JPH02304522A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
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- JPH02304522A JPH02304522A JP12582889A JP12582889A JPH02304522A JP H02304522 A JPH02304522 A JP H02304522A JP 12582889 A JP12582889 A JP 12582889A JP 12582889 A JP12582889 A JP 12582889A JP H02304522 A JPH02304522 A JP H02304522A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶装置の製造方法に関する。
従来の液晶装置の製造方法は、トレー内に厚さ３〜１０
ＩＩ１１位の液晶だまりを作り、そこにセルの注入孔部
を浸すことにより液晶の毛細管現象を用いてず入を行う
という方法が知られていた。
ＩＩ１１位の液晶だまりを作り、そこにセルの注入孔部
を浸すことにより液晶の毛細管現象を用いてず入を行う
という方法が知られていた。
しかし、前述の従来技術では、液晶内にイオン性不純物
が含まれていた場合、セル内にそのイオン性不純物が入
り込んでしまうため、クロストーク、フリッカ−、ジッ
ターが発生し易くなるばかりか液晶セルの信頼性が低下
してしまうという問題点を有していた。
が含まれていた場合、セル内にそのイオン性不純物が入
り込んでしまうため、クロストーク、フリッカ−、ジッ
ターが発生し易くなるばかりか液晶セルの信頼性が低下
してしまうという問題点を有していた。
本発明は、この様な問題点に鑑みて提案されたもので、
注入の際使用する液晶にイオン性不純物が含まれていて
も、そのイオン性不純物をセル内に持ち込ませない液晶
装置の製造方法を提供する。
注入の際使用する液晶にイオン性不純物が含まれていて
も、そのイオン性不純物をセル内に持ち込ませない液晶
装置の製造方法を提供する。
本発明の液晶装置の製造方法は、電極を有する一対の基
板をスペーサーを介して対向させることによりセルを形
成し、そのセル内に液晶層を挟持する液晶装置の製造方
法において、セルに液晶を注入する際に、径がセルギャ
ップより大きなイオン交換樹脂が混合された状態の液晶
にセルの注入孔部を浸すことにより液晶とセルの毛細管
現象を用いてセル内に液晶を注入することを特徴とする
。
板をスペーサーを介して対向させることによりセルを形
成し、そのセル内に液晶層を挟持する液晶装置の製造方
法において、セルに液晶を注入する際に、径がセルギャ
ップより大きなイオン交換樹脂が混合された状態の液晶
にセルの注入孔部を浸すことにより液晶とセルの毛細管
現象を用いてセル内に液晶を注入することを特徴とする
。
本発明の上記の構成により液晶装置を製造した場合、注
入の際使用する液晶にイオン性不純物が含まれていても
、液晶中に混合されたイオン交換樹脂に吸着されてしま
うため、セル内にはイオン性不純物を含まない液晶が注
入されセル内において液晶の比抵抗が低下することはな
い。また、イオン交換樹脂の径がセルギャップより大き
いためイオン交換樹脂がセル内に入り込むこともない。
入の際使用する液晶にイオン性不純物が含まれていても
、液晶中に混合されたイオン交換樹脂に吸着されてしま
うため、セル内にはイオン性不純物を含まない液晶が注
入されセル内において液晶の比抵抗が低下することはな
い。また、イオン交換樹脂の径がセルギャップより大き
いためイオン交換樹脂がセル内に入り込むこともない。
以下、本発明の一実施例を詳述する、いずれの実施例も
陰イオンを吸着するイオン交換樹脂としてポリスチレン
系強塩基性陰イオン交換樹脂を、陽イオンを吸着するイ
オン交換樹脂としてスチレン系強酸性陽イオン交換樹脂
を用いた。
陰イオンを吸着するイオン交換樹脂としてポリスチレン
系強塩基性陰イオン交換樹脂を、陽イオンを吸着するイ
オン交換樹脂としてスチレン系強酸性陽イオン交換樹脂
を用いた。
実施例１
注入の際使用したセルのセルギャップは６μｍ１イオン
交換樹脂は陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂共に直
径１００μｍの球状のものを同比率で用いた。イオン性
不純物により比抵抗が１０９Ω・Ｃ台に下がった液晶中
にこのイオン交換樹脂球を重量比で０． ５％混ぜ、５
０℃で５時間放置した後に比抵抗を測定したところ１０
１１Ω・印台と高くなっていた。また、この液晶をセル
内に注入して比抵抗を測定したところ１０１１Ω・Ｃ台
の値が得られた。従来の方法で注入した液晶セルではイ
オン性不純物が入り液晶の比抵抗は１０９Ω・口金と低
下したままで、このセルを用いた表示装置ではクロスト
ーク、フリッカ−、ジッターがひどく、また、液晶セル
の信頼性が低下してしま０６０℃で２５０時間駆動をし
たところセル内において、表示ムラが発生してしまった
。しかし、本実施例の方法で注入した液晶セルでは、比
抵抗の低下に起因するクロストーク、フリッカ−、ジッ
ターの発生は全く無く、また６０℃で駆動し続けても表
示ムラの発生は全く認められなかった。
交換樹脂は陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂共に直
径１００μｍの球状のものを同比率で用いた。イオン性
不純物により比抵抗が１０９Ω・Ｃ台に下がった液晶中
にこのイオン交換樹脂球を重量比で０． ５％混ぜ、５
０℃で５時間放置した後に比抵抗を測定したところ１０
１１Ω・印台と高くなっていた。また、この液晶をセル
内に注入して比抵抗を測定したところ１０１１Ω・Ｃ台
の値が得られた。従来の方法で注入した液晶セルではイ
オン性不純物が入り液晶の比抵抗は１０９Ω・口金と低
下したままで、このセルを用いた表示装置ではクロスト
ーク、フリッカ−、ジッターがひどく、また、液晶セル
の信頼性が低下してしま０６０℃で２５０時間駆動をし
たところセル内において、表示ムラが発生してしまった
。しかし、本実施例の方法で注入した液晶セルでは、比
抵抗の低下に起因するクロストーク、フリッカ−、ジッ
ターの発生は全く無く、また６０℃で駆動し続けても表
示ムラの発生は全く認められなかった。
実施例２
上記実施例１では陰イオンを吸着するイオン交換樹脂球
と、陽イオンを吸着するイオン交換樹脂球の比率を同じ
にしているが、必ずしも同じにする必要はなく、液晶内
に含まれるイオン性不純物の種類が解っている場合など
は、そのイオン性不純物を吸着するイオン交換樹脂球の
比率を上げて使用とすると効果的であった。
と、陽イオンを吸着するイオン交換樹脂球の比率を同じ
にしているが、必ずしも同じにする必要はなく、液晶内
に含まれるイオン性不純物の種類が解っている場合など
は、そのイオン性不純物を吸着するイオン交換樹脂球の
比率を上げて使用とすると効果的であった。
実施例３
上記実施例１では用いたイオン交換樹脂球の直径は１０
０μｍであったが、１００μｍである必要はなくイオン
交換樹脂球がセル内に入り込まないためにはセルギャッ
プの２倍以上の直径を有するものであればよい。しかし
、直径が５０μｍ以下ではセルの注入孔部に集まったイ
オン交換樹脂球によって液晶の注入速度が低下してしま
い、また直径が３００μｍ以上では単位体積当りの表面
積が低下しイオン吸着の効果が低下してしまうため、５
０μｍ以上３００μｍ以下であるので望ましい。
０μｍであったが、１００μｍである必要はなくイオン
交換樹脂球がセル内に入り込まないためにはセルギャッ
プの２倍以上の直径を有するものであればよい。しかし
、直径が５０μｍ以下ではセルの注入孔部に集まったイ
オン交換樹脂球によって液晶の注入速度が低下してしま
い、また直径が３００μｍ以上では単位体積当りの表面
積が低下しイオン吸着の効果が低下してしまうため、５
０μｍ以上３００μｍ以下であるので望ましい。
実施例４
上記実施例１ては液晶にイオン交換樹脂球を混ぜてから
加熱した状態でしばらく放置している、このｉｆに本発
明の効果は加熱した状態の方が効果が大きくその温度も
３５℃から７０℃位が好ましい。また、放置時間も５分
以上好ましくは３０分以上とした方がよい。
加熱した状態でしばらく放置している、このｉｆに本発
明の効果は加熱した状態の方が効果が大きくその温度も
３５℃から７０℃位が好ましい。また、放置時間も５分
以上好ましくは３０分以上とした方がよい。
また、液晶注入直前にイオン交換樹脂球を混ぜるのでは
なく、イオン交換樹脂を混ぜた状態で液晶を保存してお
くとより効果的である。
なく、イオン交換樹脂を混ぜた状態で液晶を保存してお
くとより効果的である。
以上述べたように本発明は電極を有する一対の基板をス
ペーサーを介して対向させることによりセルを形成し、
そのセル内に液晶層を挟持する液晶装置の製造方法にお
いて、セルに液晶を注入する際に、径がセルギャップよ
り大きなイオン交換樹脂が混合された状態の液晶にセル
の注入孔部を浸すことにより液晶とセルの毛細管現象を
用いて該液晶セル内に液晶を注入することより使用する
液晶にイオン性不純物が含まれていても、イオン交換樹
脂球に吸着されてしまうため、イオン性不純物を含まな
い液晶が注入されセル内において液晶の比抵抗が低下す
ることはない。
ペーサーを介して対向させることによりセルを形成し、
そのセル内に液晶層を挟持する液晶装置の製造方法にお
いて、セルに液晶を注入する際に、径がセルギャップよ
り大きなイオン交換樹脂が混合された状態の液晶にセル
の注入孔部を浸すことにより液晶とセルの毛細管現象を
用いて該液晶セル内に液晶を注入することより使用する
液晶にイオン性不純物が含まれていても、イオン交換樹
脂球に吸着されてしまうため、イオン性不純物を含まな
い液晶が注入されセル内において液晶の比抵抗が低下す
ることはない。
以上
Claims (1)
- 電極を有する一対の基板をスペーサーを介して対向させ
ることによりセルを形成し、該セル内に液晶層を挟持す
る液晶装置の製造方法において、該セルに液晶を注入す
る際に、径がセルギャップより大きなイオン交換樹脂が
混合された状態の液晶に前記セルの注入孔部を浸すこと
により前記液晶と前記セルの毛細管現象を用いて前記セ
ル内に液晶を注入することを特徴とする液晶装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12582889A JPH02304522A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12582889A JPH02304522A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304522A true JPH02304522A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14919948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12582889A Pending JPH02304522A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304522A (ja) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12582889A patent/JPH02304522A/ja active Pending
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