JPH02302731A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH02302731A JPH02302731A JP12472689A JP12472689A JPH02302731A JP H02302731 A JPH02302731 A JP H02302731A JP 12472689 A JP12472689 A JP 12472689A JP 12472689 A JP12472689 A JP 12472689A JP H02302731 A JPH02302731 A JP H02302731A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ディスプレイやライトバルブに用いる液晶表
示装置の構造に関し、詳しくは対向する電極間の導電性
を高める上下導通構造に関する。
示装置の構造に関し、詳しくは対向する電極間の導電性
を高める上下導通構造に関する。
［従来技術］
上下導通構造の従来の技術をアクティブマトリクス型液
晶表示装置を例にとり説明する。第３図は従来方式の液
晶表示装置の部分的な概略断面図である。第一電極３０
２の形成されたアクティブマトリクス基板３０１と第二
型１３０４の形成された対向基板３０３をシール剤３０
５で貼合わせ、中間に液晶層３０６を封入している。第
一電極と第二電極は導電体３０７で導通され、対向電極
である第二電極を第一電極より端子３０８で外部回路に
取り出している。導電体の材質は導電ペーストである。
晶表示装置を例にとり説明する。第３図は従来方式の液
晶表示装置の部分的な概略断面図である。第一電極３０
２の形成されたアクティブマトリクス基板３０１と第二
型１３０４の形成された対向基板３０３をシール剤３０
５で貼合わせ、中間に液晶層３０６を封入している。第
一電極と第二電極は導電体３０７で導通され、対向電極
である第二電極を第一電極より端子３０８で外部回路に
取り出している。導電体の材質は導電ペーストである。
また第二電極は透明なインジウム・ティン・オキサイド
（ＩＴＯ）薄膜よりなり、第一電極はクロム（Ｃｒ）薄
膜よりなる。
（ＩＴＯ）薄膜よりなり、第一電極はクロム（Ｃｒ）薄
膜よりなる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術においては次に列記す゛るよう
ないくつかの問題点があった。すなわち、（１）導電体
である導電ペーストの比抵抗が大きく、端子と第二電極
の間の抵抗が大きくなり第二電極に伝わる信号に遅れが
生じ、画質を劣化する原因となっていた。
ないくつかの問題点があった。すなわち、（１）導電体
である導電ペーストの比抵抗が大きく、端子と第二電極
の間の抵抗が大きくなり第二電極に伝わる信号に遅れが
生じ、画質を劣化する原因となっていた。
（２）第一電極あるいは第二電極の表面に酸化膜が形成
され易く、その結果、導電体とのコンタクト抵抗が大き
くなり、前述同様画質を低下させていた。
され易く、その結果、導電体とのコンタクト抵抗が大き
くなり、前述同様画質を低下させていた。
（３）導電体に用いる導電ペーストと第一電極あるいは
第二電極との接着性が悪く、湿度試験などにおいてはが
れが生じ、導通不良となる欠陥が生じた。
第二電極との接着性が悪く、湿度試験などにおいてはが
れが生じ、導通不良となる欠陥が生じた。
などである。
そこで本発明は、このような従来技術の問題点を解決す
るためのもので、その目的とするところは、低抵抗で信
頼性の高い上下導通構造を有する液晶表示装置を提供丈
るところにある。
るためのもので、その目的とするところは、低抵抗で信
頼性の高い上下導通構造を有する液晶表示装置を提供丈
るところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の液晶表示装置は、第一電極を有する第一基板と
、前記第一電極に対向する第二電極を有する第二基板と
、前記基板電極と前記第二基板の中間に形成された液晶
層と、前記第一電極と前記第二電極の中間に形成され、
前記第一電極と前記第二電極を導通する導電体とを少な
くも構成要素とする液晶表示装置において、前記導電体
は低融点合金からなることを特徴とし、 さらに、前記低融点合金の成分にインジウムとガリウム
とアルミニウムの少なくも一成分を含み、前記第一電極
と前記第二電極の成分に少なくもアルミニウムを含むこ
とを特徴とする。
、前記第一電極に対向する第二電極を有する第二基板と
、前記基板電極と前記第二基板の中間に形成された液晶
層と、前記第一電極と前記第二電極の中間に形成され、
前記第一電極と前記第二電極を導通する導電体とを少な
くも構成要素とする液晶表示装置において、前記導電体
は低融点合金からなることを特徴とし、 さらに、前記低融点合金の成分にインジウムとガリウム
とアルミニウムの少なくも一成分を含み、前記第一電極
と前記第二電極の成分に少なくもアルミニウムを含むこ
とを特徴とする。
［実施例１］
本発明を実施例に従いさらに詳述する。
第１図は本発明の第一の実施例を説明するための液晶表
示装置の部分的な概略断面図である。アクティブマトリ
クス基板１０１と対向基板１０３をシール剤１０５では
りあわせ、その中間に液晶層１０６を形成している。第
一電極１０２はアクティブマトリクス基板１０１表面の
一部に形成され、第二電極１０４は対向基板１０３の全
表面に形成され、互いの中間に導電体１０７が形成され
ている。第一電極から外部駆動回路へ端子１０８により
接続されている。アクティブ素子は薄膜トランジスタ（
ＴＰＴ）である。
示装置の部分的な概略断面図である。アクティブマトリ
クス基板１０１と対向基板１０３をシール剤１０５では
りあわせ、その中間に液晶層１０６を形成している。第
一電極１０２はアクティブマトリクス基板１０１表面の
一部に形成され、第二電極１０４は対向基板１０３の全
表面に形成され、互いの中間に導電体１０７が形成され
ている。第一電極から外部駆動回路へ端子１０８により
接続されている。アクティブ素子は薄膜トランジスタ（
ＴＰＴ）である。
第一電極１０２は厚さ０．８μｍのＡｌｌ膜よりなり、
第二電極１０４は厚さ０．８μｍのＡｌ薄膜より成る。
第二電極１０４は厚さ０．８μｍのＡｌ薄膜より成る。
導電体１０７は断面積的１ｍｍ２で高さ約４μｍのＩｎ
（２３ｗｔ、 ％）・Ｇａ（５，７ｗｔ、 ％）−
ＡＩ （２０ｗｔ、 ％）合金である。合金は第一電
極および第二電極の中へ侵入し、電極との界面は合金の
組成が徐々に変化している。
（２３ｗｔ、 ％）・Ｇａ（５，７ｗｔ、 ％）−
ＡＩ （２０ｗｔ、 ％）合金である。合金は第一電
極および第二電極の中へ侵入し、電極との界面は合金の
組成が徐々に変化している。
ここに示した液晶表示装置の製作手順を簡単に説明する
。まず、シール剤の形成されたアクティブマトリクス基
板の第一電極上に、Ｉｎ（２８ｗｔ０％）・Ｇａ（７２
ｗｔ、 ％）合金を３０℃で４Ｘ１０−’ｃｍ３程度
の量を塗布する。つぎに対向基板を７ライメント、圧着
し、８０°Ｃ以上に加熱してシール剤を固化する。この
加熱により導電体中に第一電極および第二電極のＡｌが
溶融する。
。まず、シール剤の形成されたアクティブマトリクス基
板の第一電極上に、Ｉｎ（２８ｗｔ０％）・Ｇａ（７２
ｗｔ、 ％）合金を３０℃で４Ｘ１０−’ｃｍ３程度
の量を塗布する。つぎに対向基板を７ライメント、圧着
し、８０°Ｃ以上に加熱してシール剤を固化する。この
加熱により導電体中に第一電極および第二電極のＡｌが
溶融する。
最後に温度を室温まで降下させて合金を固化させる。こ
の工程に従って導電体を形成すると、初期のＩｎ−Ｇａ
合金は３０°ＣＲ後で液体であるので従来の銀ペースト
を塗布する工程が適用でき、しかも第一電極あるいは第
二電極のＡ１表面に絶縁性のアルミナ薄膜が存在しても
、Ｉｎ−Ｇａ合金はＡ１ｇｉＪＩ！中に溶けこむため、
絶縁膜の存在によるコンタクト不良を回避できる。また
Ｉｎ−Ｇａ・Ａ１合金は比抵抗がＡ１程度であり導電体
の抵抗は電極とのコンタクト抵抗まで含めて１Ω以下で
あった。
の工程に従って導電体を形成すると、初期のＩｎ−Ｇａ
合金は３０°ＣＲ後で液体であるので従来の銀ペースト
を塗布する工程が適用でき、しかも第一電極あるいは第
二電極のＡ１表面に絶縁性のアルミナ薄膜が存在しても
、Ｉｎ−Ｇａ合金はＡ１ｇｉＪＩ！中に溶けこむため、
絶縁膜の存在によるコンタクト不良を回避できる。また
Ｉｎ−Ｇａ・Ａ１合金は比抵抗がＡ１程度であり導電体
の抵抗は電極とのコンタクト抵抗まで含めて１Ω以下で
あった。
［実施例２］
第２図は本発明の第二の実施例を説明するための液晶表
示装置の部分的な概略断面図である。本 、実施例は対
向基板の電極に透明なＩＴＯ薄膜を用いたもので、ＩＴ
ＯとＡ１薄膜の間ζこＣｒ薄膜を形成したものである。
示装置の部分的な概略断面図である。本 、実施例は対
向基板の電極に透明なＩＴＯ薄膜を用いたもので、ＩＴ
ＯとＡ１薄膜の間ζこＣｒ薄膜を形成したものである。
ＩＴＯとＡｌはコンタクト抵抗が非常に大きくなるので
、中間にＣｒを挟みコンタクト抵抗を低減している。ほ
かの構造については実施例１で述べたものと同様である
。すなわち、アクティブマトリクス基板２０１と対向基
板２０３をシール剤２０５ではりあわせ、その中間に液
晶層２０６を形成している。Ａ１よりなる第一電極２０
２はアクティブマトリクス基板２０１表面の一部に形成
され、透明なＩＴＯよりなる第二電極２０４は対向電極
２０３の全表面に形成され、第一電極近傍の第二電極上
にＣｒ層２０９及びＡ１電極２１０が積層され、第一電
極２０２およびＡＩ電極２１０の中間に導電体２０７が
形成されている。第一電極から外部駆動回路へ端子２０
８により接続されている。本実施例の場合も第一電極と
第二電極との間の上下導通抵抗は１Ω以下であった。
、中間にＣｒを挟みコンタクト抵抗を低減している。ほ
かの構造については実施例１で述べたものと同様である
。すなわち、アクティブマトリクス基板２０１と対向基
板２０３をシール剤２０５ではりあわせ、その中間に液
晶層２０６を形成している。Ａ１よりなる第一電極２０
２はアクティブマトリクス基板２０１表面の一部に形成
され、透明なＩＴＯよりなる第二電極２０４は対向電極
２０３の全表面に形成され、第一電極近傍の第二電極上
にＣｒ層２０９及びＡ１電極２１０が積層され、第一電
極２０２およびＡＩ電極２１０の中間に導電体２０７が
形成されている。第一電極から外部駆動回路へ端子２０
８により接続されている。本実施例の場合も第一電極と
第二電極との間の上下導通抵抗は１Ω以下であった。
本実施例ではアクティブマトリクス型液晶表示装置につ
いて述べたが、本発明は単純マトリクス型液晶表示装置
などにも適用できる。また、導電体に用いる合金はＩｎ
−Ｇａ−Ａｌ系だけでなくＧａを含みＩｎ、ＡＩ以外の
金属を含む合金等も本発明に適用可能である。
いて述べたが、本発明は単純マトリクス型液晶表示装置
などにも適用できる。また、導電体に用いる合金はＩｎ
−Ｇａ−Ａｌ系だけでなくＧａを含みＩｎ、ＡＩ以外の
金属を含む合金等も本発明に適用可能である。
［発明の効果］
本発明の液晶表示装置は次に列記するような格別な発明
の効果を有する。
の効果を有する。
（１）導電体の材料が比抵抗の非常に小さな金属である
ため、導電体の抵抗が小さく、また電極と導電体の界面
に自然酸化膜が存在しても、導電体と電極は互いに自己
侵食を起こし、完全なオーミック接続が得られ低抵抗と
なる。これらの結果、上下導通部の低抵抗化が計られ対
向電極への信号の書き込み時間が短縮され、忠実な画像
が得られる。
ため、導電体の抵抗が小さく、また電極と導電体の界面
に自然酸化膜が存在しても、導電体と電極は互いに自己
侵食を起こし、完全なオーミック接続が得られ低抵抗と
なる。これらの結果、上下導通部の低抵抗化が計られ対
向電極への信号の書き込み時間が短縮され、忠実な画像
が得られる。
（２）導電体は機械的強度を保って固化するためはがれ
が生じず、信頼性の高い上下導通が得られる。
が生じず、信頼性の高い上下導通が得られる。
第１図は本発明の第一の実施例を説明するための液晶表
示装置の部分的な概略断面図である。 第２図は本発明の第二の実施例を説明するための液晶表
示装置の部分的な概略断面図である。 第３図は従来方式の液晶表示装置の部分的な概略断面図
である。 １０１．２０１．３０１・・・アクティブマトリクス基
板 １０２．２０２．３０２・・・第一電極１０３．２０３
．３０３・・・対向基板１０４．２０４．３０４・・・
第二電極１０５．２０５．３０５・・・シール剤１０６
．２０６．３０Ｇ・・・液晶層 １０７．２０７．３０７・・・導電体 １０８．２０８．３０８・・・端子 ２０９・・・Ｃｒ層 ２１０・・・Ａ１電極 以上 第３図
示装置の部分的な概略断面図である。 第２図は本発明の第二の実施例を説明するための液晶表
示装置の部分的な概略断面図である。 第３図は従来方式の液晶表示装置の部分的な概略断面図
である。 １０１．２０１．３０１・・・アクティブマトリクス基
板 １０２．２０２．３０２・・・第一電極１０３．２０３
．３０３・・・対向基板１０４．２０４．３０４・・・
第二電極１０５．２０５．３０５・・・シール剤１０６
．２０６．３０Ｇ・・・液晶層 １０７．２０７．３０７・・・導電体 １０８．２０８．３０８・・・端子 ２０９・・・Ｃｒ層 ２１０・・・Ａ１電極 以上 第３図
Claims (2)
- （１）第一電極を有する第一基板と、前記第一電極に対
向する第二電極を有する第二基板と、前記第一基板と前
記第二基板の中間に形成された液晶層と、前記第一電極
と前記第二電極の中間に形成され、前記第一電極と前記
第二電極を導通する導電体とを少なくも構成要素とする
液晶表示装置において、前記導電体は低融点合金からな
ることを特徴とする液晶表示装置。 - （２）前記低融点合金の成分にインジウムとガリウムと
アルミニウムの少なくも一成分を含み、前記第一電極と
前記第二電極の成分に少なくもアルミニウムを含むこと
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472689A JPH02302731A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472689A JPH02302731A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302731A true JPH02302731A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14892586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12472689A Pending JPH02302731A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001109010A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
| JP2001125498A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-05-11 | Agilent Technol Inc | 表示装置 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12472689A patent/JPH02302731A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001125498A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-05-11 | Agilent Technol Inc | 表示装置 |
| JP2001109010A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
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