JPH02307214A - 薄膜塗布装置 - Google Patents
薄膜塗布装置Info
- Publication number
- JPH02307214A JPH02307214A JP1129319A JP12931989A JPH02307214A JP H02307214 A JPH02307214 A JP H02307214A JP 1129319 A JP1129319 A JP 1129319A JP 12931989 A JP12931989 A JP 12931989A JP H02307214 A JPH02307214 A JP H02307214A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- thin film
- solvent
- solution
- coating device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、主に半導体製造工程に使用する薄膜塗布装
置に関するものである。
置に関するものである。
第2図(a)は従来の薄膜塗布装置の材料供給からのノ
ズルの先端までを示す概略図であり、第2図(b)は、
第2図(a)の点線部分の拡大断面図である。
ズルの先端までを示す概略図であり、第2図(b)は、
第2図(a)の点線部分の拡大断面図である。
以下、第2図の構成とともに、動作について説明する。
第2図において、溶媒に溶解し、一定の)と1度に保っ
た材料溶液、例えばレジスト8をポンプ7により吸い上
げ、ノズル1より一定量射出し、塗布すべき基板(図示
せず)上に滴下し、一定の速度で回転させて薄膜を塗布
する。
た材料溶液、例えばレジスト8をポンプ7により吸い上
げ、ノズル1より一定量射出し、塗布すべき基板(図示
せず)上に滴下し、一定の速度で回転させて薄膜を塗布
する。
(発明が解決しようとする課題)
従来の薄膜塗布装置は、以上のように構成されているの
で、レジスト8の射出時以外の待機時に、ノズル1の先
端の材料溶液が乾燥し、固形化して塗布膜の塗布むらが
生じる欠点があった。
で、レジスト8の射出時以外の待機時に、ノズル1の先
端の材料溶液が乾燥し、固形化して塗布膜の塗布むらが
生じる欠点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、待機中のノズル先端の乾燥し防止し、塗布
むらの少ない薄膜塗布装置を得ることを目的とする。
れたもので、待機中のノズル先端の乾燥し防止し、塗布
むらの少ない薄膜塗布装置を得ることを目的とする。
この発明に係る薄膜塗布装置は、薄膜を形成するための
材料溶液を噴出するノズルの先端下部に、ノズルの先端
の材料溶液の乾燥を防止するための溶媒の飽和蒸気を噴
出する噴出口を備えたものである。
材料溶液を噴出するノズルの先端下部に、ノズルの先端
の材料溶液の乾燥を防止するための溶媒の飽和蒸気を噴
出する噴出口を備えたものである。
この発明における溶媒飽和蒸気は、待機中のノズル先端
の材料溶液の乾燥を抑制し、固形化を防止する。
の材料溶液の乾燥を抑制し、固形化を防止する。
(実施例〕
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図において、1はノズル、2は加圧タンク、3はレ
ジスト等の溶媒、4はこの溶媒3を気化させるための窒
素配管、5は蒸気を導くための蒸気配管、6は蒸気の噴
出口である。
ジスト等の溶媒、4はこの溶媒3を気化させるための窒
素配管、5は蒸気を導くための蒸気配管、6は蒸気の噴
出口である。
次に第1図の動作について説明する。
加圧タンク2にレジスト等の溶媒3を入れ、窒素配管4
より窒素ガスを適量流す。窒素ガスは加圧タンク2内で
溶媒3の気化を促進し、気化した溶媒3は蒸気配管5に
より噴出口6に導かれ、ノズル1の先端のレジスト溶液
の乾燥を抑制する。
より窒素ガスを適量流す。窒素ガスは加圧タンク2内で
溶媒3の気化を促進し、気化した溶媒3は蒸気配管5に
より噴出口6に導かれ、ノズル1の先端のレジスト溶液
の乾燥を抑制する。
なお、上記実施例ではレジストの塗布について説明した
が、有機酸化膜や他の薄膜の塗布についても上記実施例
と同様の効果を奏する。
が、有機酸化膜や他の薄膜の塗布についても上記実施例
と同様の効果を奏する。
〔発明の効果)
以上説明したように、この発明は薄膜を形成するための
材料溶液を噴出するノズルの先端下部に、ノズルの先端
の材料溶液の乾燥を防止するための溶媒の飽和蒸気を噴
出する噴出口を備えたので、ノズル先端の材料溶液の待
機中における乾燥を抑制し、固形化を防止できる。した
がって、塗布むらのない均一な薄膜が形成できる効果が
ある。
材料溶液を噴出するノズルの先端下部に、ノズルの先端
の材料溶液の乾燥を防止するための溶媒の飽和蒸気を噴
出する噴出口を備えたので、ノズル先端の材料溶液の待
機中における乾燥を抑制し、固形化を防止できる。した
がって、塗布むらのない均一な薄膜が形成できる効果が
ある。
第1図はこの発明の一実施例による薄膜塗布装置のノズ
ル待機状態のノズルと噴出口および溶媒の気化機構を示
す概略図、第2図は従来の薄膜塗布装置のノズルと材料
溶液供給機構の概略図である。 図において、1はノズル、2は加圧タンク、3は溶媒1
.4は窒素配管、5は蒸気配管、6は噴出口、7はポン
プ、8はレジストである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 平り父 2年 5月22日
ル待機状態のノズルと噴出口および溶媒の気化機構を示
す概略図、第2図は従来の薄膜塗布装置のノズルと材料
溶液供給機構の概略図である。 図において、1はノズル、2は加圧タンク、3は溶媒1
.4は窒素配管、5は蒸気配管、6は噴出口、7はポン
プ、8はレジストである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 平り父 2年 5月22日
Claims (1)
- 材料溶液をノズル先端より噴出し、塗布すべき基板上に
滴下し、所定の厚みの薄膜を形成する薄膜塗布装置にお
いて、前記ノズルの先端下部に、前記ノズルの先端の材
料溶液の乾燥を防止するための溶媒の飽和蒸気を噴出す
る噴出口を備えたことを特徴とする薄膜塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129319A JPH02307214A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 薄膜塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129319A JPH02307214A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 薄膜塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02307214A true JPH02307214A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=15006638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1129319A Pending JPH02307214A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 薄膜塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02307214A (ja) |
-
1989
- 1989-05-23 JP JP1129319A patent/JPH02307214A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW512072B (en) | Pre-delivering apparatus and pre-delivering method for slit coater | |
| KR101193229B1 (ko) | 반도체 기판 표면의 화학적 처리 방법 및 이를 위한 장치 | |
| JP3174038B2 (ja) | 基板乾燥方法およびその装置 | |
| JPH02307214A (ja) | 薄膜塗布装置 | |
| JP4848109B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JP3558471B2 (ja) | 基板塗布装置の薬液供給ノズル待機方法およびその装置 | |
| JPH09289161A (ja) | 処理液塗布装置 | |
| JPS62121669A (ja) | 塗布装置 | |
| JP2802636B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JPH0443630A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001068402A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101309037B1 (ko) | 슬릿코터 | |
| JPS6085524A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH0132357Y2 (ja) | ||
| KR200144701Y1 (ko) | 공정용액 분사장치 | |
| KR102260571B1 (ko) | 회전형 수직 습식에칭장치 | |
| JP4785376B2 (ja) | 塗布装置および塗布方法 | |
| KR20010058399A (ko) | 현상액 분사장치 | |
| JP2000164491A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| KR19980060366U (ko) | 에어나이프 세정/건조장치 | |
| JPH04171072A (ja) | 塗布方法およびその装置 | |
| KR100282444B1 (ko) | 반도체 제조장비의 캐미칼 분사장치 | |
| JPS6342527Y2 (ja) | ||
| KR100225892B1 (ko) | 납땜 용제 도포 방법 | |
| JPH0452989Y2 (ja) |