JPH023292B2 - - Google Patents
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- JPH023292B2 JPH023292B2 JP13752679A JP13752679A JPH023292B2 JP H023292 B2 JPH023292 B2 JP H023292B2 JP 13752679 A JP13752679 A JP 13752679A JP 13752679 A JP13752679 A JP 13752679A JP H023292 B2 JPH023292 B2 JP H023292B2
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- Japan
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- melt
- substrate
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- plate
- gap
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/067—Boots or containers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は台板上に置かれた基板表面に融体か
らエピタキシヤル成長層を析出させる方法および
その方法を実施させるための装置に関するもので
ある。
らエピタキシヤル成長層を析出させる方法および
その方法を実施させるための装置に関するもので
ある。
液相エピタキシイの場合、高温の反応炉内の水
素雰囲気中において融体をエピタキシヤル成長基
板に接触させる必要がある。融体は多くの場合液
体金属例えば溶融ガリウムである。その結果適当
な温度調整過程によつて基板上にエピタキシヤル
層が成長する。
素雰囲気中において融体をエピタキシヤル成長基
板に接触させる必要がある。融体は多くの場合液
体金属例えば溶融ガリウムである。その結果適当
な温度調整過程によつて基板上にエピタキシヤル
層が成長する。
従来普通に実施されている方法では、融体と基
板との接触は機械的な補助手段により行われてい
る。このような補助手段としては、溶融るつぼの
回転、融体容器の移動又は支持体にとりつけられ
た基板をるつぼ内の融体に浸漬すること等が挙げ
られる。
板との接触は機械的な補助手段により行われてい
る。このような補助手段としては、溶融るつぼの
回転、融体容器の移動又は支持体にとりつけられ
た基板をるつぼ内の融体に浸漬すること等が挙げ
られる。
この外に二枚の半導体板を使用する方法が発表
されている「ジヤーナル、オブ、クリスタル、グ
ロース（Jounal of Crystal Growth）」、11、
1971、101〜103ページ）。これらの半導体板は一
方がいくらか大きく、その上に小さい方の半導体
板が乗せられ、三つの突起により板の間に間隙が
形成される。融体は滴としてヒ化ガリウム棒につ
け機械装置により下の半導体板の隆起部の上に置
くと毛管現象により間隙内に広がる。しかしこの
方法は融体の挿入量が物理的に決定され自由に調
節することができないため用途が限定される。
されている「ジヤーナル、オブ、クリスタル、グ
ロース（Jounal of Crystal Growth）」、11、
1971、101〜103ページ）。これらの半導体板は一
方がいくらか大きく、その上に小さい方の半導体
板が乗せられ、三つの突起により板の間に間隙が
形成される。融体は滴としてヒ化ガリウム棒につ
け機械装置により下の半導体板の隆起部の上に置
くと毛管現象により間隙内に広がる。しかしこの
方法は融体の挿入量が物理的に決定され自由に調
節することができないため用途が限定される。
本発明の目的は機械的の可動部分を必要としな
い溶融エピタキシヤル成長方法およびその方法を
実施するための装置を提供することにある。
い溶融エピタキシヤル成長方法およびその方法を
実施するための装置を提供することにある。
上述の目的を達成するため、本発明の溶融エピ
タキシヤル成長方法においては、台板として用い
られる板の上方に第二の板を設け、両板の少なく
とも互いに対向する表面は、溶融エピタキシイの
ために使用される融体によつては濡らされないも
のであり、両板間に形成される間隙内に基板と基
板に接するように溶融エピタキシイのために使用
され且つ酸化皮膜を備えた融体を配置し、融体を
覆う酸化皮膜を還元雰囲気中で除去し、次いで融
体をその表面張力のみによつて基板上に流すもの
である。
タキシヤル成長方法においては、台板として用い
られる板の上方に第二の板を設け、両板の少なく
とも互いに対向する表面は、溶融エピタキシイの
ために使用される融体によつては濡らされないも
のであり、両板間に形成される間隙内に基板と基
板に接するように溶融エピタキシイのために使用
され且つ酸化皮膜を備えた融体を配置し、融体を
覆う酸化皮膜を還元雰囲気中で除去し、次いで融
体をその表面張力のみによつて基板上に流すもの
である。
また、本発明の別の溶融エピタキシヤル成長方
法においては、台板として用いられる板の上方に
第２の板を設け、両板の少なくとも互いに対向す
る表面は、溶融エピタキシイのために使用される
融体によつては濡らさないものであり、両板を互
いに角度をなすように配置して両板間にくさび形
の間隙を形成し、溶融エピタキシイのために使用
され且つ酸化皮膜を備えた融体を間隙の狭い側に
置き、基板を間隙の広い側に置き、融体を覆う酸
化皮膜を還元雰囲気中で除去し、次いで融体をそ
の表面張力のみによつて基板上に流すものであ
る。
法においては、台板として用いられる板の上方に
第２の板を設け、両板の少なくとも互いに対向す
る表面は、溶融エピタキシイのために使用される
融体によつては濡らさないものであり、両板を互
いに角度をなすように配置して両板間にくさび形
の間隙を形成し、溶融エピタキシイのために使用
され且つ酸化皮膜を備えた融体を間隙の狭い側に
置き、基板を間隙の広い側に置き、融体を覆う酸
化皮膜を還元雰囲気中で除去し、次いで融体をそ
の表面張力のみによつて基板上に流すものであ
る。
また本発明の方法を実施するための装置におい
ては、台板として用いられる板の上に僅かの距離
をおいて第二の板が設けられることにより、両板
間に挿入される溶融エピタキシイのための融体が
その表面張力のみによつて両板間を移動し得る程
度の小なる間隙が両板間に形成され、両板の少な
くとも互いに対向する表面は融体によつては濡ら
されないものであり、装置が機械的なスライド機
構を備えておらず、また融体が還元雰囲気中に置
かれ得るようになつている。
ては、台板として用いられる板の上に僅かの距離
をおいて第二の板が設けられることにより、両板
間に挿入される溶融エピタキシイのための融体が
その表面張力のみによつて両板間を移動し得る程
度の小なる間隙が両板間に形成され、両板の少な
くとも互いに対向する表面は融体によつては濡ら
されないものであり、装置が機械的なスライド機
構を備えておらず、また融体が還元雰囲気中に置
かれ得るようになつている。
台板として用いられる板とその上方に置かれる
第二の板とは、互いに平行に配置してもよいし、
また互いに傾斜して配置してもよい。
第二の板とは、互いに平行に配置してもよいし、
また互いに傾斜して配置してもよい。
台板として用いられる板は凹みを有していても
よい。
よい。
本発明の溶融エピタキシヤル成長方法において
は、基板を置く台板として用いられる下方の板と
その上方に置かれた第二の板との間に形成される
間隙に置かれた融体は上下の板の表面とは濡れ
ず、したがつて静止している。融体の酸化皮膜が
還元雰囲気中で除去されると、融体はその表面張
力で基板の方へ移動し、基板上に流れ込み、エピ
タキシヤル成長が行われる。
は、基板を置く台板として用いられる下方の板と
その上方に置かれた第二の板との間に形成される
間隙に置かれた融体は上下の板の表面とは濡れ
ず、したがつて静止している。融体の酸化皮膜が
還元雰囲気中で除去されると、融体はその表面張
力で基板の方へ移動し、基板上に流れ込み、エピ
タキシヤル成長が行われる。
本発明の溶融エピタキシヤル成長装置において
は、基板を置く台板として用いられる下方の板
と、その上方に僅かの間隙を介して置かれた第二
の板とで構成され、機械的なスライド機構を備え
ず、融体の表面張力によつて融体の静止、移動を
行うものである。
は、基板を置く台板として用いられる下方の板
と、その上方に僅かの間隙を介して置かれた第二
の板とで構成され、機械的なスライド機構を備え
ず、融体の表面張力によつて融体の静止、移動を
行うものである。
次に図面に示した実施例によつて本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図の実施例では、例えばグラフアイト、石
英又は酸化アルミニウムから成り酸化皮膜を備え
た融体によつては濡らされない板１と２との間に
間隙３が形成されている。これらの板１，２はあ
る角度で傾斜し、間隙の狭い側に融体４が置かれ
ており、間隙の広い側において下の板２の上に基
板５が置かれている。この状態では融体４は板
１，２と濡れず、したがつて静止している。今水
素雰囲気中で融体４の表面にある酸化皮膜を還元
すると、融体４は表面張力により基板５に向かつ
て移動し、基板５上に流れ込む。
英又は酸化アルミニウムから成り酸化皮膜を備え
た融体によつては濡らされない板１と２との間に
間隙３が形成されている。これらの板１，２はあ
る角度で傾斜し、間隙の狭い側に融体４が置かれ
ており、間隙の広い側において下の板２の上に基
板５が置かれている。この状態では融体４は板
１，２と濡れず、したがつて静止している。今水
素雰囲気中で融体４の表面にある酸化皮膜を還元
すると、融体４は表面張力により基板５に向かつ
て移動し、基板５上に流れ込む。
基板５が融体で濡らされる限り融体４は基板５
の上には流れるがその下の板２まで達することは
ない。挿入された融体４の量が基板の被覆に必要
な量よりも多ければ、余分の融体は基板５の縁端
を越えて間隙の外に流れ出る。これによつて融体
の正確な計量が可能となる。
の上には流れるがその下の板２まで達することは
ない。挿入された融体４の量が基板の被覆に必要
な量よりも多ければ、余分の融体は基板５の縁端
を越えて間隙の外に流れ出る。これによつて融体
の正確な計量が可能となる。
第２図の実施例では板１と２が平行し一様な間
隙３が作られている。この間隙３中に、酸化皮膜
を有する融体４が基板５の縁と接触するように挿
入される。この状態では融体４は移動しない。還
元雰囲気中で融体表面の酸化皮膜が除去される
と、融体４は基板５上に流れ込む。
隙３が作られている。この間隙３中に、酸化皮膜
を有する融体４が基板５の縁と接触するように挿
入される。この状態では融体４は移動しない。還
元雰囲気中で融体表面の酸化皮膜が除去される
と、融体４は基板５上に流れ込む。
基板材料には高い温度で初めて融体と濡れ得る
ようになるものがある。例えばヒ化ガリウムおよ
びリン化ガリウムは、640℃以上の温度で始めて
ガリウム融体と濡れるようになる。従つてこれら
の材料が使用される場合にはこの温度で融体４が
基板５上に流れ込む。
ようになるものがある。例えばヒ化ガリウムおよ
びリン化ガリウムは、640℃以上の温度で始めて
ガリウム融体と濡れるようになる。従つてこれら
の材料が使用される場合にはこの温度で融体４が
基板５上に流れ込む。
例えばすべての酸化物が還元されるようにする
ため付加成分が高い温度で初めて融体内に溶け込
むようにするためには、第３図に示すようにこの
付加成分６を基板５の上に置くことができる。
ため付加成分が高い温度で初めて融体内に溶け込
むようにするためには、第３図に示すようにこの
付加成分６を基板５の上に置くことができる。
第２図のような平行板間隙において融体が基板
５を被覆した後に初めて過剰の融体流れ出すよう
にするためには、第４図の装置を使用することが
できる。この装置では基板５が板２の凹み７の縁
端に接するように置かれ、基板５の他の側に置か
れた融体は過剰部分がこの凹みに流れ込む。融体
は凹み７を満たし基板５の上を覆つている融体部
分と第５図に示すように連続する。凹み７を埋め
た融体が基板５上の析出条件に影響を及ぼさない
ようにするためには、基板材料を凹み７に入れて
置き融体をこの材料で飽和させる。
５を被覆した後に初めて過剰の融体流れ出すよう
にするためには、第４図の装置を使用することが
できる。この装置では基板５が板２の凹み７の縁
端に接するように置かれ、基板５の他の側に置か
れた融体は過剰部分がこの凹みに流れ込む。融体
は凹み７を満たし基板５の上を覆つている融体部
分と第５図に示すように連続する。凹み７を埋め
た融体が基板５上の析出条件に影響を及ぼさない
ようにするためには、基板材料を凹み７に入れて
置き融体をこの材料で飽和させる。
高い温度で初めて融体に溶け込む付加成分６が
基板５に接触しないようにするためには、この成
分を第４図に示すように凹み７に入れる。
基板５に接触しないようにするためには、この成
分を第４図に示すように凹み７に入れる。
付加成分６の溶解により生じた融体混合物に対
し基板が濡れることは必要ではない。従つて本発
明は濡れない融体を使用する場合にも有効であ
る。構成部分の一例は板１と２がガリウムグラフ
アイト、融体４がガリウム、基板５がヒ化ガリウ
ム、付加成分６がアルミニウムである。この例は
三成系ヒ化ガリウム・アルミニウムの溶融エピタ
キシイの総ての条件を満たしている。エピタキシ
イ過程の終了後凹み７に別の付加成分を入れるこ
とができる。これによつて付加溶融エピタキシイ
（「Inst.Phys.Conf.」シリーズ、No.24、1975、145
ページ参照）が実施され、付加成分の種類によつ
て異種結晶組成のヘテロエピタキシイ又は同種結
晶組成でドーピングを異にするホモエピタキシイ
となる。この成長過程は必要に応じて何回も繰り
返すことができる。
し基板が濡れることは必要ではない。従つて本発
明は濡れない融体を使用する場合にも有効であ
る。構成部分の一例は板１と２がガリウムグラフ
アイト、融体４がガリウム、基板５がヒ化ガリウ
ム、付加成分６がアルミニウムである。この例は
三成系ヒ化ガリウム・アルミニウムの溶融エピタ
キシイの総ての条件を満たしている。エピタキシ
イ過程の終了後凹み７に別の付加成分を入れるこ
とができる。これによつて付加溶融エピタキシイ
（「Inst.Phys.Conf.」シリーズ、No.24、1975、145
ページ参照）が実施され、付加成分の種類によつ
て異種結晶組成のヘテロエピタキシイ又は同種結
晶組成でドーピングを異にするホモエピタキシイ
となる。この成長過程は必要に応じて何回も繰り
返すことができる。
実際に行つた例としては第一エピタキシイ過程
において上記のグラフアイト、ガリウム、ヒ化ガ
リウム・アルミニウムという材料の組合わせに対
して付加成分としてシリコンを加えてエピタキシ
ヤル層内にpn接合を作る。シリコンが両性ドー
パントであることはよく知られた事実である。こ
の場合第二エピタキシイ過程に先立つて付加成分
６としてアルミニウムを凹み７に入れる。
において上記のグラフアイト、ガリウム、ヒ化ガ
リウム・アルミニウムという材料の組合わせに対
して付加成分としてシリコンを加えてエピタキシ
ヤル層内にpn接合を作る。シリコンが両性ドー
パントであることはよく知られた事実である。こ
の場合第二エピタキシイ過程に先立つて付加成分
６としてアルミニウムを凹み７に入れる。
この方法により第６図に示した構造を持つデバ
イスが作られる。第６図の縦軸にはアルミニウム
濃度Ｋ、横軸には基板表面からのエピタキシヤル
層の距離ｄがとられている。従つて基板とエピタ
キシヤル層との境界が座標原点になつている。
pn接合の位置は破線８で示されている。第６図
の構造は発行ダイオードとして適し、その発行波
長は650nmから950nm間に選ぶことができる。第
一エピタキシヤル層９の上に成長した第二エピタ
キシヤル層１０は、発生した光に対して透明であ
り光放出用の窓として使用される。又この層は注
入限定層として放出光スペクトルおよびスイツチ
ング時間に影響を与えることができる。
イスが作られる。第６図の縦軸にはアルミニウム
濃度Ｋ、横軸には基板表面からのエピタキシヤル
層の距離ｄがとられている。従つて基板とエピタ
キシヤル層との境界が座標原点になつている。
pn接合の位置は破線８で示されている。第６図
の構造は発行ダイオードとして適し、その発行波
長は650nmから950nm間に選ぶことができる。第
一エピタキシヤル層９の上に成長した第二エピタ
キシヤル層１０は、発生した光に対して透明であ
り光放出用の窓として使用される。又この層は注
入限定層として放出光スペクトルおよびスイツチ
ング時間に影響を与えることができる。
本発明によれば、基板を融体で覆うための機械
滴な可動装置を必要としないから、方法、装置は
極めて簡単であり、装置、基板の清浄さを高度に
保持することができ、したがつて基板材料を汚染
することなく、結晶擾乱のないエピタキシヤル層
を得ることができ、また製造工程を大幅に自動化
することができる。
滴な可動装置を必要としないから、方法、装置は
極めて簡単であり、装置、基板の清浄さを高度に
保持することができ、したがつて基板材料を汚染
することなく、結晶擾乱のないエピタキシヤル層
を得ることができ、また製造工程を大幅に自動化
することができる。
第１図〜第５図はそれぞれ本発明の異なる実施
例の断面図を示し、第６図はこの発明によつて作
ることができる。 １……台板、２……第二の板、３……間隙、４
……融体、５……基板。
例の断面図を示し、第６図はこの発明によつて作
ることができる。 １……台板、２……第二の板、３……間隙、４
……融体、５……基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 台板として用いられる板２の上に置かれた基
板５上にエピタキシヤル層を成長させる方法にお
いて、台板として用いられる板２の上方に第二の
板１を設け、両板１，２の少なくとも互いに対向
する表面は、溶融エピタキシイのために使用され
る融体４によつては濡らされないものであり、両
板１，２間に形成される間隙３内に基板５と基板
５に接するように溶融エピタキシイのために使用
され且つ酸化皮膜を備えた融体４を配置し、融体
４を覆う酸化皮膜を還元雰囲気中で除去し、次い
で融体４をその表面張力のみによつて基板５上に
流すことを特徴とする溶融エピタキシヤル成長方
法。 ２ 台板として用いられる板２の上に置かれた基
板５上にエピタキシヤル層を成長させる方法にお
いて、台板として用いられる板２の上方に第２の
板１を設け、両板１，２の少なくとも互いに対向
する表面は、溶融エピタキシイのために使用され
る融体４によつては濡らされないものであり、両
板１，２を互いに角度をなすように配置して両板
１，２間にくさび形の間隙３を形成し、溶融エピ
タキシイのために使用され且つ酸化皮膜を備えた
融体４を間隙３の狭い側に置き、基板５を間隙３
の広い側に置き、融体４を覆う酸化皮膜を還元雰
囲気中で除去し、次いで融体４をその表面張力の
みによつて基板５上に流すことを特徴とする溶融
エピタキシヤル成長方法。 ３ 台板として用いられる板２の上に置かれた基
板上にエピタキシヤル層を成長させるための装置
において、台板として用いられる板２の上方に僅
かの距離をおいて第二の板１が設けられることに
より、両板１，２間に挿入される溶融エピタキシ
イのための融体４がその表面張力のみによつて両
板１，２間を移動し得る程度の小なる間隙３が両
板１，２間に形成され、両板１，２の少なくとも
互いに対向する表面は融体４によつては濡らされ
ないものであり、装置が機械的なスライド機構を
備えておらず、また融体４が還元雰囲気中に置か
れ得るようになつていることを特徴とする溶融エ
ピタキシヤル成長装置。 ４ 両板１，２が互いに平行に配置されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の装
置。 ５ 両板１，２が互いに傾斜して配置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の装
置。 ６ 下方の板２が凹み７を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2846486A DE2846486C2 (de) | 1978-10-25 | 1978-10-25 | Schmelzepitaxie-Verfahren und -Vorrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5559717A JPS5559717A (en) | 1980-05-06 |
| JPH023292B2 true JPH023292B2 (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=6053104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13752679A Granted JPS5559717A (en) | 1978-10-25 | 1979-10-24 | Device for growing molten epitaxial growth and method of using same |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5559717A (ja) |
| DE (1) | DE2846486C2 (ja) |
| FR (1) | FR2439827B1 (ja) |
| GB (1) | GB2037181B (ja) |
| IT (1) | IT1124629B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0482991U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3664294A (en) * | 1970-01-29 | 1972-05-23 | Fairchild Camera Instr Co | Push-pull structure for solution epitaxial growth of iii{14 v compounds |
| US3899371A (en) * | 1973-06-25 | 1975-08-12 | Rca Corp | Method of forming PN junctions by liquid phase epitaxy |
| DE2437895C2 (de) * | 1973-08-07 | 1983-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Flüssigphasen-Epitaxieverfahren |
| DE2354866B2 (de) * | 1973-11-02 | 1975-09-04 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial |
-
1978
- 1978-10-25 DE DE2846486A patent/DE2846486C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-10-19 IT IT26633/79A patent/IT1124629B/it active
- 1979-10-23 FR FR7926234A patent/FR2439827B1/fr not_active Expired
- 1979-10-24 GB GB7936839A patent/GB2037181B/en not_active Expired
- 1979-10-24 JP JP13752679A patent/JPS5559717A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0482991U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2037181B (en) | 1982-08-11 |
| GB2037181A (en) | 1980-07-09 |
| IT1124629B (it) | 1986-05-07 |
| DE2846486A1 (de) | 1980-04-30 |
| JPS5559717A (en) | 1980-05-06 |
| FR2439827A1 (fr) | 1980-05-23 |
| IT7926633A0 (it) | 1979-10-19 |
| FR2439827B1 (fr) | 1985-06-14 |
| DE2846486C2 (de) | 1981-09-24 |
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