JPH02306583A - 薄膜ｅｌ素子の製造法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造法Info
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- JPH02306583A JPH02306583A JP1128408A JP12840889A JPH02306583A JP H02306583 A JPH02306583 A JP H02306583A JP 1128408 A JP1128408 A JP 1128408A JP 12840889 A JP12840889 A JP 12840889A JP H02306583 A JPH02306583 A JP H02306583A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光輝度を向上させた薄膜ＥＬ素子の製造法
に関する。
に関する。
〔従来の技術〕。
従来、透明導電膜２発光層及び導電膜が順次積層され、
これらの層間に適宜絶縁層が形成されてなる薄膜ＥＬ素
子において該薄膜ＥＬ素子の発光輝度を向上させるため
に、その製造工程において、一般的には発光層の形成後
基板を真空下、５００・〜６００℃で１〜２時間程度加
熱する熱処理が行われている（日経エレクトロニクス１
９７９年４月号）。
これらの層間に適宜絶縁層が形成されてなる薄膜ＥＬ素
子において該薄膜ＥＬ素子の発光輝度を向上させるため
に、その製造工程において、一般的には発光層の形成後
基板を真空下、５００・〜６００℃で１〜２時間程度加
熱する熱処理が行われている（日経エレクトロニクス１
９７９年４月号）。
前記従来の薄膜ＥＬ素子において、発光層としてＭｎを
少量添加したＺｎＳ発光層を用いたものであって第１及
び第２の絶縁層を有するものが現在、最も高い発光輝度
を示すものとされている。
少量添加したＺｎＳ発光層を用いたものであって第１及
び第２の絶縁層を有するものが現在、最も高い発光輝度
を示すものとされている。
しかし、この薄膜ＥＬ素子においても、フレーム周波数
が数十Ｉ−（ｚの線順次走査による発光時の輝度は２０
〜３０フートランバートであり、ＣＲＴ（カソード・レ
イ・チューブ）などと比べると実用的なディスプレイパ
ネルとするには、未だ、発光輝度が不充分である。
が数十Ｉ−（ｚの線順次走査による発光時の輝度は２０
〜３０フートランバートであり、ＣＲＴ（カソード・レ
イ・チューブ）などと比べると実用的なディスプレイパ
ネルとするには、未だ、発光輝度が不充分である。
本発明は、透光性基村上に、透明導電膜、発光層及び導
電膜を順次積層し、これらの眉間のうち少なくとも一つ
の層間に絶縁層を形成するｎ＋７′膜ＥＬ素子の製造法
において、上記発光層に接するよう絶縁体層を形成し、
該絶縁体層の少なくと士ノ一部として化学量論的に酸素
過多の酸化物絶縁体層を形成する工程並びに上記発光層
及び該酸化物絶縁体層を形成後導電膜の形成前に基板を
少なくとも１回熱処理する工程を含むことを特徴とする
薄膜ＥＬ素子の製造法に関する。
電膜を順次積層し、これらの眉間のうち少なくとも一つ
の層間に絶縁層を形成するｎ＋７′膜ＥＬ素子の製造法
において、上記発光層に接するよう絶縁体層を形成し、
該絶縁体層の少なくと士ノ一部として化学量論的に酸素
過多の酸化物絶縁体層を形成する工程並びに上記発光層
及び該酸化物絶縁体層を形成後導電膜の形成前に基板を
少なくとも１回熱処理する工程を含むことを特徴とする
薄膜ＥＬ素子の製造法に関する。
各層について次に説明する。
前記基材としてはガラス板等が使用される。
前記透明導電膜は、Ｓｎ○２．Ｉｎ２Ｏ３、インジウム
スズオキサイド（ＩＴ○）等からなり、電子ビーム蒸着
法、真空蒸着法、スパッタリング法。
スズオキサイド（ＩＴ○）等からなり、電子ビーム蒸着
法、真空蒸着法、スパッタリング法。
ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ、 Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔ；１ｏｎ）法、プラズマＣＶＤ法等によって形
成される。
ｏｓｉｔ；１ｏｎ）法、プラズマＣＶＤ法等によって形
成される。
発光層は、Ｍ ｎ 、ゴ′ｂ等の発光中心を含むＺ ｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ、Ｚｎ５ｅ等のＶｌ １３族元素を
含む母体からなる螢光体からなり、電子ビーフ１蒸着法
、真空蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＣＶ＝３− Ｄ （Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｊｃ ＣＶ Ｄ ）法、
Ａ Ｌ Ｅ （Ａｔｏ＋ｎｊ、ｃＬａｙｅｒ Ｅｐｊ
ｔａｘｙ）法等で形成される。なお、発光中心は、母体
薄膜を形成後添加してもよい。
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ、Ｚｎ５ｅ等のＶｌ １３族元素を
含む母体からなる螢光体からなり、電子ビーフ１蒸着法
、真空蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＣＶ＝３− Ｄ （Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｊｃ ＣＶ Ｄ ）法、
Ａ Ｌ Ｅ （Ａｔｏ＋ｎｊ、ｃＬａｙｅｒ Ｅｐｊ
ｔａｘｙ）法等で形成される。なお、発光中心は、母体
薄膜を形成後添加してもよい。
もう一つの導電膜は、透明導電膜と同様のものでもよく
、アルミニウム、クロム、金等の金属からなるものであ
ってもよい。
、アルミニウム、クロム、金等の金属からなるものであ
ってもよい。
前記絶縁層は、Ｔａ、Ｏ，、Ｙ、０３．Ｓ ｉ Ｏ□。
ＡＱ、２０３等の酸化物絶縁体、５５３Ｎ４等からなる
酸化物以外の絶縁体などからなり、これらを２種以上組
合せてもよい。これらの層の形成方法は、前記透明導電
１１ψの形成方法と同様である。本発明において、絶縁
層は、透明導電膜と発光層の間及び／又は発光層ともう
一つの導電膜の間に形成される。以下、前者を、「第１
の絶縁層」と、後者を、「第２の絶縁層」という。さら
に、このような＃！！総層以外に同様の絶縁層を第３の
絶縁層として発光層内に形成してもよい。すなわち、発
光層を形成後節３の２ｆ！縁層を形成し、さらに発光層
を形成してもよい。
酸化物以外の絶縁体などからなり、これらを２種以上組
合せてもよい。これらの層の形成方法は、前記透明導電
１１ψの形成方法と同様である。本発明において、絶縁
層は、透明導電膜と発光層の間及び／又は発光層ともう
一つの導電膜の間に形成される。以下、前者を、「第１
の絶縁層」と、後者を、「第２の絶縁層」という。さら
に、このような＃！！総層以外に同様の絶縁層を第３の
絶縁層として発光層内に形成してもよい。すなわち、発
光層を形成後節３の２ｆ！縁層を形成し、さらに発光層
を形成してもよい。
本発明において、少なくとも一つの絶縁体層が発光層に
接するように形成される。さらに、該絶縁体層の少なく
とも一部としてＴａ、Ｏ５＋ Ｙ２０ｊ ｌ５ｉ０２．
ＡＱ２０３等の酸化物絶縁体層であって化学量論的に酸
素過多の層が形成される。酸素過多の酸化物絶縁体層は
、上記の発光層に接するように形成される絶縁体層が複
数あるときは、これらのうち少なくとも一つの絶縁体層
に少なくともその一部として形成される。上記の絶縁体
層は、第１の絶縁層の少なくとも一部、第２の絶縁層の
少なくとも一部及び／又は第３の絶縁層の少なくとも一
部として形成されてもよい。酸素過多の酸化物絶縁体層
の形成方法は、基本的には透明導電膜の形成方法と同様
であるが、酸化物絶縁体層を酸素過多に調整する方法と
して、酸化物をターゲットとし、成膜時の基板湿度を室
温乃至２００°Ｃのような比較的低い温度にする方法、
成膜時のスパッタガス中の酸素分圧を−にげろ方法など
を採用することができる。また、酸化物絶縁体層を形成
後に酸素イオンの打ち込み等の方法によっても行うこと
ができる。このような方法によって、予め、酸化物絶縁
体のみを成膜し、得られたｌＩ！ＡをＸ線光電子分光法
（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌ、ｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｏｐｙ。
接するように形成される。さらに、該絶縁体層の少なく
とも一部としてＴａ、Ｏ５＋ Ｙ２０ｊ ｌ５ｉ０２．
ＡＱ２０３等の酸化物絶縁体層であって化学量論的に酸
素過多の層が形成される。酸素過多の酸化物絶縁体層は
、上記の発光層に接するように形成される絶縁体層が複
数あるときは、これらのうち少なくとも一つの絶縁体層
に少なくともその一部として形成される。上記の絶縁体
層は、第１の絶縁層の少なくとも一部、第２の絶縁層の
少なくとも一部及び／又は第３の絶縁層の少なくとも一
部として形成されてもよい。酸素過多の酸化物絶縁体層
の形成方法は、基本的には透明導電膜の形成方法と同様
であるが、酸化物絶縁体層を酸素過多に調整する方法と
して、酸化物をターゲットとし、成膜時の基板湿度を室
温乃至２００°Ｃのような比較的低い温度にする方法、
成膜時のスパッタガス中の酸素分圧を−にげろ方法など
を採用することができる。また、酸化物絶縁体層を形成
後に酸素イオンの打ち込み等の方法によっても行うこと
ができる。このような方法によって、予め、酸化物絶縁
体のみを成膜し、得られたｌＩ！ＡをＸ線光電子分光法
（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌ、ｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｏｐｙ。
以下、ＸＰＣ法と略す）、二次イオン質量分析法（Ｓ
Ｉ Ｍ Ｓ 、 ５ｅｃｏｎｄａｒｙ Ｔ
ｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）等に
よって、酸素過多であることを確認し、条件を決定する
ことができる。特に、スパッタリング法を利用するとき
は、基板温度を室温〜３７０℃であって、スパッタガス
の酸素分圧が１．０ＸＩＯ−４１ヘール（Ｔｏｒｒ）以
上であるのが好ましい。
Ｉ Ｍ Ｓ 、 ５ｅｃｏｎｄａｒｙ Ｔ
ｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）等に
よって、酸素過多であることを確認し、条件を決定する
ことができる。特に、スパッタリング法を利用するとき
は、基板温度を室温〜３７０℃であって、スパッタガス
の酸素分圧が１．０ＸＩＯ−４１ヘール（Ｔｏｒｒ）以
上であるのが好ましい。
本発明においては、前記各層を積層する工程中であって
少なくとも一つの発光層及び前記した酸素過多の酸化物
絶縁体層のうち少なくとも一つを形成後背面電極を形成
する前までに少なくとも１回基板を熱処理する。前記し
た酸素過多の酸化物絶縁体層が形成されている状態でこ
の処理を行うことにより発光輝度が向上する。この熱処
理を行うときの雰囲気としては特に限定するものではな
いが、真空、Ａｒ、Ｎ２等の不活性ガス、空気などの雰
囲気が採用される。熱処理温度は、２００〜６５０℃の
範囲が好ましい。温度が低すぎる場合は、発光輝度向上
の効果を得るのが困難になる傾向があり、温度が高いほ
ど本発明の効果を得るのに処理時間が短くて済むが、高
すぎると基材等が劣化しやすくなる傾向がある。
少なくとも一つの発光層及び前記した酸素過多の酸化物
絶縁体層のうち少なくとも一つを形成後背面電極を形成
する前までに少なくとも１回基板を熱処理する。前記し
た酸素過多の酸化物絶縁体層が形成されている状態でこ
の処理を行うことにより発光輝度が向上する。この熱処
理を行うときの雰囲気としては特に限定するものではな
いが、真空、Ａｒ、Ｎ２等の不活性ガス、空気などの雰
囲気が採用される。熱処理温度は、２００〜６５０℃の
範囲が好ましい。温度が低すぎる場合は、発光輝度向上
の効果を得るのが困難になる傾向があり、温度が高いほ
ど本発明の効果を得るのに処理時間が短くて済むが、高
すぎると基材等が劣化しやすくなる傾向がある。
本発明を図面を用いて説明する。第１図は本発明により
得られる薄膜ＥＩ、素子の一例を示す断面図であり、基
板１の上に透明導電膜（透明電極）２、第１の絶縁層３
２発光層４．第２の絶縁層５及びもう一つの導電膜（背
面電極）６をこの順に積層して作製したものである。第
１の絶縁層３及び／又は第２の絶縁層５が酸素過多の酸
化物絶縁体層からなるものとされる。
得られる薄膜ＥＩ、素子の一例を示す断面図であり、基
板１の上に透明導電膜（透明電極）２、第１の絶縁層３
２発光層４．第２の絶縁層５及びもう一つの導電膜（背
面電極）６をこの順に積層して作製したものである。第
１の絶縁層３及び／又は第２の絶縁層５が酸素過多の酸
化物絶縁体層からなるものとされる。
実施例１
第１図に示すような構造の薄膜Ｅｌ、素子を作成した。
基材１としてのコーニング社＃７０５９ガラス（１００
Ｘ７５ｎ聞２、厚さ１．１ｍ＋ｎ）上にＩＴＯ膜をスパ
ッタリング法で形成し、これをエツチングして透明導電
膜２としてのストライプ状ＩＴＯ透明電極（膜厚０．２
μｍ、 輻Ｑ、ｌ ５＋ｎ＋ｎ、電極間隔０．１Ｔ＠
）３２０本を形成した。
Ｘ７５ｎ聞２、厚さ１．１ｍ＋ｎ）上にＩＴＯ膜をスパ
ッタリング法で形成し、これをエツチングして透明導電
膜２としてのストライプ状ＩＴＯ透明電極（膜厚０．２
μｍ、 輻Ｑ、ｌ ５＋ｎ＋ｎ、電極間隔０．１Ｔ＠
）３２０本を形成した。
この上に、第１の＃ｔＡ縁Ｍ ３としてＳｉＯ□膜、Ｔ
ａ２０５膜及びＳ ｉ ０２膜をこの順序でスパッタリ
ング法によりそれぞれ０．０５μｍ、０．３μｍ及び０
．０５μｍの厚さに形成した。いずれの場合も成膜温度
を１５０℃とし、酸素をスパッタガスに用い、その圧力
を２．０Ｘ１０−’トール（Ｔ。
ａ２０５膜及びＳ ｉ ０２膜をこの順序でスパッタリ
ング法によりそれぞれ０．０５μｍ、０．３μｍ及び０
．０５μｍの厚さに形成した。いずれの場合も成膜温度
を１５０℃とし、酸素をスパッタガスに用い、その圧力
を２．０Ｘ１０−’トール（Ｔ。
ｒｒ）に設定することで化学量論的に酸素過多の酸化物
Ｍｆｍ体層を形成した。スパッタリングのターゲットは
５ｊＯ２又はＴａ２０５を用いた。なお、上記の条件は
、予め、ＸＰＳ法によって酸素過多になることを確認し
た条件である。
Ｍｆｍ体層を形成した。スパッタリングのターゲットは
５ｊＯ２又はＴａ２０５を用いた。なお、上記の条件は
、予め、ＸＰＳ法によって酸素過多になることを確認し
た条件である。
次いで、発光層４として電子ビーム蒸着法で１付活化Ｚ
ｎ５（ＺｎＳ：Ｍｎ）層Ｑ、５ μｍ の厚さに形成し
た。この後、真空中５００℃で１．５時間加熱処理した
。
ｎ５（ＺｎＳ：Ｍｎ）層Ｑ、５ μｍ の厚さに形成し
た。この後、真空中５００℃で１．５時間加熱処理した
。
ついで、第２の絶ａ層５としてＳｉ、Ｎ４膜をプラズマ
ＣＶＤ法で０．３μｍの厚さに形成した。
ＣＶＤ法で０．３μｍの厚さに形成した。
最後に、電子ビーム蒸着法でＡＱ層を形成し、エツチン
グして導電膜６としてのス１−ライブ状ＡＱの背面電極
（膜厚Ｑ 、 ２ μｒｎ 、幅０．１５ｎｗｎ、電極
間隔０．１＋ｎ＋＋＋）を２００本、ＩＴＯ透明電極と
直交するように形成した。得られた薄膜Ｅ［、素子を試
料Ａとした。
グして導電膜６としてのス１−ライブ状ＡＱの背面電極
（膜厚Ｑ 、 ２ μｒｎ 、幅０．１５ｎｗｎ、電極
間隔０．１＋ｎ＋＋＋）を２００本、ＩＴＯ透明電極と
直交するように形成した。得られた薄膜Ｅ［、素子を試
料Ａとした。
比較例１
実施例１において、第１のＭｍ層形成時のいずれのスパ
ッタリング法においても、基板温度を４ｏＯ℃とし、化
学量論的組成の酸化物絶縁体層を形成したこと以外は、
実施例１に準じて、薄膜ＥＬ素子を得た。得られた薄膜
１’： Ｌ素子を試料Ｂとした。
ッタリング法においても、基板温度を４ｏＯ℃とし、化
学量論的組成の酸化物絶縁体層を形成したこと以外は、
実施例１に準じて、薄膜ＥＬ素子を得た。得られた薄膜
１’： Ｌ素子を試料Ｂとした。
前記で得られた試料Ａ及び試料Ｂの発光輝度特性を周波
数１ ｋ Ｈｚの正弦波電圧を用いて即動し、透明電極
と背面電極の間に印加する１康動電圧（■トや、）と発
光輝度の関係（印加微圧−発光輝度特性）を求めた。第
２図は、この結果を示す。第２図中、グラフ７は試料Ａ
についての及びグラフ８は試料Ｂについての結果である
。この結果から明らかであるように、発光開始電圧より
５０Ｖ高い印加電圧において、発光輝度は試料Ａでは１
３５０ｃｄ／イ（１７５Ｖにおいて）及び試料Ｂでは７
８０ｃｄ／ｒｒｉ’（１６０Ｖにおいて）あった。
数１ ｋ Ｈｚの正弦波電圧を用いて即動し、透明電極
と背面電極の間に印加する１康動電圧（■トや、）と発
光輝度の関係（印加微圧−発光輝度特性）を求めた。第
２図は、この結果を示す。第２図中、グラフ７は試料Ａ
についての及びグラフ８は試料Ｂについての結果である
。この結果から明らかであるように、発光開始電圧より
５０Ｖ高い印加電圧において、発光輝度は試料Ａでは１
３５０ｃｄ／イ（１７５Ｖにおいて）及び試料Ｂでは７
８０ｃｄ／ｒｒｉ’（１６０Ｖにおいて）あった。
実施例２
実施例１において、第１の絶縁層と第２の絶縁層を交換
して形成し、真空中５００℃で１．５時間の加熱処理を
第２の絶縁層の形成後に行うこと以外は、実施例１に準
じて、薄膜ＥＬ素子を作成し、印加電圧−発光輝度特性
を調べた。その結果、発光開始電圧より５０Ｖ高い印加
電圧において、発光輝度は１５００ ｃ ｃｌ ／ ｒ
ｎ’ （１９０Ｖにおいて）あった。
して形成し、真空中５００℃で１．５時間の加熱処理を
第２の絶縁層の形成後に行うこと以外は、実施例１に準
じて、薄膜ＥＬ素子を作成し、印加電圧−発光輝度特性
を調べた。その結果、発光開始電圧より５０Ｖ高い印加
電圧において、発光輝度は１５００ ｃ ｃｌ ／ ｒ
ｎ’ （１９０Ｖにおいて）あった。
実施例３
実施例１において、第２の絶縁層を形成しなかったこと
以外は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ Ｔ−素子を作成し
、印加電圧−発光輝度特性を調べた。
以外は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ Ｔ−素子を作成し
、印加電圧−発光輝度特性を調べた。
比較例２
比較例１において、第２の絶縁層を形成しなかったこと
以外は、比較例１しこ準して、薄膜Ｅ Ｔ−７素子を作
成し、印加電圧−発光輝度特性を調べた。
以外は、比較例１しこ準して、薄膜Ｅ Ｔ−７素子を作
成し、印加電圧−発光輝度特性を調べた。
実施例３及び比較例２で得られた薄膜Ｅ Ｉ、素子印加
電圧−発光輝度特性を調べた結果、発光開始電圧より５
０Ｖ高い印加電圧における発光輝度は、実施例３のもの
は比較例２のものの１．６倍であった・ 実施例４ 実施例１において、第１の絶縁／Ｆｌとして８１．３
Ｎ４膜をプラズマＣＶＤ法で０．３μｍの厚さに形成し
、発光層４の一部として電子ビーム蒸着法でＭｎ付活化
Ｚｎ５（ＺｎＳ ：Ｍｎ）ＪＷＩｏ、５μｍ の厚さに
形成した後筒３の絶縁層としてＳ］０２膜をスパッタリ
ング法〔成膜温度を１．５０℃とし、酸素をスパッタガ
スに用い、その圧力を２．０ＸＩＯ−４トール（Ｔｏｒ
ｒ）に設定〕により０ 、０５ μｍの厚さに形成しさ
らに発光層４の一部として」１記と同様にＺｎＳ：Ｍｎ
Ｊｌを形成したこと以外は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ
Ｌ素子を作成し、印加電圧−発光輝度特性を調べた。
電圧−発光輝度特性を調べた結果、発光開始電圧より５
０Ｖ高い印加電圧における発光輝度は、実施例３のもの
は比較例２のものの１．６倍であった・ 実施例４ 実施例１において、第１の絶縁／Ｆｌとして８１．３
Ｎ４膜をプラズマＣＶＤ法で０．３μｍの厚さに形成し
、発光層４の一部として電子ビーム蒸着法でＭｎ付活化
Ｚｎ５（ＺｎＳ ：Ｍｎ）ＪＷＩｏ、５μｍ の厚さに
形成した後筒３の絶縁層としてＳ］０２膜をスパッタリ
ング法〔成膜温度を１．５０℃とし、酸素をスパッタガ
スに用い、その圧力を２．０ＸＩＯ−４トール（Ｔｏｒ
ｒ）に設定〕により０ 、０５ μｍの厚さに形成しさ
らに発光層４の一部として」１記と同様にＺｎＳ：Ｍｎ
Ｊｌを形成したこと以外は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ
Ｌ素子を作成し、印加電圧−発光輝度特性を調べた。
比較例３
実施例４において、第３の絶縁層の形成時、基板温度を
４００℃とし、化学量論的組成の酸化物、１１体層を形
成したこと以外は、実施例４にイ（０じて、薄１］’Ｊ
ＥＪ、素子を作成し、印加電圧−発光輝度特性を調べた
。
４００℃とし、化学量論的組成の酸化物、１１体層を形
成したこと以外は、実施例４にイ（０じて、薄１］’Ｊ
ＥＪ、素子を作成し、印加電圧−発光輝度特性を調べた
。
実施例４及び比較例３で得られた薄膜ＥＬ素子印加電圧
−発光輝度特性を調べた結果、発光開始電圧より５０Ｖ
高い印加電圧における発光輝度は、実施例４のものは比
較例３のものの１．４倍であった。
−発光輝度特性を調べた結果、発光開始電圧より５０Ｖ
高い印加電圧における発光輝度は、実施例４のものは比
較例３のものの１．４倍であった。
本発明によれば発光輝度が大きな薄膜ＥＬ素子を容易に
得ることができる。
得ることができる。
第１図は本発明に係る薄膜Ｅ Ｌ素子の断面図及び第２
図は実施例１及び比較例１で得られた薄膜ＥＬ素子の印
加電圧−発光輝度特性を示すグラフである。 １・基材、２・・透明導電膜、３ ・第］の絶縁層、４
・・発光層、５・・第２の絶縁膜、６・・・もう一つの
導電膜、７・・実施例１の結果を示すグラフ、８・・・
比較例１の結果を示すグラフ。 代理人 づ↑・理士 廣瀬 ？；１ 第１図 第２ 口
図は実施例１及び比較例１で得られた薄膜ＥＬ素子の印
加電圧−発光輝度特性を示すグラフである。 １・基材、２・・透明導電膜、３ ・第］の絶縁層、４
・・発光層、５・・第２の絶縁膜、６・・・もう一つの
導電膜、７・・実施例１の結果を示すグラフ、８・・・
比較例１の結果を示すグラフ。 代理人 づ↑・理士 廣瀬 ？；１ 第１図 第２ 口
Claims (1)
- １．透光性基材上に、透明導電膜、発光層及び導電膜
を順次積層し、これらの層間のうち少なくとも一つの層
間に絶縁層を形成する薄膜ＥＬ素子の製造法において、
上記発光層に接するよう絶縁体層を形成し、該絶縁体層
の少なくとも一部として化学量論的に酸素過多の酸化物
絶縁体層を形成する工程並びに上記発光層及び該酸化物
絶縁体層を形成後導電膜の形成前に基板を少なくとも１
回熱処理する工程を含むことを特徴とする薄膜ＥＬ素子
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128408A JPH02306583A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128408A JPH02306583A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306583A true JPH02306583A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14984043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1128408A Pending JPH02306583A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306583A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012027458A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP2015228039A (ja) * | 2010-07-02 | 2015-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の駆動方法 |
| JP2016014886A (ja) * | 2010-07-26 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US9368053B2 (en) | 2010-09-15 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1128408A patent/JPH02306583A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012027458A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP2015228039A (ja) * | 2010-07-02 | 2015-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の駆動方法 |
| JP2016014886A (ja) * | 2010-07-26 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US9368053B2 (en) | 2010-09-15 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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