印加期間 Nch高耐圧MOSトランジスタのソース電位を
−V_W＝−190Vにする為、信号“NSC”を
“ON”にし、Pch高耐圧MOSトランジスタのソ
ース電位を0Vにする為、信号“PSC”を“OFF”
にする。そして偶数側Nch高耐圧MOSトランジ
スタNTevenすべてを“ON”にする。その他の
Nch及びPch高耐圧MOSトランジスタPTeven、
PTodd、NToddは全て“OFF”にする。データ
側スイツチＴ３を“OFF”にして0Vにする。こ
れによりデータ側のすべての電極は0Vの電位に
なり、走査側偶数側ラインの絵素には、すべて
0V−190V＝−190Vの補正パルスが書き込みとは
逆極性で印加されることになる。 ５ PNフイールドPch駆動における書き込み期
間 走査側の選択ラインが奇数側から選択される以
外はNPフイールドのPch駆動と同様の駆動を行
なう。 ６ PNフイールドNch駆動における書き込み期
間 走査側の選択ラインが偶数側から選択され、そ
のラインのNch高耐圧MOSトランジスタがONす
る以外は、NPフイールドと同様の駆動を行な
う。 ７ PNフイールドNch駆動における補正パルス
印加期間 奇数側と偶数側が入れ替わる以外はNPフイー
ルドのNch駆動と同様の駆動を行なう。 ８ PNフイールドPch駆動における補正パルス
印加期間 偶数側と奇数側が入れ替わる以外はNPフイー
ルドのNch駆動と同様の駆動を行なう。 ここで、この駆動法で絵素の発光状態を切り換
えた場合と、従来の駆動法で同じ動作をした場合
とで各フイールドごとの発光の違いを比較すると
第７図の様になる。非発光状態から２フイールド
発光状態にした後、再び非発光状態にする場合、
本発明の駆動法では２フイールド間のみ発光し、
しかもそれぞれのフイールドの発光量が等しいの
に対し、従来の駆動法では３フイールドに渡つて
発光し、それぞれのフイールド間の発光量が等し
くない。これはスクロール等の動画においては従
来の駆動法では発光ムラや残像となつて見えるこ
とを意味する。 また、本発明の駆動法の補正パルスは、リフレ
ツシユ駆動法のリフレツシユパルスの様な働きを
しているが、明らかな違いは補正パルスがフイー
ルドごとに極性を反転させている点である。その
ためリフレツシユ駆動では発光と非発光の平均変
調電圧が書き込みパルスの変調電圧V_Mの1/2にな
つたのに対し、本発明の駆動法の平均変調電圧は
V_Mになる。これは第９図の電圧−輝度特性曲線
から明らかな様に輝度の変化率の小さい動作点で
発光させていることを意味し、経時変化や面内分
布の小さい、すなわち信頼性や表示品質の高い表
示装置が実現される。尚、本実施例は１走査線毎
に書き込み波形の極性がかわる駆動（ライン反転
駆動）について説明したが、ライン非反転駆動に
おいても効果は同じである。 〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、従来の利点を損
なわずに、さらに高速スクロール等の動画表示に
於ても表示品質のすぐれた画面が実現できる薄膜
EL表示装置の駆動方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の駆動法によりELパネルの
絵素に印加される電圧波形と発光波形を示す波形
図、第２図は補正パルスの波高値と分極残光比を
示すグラフ、第３図は一実施例を示す電気回路
図、第４図は第３図の動作を説明するタイムチヤ
ート、第５図ａ，ｂ，ｃはそれぞれ第３図におけ
る論理回路を説明する説明図、第６図は第３図の
動作状態を等価回路によつて示す説明図、第７図
は本発明の駆動法と従来の駆動法の違いを比較す
るための波形図、第８図は薄膜EL表示装置の一
部切欠き斜視図、第９図は薄膜EL表示装置の印
加電圧に対する輝度特性を示すグラフ、第１０図
は従来の対称駆動法によりELパネルの絵素に印
加される電圧波形と発光波形を示す波形図、第１
１図はELパネルの電気的等価回路図である。 １０……薄膜EL表示装置、２０，３０……走
査側Nch高耐圧MOSIC（第１スイツチング回路）、
４０，５０……走査側Pch高耐圧MOSIC（第２ス
イツチング回路）、２００……データ側ドライバ
IC（第３及び第４スイツチング回路）、３００…
…走査側Pch高耐圧MOSICのソース電位切換回
路（第６スイツチング回路）、４００……走査側
Nch高耐圧MOSICのソース電位切換回路（第５
スイツチング回路）、６００……Vcc₂コントロー
ル回路（第７スイツチング回路）、２１，３１，
４１，５１，２０１……論理回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ EL層を、互いに交差する方向に配列した走
   査側電極とデータ側電極との間に介設して構成し
   た薄膜EL表示装置であり、 前記走査側電極にデータ側電極に対して負極性
   の書き込みパルスを印加する第１のフイールド
   と、前記走査側電極に、データ側電極に対して正
   極性の書き込みパルスを印加する第２のフイール
   ドとを有し、前記第１及び第２のフイールドを交
   互にくり返す線順次駆動をしてなる薄膜EL表示
   装置の駆動方法において、 前記各フイールド毎に、前記走査側電極に書き
   込みパルスを印加した後、当該フイールドにおけ
   る書き込みパルスと逆極性の分極補正パルスを印
   加したことを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動
   方法。 ２ 前記分極補正パルスを１フイールドの線順次
   駆動の中で全走査電極をまとめて印加することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜EL
   表示装置の駆動方法。 ３ 前記分極補正パルスを１フイールドの線順次
   駆動の中で奇数番目選択電極と偶数番目選択電極
   とに２分割して印加することを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の薄膜EL表示装置の駆動方
   法。 ４ 前記分極補正パルスの絶対値は、ELの発光
   電圧をV_Wとしたとき、V_W−20VからV_W＋10Vの
   範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の薄膜EL表示装置の駆動方法。