JPS6161694B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6161694B2 JPS6161694B2 JP55187238A JP18723880A JPS6161694B2 JP S6161694 B2 JPS6161694 B2 JP S6161694B2 JP 55187238 A JP55187238 A JP 55187238A JP 18723880 A JP18723880 A JP 18723880A JP S6161694 B2 JPS6161694 B2 JP S6161694B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- resist film
- opening
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトマスク表面に形成されたパターン
の修正方法に関する。なお本発明においては、ガ
ラス基板のような透光性基板上に、遮光膜を所望
のパターンに従つて形成したものの総称として
「ホトマスク」を用いる。従つてホトマスクに
は、レチクルのようなものも含む。
の修正方法に関する。なお本発明においては、ガ
ラス基板のような透光性基板上に、遮光膜を所望
のパターンに従つて形成したものの総称として
「ホトマスク」を用いる。従つてホトマスクに
は、レチクルのようなものも含む。
上記ホトマスクを作成した場合、形成されたホ
トマスク（遮光膜）を部分的に修正する必要が生
じる場合がある。即ち、パターン中にピンホール
のような欠陥がある場合、或いは近接して配設さ
れた２つのパターンを接続したい場合等、パター
ンの開口部分を埋めてしまいたい場合がしばしば
生じる。
トマスク（遮光膜）を部分的に修正する必要が生
じる場合がある。即ち、パターン中にピンホール
のような欠陥がある場合、或いは近接して配設さ
れた２つのパターンを接続したい場合等、パター
ンの開口部分を埋めてしまいたい場合がしばしば
生じる。
第１図は、このような場合にかねてより用いら
れているパターン修正方法を示す要部断面図で、
同図ａに示すように、例えば透光性基板（これを
単にマスク基板と略記する）１表面に、所望のパ
ターンに従つて選択的に形成したクロム皮膜等の
遮光膜２に、ピンホール３のような修正を要する
開口部分が存在するものとする。
れているパターン修正方法を示す要部断面図で、
同図ａに示すように、例えば透光性基板（これを
単にマスク基板と略記する）１表面に、所望のパ
ターンに従つて選択的に形成したクロム皮膜等の
遮光膜２に、ピンホール３のような修正を要する
開口部分が存在するものとする。
これを修正するには、先ず、同図ｂに示すよう
にピンホール３の部分を開口部４とするレジスト
膜５を形成する。次いで同図ｃに示す如く、レジ
スト膜５上を含むマスク基板１全面に、クロム
（Cr）等をスパツタリング法或いは蒸着法により
被着した皮膜６を形成する。しかる後、リフトオ
フ法により前記レジスト膜５を除去し同時にレジ
スト膜５上に被着せる皮膜６を除去する。
にピンホール３の部分を開口部４とするレジスト
膜５を形成する。次いで同図ｃに示す如く、レジ
スト膜５上を含むマスク基板１全面に、クロム
（Cr）等をスパツタリング法或いは蒸着法により
被着した皮膜６を形成する。しかる後、リフトオ
フ法により前記レジスト膜５を除去し同時にレジ
スト膜５上に被着せる皮膜６を除去する。
このようにすることにより、前記ピンホール３
部分にはクロムよりなる皮膜６が残留するので、
遮光膜２のパターンはピンホールが埋められて完
全なものに修正される。
部分にはクロムよりなる皮膜６が残留するので、
遮光膜２のパターンはピンホールが埋められて完
全なものに修正される。
ところが上述の方法ではマスク基板１上に被着
せしめたクロムよりなる皮膜６のうち、ピンホー
ル３の修正に必要なのはごく僅かの部分だけで、
大部分は除去される。そのため除去されるクロム
の量が非常に多いので、その残滓がマスク基板１
表面に付着する。その際上記クロムの微小片７が
遮光膜２の正規の開口部８にも付着する。この付
着した微小片７はこのあとどのように洗浄しても
除去できないので、この方法ではピンホール３の
修正はできても遮光膜２のパターンは結局不良と
なつてしまう。
せしめたクロムよりなる皮膜６のうち、ピンホー
ル３の修正に必要なのはごく僅かの部分だけで、
大部分は除去される。そのため除去されるクロム
の量が非常に多いので、その残滓がマスク基板１
表面に付着する。その際上記クロムの微小片７が
遮光膜２の正規の開口部８にも付着する。この付
着した微小片７はこのあとどのように洗浄しても
除去できないので、この方法ではピンホール３の
修正はできても遮光膜２のパターンは結局不良と
なつてしまう。
本発明の目的は上述の問題点を解消して他に悪
影響を及ぼすことなく、ピンホール等のパターン
の開口部分を埋めることのできるパターン修正方
法を提供することにある。
影響を及ぼすことなく、ピンホール等のパターン
の開口部分を埋めることのできるパターン修正方
法を提供することにある。
本発明の特徴は、透光性基板表面に選択的に形
成された遮光膜の修正を行うに際し、修正すべき
開口部分を有する前記遮光膜上を含む前記透光性
基板上にポジ型のレジスト膜を形成する工程と、
前記透光性基板の裏面から前記ポジ型レジスト膜
に露光して、少なくとも前記修正すべき開口部分
に開口を有する第１のレジスト膜を形成する工程
と、該第１のレジスト膜上に所定の材質よりなる
皮膜を形成する工程と、該皮膜の前記修正すべき
開口部に対応する部位の上に第２のレジスト膜を
選択的に形成する工程と、該第２のレジスト膜を
マスクとして前記皮膜の露出せる部分を除去する
工程と、前記第１及び第２のレジスト膜を除去す
る工程とを含むことにある。
成された遮光膜の修正を行うに際し、修正すべき
開口部分を有する前記遮光膜上を含む前記透光性
基板上にポジ型のレジスト膜を形成する工程と、
前記透光性基板の裏面から前記ポジ型レジスト膜
に露光して、少なくとも前記修正すべき開口部分
に開口を有する第１のレジスト膜を形成する工程
と、該第１のレジスト膜上に所定の材質よりなる
皮膜を形成する工程と、該皮膜の前記修正すべき
開口部に対応する部位の上に第２のレジスト膜を
選択的に形成する工程と、該第２のレジスト膜を
マスクとして前記皮膜の露出せる部分を除去する
工程と、前記第１及び第２のレジスト膜を除去す
る工程とを含むことにある。
以下本発明を実施例により説明する。
第２図ａにおいて１はガラス板等よりなる透明
なマスク基板で、２は所望のパターンに従つて形
成されたクロム（Cr）膜等よりなる遮光膜、３
は遮光膜２に生じたピンホールである。
なマスク基板で、２は所望のパターンに従つて形
成されたクロム（Cr）膜等よりなる遮光膜、３
は遮光膜２に生じたピンホールである。
先ず上記遮光膜２上を含むマスク基板１全表面
にポジ型レジストを塗布し、マスク基板１裏面よ
り全面に露光する。このようにすると、上記ポジ
型レジストは、遮光膜２の開口部分は露光される
が、その他の部分は露光されない。
にポジ型レジストを塗布し、マスク基板１裏面よ
り全面に露光する。このようにすると、上記ポジ
型レジストは、遮光膜２の開口部分は露光される
が、その他の部分は露光されない。
従つて、このあと通常の方法で現像処理を施す
と、遮光膜２のピンホール３及び正規の開口８の
部分に被着せるポジ型レジスト塗膜は溶解除去さ
れて、第２図ｂに示すように修正すべきピンホー
ル３部分及び遮光膜２のその他の開口部分を開口
部４，４′とする第１のレジスト膜５が形成され
る。
と、遮光膜２のピンホール３及び正規の開口８の
部分に被着せるポジ型レジスト塗膜は溶解除去さ
れて、第２図ｂに示すように修正すべきピンホー
ル３部分及び遮光膜２のその他の開口部分を開口
部４，４′とする第１のレジスト膜５が形成され
る。
本工程では上述のように、第１のレジスト膜５
を形成するに際して、遮光膜２上に塗布したポジ
型レジスト膜を、遮光膜２自身をマスクとして自
己整合的に露光するので、位置合わせ工程は不要
で、作業はいたつて簡単であり、しかも遮光膜２
と第１のレジスト膜５との位置ずれを生じること
はなく、遮光膜２の開口部は第１のレジスト膜５
も開口部となり、遮光膜２が存在する部分には第
１のレジスト膜５が残留する。
を形成するに際して、遮光膜２上に塗布したポジ
型レジスト膜を、遮光膜２自身をマスクとして自
己整合的に露光するので、位置合わせ工程は不要
で、作業はいたつて簡単であり、しかも遮光膜２
と第１のレジスト膜５との位置ずれを生じること
はなく、遮光膜２の開口部は第１のレジスト膜５
も開口部となり、遮光膜２が存在する部分には第
１のレジスト膜５が残留する。
次いで同図ｃに見られる如く、クロム（Cr）
をスパツタリング法或いは蒸着法により上記第１
のレジスト膜５上を含むマスク基板１全表面に被
着して皮膜６を形成する。
をスパツタリング法或いは蒸着法により上記第１
のレジスト膜５上を含むマスク基板１全表面に被
着して皮膜６を形成する。
次いで同図ｄに示すように上記皮膜６上の前記
第１のレジスト膜５の開口部４に対応する位置即
ちピンホール３の部分に対応する部位の上に、第
２のレジスト膜１１を選択的に形成する。この第
２のレジスト膜１１の形成は、通常の方法に従つ
て皮膜６上全面にネガ型レジストを塗布し、上述
の第２のレジスト膜１１を形成すべき部分のみに
局所的に露光した後現像処理を施す方法〔特開昭
56−70554号公報参照〕、または上述の第２のレジ
スト膜１１を形成すべき部分にポジ型レジストを
滴下する等の方法で局所的に塗布し、露光せずに
現像処理を施す方法〔特開昭56−54439号公報参
照〕等、公知の技術により実施できる。
第１のレジスト膜５の開口部４に対応する位置即
ちピンホール３の部分に対応する部位の上に、第
２のレジスト膜１１を選択的に形成する。この第
２のレジスト膜１１の形成は、通常の方法に従つ
て皮膜６上全面にネガ型レジストを塗布し、上述
の第２のレジスト膜１１を形成すべき部分のみに
局所的に露光した後現像処理を施す方法〔特開昭
56−70554号公報参照〕、または上述の第２のレジ
スト膜１１を形成すべき部分にポジ型レジストを
滴下する等の方法で局所的に塗布し、露光せずに
現像処理を施す方法〔特開昭56−54439号公報参
照〕等、公知の技術により実施できる。
次いで同図ｅに示す如く、上記第２のレジスト
膜１１をマスクとして皮膜６の不要部分を通常の
エツチング法、例えば、硝酸第２セリウム・アン
モン〔Ce（NO3）4・2NH4NO3・xH2O〕溶液によ
り除去し、更に同図ｆに示すように上記第１及び
第２のレジスト膜５及び１１を除去する。
膜１１をマスクとして皮膜６の不要部分を通常の
エツチング法、例えば、硝酸第２セリウム・アン
モン〔Ce（NO3）4・2NH4NO3・xH2O〕溶液によ
り除去し、更に同図ｆに示すように上記第１及び
第２のレジスト膜５及び１１を除去する。
かくして遮光膜２のピンホール３はクロム皮膜
６により埋められて、完全なパターンに修正され
た。
６により埋められて、完全なパターンに修正され
た。
本実施例においては、クロム皮膜６の不要部分
はエツチング法により溶解除去されるので、従来
のリフトオフ法によつて除去した場合のように、
残滓が正規の開口８内に付着することはない。
はエツチング法により溶解除去されるので、従来
のリフトオフ法によつて除去した場合のように、
残滓が正規の開口８内に付着することはない。
なお本発明では上述の如く、第１のレジスト膜
５を自己整合的に形成するので、第１のレジスト
膜５はその下層の遮光膜２とほぼ同一パターンに
形成される。従つて、クロム皮膜６は、ピンホー
ル３の部分以外は第１のレジスト膜５の上に形成
されているので、第１のレジスト膜５を除去する
際に同時に除去される。従つてクロム皮膜６はピ
ンホール３を埋めた部分のみが残留することとな
り、修正されたパターン２は凹凸の少ないものと
なる。
５を自己整合的に形成するので、第１のレジスト
膜５はその下層の遮光膜２とほぼ同一パターンに
形成される。従つて、クロム皮膜６は、ピンホー
ル３の部分以外は第１のレジスト膜５の上に形成
されているので、第１のレジスト膜５を除去する
際に同時に除去される。従つてクロム皮膜６はピ
ンホール３を埋めた部分のみが残留することとな
り、修正されたパターン２は凹凸の少ないものと
なる。
また本発明では、皮膜６と遮光膜２との間に第
１のレジスト膜５を介挿しているので、皮膜６を
エツチングする間、遮光膜２は第１のレジスト膜
５によつて保護されており、エツチングされる心
配はない。従つて皮膜６の材質及びその形成工程
や除去工程等を任意に選択でき、本実施例で説明
した如く、遮光膜２と皮膜６の材質を同一とする
ことも可能である。
１のレジスト膜５を介挿しているので、皮膜６を
エツチングする間、遮光膜２は第１のレジスト膜
５によつて保護されており、エツチングされる心
配はない。従つて皮膜６の材質及びその形成工程
や除去工程等を任意に選択でき、本実施例で説明
した如く、遮光膜２と皮膜６の材質を同一とする
ことも可能である。
更に、本発明はピンホールのようなパターンの
欠損部分の修正のみならず、相互に近接離隔して
形成されたパターンを設計変更等により接続する
等の、開口部分を埋めるような場合にも用い得る
のである。
欠損部分の修正のみならず、相互に近接離隔して
形成されたパターンを設計変更等により接続する
等の、開口部分を埋めるような場合にも用い得る
のである。
以上説明した如く、本発明によれば、透光性基
板に形成したパターンやレチクル及びホトマスク
に形成したパターンを、他に影響を及ぼすことな
く修正することができる。
板に形成したパターンやレチクル及びホトマスク
に形成したパターンを、他に影響を及ぼすことな
く修正することができる。
第１図は従来のパターン修正方法の説明に供す
るための要部断面図、第２図は本発明の一実施例
を示す要部断面図である。 図において、１は被処理基板、２は遮光膜、３
は修正すべき開口部分、４は第１のレジスト膜の
開口部、５は第１のレジスト膜、６は皮膜、１１
は第２のレジスト膜を示す。
るための要部断面図、第２図は本発明の一実施例
を示す要部断面図である。 図において、１は被処理基板、２は遮光膜、３
は修正すべき開口部分、４は第１のレジスト膜の
開口部、５は第１のレジスト膜、６は皮膜、１１
は第２のレジスト膜を示す。
Claims (1)
- １ 透光性基板表面に選択的に形成された遮光膜
の修正を行うに際し、修正すべき開口部分を有す
る前記遮光膜上を含む前記透光性基板上にポジ型
のレジスト膜を形成する工程と、前記透光性基板
の裏面から前記ポジ型レジスト膜に露光して、少
なくとも前記修正すべき開口部分に開口を有する
第１のレジスト膜を形成する工程と、該第１のレ
ジスト膜上に所定の材質よりなる皮膜を形成する
工程と、該皮膜の前記修正すべき開口部に対応す
る部位の上に第２のレジスト膜を選択的に形成す
る工程と、該第２のレジスト膜をマスクとして前
記皮膜の露出せる部分を除去する工程と、前記第
１及び第２のレジスト膜を除去する工程とを含む
ことを特徴とするパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18723880A JPS57112018A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Correction of pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18723880A JPS57112018A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Correction of pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57112018A JPS57112018A (en) | 1982-07-12 |
| JPS6161694B2 true JPS6161694B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=16202466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18723880A Granted JPS57112018A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Correction of pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57112018A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7489359B2 (ja) * | 2021-08-04 | 2024-05-23 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | パターン修正方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636227B2 (ja) * | 1973-10-17 | 1981-08-22 | ||
| JPS5654439A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Fujitsu Ltd | Hard mask correcting method |
| JPS5670554A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-12 | Fujitsu Ltd | Mask pattern correction method |
-
1980
- 1980-12-29 JP JP18723880A patent/JPS57112018A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57112018A (en) | 1982-07-12 |
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