JPH02305014A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH02305014A JPH02305014A JP12601389A JP12601389A JPH02305014A JP H02305014 A JPH02305014 A JP H02305014A JP 12601389 A JP12601389 A JP 12601389A JP 12601389 A JP12601389 A JP 12601389A JP H02305014 A JPH02305014 A JP H02305014A
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特に、ＧＧＧ （ガドリ
ニウム、ガリウム、ガーネット）基板とＧＧＧ基板の一
方主面に形成されるＹＩＧ （イツトリウム、アイアン
、ガーネット）薄膜とを有し、たとえばフィルタ、発振
子、遅延線などとして用いられる、静磁波装置に関する
。
ニウム、ガリウム、ガーネット）基板とＧＧＧ基板の一
方主面に形成されるＹＩＧ （イツトリウム、アイアン
、ガーネット）薄膜とを有し、たとえばフィルタ、発振
子、遅延線などとして用いられる、静磁波装置に関する
。
（従来技術）
第５図および第６図は、それぞれ、従来の静磁波装置の
一例を示す図解図および他の例を示す斜視図である。
一例を示す図解図および他の例を示す斜視図である。
第５図に示す静磁波装置１では、短冊状のＧＧＧ基板２
の一方主面にＹＩＧ薄膜３が形成され、そのＹＩＧ薄膜
３の主面上に２つの入出力アンテナ４ａおよび４ｂが間
隔を隔てて形成されている。
の一方主面にＹＩＧ薄膜３が形成され、そのＹＩＧ薄膜
３の主面上に２つの入出力アンテナ４ａおよび４ｂが間
隔を隔てて形成されている。
また、第６図に示す静磁波装置１では、第５図に示す従
来例と比べて、さらに、エネルギーを効率よく閉じ込め
てＱ値を高めるための２つの円板状の共振子電極５ａお
よび５ｂが、入出力アンテナ４ａおよび４ｂＩ？ｌでＹ
ＩＧ薄膜３の一方主面に形成されている。
来例と比べて、さらに、エネルギーを効率よく閉じ込め
てＱ値を高めるための２つの円板状の共振子電極５ａお
よび５ｂが、入出力アンテナ４ａおよび４ｂＩ？ｌでＹ
ＩＧ薄膜３の一方主面に形成されている。
これらの静磁波装置ｌは、そのＧＧＧ基板２がアース金
属板６上に配置される。そして、これらの静磁波装置で
は、ＹＩＧ薄膜３に垂直に直流磁界を印加し一方の入出
力アンテナ４ａに信号を入力すれば、一方の人出力ンテ
ナ４ａから他方の入出力アンテナ４ｂに体積前進静磁波
（ＭＳＦＶＷ）が伝搬され、他方の入出力アンテナ４ｂ
から信号が出力される。
属板６上に配置される。そして、これらの静磁波装置で
は、ＹＩＧ薄膜３に垂直に直流磁界を印加し一方の入出
力アンテナ４ａに信号を入力すれば、一方の人出力ンテ
ナ４ａから他方の入出力アンテナ４ｂに体積前進静磁波
（ＭＳＦＶＷ）が伝搬され、他方の入出力アンテナ４ｂ
から信号が出力される。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、これらの従来例では、ＧＧＧ基板をアース金
属板に固定することが困難であってそれがアース金属板
上に配置されているだけであるので、ＧＧＧ基板とアー
ス金属板との間の距離が変化しやすい。そして、その距
離が変化すると、エネルギーを閉じ込める効率が変わる
ので、Ｑ値が変化してしまう。そのため、従来例では、
いずれも、Ｑ値が不安定である。
属板に固定することが困難であってそれがアース金属板
上に配置されているだけであるので、ＧＧＧ基板とアー
ス金属板との間の距離が変化しやすい。そして、その距
離が変化すると、エネルギーを閉じ込める効率が変わる
ので、Ｑ値が変化してしまう。そのため、従来例では、
いずれも、Ｑ値が不安定である。
それゆえに、この発明の主たる目的は、Ｑ値の安定性の
よい、静磁波装置を提供することである。
よい、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、ＧＧＧ基板と、ＧＧＧ基板の一方主面に形
成されるＹＩＧ薄膜と、ＹｉＧ薄膜の主面上に形成され
る入出力アンテナと、ＧＧＧ基板の他方主面に形成され
るアース電極とを含む、静磁波装置である。
成されるＹＩＧ薄膜と、ＹｉＧ薄膜の主面上に形成され
る入出力アンテナと、ＧＧＧ基板の他方主面に形成され
るアース電極とを含む、静磁波装置である。
（作用）
ＧＧＧ基板の他方主面にアース電極が形成されているた
め、エネルギーを閉じ込める効率がほとんど変わらない
。
め、エネルギーを閉じ込める効率がほとんど変わらない
。
（発明の効果）
この発明によれば、エネルギーを閉し込める効率がほと
んど変わらないので、Ｑ（ｉの安定性のよい静磁波装置
が得られる。
んど変わらないので、Ｑ（ｉの安定性のよい静磁波装置
が得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。この
静磁波装置１０ば、たとえば矩形板状のＧＧＧ基板１２
を含む。
静磁波装置１０ば、たとえば矩形板状のＧＧＧ基板１２
を含む。
ＧＧＧ基板１２の一方主面には、たとえば液相法などの
方法でＹＩＧ単結晶をエピタキシャル成長させることに
よって、ＹＩＧ薄膜１４が形成される。さらに、ＹＩＧ
薄膜１４の主面上には、その長手方向の一端側および他
端側でそれを横切るようにして、入出力アンテナ１６ａ
および１６ｂが、それぞれ形成される。
方法でＹＩＧ単結晶をエピタキシャル成長させることに
よって、ＹＩＧ薄膜１４が形成される。さらに、ＹＩＧ
薄膜１４の主面上には、その長手方向の一端側および他
端側でそれを横切るようにして、入出力アンテナ１６ａ
および１６ｂが、それぞれ形成される。
また、ＧＧＧ基板１２の他方主面には、たとえば銀など
の導電材料で、たとえばスパンタリング、蒸着、めっき
などの方法によって、アース電極１８が形成される。
の導電材料で、たとえばスパンタリング、蒸着、めっき
などの方法によって、アース電極１８が形成される。
そして、この静磁波装置ｌＯは、たとえば金属からなる
ケース２０内に固定される。この場合、静磁波装置１０
のアース電極１Ｂが、ケース２０の底板２０ａ上に、た
とえばはんだ付け、ろう付けなどの方法で固定される。
ケース２０内に固定される。この場合、静磁波装置１０
のアース電極１Ｂが、ケース２０の底板２０ａ上に、た
とえばはんだ付け、ろう付けなどの方法で固定される。
この静磁波装置１０では、ＧＧＧ基板１２の他方主面に
アース電極１日が形成されているため、安定した７−ス
をとることができ、そのため、Ｑ値の安定性がよい。
アース電極１日が形成されているため、安定した７−ス
をとることができ、そのため、Ｑ値の安定性がよい。
さらに、この静磁波装置１０をたとえばケースなどの金
属板に固定する際には、アース電極１８を金属板にたと
えばはんだ付け、ろう付けなどの方法で固定することが
できるので、容易にかつ強固に固定することができる。
属板に固定する際には、アース電極１８を金属板にたと
えばはんだ付け、ろう付けなどの方法で固定することが
できるので、容易にかつ強固に固定することができる。
また、この静磁波装置１０では、アース電極１８をたと
えば銀などの導電率の高い材料で形成した場合、それを
固定するためのたとえばケースなどの金属板が導電率の
低い材料で形成されていても、Ｑ値などの特性がほとん
ど変わらない。
えば銀などの導電率の高い材料で形成した場合、それを
固定するためのたとえばケースなどの金属板が導電率の
低い材料で形成されていても、Ｑ値などの特性がほとん
ど変わらない。
なお、この静磁波装置１０は、たとえば、ＹＩＧ薄膜１
４の主面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そ
して、たとえば一方の入出力アンテナＬ６ａに信号を入
力すれば、その入出力アンテナ１６ａから発生する電磁
波などによって、体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起
される。また、この体積前進静磁波は、ＹＩＧ薄膜１４
上で他方の入出力アンテナ１６ｂ側に伝搬される。それ
から、伝搬された体積前進静磁波は、他方の入出力アン
テナ１６ｂで受信され、その入出力アンテナ１６ｂから
信号として出力される。
４の主面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そ
して、たとえば一方の入出力アンテナＬ６ａに信号を入
力すれば、その入出力アンテナ１６ａから発生する電磁
波などによって、体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起
される。また、この体積前進静磁波は、ＹＩＧ薄膜１４
上で他方の入出力アンテナ１６ｂ側に伝搬される。それ
から、伝搬された体積前進静磁波は、他方の入出力アン
テナ１６ｂで受信され、その入出力アンテナ１６ｂから
信号として出力される。
第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、第１図に示す実
施例の変形例を示し、第２Ａ図はその平面図であり、第
２Ｂ図はその正面図である。この実施例では、特に、Ｙ
ＩＧ基板１４の一方主面において２つの入出力アンテナ
１６ａおよび１６ｂ間に、２つの円板状の共振子電極２
２ａおよび２２ｂが形成されている。そのため、それら
の共振子電極２２ａおよび２２ｂによって、エネルギー
を閉じ込める効率が上がり、Ｑ値が高くなる。したがっ
て、この実施例では、安定した高いＱ値が得られる。
施例の変形例を示し、第２Ａ図はその平面図であり、第
２Ｂ図はその正面図である。この実施例では、特に、Ｙ
ＩＧ基板１４の一方主面において２つの入出力アンテナ
１６ａおよび１６ｂ間に、２つの円板状の共振子電極２
２ａおよび２２ｂが形成されている。そのため、それら
の共振子電極２２ａおよび２２ｂによって、エネルギー
を閉じ込める効率が上がり、Ｑ値が高くなる。したがっ
て、この実施例では、安定した高いＱ値が得られる。
第３図は第２Ａ図および第２Ｂ図に示す実施例の変形例
を示す正面図である。この実施例では、特に、ＧＧＧ基
板１２の他方主面側において、その長手方向の中間部を
横切るようにして、凹部１２ａが形成されている。そし
て、アース電極１８は、その凹部１２ａの表面を含むＧ
ＧＧ基板１２の他方主面に形成される。この実施例では
、ＧＧＧ基板１２の一部が薄くなるので、第２Ａ図およ
び第２Ｂ図に示す実施例と比べて、エネルギーを閉じ込
める効率がさらに高くなり、そのため、Ｑ値がさらに高
くなる。
を示す正面図である。この実施例では、特に、ＧＧＧ基
板１２の他方主面側において、その長手方向の中間部を
横切るようにして、凹部１２ａが形成されている。そし
て、アース電極１８は、その凹部１２ａの表面を含むＧ
ＧＧ基板１２の他方主面に形成される。この実施例では
、ＧＧＧ基板１２の一部が薄くなるので、第２Ａ図およ
び第２Ｂ図に示す実施例と比べて、エネルギーを閉じ込
める効率がさらに高くなり、そのため、Ｑ値がさらに高
くなる。
第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第４Ａ図はその正面図であり、第４Ｂ図
はその平面図である。この実施例では、ＧＧＧ基板１２
の他方主面側において、その長手方向に間隔を隔てて、
多数の溝１２ｂ、１２ｂ、 ・・が形成されている。
実施例を示し、第４Ａ図はその正面図であり、第４Ｂ図
はその平面図である。この実施例では、ＧＧＧ基板１２
の他方主面側において、その長手方向に間隔を隔てて、
多数の溝１２ｂ、１２ｂ、 ・・が形成されている。
そして、アース電極１８は、それらの溝１２ｂ、１２ｂ
、 ・・の表面を含むＧＧＧ基板１２の他方主面に形
成されている。この実施例のように、ＧＧＧ基板１２の
他方主面側に溝を形成し、溝の表面にもアース電極を形
成すれば、安定した高いＱ値を得ることができるだけで
なく、静磁波の分散特性をコントロールすることもでき
る。
、 ・・の表面を含むＧＧＧ基板１２の他方主面に形
成されている。この実施例のように、ＧＧＧ基板１２の
他方主面側に溝を形成し、溝の表面にもアース電極を形
成すれば、安定した高いＱ値を得ることができるだけで
なく、静磁波の分散特性をコントロールすることもでき
る。
なお、静磁波装置１０には、ＹＩＧ薄膜１４に対して平
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印
加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１４上には、表面
静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、ＹＩＣＦ
！膜１４に対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して
平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、Ｙ Ｉ
Ｇ薄膜１４上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が
伝搬される。このように、静磁波装置１０に印加する磁
界の方向を任意に変更してもよい。
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印
加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１４上には、表面
静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、ＹＩＣＦ
！膜１４に対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して
平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、Ｙ Ｉ
Ｇ薄膜１４上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が
伝搬される。このように、静磁波装置１０に印加する磁
界の方向を任意に変更してもよい。
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。
第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、第１図に示す実
施例の変形例を示し、第２Ａ図はその平面図であり、第
２Ｂ図はその正面図である。 第３図は第２Ａ図および第２Ｂ図に示す実施例の変形例
を示す正面図ある。 第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第４Ａ図はその正面図であり、第４Ｂ図
はその平面図である。 第５図および第６図は、それぞれ、従来の静磁波装置の
一例を示す図解図および他の例を示す斜視図である。 図において、１０は静磁波装置、１２はＧＧＧ基板、１
４はＹＩＧ薄膜、１６ａおよび１６ｂは入出力アンテナ
、１８はアース電極を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第５ 囚 ｚｏａ ２０ 第２Ａ図 第４８図
施例の変形例を示し、第２Ａ図はその平面図であり、第
２Ｂ図はその正面図である。 第３図は第２Ａ図および第２Ｂ図に示す実施例の変形例
を示す正面図ある。 第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第４Ａ図はその正面図であり、第４Ｂ図
はその平面図である。 第５図および第６図は、それぞれ、従来の静磁波装置の
一例を示す図解図および他の例を示す斜視図である。 図において、１０は静磁波装置、１２はＧＧＧ基板、１
４はＹＩＧ薄膜、１６ａおよび１６ｂは入出力アンテナ
、１８はアース電極を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第５ 囚 ｚｏａ ２０ 第２Ａ図 第４８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＧＧＧ基板、 前記ＧＧＧ基板の一方主面に形成されるＹＩＧ薄膜、 前記ＹＩＧ薄膜の主面上に形成される入出力アンテナ、
および 前記ＧＧＧ基板の他方主面に形成されるアース電極を含
む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126013A JP2660747B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126013A JP2660747B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305014A true JPH02305014A (ja) | 1990-12-18 |
| JP2660747B2 JP2660747B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=14924569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126013A Expired - Fee Related JP2660747B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660747B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379103A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Sony Corp | 薄膜強磁性共鳴共振子 |
| WO1999005751A1 (fr) * | 1997-07-24 | 1999-02-04 | Tdk Corporation | Dispositif d'ondes magnetostatiques |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02118325U (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-21 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP1126013A patent/JP2660747B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02118325U (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-21 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379103A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Sony Corp | 薄膜強磁性共鳴共振子 |
| WO1999005751A1 (fr) * | 1997-07-24 | 1999-02-04 | Tdk Corporation | Dispositif d'ondes magnetostatiques |
| US6114929A (en) * | 1997-07-24 | 2000-09-05 | Tdk Corporation | Magnetostatic wave device with specified distances between magnetic garnet film and ground conductors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2660747B2 (ja) | 1997-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |