JPH0443630A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0443630A JPH0443630A JP2152181A JP15218190A JPH0443630A JP H0443630 A JPH0443630 A JP H0443630A JP 2152181 A JP2152181 A JP 2152181A JP 15218190 A JP15218190 A JP 15218190A JP H0443630 A JPH0443630 A JP H0443630A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- coating liquid
- vapor
- coating
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野)
本発明は半導体製造装置に関し、特に、塗布液の粘度を
一定に保ちつつスピン塗布を行うスピン塗布装置に関す
る。
一定に保ちつつスピン塗布を行うスピン塗布装置に関す
る。
[従来の技術]
従来、スピン塗布による塗布液供給の方法としては、第
2図(a)に示す加圧方式と、第2図(b)に示す吸引
方式とが一↑:に用いられている。ここで、第2図(a
)に示す加圧方式は、配管201 より1.3〜1.8
にg/cnlの加圧N2ガスを、保護容器211内の密
閉されている塗布液容器212内へ注入し、その圧力に
よって容器2+2内の塗4」液21コ3を塗布液送出1
1?209からノズルに送給し、ノズルから塗布液をウ
ェハー上に塗布するものである。この方式は高い粘に1
を持つ塗布液を塗布する場合に用いられている。これに
対し第2図(b)に示す吸引方式は、塗布液容器212
内の塗布液2+3を吸引ポンプ263により吸いJ。
2図(a)に示す加圧方式と、第2図(b)に示す吸引
方式とが一↑:に用いられている。ここで、第2図(a
)に示す加圧方式は、配管201 より1.3〜1.8
にg/cnlの加圧N2ガスを、保護容器211内の密
閉されている塗布液容器212内へ注入し、その圧力に
よって容器2+2内の塗4」液21コ3を塗布液送出1
1?209からノズルに送給し、ノズルから塗布液をウ
ェハー上に塗布するものである。この方式は高い粘に1
を持つ塗布液を塗布する場合に用いられている。これに
対し第2図(b)に示す吸引方式は、塗布液容器212
内の塗布液2+3を吸引ポンプ263により吸いJ。
げて塗布液送出管209からノズルに送給するものであ
る。このとき、空気取入れ口II+は大気に開放されて
いて、塗布液容器212は密閉されていない。この方式
は溶媒が低揮発性で低い粘度を持つ塗布液の塗布に用い
られている。
る。このとき、空気取入れ口II+は大気に開放されて
いて、塗布液容器212は密閉されていない。この方式
は溶媒が低揮発性で低い粘度を持つ塗布液の塗布に用い
られている。
[発明が解決しようとする課題]
従来の第2図(a)、 (b)に示す方式では、塗布液
容器212中の塗布液の量が減ってくると共に、容器2
12内には窒素及び空気が流入することにより、塗布液
213内の溶媒が揮発してしまうという問題があった。
容器212中の塗布液の量が減ってくると共に、容器2
12内には窒素及び空気が流入することにより、塗布液
213内の溶媒が揮発してしまうという問題があった。
これは、特に高揮発性溶媒を用いた塗布液において著し
い。このため、塗布液中の溶媒量が変化することにより
、粘度が変化してしまうという問題があった。また、容
器212の内面にイ(着した塗布液は溶媒の蒸発にて固
化し、てしまい、ゴミとして混入してしまうという問題
があった。
い。このため、塗布液中の溶媒量が変化することにより
、粘度が変化してしまうという問題があった。また、容
器212の内面にイ(着した塗布液は溶媒の蒸発にて固
化し、てしまい、ゴミとして混入してしまうという問題
があった。
そのため、従来においては、高揮発性溶媒の塗布液を用
いて塗布を行う場合には、1単位分の塗布を行う毎に塗
布液容器を交換する必要があり、作業能率が悪いという
問題があった。
いて塗布を行う場合には、1単位分の塗布を行う毎に塗
布液容器を交換する必要があり、作業能率が悪いという
問題があった。
本発明の目的は塗布液中の揮発性溶媒が蒸発せず、塗布
液を常に一定の粘度に保つことができる半導体製造装置
を提供することにある。
液を常に一定の粘度に保つことができる半導体製造装置
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段]
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体製造装置
においては、ヒータ内蔵の溶媒容器と、トラップと、塗
布液容器とを有し、前記塗布液容器内の塗布液を用いて
スピン塗布を行う半導体製造装置であって、 溶媒容器は、内蔵ヒータで溶媒の蒸気発生を促進させ、
導入されたガスに塗布液の溶媒の蒸気を含ませるもので
あり5 トラップは、塗布液溶媒の蒸気が含まれたガスを冷却し
、溶媒蒸気の飽和状態を作り出すものであり、 塗布液容器は、飽和状態の塗布液溶媒蒸気を含むガスを
密閉空間内に導入し、溶媒の飽和雰囲気中で塗布液を収
容するものである。
においては、ヒータ内蔵の溶媒容器と、トラップと、塗
布液容器とを有し、前記塗布液容器内の塗布液を用いて
スピン塗布を行う半導体製造装置であって、 溶媒容器は、内蔵ヒータで溶媒の蒸気発生を促進させ、
導入されたガスに塗布液の溶媒の蒸気を含ませるもので
あり5 トラップは、塗布液溶媒の蒸気が含まれたガスを冷却し
、溶媒蒸気の飽和状態を作り出すものであり、 塗布液容器は、飽和状態の塗布液溶媒蒸気を含むガスを
密閉空間内に導入し、溶媒の飽和雰囲気中で塗布液を収
容するものである。
1作用)
本発明によれば、窒素ガスを塗布液の溶媒雰囲気中に通
ず、二とによりガスに溶媒の飽和蒸気を混入させ、該ガ
スをスピン塗布用の塗布液容器内に導入し、塗布液を溶
媒の飽和蒸気雰囲気中で収容するものである。
ず、二とによりガスに溶媒の飽和蒸気を混入させ、該ガ
スをスピン塗布用の塗布液容器内に導入し、塗布液を溶
媒の飽和蒸気雰囲気中で収容するものである。
[実施例]
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1)
第1図(a)は、本発明の実施例1を示す構成図である
。
。
本実施例は、本発明を加圧方式型の塗布装置での塗布液
供給部に適用したものである。
供給部に適用したものである。
図において、溶媒容器203はヒータ204を内蔵して
おり、溶媒205中に加圧窒素ガス導入用配管201を
開口しており、容器203内の上部空間より溶媒蒸気送
出管202を外部に導出している。
おり、溶媒205中に加圧窒素ガス導入用配管201を
開口しており、容器203内の上部空間より溶媒蒸気送
出管202を外部に導出している。
塗布液容器212は保護容器2N内に密閉状態で収容さ
れている。
れている。
溶媒蒸気送出管202はトラップ206及び圧力調整バ
ルブを介して塗布液容器212の上部空間内に開口して
おり、塗布液送出管209は塗布液容器212の塗布液
2+3中に開口している。210は減圧バルブである。
ルブを介して塗布液容器212の上部空間内に開口して
おり、塗布液送出管209は塗布液容器212の塗布液
2+3中に開口している。210は減圧バルブである。
実施例において、配管201 より供給された加圧窒素
ガスは、溶媒容器203内を通過する際に高揮発性溶媒
の蒸気を含んだ状態で送出管202に送り出される。こ
のとき、溶媒蒸気が入っている密閉された容器203は
ヒータ204によって常温より若干高い温度に制御され
ており、溶媒205の蒸気発生を促す。溶媒蒸気を含ん
だ加圧窒素ガスはトラップ206を通過する間に冷やさ
れ、溶媒蒸気の飽和状態を作り出す。このようにして生
成された溶媒蒸気を含む加圧窒素ガス208を密閉され
た塗布液容器内212に導く。このガスの圧力を利用し
て塗布液送出管209より塗布液を塗布装置内へと運搬
する。このとき、印加する加圧室j1ガスの圧力は配管
の太さや長さ等を考慮に入れ、従来法と同程度の圧力に
設定する。また液補給時のように塗布液容器212内に
溶媒蒸気を含まない気体が混入されたときは、減圧バル
ブ210を開き、溶媒蒸気を含んだ窒素ガスと置換させ
、塗布液中の溶媒が揮発しないようにする。
ガスは、溶媒容器203内を通過する際に高揮発性溶媒
の蒸気を含んだ状態で送出管202に送り出される。こ
のとき、溶媒蒸気が入っている密閉された容器203は
ヒータ204によって常温より若干高い温度に制御され
ており、溶媒205の蒸気発生を促す。溶媒蒸気を含ん
だ加圧窒素ガスはトラップ206を通過する間に冷やさ
れ、溶媒蒸気の飽和状態を作り出す。このようにして生
成された溶媒蒸気を含む加圧窒素ガス208を密閉され
た塗布液容器内212に導く。このガスの圧力を利用し
て塗布液送出管209より塗布液を塗布装置内へと運搬
する。このとき、印加する加圧室j1ガスの圧力は配管
の太さや長さ等を考慮に入れ、従来法と同程度の圧力に
設定する。また液補給時のように塗布液容器212内に
溶媒蒸気を含まない気体が混入されたときは、減圧バル
ブ210を開き、溶媒蒸気を含んだ窒素ガスと置換させ
、塗布液中の溶媒が揮発しないようにする。
(実施例2)
第1図(b)は本発明を吸引方式の装置に適用した実施
例を示す構成図である。この装置の特徴は吸引ポンプ2
63を用いて塗布液2+3を吸引し、かつ溶媒蒸気を含
む窒素ガスをガス循環用ポンプ261 で溶媒蒸気循環
用配管に通して塗布液容器内212と溶媒容器203と
の間で循環させるものである。このとき、バルブ251
は通常開じられ、密閉容器203内の圧力が減少したと
きのみ常圧窒素を窒素取入れ口252より流入させる。
例を示す構成図である。この装置の特徴は吸引ポンプ2
63を用いて塗布液2+3を吸引し、かつ溶媒蒸気を含
む窒素ガスをガス循環用ポンプ261 で溶媒蒸気循環
用配管に通して塗布液容器内212と溶媒容器203と
の間で循環させるものである。このとき、バルブ251
は通常開じられ、密閉容器203内の圧力が減少したと
きのみ常圧窒素を窒素取入れ口252より流入させる。
その他の溶媒容器の混入機構はL記の加圧方式と同じで
ある。この方式は塗布する液の量を加圧方式に比べて制
御しやすいという利点を有する。
ある。この方式は塗布する液の量を加圧方式に比べて制
御しやすいという利点を有する。
本発明で使用される装置は塗布液を溶媒の飽和蒸気を含
んだ窒素中にて保存するため、塗布液中からの溶媒の蒸
発を防ぐことができ、塗布液の粘度を一定に保つことが
できるほか、容器側壁等に付着した塗布液の固化を防1
1−することができるという特徴を有する。
んだ窒素中にて保存するため、塗布液中からの溶媒の蒸
発を防ぐことができ、塗布液の粘度を一定に保つことが
できるほか、容器側壁等に付着した塗布液の固化を防1
1−することができるという特徴を有する。
このような特徴は塗布液を溶媒の飽和蒸気を含んだ窒素
ガス雰囲気にて保存することで初めて可能なことであっ
て、従来の窒素や空気のみを用いた塗布装置では実現で
きない。
ガス雰囲気にて保存することで初めて可能なことであっ
て、従来の窒素や空気のみを用いた塗布装置では実現で
きない。
このような応用はポリイミドやシリカ等の高揮発性溶媒
を用いている塗布液においての利用にきわめて大きな力
を発揮する。
を用いている塗布液においての利用にきわめて大きな力
を発揮する。
[発明の効果]
以−L説明したように本発明によれば、揮発性の高い溶
媒を用いた塗布液をスピン塗布する際に、塗布期間中学
に、一定の溶媒量に制御することが可能である。これよ
り、塗布液に高揮発性溶媒を用いた場合であっても溶媒
の蒸発を気にすることなく塗布することができ、塗布方
法そのものは従来の低揮発性溶媒を用いたときと同じ要
領で行うことができる。よって塗布液を1回塗布に必要
な量だけに分けて保存する等の無駄な手間が省け、高い
生産性とコストダウンが可能になる。
媒を用いた塗布液をスピン塗布する際に、塗布期間中学
に、一定の溶媒量に制御することが可能である。これよ
り、塗布液に高揮発性溶媒を用いた場合であっても溶媒
の蒸発を気にすることなく塗布することができ、塗布方
法そのものは従来の低揮発性溶媒を用いたときと同じ要
領で行うことができる。よって塗布液を1回塗布に必要
な量だけに分けて保存する等の無駄な手間が省け、高い
生産性とコストダウンが可能になる。
第1図(a)は本発明の実施例1を示す構成図、第1図
(b)は本発明の実施例2を示す構成図、第2図(a)
、 (b)は従来例を示す構成図である。 201・・・加圧窒素ガス導入用配管 202・・・溶媒蒸気送出管 203・・・溶媒容器
204・・・ヒータ 205・・・溶媒2
06・・・トラップ 207・・・圧力調整バ
ルブ208・・溶媒蒸気を含む窒素ガス 209・・・塗布液送出管 210・減圧バルブ2
1+・・・保護容器 212・・・塗布液容器
213・・塗布液 252・窒素取入れ日
260・溶媒蒸気循環用配管 261 ・ガス循環用ポンプ 263・・・吸引ポンプ
π27ヒ、壽アf 2.)、of斉沃き上管/ ハ”
ノ、フー 特許出願人 F1本電気株式会社
(b)は本発明の実施例2を示す構成図、第2図(a)
、 (b)は従来例を示す構成図である。 201・・・加圧窒素ガス導入用配管 202・・・溶媒蒸気送出管 203・・・溶媒容器
204・・・ヒータ 205・・・溶媒2
06・・・トラップ 207・・・圧力調整バ
ルブ208・・溶媒蒸気を含む窒素ガス 209・・・塗布液送出管 210・減圧バルブ2
1+・・・保護容器 212・・・塗布液容器
213・・塗布液 252・窒素取入れ日
260・溶媒蒸気循環用配管 261 ・ガス循環用ポンプ 263・・・吸引ポンプ
π27ヒ、壽アf 2.)、of斉沃き上管/ ハ”
ノ、フー 特許出願人 F1本電気株式会社
Claims (1)
- (1)ヒータ内蔵の溶媒容器と、トラップと、塗布液容
器とを有し、前記塗布液容器内の塗布液を用いてスピン
塗布を行う半導体製造装置であって、溶媒容器は、内蔵
ヒータで溶媒の蒸気発生を促進させ、導入されたガスに
塗布液の溶媒の蒸気を含ませるものであり、 トラップは、塗布液溶媒の蒸気が含まれたガスを冷却し
、溶媒蒸気の飽和状態を作り出すものであり、 塗布液容器は、飽和状態の塗布液溶媒蒸気を含むガスを
密閉空間内に導入し、溶媒の飽和雰囲気中で塗布液を収
容するものであることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152181A JPH0443630A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152181A JPH0443630A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443630A true JPH0443630A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15534826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2152181A Pending JPH0443630A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443630A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
| JP2007142133A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト希釈システム |
| JP2013153063A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2015018966A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
| JP2018056587A (ja) * | 2017-12-08 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
| JP2023130803A (ja) * | 2022-03-08 | 2023-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2152181A patent/JPH0443630A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
| JP2007142133A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト希釈システム |
| JP2013153063A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2015018966A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
| JP2018056587A (ja) * | 2017-12-08 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
| JP2023130803A (ja) * | 2022-03-08 | 2023-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
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