JPH03260989A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPH03260989A JPH03260989A JP2057961A JP5796190A JPH03260989A JP H03260989 A JPH03260989 A JP H03260989A JP 2057961 A JP2057961 A JP 2057961A JP 5796190 A JP5796190 A JP 5796190A JP H03260989 A JPH03260989 A JP H03260989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- memory device
- axis direction
- bubble memory
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、イオン打ち込み転送路を備えた磁気バブルメ
モリデバイスに係り、特に磁気バブルを記録情報として
蓄積するマイナループ転送路のパタン形状に改良を加え
た磁気バブルメモリデバイスに関する。
モリデバイスに係り、特に磁気バブルを記録情報として
蓄積するマイナループ転送路のパタン形状に改良を加え
た磁気バブルメモリデバイスに関する。
［従来の技術］
磁気バブルメモリデバイスの基本構成要素である磁気バ
ブル転送路として、従来のパーマロイ転送路パタンに替
わり、イオン打ち込み方式転送路パタンを使用すること
が知られており、メモリデバイスの高集積化が実現でき
るものとして期待されている。イオン打ち込み方式転送
路は第４図に例示したような構造をしている。同図にお
いて１は、磁気バブルを発生し得る磁気バブルの媒体で
ある。これは、例えば、磁性ガーネット膜の如き磁性膜
であり、この中に磁気バブルＢが存在する。
ブル転送路として、従来のパーマロイ転送路パタンに替
わり、イオン打ち込み方式転送路パタンを使用すること
が知られており、メモリデバイスの高集積化が実現でき
るものとして期待されている。イオン打ち込み方式転送
路は第４図に例示したような構造をしている。同図にお
いて１は、磁気バブルを発生し得る磁気バブルの媒体で
ある。これは、例えば、磁性ガーネット膜の如き磁性膜
であり、この中に磁気バブルＢが存在する。
この磁性膜１の表面に、Ｈ２１）Ｈｅ”、Ｎｅ＋等のイ
オンを選択的に打ち込むことにより、バブル（以下、磁
気バブルを単にバブルと略す）転送路］０を形成する。
オンを選択的に打ち込むことにより、バブル（以下、磁
気バブルを単にバブルと略す）転送路］０を形成する。
１（ｌの外部領域■２がイオンの打ち込まれる領域であ
る。
る。
外部から、この膜に垂直な方向にバイアス磁界ＨＢを加
えることで、磁気バブルＢを安定に存在させる。磁気バ
ブルの転送は、外部からこの膜の面内で回転する回転磁
界Ｉ（Ｒを加えることで行う。
えることで、磁気バブルＢを安定に存在させる。磁気バ
ブルの転送は、外部からこの膜の面内で回転する回転磁
界Ｉ（Ｒを加えることで行う。
回転磁界Ｉ（Ｒによりイオンの打ち込み領域Ｉ２を磁化
し、バブル転送路１０の境界にバブル吸引磁極を発生す
ることにより、バブルを転送路１０の境界に沿って転送
する。回転磁界ＨＲが反時剖回りに回転する場合、バブ
ルの転送方向は矢印Ｐ方向である。
し、バブル転送路１０の境界にバブル吸引磁極を発生す
ることにより、バブルを転送路１０の境界に沿って転送
する。回転磁界ＨＲが反時剖回りに回転する場合、バブ
ルの転送方向は矢印Ｐ方向である。
第４図中のバブル転送路１０は、磁気バブルメモリデバ
イスにおいては、多数個並列に並べて形成し、情報を記
憶するマイナループｍとして利用する。実際のデバイス
では、第５図に転送路を模式的に示すように、このマイ
ナループｍの他に、情報の入出力路を形成するメジャー
ラインＭが、マイナループｍに直交する方向に形成され
る。なお、同図のＥは、マイナループｍの外回りコーナ
部を示す。
イスにおいては、多数個並列に並べて形成し、情報を記
憶するマイナループｍとして利用する。実際のデバイス
では、第５図に転送路を模式的に示すように、このマイ
ナループｍの他に、情報の入出力路を形成するメジャー
ラインＭが、マイナループｍに直交する方向に形成され
る。なお、同図のＥは、マイナループｍの外回りコーナ
部を示す。
第４図において、さらにバブル磁性膜１は軸対称の結晶
軸方位を有しており、マイナループｍのバブル転送方向
４ｉ［１１Ａは、ストライプ容易軸方向の［１１２］に
一致させるように従来から行われてきた。
軸方位を有しており、マイナループｍのバブル転送方向
４ｉ［１１Ａは、ストライプ容易軸方向の［１１２］に
一致させるように従来から行われてきた。
ストライプ容易軸方向の［■■２１は、磁性膜の結晶方
位［１１２１，［１２１コ、［２１１］を総称する記号
である。
位［１１２１，［１２１コ、［２１１］を総称する記号
である。
なお、この種のイオン打ち込み転送路は、例えばアイ・
イー・イー・イー・トランザアクション・オン・マグネ
チックス、エムエージ−〔ＩＥ３Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ
ｎ、、ＭＡＧ−１３，Ｎｏ、６ （１，９７７） Ｐ、
１７４４〜１．７６４１などで知られている。
イー・イー・イー・トランザアクション・オン・マグネ
チックス、エムエージ−〔ＩＥ３Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ
ｎ、、ＭＡＧ−１３，Ｎｏ、６ （１，９７７） Ｐ、
１７４４〜１．７６４１などで知られている。
［発明が解決しようとする問題点］
このような磁気バブルメモリデバイスを実現するために
は、磁気バブルを安定に転送できるマイ３− ナループｍ及びメジャーラインＭを実現することが基本
である。このために、従来からもイオン打ち込みのプロ
セス条件や転送路パタン形状を各種変えた検討がなされ
てきた。
は、磁気バブルを安定に転送できるマイ３− ナループｍ及びメジャーラインＭを実現することが基本
である。このために、従来からもイオン打ち込みのプロ
セス条件や転送路パタン形状を各種変えた検討がなされ
てきた。
この結果、第６図に示すようなストライプ困難軸方向［
１１２ｍから容易軸方向の［■■２］へ折り返す外回り
コーナにおいて、動作バイアス磁界マージンの下限側が
、第７図に示すように直線転送路に比べ狭く（２５℃）
、また、低温側（−４０’Ｃ〜０℃）で極端に悪くなり
実用化に必要十分な安定した転送特性が得られていない
状況である。なお、第６図は、第５図に示した外回りコ
ーナＥの拡大図を、そして第７図は、その動作バイアス
磁界マージンの特性図をそれぞれ示したものである。
１１２ｍから容易軸方向の［■■２］へ折り返す外回り
コーナにおいて、動作バイアス磁界マージンの下限側が
、第７図に示すように直線転送路に比べ狭く（２５℃）
、また、低温側（−４０’Ｃ〜０℃）で極端に悪くなり
実用化に必要十分な安定した転送特性が得られていない
状況である。なお、第６図は、第５図に示した外回りコ
ーナＥの拡大図を、そして第７図は、その動作バイアス
磁界マージンの特性図をそれぞれ示したものである。
本発明者等の検討によれば、この外回りコーナにおける
動作バイアス磁界マージンの低下は、イオン打込み方式
転送路特有の問題であり、第６図についてさらに具体的
に説明する。バブルの転送方向は矢印Ｐで示した通りあ
り、転送路の直線部分Ｐ３）Ｐ、においては、問題ない
が、角のコーナ４ 部分Ｐ２）Ｐ３において著しく特性低下をきたし、バブ
ルの転送が止まったり、隣接する他のループに飛び移る
等の問題があった。
動作バイアス磁界マージンの低下は、イオン打込み方式
転送路特有の問題であり、第６図についてさらに具体的
に説明する。バブルの転送方向は矢印Ｐで示した通りあ
り、転送路の直線部分Ｐ３）Ｐ、においては、問題ない
が、角のコーナ４ 部分Ｐ２）Ｐ３において著しく特性低下をきたし、バブ
ルの転送が止まったり、隣接する他のループに飛び移る
等の問題があった。
したがって、本発明の目的は、この従来のマイナループ
ｍの外回りコーナにおける動作バイアス磁界マージンが
狭くなる問題点を解消することにあり、広い温度範囲に
わたり安定した転送特性の得られる改良されたマイナル
ープｍを備えた磁気バブルメモリデバイスを提供するこ
とにある。
ｍの外回りコーナにおける動作バイアス磁界マージンが
狭くなる問題点を解消することにあり、広い温度範囲に
わたり安定した転送特性の得られる改良されたマイナル
ープｍを備えた磁気バブルメモリデバイスを提供するこ
とにある。
［問題点を解決するための手段］
上記本発明の目的は、
（１） イオン打ち込み転送路を備えた磁気バブルメ
モリデバイスにおいて、 ストライプ困難軸方向［１１
２］から容易軸方向［２］へ折り返すマイナループの外
回り転送路コーナのパタン形状を、転送路の主たる直線
状転送路部分に対し傾斜角Ｏを設けて傾斜させて威る磁
気バブルメモリデバイスにより、そして、好ましくは、 （２） イオン打ち込み転送路を備えた磁気バブルメ
モリデバイスにおいて、 ストライプ困難軸方向［１１
２］から容易軸方向［■■２］へ折り返すマイナループ
の外回り転送路コーナのパタン形状を、転送路の主たる
直線状転送路部分に対し少なくとも３ビット分の転送路
を傾斜角０＝１０゜〜４５°、さらに好ましくは１５゜
〜３０°に傾斜させて設けて成る磁気バブルメモリデバ
イスにより、また、（３） イオン打ち込み転送路を
備えた磁気バブルメモリデバイスにおいて、 ストライ
プ困難軸方向［１１２］から容易軸方向［■■２１へ折
り返すマイナループの外回り転送路コーナのパタン形状
を、■字形として成る磁気バブルメモリデバイスにより
、遠戚される。
モリデバイスにおいて、 ストライプ困難軸方向［１１
２］から容易軸方向［２］へ折り返すマイナループの外
回り転送路コーナのパタン形状を、転送路の主たる直線
状転送路部分に対し傾斜角Ｏを設けて傾斜させて威る磁
気バブルメモリデバイスにより、そして、好ましくは、 （２） イオン打ち込み転送路を備えた磁気バブルメ
モリデバイスにおいて、 ストライプ困難軸方向［１１
２］から容易軸方向［■■２］へ折り返すマイナループ
の外回り転送路コーナのパタン形状を、転送路の主たる
直線状転送路部分に対し少なくとも３ビット分の転送路
を傾斜角０＝１０゜〜４５°、さらに好ましくは１５゜
〜３０°に傾斜させて設けて成る磁気バブルメモリデバ
イスにより、また、（３） イオン打ち込み転送路を
備えた磁気バブルメモリデバイスにおいて、 ストライ
プ困難軸方向［１１２］から容易軸方向［■■２１へ折
り返すマイナループの外回り転送路コーナのパタン形状
を、■字形として成る磁気バブルメモリデバイスにより
、遠戚される。
［作用コ
ストライプ困難軸方向［１，１２１から容易軸方向［１
１２］へ折り返すマイナループｍの外回りコーナにおい
て、バブルが直線転送路Ｐ□から入って来るＰ２側と、
Ｐ３から直線転送路Ｐ４に出て行く側の少なくとも一方
の３ビット以上を直線転送路Ｐ□、Ｐ４に対し傾け、そ
の傾き角０をＯ’ ＜Ｏ＜９０’ 、実用上好ましくは
１０°≦Ｏ≦４５°、さらに好ましくは１５°≦０≦３
０°にする。これにより、隣接するマイナループの外回
りコーナ間における距離を徐々に遠ざけ、急激な磁化の
変化をやわらげることにより、動作バイアス磁界マージ
ンの下限でバブルが隣接ループ間に飛び移るエラーおよ
びトラップエラー等が防止される。
１２］へ折り返すマイナループｍの外回りコーナにおい
て、バブルが直線転送路Ｐ□から入って来るＰ２側と、
Ｐ３から直線転送路Ｐ４に出て行く側の少なくとも一方
の３ビット以上を直線転送路Ｐ□、Ｐ４に対し傾け、そ
の傾き角０をＯ’ ＜Ｏ＜９０’ 、実用上好ましくは
１０°≦Ｏ≦４５°、さらに好ましくは１５°≦０≦３
０°にする。これにより、隣接するマイナループの外回
りコーナ間における距離を徐々に遠ざけ、急激な磁化の
変化をやわらげることにより、動作バイアス磁界マージ
ンの下限でバブルが隣接ループ間に飛び移るエラーおよ
びトラップエラー等が防止される。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面により説明する。
実施例１゜
第１図は、本発明による実施例の一例を示すマイナルー
プｍの外回りコーナ部パタンの平面図であり、ストライ
プ困難軸方向［：１．１２］から容易軸方向［１１２］
へ折り返す外回りコーナのバブルが直線転送路Ｐ□から
Ｐ２に入って来る側とコーナのＰ３から直線転送路Ｐ４
に出て行く側ともに直線転送路に対し、０（＝１０°、
１５°、２０°、３０″′、４０°）傾いたＶ字型の外
回りコーナである。従来の外回りコーナは、隣接するマ
イナループ間の距離が近いため、バブルが隣のループに
飛び移り易くマージンが狭くなる。しかし、本実施例の
Ｖ字型の外７− 回すコーナは、隣接ループとの距離が徐々に遠くなるた
め、隣のループへのバブルの飛び移りエラーを、また、
隣接ループからの影響が少なくなりトラップエラーを、
それぞれ防止することができる。
プｍの外回りコーナ部パタンの平面図であり、ストライ
プ困難軸方向［：１．１２］から容易軸方向［１１２］
へ折り返す外回りコーナのバブルが直線転送路Ｐ□から
Ｐ２に入って来る側とコーナのＰ３から直線転送路Ｐ４
に出て行く側ともに直線転送路に対し、０（＝１０°、
１５°、２０°、３０″′、４０°）傾いたＶ字型の外
回りコーナである。従来の外回りコーナは、隣接するマ
イナループ間の距離が近いため、バブルが隣のループに
飛び移り易くマージンが狭くなる。しかし、本実施例の
Ｖ字型の外７− 回すコーナは、隣接ループとの距離が徐々に遠くなるた
め、隣のループへのバブルの飛び移りエラーを、また、
隣接ループからの影響が少なくなりトラップエラーを、
それぞれ防止することができる。
第２図に従来の外回りコーナ（０＝９０°）と、本発明
のＶ字型の外回リコーナ（Ｐ２）ｐａ）の動作バイアス
磁界マージンを直線転送路部分（ ｐ ｔ、Ｐ４）と比
較した結果を示す。本実施例の特に好ましいθ＝２０°
によれば、外回りコーナのＨａ下限が、直線転送路のそ
れと同等の特性を得ている。
のＶ字型の外回リコーナ（Ｐ２）ｐａ）の動作バイアス
磁界マージンを直線転送路部分（ ｐ ｔ、Ｐ４）と比
較した結果を示す。本実施例の特に好ましいθ＝２０°
によれば、外回りコーナのＨａ下限が、直線転送路のそ
れと同等の特性を得ている。
実施例２。
第３図は、本発明による他の実施例の一例を示すマイナ
ループｍの外回りコーナ部パタンの平面図であり、θ＝
１８°の傾斜を有する台形状の外回りコーナである。こ
の例では、コーナにおいて隣接するマイナループｍ間の
距離を徐々に遠くすると共にコーナ部がカットされてい
るので、第１図の実施例よりもチップ面積を小さくする
ことができる。この場合も実施例１の第２図に示したと
同様に、Ｈ．下限の直線転送路に対するマージンのロス
量を殆ど無くすことができた。
ループｍの外回りコーナ部パタンの平面図であり、θ＝
１８°の傾斜を有する台形状の外回りコーナである。こ
の例では、コーナにおいて隣接するマイナループｍ間の
距離を徐々に遠くすると共にコーナ部がカットされてい
るので、第１図の実施例よりもチップ面積を小さくする
ことができる。この場合も実施例１の第２図に示したと
同様に、Ｈ．下限の直線転送路に対するマージンのロス
量を殆ど無くすことができた。
［効果コ
本発明によれば、ストライプ困難軸方向［１１２］から
容易軸方向［１１２：］へ折り返すマイナループの外回
りコーナのバブルが直線転送路から入って来る側と直線
転送路に出て行く側の少なくとも一方の転送路を、直線
転送路に対しθ角傾けることで、隣接ループとの距離が
徐々に遠くなり、飛び移りエラーとトラップエラーとを
防止する効果がある。
容易軸方向［１１２：］へ折り返すマイナループの外回
りコーナのバブルが直線転送路から入って来る側と直線
転送路に出て行く側の少なくとも一方の転送路を、直線
転送路に対しθ角傾けることで、隣接ループとの距離が
徐々に遠くなり、飛び移りエラーとトラップエラーとを
防止する効果がある。
第１図及び第３図は、本発明のそれぞれ異なる実施例を
示すマイナループ外回りコーナ部のパタン平面図、第２
図は外回りコーナ部のバイアス磁界マージン特性につい
て、従来のパタンの特性と本発明のそれとを比較して示
したバイアス磁界マージン特性図、第４図はイオン打込
み方式の転送路構造を示す一部断面要部斜視図、従来の
外回りにおける転送特性を示す図、第５図及び第６図は
それぞれ従来の外回りコーナパタンとバブルの転送方向
を示す転送路模式図、そして第７図は従来のバイアス磁
界マージンを説明する特性図である。 く符号の説明〉 １０・・・イオン打込み方式バブル転送路上２・・・イ
オン打込み領域 Ｂ ・・・磁気バブル Ｐ ・・・バブル転送方向 ＨＲ・・・回転磁界 ＨＦ３・・・バイアス磁界 Ｏ・・・傾斜角。
示すマイナループ外回りコーナ部のパタン平面図、第２
図は外回りコーナ部のバイアス磁界マージン特性につい
て、従来のパタンの特性と本発明のそれとを比較して示
したバイアス磁界マージン特性図、第４図はイオン打込
み方式の転送路構造を示す一部断面要部斜視図、従来の
外回りにおける転送特性を示す図、第５図及び第６図は
それぞれ従来の外回りコーナパタンとバブルの転送方向
を示す転送路模式図、そして第７図は従来のバイアス磁
界マージンを説明する特性図である。 く符号の説明〉 １０・・・イオン打込み方式バブル転送路上２・・・イ
オン打込み領域 Ｂ ・・・磁気バブル Ｐ ・・・バブル転送方向 ＨＲ・・・回転磁界 ＨＦ３・・・バイアス磁界 Ｏ・・・傾斜角。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）イオン打ち込み転送路を備えた磁気バブルメモリデ
バイスにおいて、ストライプ困難軸方向［１１■］から
容易軸方向［■■２］へ折り返すマイナループの外回り
転送路コーナのパタン形状を、転送路の主たる直線状転
送路部分に対し傾斜角θを設けて傾斜させて成る磁気バ
ブルメモリデバイス。 ２）イオン打ち込み転送路を備えた磁気バブルメモリデ
バイスにおいて、ストライプ困難軸方向［１１■］から
容易軸方向［■■２］へ折り返すマイナループの外回り
転送路コーナのパタン形状を、転送路の主たる直線状転
送路部分に対し少なくとも３ビット分の転送路を傾斜角
θ＝１０゜〜４５゜に傾斜させて設けて成る磁気バブル
メモリデバイス。 ３）イオン打ち、込み転送路を備えた磁気バブルメモリ
デバイスにおいて、ストライプ困難軸方向［１１■］か
ら容易軸方向［■■２］へ折り返すマイナループの外回
り転送路コーナのパタン形状を、Ｖ字形として成る磁気
バブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057961A JPH03260989A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057961A JPH03260989A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03260989A true JPH03260989A (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=13070610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057961A Pending JPH03260989A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03260989A (ja) |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP2057961A patent/JPH03260989A/ja active Pending
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