JPH0230139A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH0230139A JPH0230139A JP63181079A JP18107988A JPH0230139A JP H0230139 A JPH0230139 A JP H0230139A JP 63181079 A JP63181079 A JP 63181079A JP 18107988 A JP18107988 A JP 18107988A JP H0230139 A JPH0230139 A JP H0230139A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
複数の端子を有する半導体集積回路装置に関し、プラス
チックパッケージを用いても十分な耐湿性を有する半導
体集積回路装置を提供することを目的とし、 半導体装基板の表面絶縁層上に設けたアルミニウム配線
層を絶縁保護層が覆い、複数の端子領域を有する半導体
集積回路装置において、水分遮蔽性の導電体構造か前記
複数の端子領域の各々を形成し、前期絶縁保護層の下で
、前記アルミニウム配線層と電気的に接触するように構
成する。
チックパッケージを用いても十分な耐湿性を有する半導
体集積回路装置を提供することを目的とし、 半導体装基板の表面絶縁層上に設けたアルミニウム配線
層を絶縁保護層が覆い、複数の端子領域を有する半導体
集積回路装置において、水分遮蔽性の導電体構造か前記
複数の端子領域の各々を形成し、前期絶縁保護層の下で
、前記アルミニウム配線層と電気的に接触するように構
成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置に関し、特に複数の端子を有する
半導体集積回路装置に関する。
半導体集積回路装置に関する。
［従来の技術］
第６図（Ａ＞、（Ｂ）、（Ｃ）に従来例による半導体集
積回路装置（ＩＣ）の端子構造を示す。
積回路装置（ＩＣ）の端子構造を示す。
（Ａ）、（Ｂ）が端子部の上面図と断面図、（Ｃ）かウ
ェーハ内の配置を示す。
ェーハ内の配置を示す。
第６図（Ａ）に示すように、絶縁保護層の開孔８から端
子領域１０が露出する。
子領域１０が露出する。
第６図（Ｂ）に示すように、半導体基板１の上に５ｉｎ
２、ＰＳＧ等の表面保護膜層２が形成され、その上に回
路部分から連続的に延在するアルミニウム層５が形成さ
れている。ＰＳＧ膜、窒化シリコン膜の積層等の絶縁保
護層６がアルミニウム層５を覆い、窓８内に端子領域９
を露出している。
２、ＰＳＧ等の表面保護膜層２が形成され、その上に回
路部分から連続的に延在するアルミニウム層５が形成さ
れている。ＰＳＧ膜、窒化シリコン膜の積層等の絶縁保
護層６がアルミニウム層５を覆い、窓８内に端子領域９
を露出している。
第６図（Ｃ）に示すように、周辺雛にこのような端子領
域９を複数備えたチップ領域１１が、ウェーハ１２内に
繰り返し配列されている。チップ領域とチップ領域との
間には、スクライブ（ダイシング）工程で切り代を提供
するスクライブ領域１３が配されている。
域９を複数備えたチップ領域１１が、ウェーハ１２内に
繰り返し配列されている。チップ領域とチップ領域との
間には、スクライブ（ダイシング）工程で切り代を提供
するスクライブ領域１３が配されている。
上述のように、半導体集積回路装置において、低抵抗率
の配線材料としては一般にアルミニウムが広く利用され
ている。アルミニウムは極めて低い電気抵抗率を有する
点で、配線材料として優れているが、水分によって変化
しやすい。シリコンや別等を含むアルミニウム合金もア
ルミニウムとほぼ同等の特性を有するものは、本明細書
ではアルミニウムと呼ぶ。
の配線材料としては一般にアルミニウムが広く利用され
ている。アルミニウムは極めて低い電気抵抗率を有する
点で、配線材料として優れているが、水分によって変化
しやすい。シリコンや別等を含むアルミニウム合金もア
ルミニウムとほぼ同等の特性を有するものは、本明細書
ではアルミニウムと呼ぶ。
半導体表面は、不純物原子、水分等によって影響されや
すいので、通常シリコン酸化膜、ＰＳＧ等の絶縁保護層
で覆われている。しかし、端子領域ではこれらの絶縁保
護膜が除去されている。
すいので、通常シリコン酸化膜、ＰＳＧ等の絶縁保護層
で覆われている。しかし、端子領域ではこれらの絶縁保
護膜が除去されている。
実装としては、プラスチックパッケージが広く利用され
ている。製造原価が低く、製造が容易である利点を持つ
が、セラミックパッケージ等と比べ、耐湿性が低い。
ている。製造原価が低く、製造が容易である利点を持つ
が、セラミックパッケージ等と比べ、耐湿性が低い。
［発″明が解決しようとする課題］
耐水性は半導体集積回路装置における一般的課題の１つ
である。
である。
特に、プラスチックパッケージを用いた場合、アルミニ
ウム配線の半導体集積回路装置においては、外部からの
水分の侵入によってアルミニウム配線層の腐蝕を起こし
易い。
ウム配線の半導体集積回路装置においては、外部からの
水分の侵入によってアルミニウム配線層の腐蝕を起こし
易い。
本発明の目的は、プラスチックパッケージを用いても十
分な耐湿性を有する半導体集積回路装置を提供すること
である。
分な耐湿性を有する半導体集積回路装置を提供すること
である。
また、耐湿性のある導電体は存在するが、そのような材
料で形成した導電層は、アルミニウム配線層に比べて抵
抗が高くなり易く、ワイヤボンディングが困難である等
の問題を有する。
料で形成した導電層は、アルミニウム配線層に比べて抵
抗が高くなり易く、ワイヤボンディングが困難である等
の問題を有する。
本発明の他の目的は、アルミニウムのみを用いて配線層
、端子層を形成した時と比べほぼ同等の配線抵抗、ワイ
ヤボンディング適性を有し、かつ耐湿性を向上させた半
導体集積回路装置を提供することである。
、端子層を形成した時と比べほぼ同等の配線抵抗、ワイ
ヤボンディング適性を有し、かつ耐湿性を向上させた半
導体集積回路装置を提供することである。
特に、高電圧、大電流を印加するテスト専用の端子にお
いて、アルミニウム配線層の腐蝕か激しく発生し易く、
腐蝕がアルミニウム配線を経て回路内部に侵入すること
が経験的に見出だされる。
いて、アルミニウム配線層の腐蝕か激しく発生し易く、
腐蝕がアルミニウム配線を経て回路内部に侵入すること
が経験的に見出だされる。
また、従来、スクライブ領域はスクライブの目的の他は
位置合せマークを配置するのに利用される程度であった
。
位置合せマークを配置するのに利用される程度であった
。
本発明の他の目的は、スクライブ領域をテスト時の端子
用面積として利用し、スクライブ後は水分に対して抵抗
力を高めた半導体集積回路装置を提供することである。
用面積として利用し、スクライブ後は水分に対して抵抗
力を高めた半導体集積回路装置を提供することである。
また、半導体集積回路装置において、シリサイドの利用
が進められているが、その用途か十分開発されたとは言
えない。
が進められているが、その用途か十分開発されたとは言
えない。
本発明の他の目的は、シリサイドの特性を有効に利用し
た半導体集積回路装置を提供することである。
た半導体集積回路装置を提供することである。
１課題を解決するための手段］
第１図（Ａ）、（Ｂ）を参照して、半導体装基板（１）
の表面絶縁層（２）上に設けたアルミニウム配線層（３
）を絶縁保護層（６）が覆い、複数の端子領域（９）を
有する半導体集積回路装置において、水分遮蔽性の導電
体構造（４）が複数の端子領域（９）の各々を形成し、
絶縁保護層（６）の下で、アルミニウム配線層（３）と
電気的に接触する。
の表面絶縁層（２）上に設けたアルミニウム配線層（３
）を絶縁保護層（６）が覆い、複数の端子領域（９）を
有する半導体集積回路装置において、水分遮蔽性の導電
体構造（４）が複数の端子領域（９）の各々を形成し、
絶縁保護層（６）の下で、アルミニウム配線層（３）と
電気的に接触する。
また、端子面を構成するアルミニウム端子層と、アルミ
ニウム配線層およびアルミニウム端子層に電気的に接触
する耐湿性導電体層とでこの水分遮蔽性の導電体構造（
４）を構成する。
ニウム配線層およびアルミニウム端子層に電気的に接触
する耐湿性導電体層とでこの水分遮蔽性の導電体構造（
４）を構成する。
また、ワイヤ配線しない端子においては、スクライブ領
域内にアルミニウム端子層を配置し、チップ領域内のア
ルミニウム配線層と耐湿性導電体層を介して接続する。
域内にアルミニウム端子層を配置し、チップ領域内のア
ルミニウム配線層と耐湿性導電体層を介して接続する。
耐湿性導電体層は、好ましくはシリサイドで形成する。
［作用］
半導体集積回路装置において、端子面においては絶縁保
護層に開孔が形成されており、水分が最も侵入しやすい
のはこの端子部分を介する経路を通ってである。
護層に開孔が形成されており、水分が最も侵入しやすい
のはこの端子部分を介する経路を通ってである。
端子領域（９）を水分遮蔽性の導電体構造によって形成
すると、侵入した水分を端子領域で防ぎ止め、回路部分
を水分の侵入から保護することができる。
すると、侵入した水分を端子領域で防ぎ止め、回路部分
を水分の侵入から保護することができる。
このような水分遮蔽性の導電体構造をアルミニウム配線
層と接触する耐湿性導電体層と、この耐湿性導電体層に
接触するアルミニウム端子層を用いて構成することによ
り配線抵抗、ワイヤポンデイ・ング適性はアルミニウム
のみを用いた場合とほぼ同等にすることができる。
層と接触する耐湿性導電体層と、この耐湿性導電体層に
接触するアルミニウム端子層を用いて構成することによ
り配線抵抗、ワイヤポンデイ・ング適性はアルミニウム
のみを用いた場合とほぼ同等にすることができる。
また高電圧大電流を印加するテスト用端子は特に腐蝕が
激しいが、テスト用の端子をスクライブ領域内に配する
ことによって、半導体表面の利用率を向上でき、かつテ
スト後はスクライブすることにより、アルミニウム端子
層自身を消滅させ、内部のアルミニウム配線を腐蝕から
守ることができる。
激しいが、テスト用の端子をスクライブ領域内に配する
ことによって、半導体表面の利用率を向上でき、かつテ
スト後はスクライブすることにより、アルミニウム端子
層自身を消滅させ、内部のアルミニウム配線を腐蝕から
守ることができる。
シリサイド、特にタングステンシリサイドとモリブデン
シリサイドは、化学的に安定で導電性も十分高く、アル
ミニウムと組み合わせて低抵抗導電体として用いるのに
適している。
シリサイドは、化学的に安定で導電性も十分高く、アル
ミニウムと組み合わせて低抵抗導電体として用いるのに
適している。
［実施例］
第１図（Ａ）、（Ｂ）に本発明の基本実施例による半導
体集積回路装置を示す、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面
図である。
体集積回路装置を示す、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面
図である。
シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板１上には酸化シリコン
（ＳｉＯｚ）、ＰＳＧ等の表面絶縁層２が形成されてお
り、その上にアルミニウム（ＡＩ）またはアルミニウム
合金のアルミニウム配線層３が形成され導電パターンを
構成している。＃ｉ子付近の領域において、アルミニウ
ム配線層３は端子より手前で絶縁保護層６に完全に覆わ
れた状態で終端している。端子領域９は水分遮蔽性の導
電体構造４で形成され、絶縁保護層６の下に延在して配
線層３と重なり、配線層３と電気的に接続している０図
では、導電体構造４の上にアルミニウム配線層３が積層
しているか、これに限らなくてもよい、導電体構造４、
アルミニウム配線層３の上に燐珪酸カラス（ＰＳＧ）、
窒化シリコン（ＳｔＮ ）等の絶縁保護層６が形成され
、その窓８内に端子面を露出している。なお、水分遮蔽
性の導電体構造４は全体または１部が水分を通さず、水
分に侵されない導電体の構造物であり、侵入した水分は
アルミニウム配線層３に達しないものである。水分を通
さず、水分に侵されない低抵抗の導電体としてはモリブ
デンシリサイド、タングステンシリサイド等のシリサイ
ドが好適である。水分が侵入して、端子面が水分にさら
されても、端子領域９を通過して配線層３まで水分が到
達することは防止される。
（ＳｉＯｚ）、ＰＳＧ等の表面絶縁層２が形成されてお
り、その上にアルミニウム（ＡＩ）またはアルミニウム
合金のアルミニウム配線層３が形成され導電パターンを
構成している。＃ｉ子付近の領域において、アルミニウ
ム配線層３は端子より手前で絶縁保護層６に完全に覆わ
れた状態で終端している。端子領域９は水分遮蔽性の導
電体構造４で形成され、絶縁保護層６の下に延在して配
線層３と重なり、配線層３と電気的に接続している０図
では、導電体構造４の上にアルミニウム配線層３が積層
しているか、これに限らなくてもよい、導電体構造４、
アルミニウム配線層３の上に燐珪酸カラス（ＰＳＧ）、
窒化シリコン（ＳｔＮ ）等の絶縁保護層６が形成され
、その窓８内に端子面を露出している。なお、水分遮蔽
性の導電体構造４は全体または１部が水分を通さず、水
分に侵されない導電体の構造物であり、侵入した水分は
アルミニウム配線層３に達しないものである。水分を通
さず、水分に侵されない低抵抗の導電体としてはモリブ
デンシリサイド、タングステンシリサイド等のシリサイ
ドが好適である。水分が侵入して、端子面が水分にさら
されても、端子領域９を通過して配線層３まで水分が到
達することは防止される。
ところでワイヤボンディングを行う端子面はアルミニウ
ム面であることが望まれることかある。
ム面であることが望まれることかある。
第２図に本発明の実施例によるアルミニウム端子面を有
する端子構造を示す、半導体基板１、表面絶縁層２、ア
ルミニウム配線層３、絶縁保護層６は第１図（Ａ）、（
Ｂ）の場合と同様である。
する端子構造を示す、半導体基板１、表面絶縁層２、ア
ルミニウム配線層３、絶縁保護層６は第１図（Ａ）、（
Ｂ）の場合と同様である。
端子面はアルミニウム配線層３とは分離したアルミニウ
ム端子層４ｂによって形成されている。アルミニウム端
子層４ｂとアルミニウム配線層３とが耐湿性導電体層４
ａによって電気的に接続されている。
ム端子層４ｂによって形成されている。アルミニウム端
子層４ｂとアルミニウム配線層３とが耐湿性導電体層４
ａによって電気的に接続されている。
耐湿性導電体層４ａは水分に対して安定な導電体の層で
ある。半導体集積回路装置の場合、絶縁保護膜としてＰ
ＳＧを用いることが多いが、ＰＳＧの燐か水分によって
溶は出すと燐酸を形成する。
ある。半導体集積回路装置の場合、絶縁保護膜としてＰ
ＳＧを用いることが多いが、ＰＳＧの燐か水分によって
溶は出すと燐酸を形成する。
ｉｆｆ湿性導電体層４はこのような水分による派生物に
対しても化学的に安定な材料、たとえばモリブデンシリ
サイド、タングステンシリサイド等のシリサイドで構成
する。
対しても化学的に安定な材料、たとえばモリブデンシリ
サイド、タングステンシリサイド等のシリサイドで構成
する。
第３図により具体的な実施例を示す。
シリコン基板１上に酸化シリコン層２ａが形成されてお
り、その上にモリブデンシリサイドまたはタングステン
シリサイドの耐湿性導電体層４ａが形成されている。酸
化シリコン層２ａはウェット熱酸化によって、耐湿性導
電体層であるシリサイド層４ａは化学気相堆［（ＣＶＤ
）で堆積した後、高温熱処理を行うことによって形成で
きる。
り、その上にモリブデンシリサイドまたはタングステン
シリサイドの耐湿性導電体層４ａが形成されている。酸
化シリコン層２ａはウェット熱酸化によって、耐湿性導
電体層であるシリサイド層４ａは化学気相堆［（ＣＶＤ
）で堆積した後、高温熱処理を行うことによって形成で
きる。
耐湿性導電体層４ａの上にはＰＳＧ層２ｂが形成されて
いる。耐湿性導電体層４ａとコンタクトを形成する部分
では、ＰＳＧ層２ｂに開孔が開けられている。ＰＳＧ層
２ｂの上にアルミニウム配線層３とアルミニウム端子層
４ｂを形成する厚さ約１μｍのアルミニウム層が電子ビ
ーム蒸着されている。このアルミニウム層はパターニン
グの段階でアルミニウム配線層３とアルミニウム端子層
４ｂに分離される。アルミニウム配線層３はたとえば５
μｍ−１０μｍの幅のストライプ形状で、耐湿性導電体
層４ａとＰＳＧ層２ｂ中の幾つかのコンタクト開孔を通
して接触する。アルミニウム端子層４ｂはたとえば１０
０μｍＸ１００μｍのパッド領域を有し、パッド領域か
ら突出するたとえば５μｍ−１０μｍ幅の接続用領域を
有し、耐湿性導電体層４ａとＰＳＧ層２ｂ中の幾つかの
コンタクト開孔を通して接触する。
いる。耐湿性導電体層４ａとコンタクトを形成する部分
では、ＰＳＧ層２ｂに開孔が開けられている。ＰＳＧ層
２ｂの上にアルミニウム配線層３とアルミニウム端子層
４ｂを形成する厚さ約１μｍのアルミニウム層が電子ビ
ーム蒸着されている。このアルミニウム層はパターニン
グの段階でアルミニウム配線層３とアルミニウム端子層
４ｂに分離される。アルミニウム配線層３はたとえば５
μｍ−１０μｍの幅のストライプ形状で、耐湿性導電体
層４ａとＰＳＧ層２ｂ中の幾つかのコンタクト開孔を通
して接触する。アルミニウム端子層４ｂはたとえば１０
０μｍＸ１００μｍのパッド領域を有し、パッド領域か
ら突出するたとえば５μｍ−１０μｍ幅の接続用領域を
有し、耐湿性導電体層４ａとＰＳＧ層２ｂ中の幾つかの
コンタクト開孔を通して接触する。
アルミニウム層の上には２３０層６ａと窒化シリコン層
６ｂか形成され、絶縁保護層６を形成している。２３０
層６ａはたとえば約１μｍの厚さ、窒化シリコン層６ｂ
はたとえば０．５μｍの厚さを持つ、端子領域９では窒
化シリコン層６ｂと２３０層６ａが選択エツチングされ
てアルミニウム端子層４ｂを露出している。窒化シリコ
ン層６ｂは水分に対する遮蔽効果が高く、２３０層６ａ
を覆っているか端子用開孔部分では２３０層６ａの側面
が露出することになる。しかし、侵入した水分によって
アルミニウム端子層４ｂが腐蝕されても耐湿性導電体層
４ａまで腐蝕されることはなく、回路部分は水分の侵入
から保護される。
６ｂか形成され、絶縁保護層６を形成している。２３０
層６ａはたとえば約１μｍの厚さ、窒化シリコン層６ｂ
はたとえば０．５μｍの厚さを持つ、端子領域９では窒
化シリコン層６ｂと２３０層６ａが選択エツチングされ
てアルミニウム端子層４ｂを露出している。窒化シリコ
ン層６ｂは水分に対する遮蔽効果が高く、２３０層６ａ
を覆っているか端子用開孔部分では２３０層６ａの側面
が露出することになる。しかし、侵入した水分によって
アルミニウム端子層４ｂが腐蝕されても耐湿性導電体層
４ａまで腐蝕されることはなく、回路部分は水分の侵入
から保護される。
第４図は、他の実施例による端子構造を示す。
第６図（Ｃ）に示したように、半導体ウェーハにはチッ
プ領域１１とスクライブ領域１３とが配置されているか
、ワイヤボンディングする端子領域９ａはチップ領域１
１内に、テスト時のみに使用しワイヤボンディングしな
い端子領域９ｂはスクライブ領域１３に配置する。
プ領域１１とスクライブ領域１３とが配置されているか
、ワイヤボンディングする端子領域９ａはチップ領域１
１内に、テスト時のみに使用しワイヤボンディングしな
い端子領域９ｂはスクライブ領域１３に配置する。
ワイヤボンディングする端子領域９ａについては、チッ
プ領域１１周辺部に耐湿性導電体層４ａを設けられてい
る。その上面にアルミニウム配線層３とアルミニウム端
子層４ａは相互には分離されており、その下面で耐湿性
導電体層４ａと電気的接触を形成している。耐湿性導電
体層４ａは端子領域９ａの中央部を除去した環状の形状
をしている。電気的接触は耐湿性導電体層４ａ上の絶縁
層にいくつかのコンタクト開化を設けて行ってもよく、
耐湿性導電体層４ａの表面をほとんど露出して全面で行
ってもよい、アルミニウム端子層４ｂと耐湿性導電体層
４ａとのオーバラッグ部分全面でコンタクトをとれば断
線に対する抵抗力は増す、ワイヤボンディングしない端
子領域９ｂについては、スクライブ領域１３とチップ領
域１１をブリッジするように耐湿性導電体層２４ａを形
成し、アルミニウム配線層２３はチップ領域１１内で耐
湿性導電体層２４ａと電気的接触を形成し、アルミニウ
ム端子層２４ｂはスクライブ領域１３内で耐湿性導電体
層２４ａと電気的接触を形成する。
プ領域１１周辺部に耐湿性導電体層４ａを設けられてい
る。その上面にアルミニウム配線層３とアルミニウム端
子層４ａは相互には分離されており、その下面で耐湿性
導電体層４ａと電気的接触を形成している。耐湿性導電
体層４ａは端子領域９ａの中央部を除去した環状の形状
をしている。電気的接触は耐湿性導電体層４ａ上の絶縁
層にいくつかのコンタクト開化を設けて行ってもよく、
耐湿性導電体層４ａの表面をほとんど露出して全面で行
ってもよい、アルミニウム端子層４ｂと耐湿性導電体層
４ａとのオーバラッグ部分全面でコンタクトをとれば断
線に対する抵抗力は増す、ワイヤボンディングしない端
子領域９ｂについては、スクライブ領域１３とチップ領
域１１をブリッジするように耐湿性導電体層２４ａを形
成し、アルミニウム配線層２３はチップ領域１１内で耐
湿性導電体層２４ａと電気的接触を形成し、アルミニウ
ム端子層２４ｂはスクライブ領域１３内で耐湿性導電体
層２４ａと電気的接触を形成する。
テスト後、スクライブすることにより、スクライブ領域
に形成したアルミニウム端子層２４ｂは消滅する。これ
により、テスト時の高電圧、大電流の影響を減じること
ができる。切断面には耐湿性導電体層２４ａが露出する
が、水分によってダメージを受けない。
に形成したアルミニウム端子層２４ｂは消滅する。これ
により、テスト時の高電圧、大電流の影響を減じること
ができる。切断面には耐湿性導電体層２４ａが露出する
が、水分によってダメージを受けない。
なお、耐湿性導電体層は種々の形状とすることができる
。第５図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）にその例を示
す、第５図（Ａ）は第４図のワイヤボンディングする端
子９ａで示した構成と同類の形状であり、アルミニウム
端子層４ｂの下の部分で中央部を開孔し、周辺部の下に
広めに耐湿性導電体層４ａが形成されている。第５図（
Ｂ）では、アルミニウム端子層４ｂの中央部にも耐湿性
導電体層４ａが形成されている。第５図（Ｃ）は、接続
部のみに耐湿性導電体層４ａを備えたもので第４図のワ
イヤボンディングしない端子９ｂに用いたものと同類の
形状である。スクライブ領域のワイヤボンディングしな
い端子の場合に限らずチツグ領域の端子、ワイヤボンデ
ィングする端子に適用してもよい、第５図（Ｄ）は第１
図の構成に対応するもので、端子部分が耐湿性導電体層
４ａで構成され、絶縁保護層下でアルミニウム配線層３
と接触する形状である。
。第５図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）にその例を示
す、第５図（Ａ）は第４図のワイヤボンディングする端
子９ａで示した構成と同類の形状であり、アルミニウム
端子層４ｂの下の部分で中央部を開孔し、周辺部の下に
広めに耐湿性導電体層４ａが形成されている。第５図（
Ｂ）では、アルミニウム端子層４ｂの中央部にも耐湿性
導電体層４ａが形成されている。第５図（Ｃ）は、接続
部のみに耐湿性導電体層４ａを備えたもので第４図のワ
イヤボンディングしない端子９ｂに用いたものと同類の
形状である。スクライブ領域のワイヤボンディングしな
い端子の場合に限らずチツグ領域の端子、ワイヤボンデ
ィングする端子に適用してもよい、第５図（Ｄ）は第１
図の構成に対応するもので、端子部分が耐湿性導電体層
４ａで構成され、絶縁保護層下でアルミニウム配線層３
と接触する形状である。
アルミニウム配線層３ないしアルミニウム端子層４ｂと
耐湿性導電体層４との接触はオーバラップする部分内で
コンタクト開孔を通して選択的に部分的に行ってもよく
、また全面で行ってもよい。
耐湿性導電体層４との接触はオーバラップする部分内で
コンタクト開孔を通して選択的に部分的に行ってもよく
、また全面で行ってもよい。
なお、各実施例について説明した内容を適宜組み合わせ
てもよいことは当業者に自明であろう。
てもよいことは当業者に自明であろう。
［発明の効果コ
プラスチックパッケージのような水分にたいして十分な
遮蔽性を有しないパッケージを採用しても、侵入した水
分か回路部分に達するのを防止できる。これによって半
導体集積回路装置の倍額性を向上できる。
遮蔽性を有しないパッケージを採用しても、侵入した水
分か回路部分に達するのを防止できる。これによって半
導体集積回路装置の倍額性を向上できる。
第１図（Ａ＞、（Ｂ）は本発明の基本実施例を示す断面
図と上面図、 第２図は、本発明の実施例による端子構造を示す断面図
、 第３図は、本発明の他の実施例による端子構造を示す断
面図、 第４図は本発明の池の実施例のよる端子構造を示す上面
図、 第５図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は耐湿性導電体
層の形状を示す上面図、 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は従来のｒｃ＠子を説明
するための上面図、断面図、ウェーハ内配置図である。 ａ ｂ ｉｆ？湿性導電体層 アルミニウム端子層 絶縁保護層 開孔 端子領域 図において、 １ 半導体基板 ２ 表面絶縁層 ３ Ａ！配線層 ４ 水分遮蔽性の導電体構造 （Ｂ） 上面図 本発明の基本実施例 第 図 第 図 第 図 第 図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 耐湿性導電１の形状例 第 図 従未伊１のＩＣの端子構造 第 図
図と上面図、 第２図は、本発明の実施例による端子構造を示す断面図
、 第３図は、本発明の他の実施例による端子構造を示す断
面図、 第４図は本発明の池の実施例のよる端子構造を示す上面
図、 第５図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は耐湿性導電体
層の形状を示す上面図、 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は従来のｒｃ＠子を説明
するための上面図、断面図、ウェーハ内配置図である。 ａ ｂ ｉｆ？湿性導電体層 アルミニウム端子層 絶縁保護層 開孔 端子領域 図において、 １ 半導体基板 ２ 表面絶縁層 ３ Ａ！配線層 ４ 水分遮蔽性の導電体構造 （Ｂ） 上面図 本発明の基本実施例 第 図 第 図 第 図 第 図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 耐湿性導電１の形状例 第 図 従未伊１のＩＣの端子構造 第 図
Claims (4)
- （１）、半導体装基板（１）の表面絶縁層（２）上に設
けたアルミニウム配線層（３）を絶縁保護層（６）が覆
い、複数の端子領域（９）を有する半導体集積回路装置
において、 水分遮蔽性の導電体構造（４）が前記複数の端子領域（
９）の各々を形成し、前期絶縁保護層（６）の下で、前
記アルミニウム配線層（３）と電気的に接触することを
特徴とする半導体集積回路装置。 - （２）、前記水分遮蔽性の導電体構造（４）が、端子面
を形成するアルミニウム端子層（４ｂ）と、前記アルミ
ニウム配線層（３）および前記アルミニウム端子層（４
ｂ）に電気的に接触する耐湿性導電体層（４ａ）とを含
むことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置
。 - （３）、ワイヤ配線しない端子について、前記アルミニ
ウム端子層（４ｂ）が、スクライブ領域内に配置され、
前記耐湿性導電体層（４ａ）がチップ領域内の前記アル
ミニウム配線層（３）と前スクライブ領域内のアルミニ
ウム端子層（４ｂ）をブリッジし、電気的に接続するこ
とを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置。 - （４）、前記耐湿性導電体層（４ａ）がシリサイドで形
成されていることを特徴とする請求項２ないし３記載の
半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181079A JPH0230139A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181079A JPH0230139A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230139A true JPH0230139A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16094443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181079A Pending JPH0230139A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230139A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123468U (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-04 | ||
| JPH07130789A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP63181079A patent/JPH0230139A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123468U (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-04 | ||
| JPH07130789A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
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