JPH02304562A - フォトマスク用ブランクス - Google Patents
フォトマスク用ブランクスInfo
- Publication number
- JPH02304562A JPH02304562A JP1127110A JP12711089A JPH02304562A JP H02304562 A JPH02304562 A JP H02304562A JP 1127110 A JP1127110 A JP 1127110A JP 12711089 A JP12711089 A JP 12711089A JP H02304562 A JPH02304562 A JP H02304562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metallic thin
- electron beam
- layer
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はフォトマスクを形成する際に用いるブランク
スの構造に関するものである。
スの構造に関するものである。
近年、半導体集積回路は益々高集積化するとともに、レ
クチルの微細化および要求品質が厳しくなってきており
、フォトマスクのポジドライプロセスが必要不可欠なも
のとなっている。
クチルの微細化および要求品質が厳しくなってきており
、フォトマスクのポジドライプロセスが必要不可欠なも
のとなっている。
第２図は従来のフォトマスク用ブランクスを示した図で
ある。マスク基板であるガラス基板上１に遮光性金属薄
１ｆｇ２（例えばクロムもしくはモリブデンシリサイド
）がスパッタ形成され、その上に電子線ポジレジスト３
（例えばＥＢＲ−９）が塗布されている。
ある。マスク基板であるガラス基板上１に遮光性金属薄
１ｆｇ２（例えばクロムもしくはモリブデンシリサイド
）がスパッタ形成され、その上に電子線ポジレジスト３
（例えばＥＢＲ−９）が塗布されている。
そして、露光、現像、ボストベーク、ウェットあるいは
ドライエツチング等のプロセスを経てフォトマスクの形
成を行っていた。
ドライエツチング等のプロセスを経てフォトマスクの形
成を行っていた。
上記従来のフォトマスク用ブランクスを用いて、ポジド
ライエツチングプロセスによるフォトマスクを形成する
ことは可能ではあったが、市販されている電子線ポジレ
ジストの中で十分な耐ドライエツチング性を有したもの
はなく、微細化かつ高精度なフォトマスクの形成は難し
いという問題点があった。
ライエツチングプロセスによるフォトマスクを形成する
ことは可能ではあったが、市販されている電子線ポジレ
ジストの中で十分な耐ドライエツチング性を有したもの
はなく、微細化かつ高精度なフォトマスクの形成は難し
いという問題点があった。
この発明はポジドライエツチングプロセスによるフォト
マスク形成に用いるブランクスに係るものであり、マス
ク基板上に異種の金属薄膜を多層に形成したことを特徴
とするものである。
マスク形成に用いるブランクスに係るものであり、マス
ク基板上に異種の金属薄膜を多層に形成したことを特徴
とするものである。
この発明に係るフォトマスク用ブランクスは。
マスク基板上に異種の金属薄膜を多層にスパッタ形成し
ている。したがって、このフォトマスク用ブランクスに
よりフォトマスクを作成する際、上層の金属薄膜をレジ
ストの代わりとして利用して下層の金属薄膜をドライエ
ツチングできるので、ポジエツチングドライプロセスが
容易となり、微細パターン形成が可能となる。
ている。したがって、このフォトマスク用ブランクスに
よりフォトマスクを作成する際、上層の金属薄膜をレジ
ストの代わりとして利用して下層の金属薄膜をドライエ
ツチングできるので、ポジエツチングドライプロセスが
容易となり、微細パターン形成が可能となる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。第
１図は本発明に係るフォトマスク用ブランクスの一実施
例を示す断面図である。
１図は本発明に係るフォトマスク用ブランクスの一実施
例を示す断面図である。
マスク基板であるガラス基板１上にまず一層目として遮
光性金属薄膜２ａ（例えばクロム約８００人）をスパッ
タ形成し、次に二層目として異種の遮光性金属薄膜２ｂ
（例えばモリブデントリサイド約４００人）をスパッタ
形成し、さらにその上に電子線ポジレジスト（例えばＥ
ＢＲ−９５５００人）を塗布している。
光性金属薄膜２ａ（例えばクロム約８００人）をスパッ
タ形成し、次に二層目として異種の遮光性金属薄膜２ｂ
（例えばモリブデントリサイド約４００人）をスパッタ
形成し、さらにその上に電子線ポジレジスト（例えばＥ
ＢＲ−９５５００人）を塗布している。
次に、このブランクスを用いたフォトマスク形成方法に
ついて説明する。まず、電子ビームにより電子線ポジレ
ジスト３上にパターンを露光し、現像、ボストベークを
行う（パターン形成）、そしてＣＦ４系ガスで上層の遮
光性金属薄！（モリブデンシリサイド１）２ｂについて
ドライエツチングを行い、その後、電子線ポジレジスト
３をはく離する０次に、ＣＣ１，系ガスで下層の遮光性
金属薄膜（クロム膜） ２ａをドライエツチングし、残
りの上層遮光性金属薄膜２ｂを全面除去する。
ついて説明する。まず、電子ビームにより電子線ポジレ
ジスト３上にパターンを露光し、現像、ボストベークを
行う（パターン形成）、そしてＣＦ４系ガスで上層の遮
光性金属薄！（モリブデンシリサイド１）２ｂについて
ドライエツチングを行い、その後、電子線ポジレジスト
３をはく離する０次に、ＣＣ１，系ガスで下層の遮光性
金属薄膜（クロム膜） ２ａをドライエツチングし、残
りの上層遮光性金属薄膜２ｂを全面除去する。
従来のブランクスを用いたフォトマスク形成においては
電子線ポジレジスト３が十分な耐ドライエツチング性を
有していながった。したがって、レジストの薄膜化およ
び断面形状がシャープに仕上げられなかった。
電子線ポジレジスト３が十分な耐ドライエツチング性を
有していながった。したがって、レジストの薄膜化およ
び断面形状がシャープに仕上げられなかった。
しかし、以上のようにして形成されたフすｉ−マスク用
ブランクスを用いると、レジストのｒＩＪＩｉ化および
断面形状をシャープに仕上げることができる。
ブランクスを用いると、レジストのｒＩＪＩｉ化および
断面形状をシャープに仕上げることができる。
なお、上記実施例では一層目をクロム膜、二層目をモリ
ブデンシリサイド膜としたが、その逆であっても同様の
効果が実現する。
ブデンシリサイド膜としたが、その逆であっても同様の
効果が実現する。
また、上記実施例では二層目の薄膜を一層目の薄膜のエ
ツチング後に除去を行ったが、除去を行わなくても同様
の効果が実現する。
ツチング後に除去を行ったが、除去を行わなくても同様
の効果が実現する。
さらに、上記実施例では、クロム膜、モリブデンシリサ
イド膜の組み合せを用いたが、他の金属薄膜で反応性ガ
スが異なるものであればいずれの組み合せにおいても同
様の効果が実現する。
イド膜の組み合せを用いたが、他の金属薄膜で反応性ガ
スが異なるものであればいずれの組み合せにおいても同
様の効果が実現する。
さらにまた、上記実施例では二層膜を用いたが、二層膜
以上を用いても同様の効果が実現し得る。
以上を用いても同様の効果が実現し得る。
以上のようにこの発明に係るフォトマスク用ブランクス
は、マスク基板上に、異種の金属薄膜を多層に形成して
いる。したがって、このブランクスを用いてフすトマス
クを形成する際に、反応性ガスが異なることを応用して
、上層の金属薄膜をレジストとして代用できる。その結
果、ポジドライエツチングプロセスが容易となり、かつ
、高精度な微細パターン形成に有利となる。
は、マスク基板上に、異種の金属薄膜を多層に形成して
いる。したがって、このブランクスを用いてフすトマス
クを形成する際に、反応性ガスが異なることを応用して
、上層の金属薄膜をレジストとして代用できる。その結
果、ポジドライエツチングプロセスが容易となり、かつ
、高精度な微細パターン形成に有利となる。
第１図はこの発明の一実施例によるフォトマスク用ブラ
ンクスを示す側面断面図、第２図は従来の７オ！・マス
ク用ブランクスを示す側面断面図である。 図中、１はマスク基板（ガラス基板）、２ａは１層目の
遮光性金属薄膜、２ｂは２層目の遮光性金属薄膜、３は
電子線ポジレジストである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ンクスを示す側面断面図、第２図は従来の７オ！・マス
ク用ブランクスを示す側面断面図である。 図中、１はマスク基板（ガラス基板）、２ａは１層目の
遮光性金属薄膜、２ｂは２層目の遮光性金属薄膜、３は
電子線ポジレジストである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- マスク基板と、該マスク基板上に多層に形成された異種
の金属薄膜を有するフォトマスク用フラックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127110A JPH02304562A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | フォトマスク用ブランクス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127110A JPH02304562A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | フォトマスク用ブランクス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304562A true JPH02304562A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14951855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127110A Pending JPH02304562A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | フォトマスク用ブランクス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304562A (ja) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127110A patent/JPH02304562A/ja active Pending
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