JPH02305420A - 複合コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
複合コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPH02305420A JPH02305420A JP1127398A JP12739889A JPH02305420A JP H02305420 A JPH02305420 A JP H02305420A JP 1127398 A JP1127398 A JP 1127398A JP 12739889 A JP12739889 A JP 12739889A JP H02305420 A JPH02305420 A JP H02305420A
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- dielectric ceramic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
星！上旦且■豆Ｉ
本発明は、誘電体磁器基板に複数のコンデンサ素子が形
成された複合コンデンサおよびその製造方法に関する。
成された複合コンデンサおよびその製造方法に関する。
藍米公弦止
従来の複合コンデンサとしては、第３図に示すようなも
のが知られている。
のが知られている。
第３図ｆａｔ、ｆｂｌに示す複合コンデンサは、対向電
極として誘電体磁器基板１）の一面に複数個の個別電極
１２が、他面に共通電極１３が形成され、これら個別電
極１２、共通電極１３にはそれぞれリード端子１４がハ
ンダ付けされ、これら全体が絶縁性樹脂からなる外装置
５で被覆された構造となっている。
極として誘電体磁器基板１）の一面に複数個の個別電極
１２が、他面に共通電極１３が形成され、これら個別電
極１２、共通電極１３にはそれぞれリード端子１４がハ
ンダ付けされ、これら全体が絶縁性樹脂からなる外装置
５で被覆された構造となっている。
日が７゛シようとする課題
ところが上記の複合コンデンサでは、縁端効果の影響に
よって、両端部に近づく位置に形成されたコンデンサ素
子の静電容量が中央部に形成されたコンデンサ素子の静
電容量よりも小さくなるため、各コンデンサ素子間の静
電容量にバラツキが生じていた。
よって、両端部に近づく位置に形成されたコンデンサ素
子の静電容量が中央部に形成されたコンデンサ素子の静
電容量よりも小さくなるため、各コンデンサ素子間の静
電容量にバラツキが生じていた。
そこで、本発明は上記のような問題点に鑑みなされたも
のであって、複合コンデンサ内に形成される各コンデン
サ素子の静電容量のバラツキを少なくした複合コンデン
サおよびその製造方法を提供することを目的としている
。
のであって、複合コンデンサ内に形成される各コンデン
サ素子の静電容量のバラツキを少なくした複合コンデン
サおよびその製造方法を提供することを目的としている
。
課 を ゛するための Ｆ
上記目的を達成するため本発明は、誘電体磁器基板に複
数のコンデンサ素子が形成された複合コンデンサにおい
て、対向電極が前記誘電体磁器基板の一面に形成された
共通電極と他面に形成された個別電極とから構成される
と共に、これら個別電極が前記誘電体磁器基板に形成さ
れた低誘電率領域で分離されていることを特徴とする。
数のコンデンサ素子が形成された複合コンデンサにおい
て、対向電極が前記誘電体磁器基板の一面に形成された
共通電極と他面に形成された個別電極とから構成される
と共に、これら個別電極が前記誘電体磁器基板に形成さ
れた低誘電率領域で分離されていることを特徴とする。
また、複合コンデンサの製造方法において、成形体の表
面の一部にＡｌ２Ｏ，と５ｉｎ２とを含んだ金属ペース
トを塗布した後焼成して誘電体磁器基板となし、該誘電
体磁器基板の一面に共通電極材料を塗布し、且つ他面の
前記金属ペーストを塗布しなかった領域に個別電極材料
を塗布した後焼成して共通電極と個別電極を形成し、こ
の後、前記共通電極と個別電極とにそれぞれリード端子
を固着させることを特徴とする。
面の一部にＡｌ２Ｏ，と５ｉｎ２とを含んだ金属ペース
トを塗布した後焼成して誘電体磁器基板となし、該誘電
体磁器基板の一面に共通電極材料を塗布し、且つ他面の
前記金属ペーストを塗布しなかった領域に個別電極材料
を塗布した後焼成して共通電極と個別電極を形成し、こ
の後、前記共通電極と個別電極とにそれぞれリード端子
を固着させることを特徴とする。
■
上記複合コンデンサによれば、該複合コンデンサの基板
となる誘電体磁器基板の一面に共通電極が形成され、他
面に個別電極が形成されると共にこれら個別電極が、前
記誘電体磁器基板の低誘電率領域で分離されているので
、個々のコンデンサ素子の縁端効果が少なくなる。した
がって、前記複合コンデンサの各コンデンサ素子間の静
電容量のバラツキが小さくなる。
となる誘電体磁器基板の一面に共通電極が形成され、他
面に個別電極が形成されると共にこれら個別電極が、前
記誘電体磁器基板の低誘電率領域で分離されているので
、個々のコンデンサ素子の縁端効果が少なくなる。した
がって、前記複合コンデンサの各コンデンサ素子間の静
電容量のバラツキが小さくなる。
また、上記製造方法によれば、前記複合コンデンサの基
板となる誘電体磁器基板が、磁器成形体の表面の一部に
ＡｔａｏｓとＳｉＯ□とを含んだ金属ペーストを塗布し
た後焼成されており、このＡｌ２Ｏ３とＳｉＯｚＯ３と
５ｉＯａとを含んだ金属ペーストを塗布した領域には低
誘電率領域が形成される。そして、この誘電体磁器基板
の一面に共通電極材料を、他面の前記金属ペーストが塗
布されていない領域に個別電極材料を塗布して焼成する
ことにより、複合コンデンサが形成されるので、各コン
デンサ素子間の低誘電率領域が簡単かつ正確に形成され
ることとなる。
板となる誘電体磁器基板が、磁器成形体の表面の一部に
ＡｔａｏｓとＳｉＯ□とを含んだ金属ペーストを塗布し
た後焼成されており、このＡｌ２Ｏ３とＳｉＯｚＯ３と
５ｉＯａとを含んだ金属ペーストを塗布した領域には低
誘電率領域が形成される。そして、この誘電体磁器基板
の一面に共通電極材料を、他面の前記金属ペーストが塗
布されていない領域に個別電極材料を塗布して焼成する
ことにより、複合コンデンサが形成されるので、各コン
デンサ素子間の低誘電率領域が簡単かつ正確に形成され
ることとなる。
夾施ヨ
まず、本発明にかかる複合コンデンサの実施例を第１図
（Ａ）〜（Ｃ１に基づいて説明する。第１図ｆＡｌは
複合コンデンサの正面図、第１図ｆＢ）はｆＡ）におけ
るＢ−Ｂ、Ｉｔ！断面図、第１図（Ｃ１はｆＡｌにおけ
るＣ−Ｃ線断面図である。
（Ａ）〜（Ｃ１に基づいて説明する。第１図ｆＡｌは
複合コンデンサの正面図、第１図ｆＢ）はｆＡ）におけ
るＢ−Ｂ、Ｉｔ！断面図、第１図（Ｃ１はｆＡｌにおけ
るＣ−Ｃ線断面図である。
第１図において誘電体磁器基板３１は、ＡｌｔｏｓとＳ
ｉＯ□とを含む金属ペーストを用いて半導体化を経ない
で焼結体になった部分（低誘電率領域４０）と、半導体
化を経て焼結体となった部分とから形成されており、半
導体化された部分は結晶粒径の大きな領域となり、非半
導体化部分は結晶粒径の小さな領域となっている。（第
１図（Ｂ）、（Ｃ１参照）、そして、誘電体磁器基板３
１の一面にはその略全面にわたって共通電極３２が形成
され、他面には複数個の個別電極３３が形成されている
。また共通電極３２、個別電極３３にはそれぞれリード
端子３４が固着されており、これら誘電体磁器基板３１
、共通電極３２、個別電極３３、リード端子３４の全体
が絶縁性樹脂からなる外装３５で被覆されている。
ｉＯ□とを含む金属ペーストを用いて半導体化を経ない
で焼結体になった部分（低誘電率領域４０）と、半導体
化を経て焼結体となった部分とから形成されており、半
導体化された部分は結晶粒径の大きな領域となり、非半
導体化部分は結晶粒径の小さな領域となっている。（第
１図（Ｂ）、（Ｃ１参照）、そして、誘電体磁器基板３
１の一面にはその略全面にわたって共通電極３２が形成
され、他面には複数個の個別電極３３が形成されている
。また共通電極３２、個別電極３３にはそれぞれリード
端子３４が固着されており、これら誘電体磁器基板３１
、共通電極３２、個別電極３３、リード端子３４の全体
が絶縁性樹脂からなる外装３５で被覆されている。
第１図（Ｂｌ は誘電体磁器基板３１が磁器成形体の表
面にＡｌａＯａとＳｉＯ□とを含んだ金属ペーストが塗
布されずに焼成され、結晶粒径が大きくなった領域を示
している。
面にＡｌａＯａとＳｉＯ□とを含んだ金属ペーストが塗
布されずに焼成され、結晶粒径が大きくなった領域を示
している。
また、第１図（Ｃ１は誘電体磁器基板３１が磁器成形体
の表面にＡ２□０．とＳｉＯ□とを含んだ金属ペースト
が塗布された後に焼成され、磁器成形体が半導体化を経
ないで焼結体となった部分であって結晶粒径が小さくな
った領域を示している。
の表面にＡ２□０．とＳｉＯ□とを含んだ金属ペースト
が塗布された後に焼成され、磁器成形体が半導体化を経
ないで焼結体となった部分であって結晶粒径が小さくな
った領域を示している。
誘電体磁器基板の形成にはＢａＴｉＯｓ 、 ＳｒＴｉ
Ｏ３、ＭｇＴｉＯｓ、 （Ｂａ、Ｓｒｌ （Ｔｉ、５
ｎｌＯｓ系複合酸化物、（Ｂａ、Ｔｉｌ Ｔｉｅ、系複
合酸化物、ｆＭｇ、 Ｓｒ、 Ｃａｌ Ｔｉｅｓ系複合
酸化物、（Ｓｒ、 Ｐｂｌ Ｔｉｅｓ系複合酸化物、（
Ｓｒ、 Ｃａｌ Ｔｉｅｓ系複合化合物、Ｆｅａｒｓ
、２ｎＯ、Ｓｉ、Ｎ４などの誘電体成分の１種又は２種
以上が磁器材料の主原料として用いられている。
Ｏ３、ＭｇＴｉＯｓ、 （Ｂａ、Ｓｒｌ （Ｔｉ、５
ｎｌＯｓ系複合酸化物、（Ｂａ、Ｔｉｌ Ｔｉｅ、系複
合酸化物、ｆＭｇ、 Ｓｒ、 Ｃａｌ Ｔｉｅｓ系複合
酸化物、（Ｓｒ、 Ｐｂｌ Ｔｉｅｓ系複合酸化物、（
Ｓｒ、 Ｃａｌ Ｔｉｅｓ系複合化合物、Ｆｅａｒｓ
、２ｎＯ、Ｓｉ、Ｎ４などの誘電体成分の１種又は２種
以上が磁器材料の主原料として用いられている。
次に本実施例に係る複合コンデンサの製造方法を第２図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
５ｒＴｉＯｉ系を主成分とする主原料に、基板を半導体
化するための半導体化剤−としてＮｂ２Ｏ５，Ｙ２Ｏ３
などを０．１〜０．５ｍｏ１％、磁器の性質の改良や特
性の安定化などを図る焼成助剤としてＣｕＯｌＭｎＯ２
などを０．０５〜０．４ｍｏ１％程度含有させる。これ
らの原料を混合し、バインダ、水、分散剤とともに混練
した後、押し出し成形法やプレス加工などによりシート
状に成形する。このシート状の成形体に複合コンデンサ
が所定の大きさとなるような深さのスリット加工を施し
、この後、所定の寸法に切断する。次に所定の大きさに
切断された成形体３６にＡｆｆ２０３とＳｉＯ□とを含
む金属ペースト３７を塗布する（第２図師、）、（ｂ＋
１ 参照） −コノＡｔｚＯｓ と５１０２とを含む金
属ペースト３７を塗布した成形体３６を還元雰囲気中（
Ｈ２： １−１５ｍｏ１％、Ｎｇ：９９〜８５ｍｏ１％
）で最高温度１４００〜１５４０℃で４〜６時間焼成（
１次焼成）を行ない、ＡｌｚＯｓとＳｉＯ□とを含む金
属ペースト３７を塗布しない領域を半導体化させる。さ
らに、Ｂｉａｓｓ、Ｃｕｂ、ＮａｚＯなどの混合ペース
トを塗布し、１０００〜１３００℃の空気中で熱処理を
行ない誘電体磁器基板３１を得る。この熱処理により、
誘電体磁器基板３１中の結晶間に絶縁化成分のイオンが
拡散し、結晶粒界が絶縁化される。ただし、成形体３６
にＡｃ、Ｏｓと５ｉｎ２とを含む金属ペースト３７を塗
布した領域は１次焼成後、結晶粒が成長せず、結晶粒径
は２〜４μｍであり、誘電率の低い（３００〜１０００
程度）領域４０が形成されている（第２図（ａ２）、（
ｂ２）の陰影部）。
化するための半導体化剤−としてＮｂ２Ｏ５，Ｙ２Ｏ３
などを０．１〜０．５ｍｏ１％、磁器の性質の改良や特
性の安定化などを図る焼成助剤としてＣｕＯｌＭｎＯ２
などを０．０５〜０．４ｍｏ１％程度含有させる。これ
らの原料を混合し、バインダ、水、分散剤とともに混練
した後、押し出し成形法やプレス加工などによりシート
状に成形する。このシート状の成形体に複合コンデンサ
が所定の大きさとなるような深さのスリット加工を施し
、この後、所定の寸法に切断する。次に所定の大きさに
切断された成形体３６にＡｆｆ２０３とＳｉＯ□とを含
む金属ペースト３７を塗布する（第２図師、）、（ｂ＋
１ 参照） −コノＡｔｚＯｓ と５１０２とを含む金
属ペースト３７を塗布した成形体３６を還元雰囲気中（
Ｈ２： １−１５ｍｏ１％、Ｎｇ：９９〜８５ｍｏ１％
）で最高温度１４００〜１５４０℃で４〜６時間焼成（
１次焼成）を行ない、ＡｌｚＯｓとＳｉＯ□とを含む金
属ペースト３７を塗布しない領域を半導体化させる。さ
らに、Ｂｉａｓｓ、Ｃｕｂ、ＮａｚＯなどの混合ペース
トを塗布し、１０００〜１３００℃の空気中で熱処理を
行ない誘電体磁器基板３１を得る。この熱処理により、
誘電体磁器基板３１中の結晶間に絶縁化成分のイオンが
拡散し、結晶粒界が絶縁化される。ただし、成形体３６
にＡｃ、Ｏｓと５ｉｎ２とを含む金属ペースト３７を塗
布した領域は１次焼成後、結晶粒が成長せず、結晶粒径
は２〜４μｍであり、誘電率の低い（３００〜１０００
程度）領域４０が形成されている（第２図（ａ２）、（
ｂ２）の陰影部）。
一方、Ａｇ２Ｏ，とＳｉＯ□とを含む金属ペースト３７
を塗布しなかった領域は結晶粒径５０〜１００μｍに成
長し、誘電率５０．０００〜１５０．０００と誘電率の
高い領域が形成されている。
を塗布しなかった領域は結晶粒径５０〜１００μｍに成
長し、誘電率５０．０００〜１５０．０００と誘電率の
高い領域が形成されている。
つぎに、上記方法によって得られた誘電体磁器基板３１
の両面にスクリーン印刷等により電極形成材料である金
属ペーストを塗布し、この後、金属ペーストを焼き付け
て電極を形成する（第２図（ａ、）、（ａ−１，（ｂａ
ｌ 、（ｂ４１参照）。すなわち、誘電体磁器基板３１
の一面にはほぼ全面に共通電極３２を形成しく第２図（
ａｓ）、 （ｂ−）） 、他面には個別電極３３を複数
個形成する（第２図（ａ４）、（ｂ４））−共通電極３
２、個別電極３３の形成材料としては、Ａｇ、Ａｌｄｎ
又はＮｉのうち少なくとも１種類を含む金属ペーストを
用いる。特性上、Ａｇペーストが最も望ましい、塗布後
の前記金属ペーストの焼き付けは７００〜９００℃の空
気中で行なう。
の両面にスクリーン印刷等により電極形成材料である金
属ペーストを塗布し、この後、金属ペーストを焼き付け
て電極を形成する（第２図（ａ、）、（ａ−１，（ｂａ
ｌ 、（ｂ４１参照）。すなわち、誘電体磁器基板３１
の一面にはほぼ全面に共通電極３２を形成しく第２図（
ａｓ）、 （ｂ−）） 、他面には個別電極３３を複数
個形成する（第２図（ａ４）、（ｂ４））−共通電極３
２、個別電極３３の形成材料としては、Ａｇ、Ａｌｄｎ
又はＮｉのうち少なくとも１種類を含む金属ペーストを
用いる。特性上、Ａｇペーストが最も望ましい、塗布後
の前記金属ペーストの焼き付けは７００〜９００℃の空
気中で行なう。
さらに、リード端子３４を、共通電極３２と個別電極３
３とにそれぞれハンダ付けなどによって固着させ、最後
に、これら全体を絶縁性樹脂からなる外装３５で被覆す
る（第２図（ａａｌ、 （ｂ、ｌ参照）。
３とにそれぞれハンダ付けなどによって固着させ、最後
に、これら全体を絶縁性樹脂からなる外装３５で被覆す
る（第２図（ａａｌ、 （ｂ、ｌ参照）。
従来は、１個の誘電体磁器基板３１に複数個のコンデン
サ素子を形成しようとする場合１分離された個々のコン
デンサ素子の周縁部に縁端効果が生じ、形成されたコン
デンサ素子間に静電容量のバラツキが生じる弊害があっ
た。また、縁端効果の影響によって各コンデンサ素子間
の静電容量の大容量化が困難となっていた。
サ素子を形成しようとする場合１分離された個々のコン
デンサ素子の周縁部に縁端効果が生じ、形成されたコン
デンサ素子間に静電容量のバラツキが生じる弊害があっ
た。また、縁端効果の影響によって各コンデンサ素子間
の静電容量の大容量化が困難となっていた。
しかし、上記本実施例では誘電体磁器基ｍ３１自体に低
誘電率領域４０と高誘電率領域とを形成し、この低誘電
率領域４０により個別電極３３間を分離したので個々の
コンデンサ素子の縁端効果を少なくすることができ、コ
ンデンサ素子間における静電容量のバラツキの少ない複
合コンデンサを得ることができる。また、前記低誘電率
領域４０はＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ、０．とＳｉＯ□とを含
んだ金属ペーストを塗布して焼成することにより、容易
にかつ正確に形成できる。
誘電率領域４０と高誘電率領域とを形成し、この低誘電
率領域４０により個別電極３３間を分離したので個々の
コンデンサ素子の縁端効果を少なくすることができ、コ
ンデンサ素子間における静電容量のバラツキの少ない複
合コンデンサを得ることができる。また、前記低誘電率
領域４０はＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ、０．とＳｉＯ□とを含
んだ金属ペーストを塗布して焼成することにより、容易
にかつ正確に形成できる。
及亘凹四盟
以上の説明により明らかなように、本発明に係る複合コ
ンデンサにあっては、誘電体磁器基板の一面に共通電極
が形成され、他面に個別電極が形成されるとともにこれ
ら個別電極が前記誘電体磁器基板の低誘電率領域で分離
されている。したがって、前記１個の誘電体磁器基板上
に形成された各コンデンサ素子間での縁端効果を小さく
することができ、コンデンサ素子間における静電容量の
バラツキの少ない良好な特性の複合コンデンサを得るこ
とができる。
ンデンサにあっては、誘電体磁器基板の一面に共通電極
が形成され、他面に個別電極が形成されるとともにこれ
ら個別電極が前記誘電体磁器基板の低誘電率領域で分離
されている。したがって、前記１個の誘電体磁器基板上
に形成された各コンデンサ素子間での縁端効果を小さく
することができ、コンデンサ素子間における静電容量の
バラツキの少ない良好な特性の複合コンデンサを得るこ
とができる。
しかも本発明に係る複合コンデンサの製造方法にあって
は、前記低誘電率領域をＡｅｚＯ−とＳｉＯ□とを含ん
だ金属ペーストを塗布して焼成することにより、容易に
かつ確実に形成でき、量産性に優れ第１図および第２図
は本発明にかかる複合コンデンサの一実施例を示してお
り、第１図（Ａｌは複合コンデンサの正面図、第１図ｆ
Ｂｌは第１図（ＡｌにおけるＢ−Ｂ線断面図、第１図（
Ｃ）は第１図（ＡｌにおけるＣ−Ｃ線断面図、第２図（
（ａ、）、（ａ２）、（ａ４）および（ａ、）は複合コ
ンデンサの各製造工程を示す正面図、第２図（ａ３）は
同工程の背面図、第２図ｆｂ、１〜（ｂ、ｌはそれぞれ
（ａ、ｌ〜（ａ−１におけるＸ、−Ｘ、線ないしＸｓ
ＸＳ線断面図、第３図は従来の複合コンデンサを示す
図面であって、第３図ｆａ）は正面図、第３図（ｂｌ
は断面図である。
は、前記低誘電率領域をＡｅｚＯ−とＳｉＯ□とを含ん
だ金属ペーストを塗布して焼成することにより、容易に
かつ確実に形成でき、量産性に優れ第１図および第２図
は本発明にかかる複合コンデンサの一実施例を示してお
り、第１図（Ａｌは複合コンデンサの正面図、第１図ｆ
Ｂｌは第１図（ＡｌにおけるＢ−Ｂ線断面図、第１図（
Ｃ）は第１図（ＡｌにおけるＣ−Ｃ線断面図、第２図（
（ａ、）、（ａ２）、（ａ４）および（ａ、）は複合コ
ンデンサの各製造工程を示す正面図、第２図（ａ３）は
同工程の背面図、第２図ｆｂ、１〜（ｂ、ｌはそれぞれ
（ａ、ｌ〜（ａ−１におけるＸ、−Ｘ、線ないしＸｓ
ＸＳ線断面図、第３図は従来の複合コンデンサを示す
図面であって、第３図ｆａ）は正面図、第３図（ｂｌ
は断面図である。
３１・・・誘電体磁器基板、３２・・・共通電極。
３３・・・個別電極、 ３４・・・リード端子。
３７・・・ＡＱ２０ｓとＳｉＯ□とを含んだ金属ペース
ト。
ト。
Claims (2)
- （１）誘電体磁器基板に複数のコンデンサ素子が形成さ
れた複合コンデンサにおいて、対向電極が前記誘電体磁
器基板の一面に形成された共通電極と他面に形成された
個別電極とから構成されると共に、これら個別電極が前
記誘電体磁器基板に形成された低誘電率領域で分離され
ていることを特徴とする複合コンデンサ。 - （２）成形体の表面の一部にＡｌ＿２Ｏ＿３とＳｉＯ＿
２とを含んだ金属ペーストを塗布した後焼成して誘電体
磁器基板となし、該誘電体磁器基板の一面に共通電極材
料を塗布し、かつ他面の前記金属ペーストを塗布しなか
った領域に個別電極材料を塗布した後焼成して共通電極
と個別電極を形成し、この後、前記共通電極と個別電極
とにそれぞれリード端子を固着させることを特徴とする
複合コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127398A JPH02305420A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 複合コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127398A JPH02305420A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 複合コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305420A true JPH02305420A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14959006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127398A Pending JPH02305420A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 複合コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02305420A (ja) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127398A patent/JPH02305420A/ja active Pending
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