JPS6120956A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を包含する）の様な電磁波に感受
性のある光受容部材に関する。、゛さらに詳しくは、レ
ーザー光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部
材に関する。

〔従来の技術〕− デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−ｓｔ」と略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ、−３ｉ層とすると、
その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求され
る１０　　ΩＣｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されている様に、光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されている様に、光受容層を、支持体と感光層の間
又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造
としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が
提案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様に光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚にむらがあり、また、
レーザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層の
レーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層の
界面及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自由
表面及び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）
より反射して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性が”
ある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模ｓ左なって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長ｑ域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著、である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＱと上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

暦の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入とし“て
、 ある層の層厚がなだらかに一以上の層厚差で不ｎ 均一であると、反射光Ｒ，，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝＝（ｍ＋−）　　
λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）一 の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量゛
および透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
瞬よる相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１００ＯＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に粛清することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分散乱効果による干渉縞模様の
発現防止にはなっているが、光散乱としては依然として
正反射光成分が現存している為に、該正反１光による干
渉縞模様が残存することに加えて、支持体表面での光散
乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ、実質的な解
像度低下の要因となっていた。

ｗ４２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸
収は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。

又１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−Ｓｉ感光層
を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成され
る光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ
−Ｓｉ系感光層形成の際のプラズマによってダメージを
受けて、本来の吸収機能を低減させると共に１表面状態
の悪化によるその後のＡ−５ｉ系感光層の形成に悪影響
を与えること等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３図に示す
様に、例えば入射光ｊｏは、光受容層３０２の表面でそ
の一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、光受容
層３０２の内部に進入して光に！　、に２　、に３・・
φ・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、そ
の一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、
反射光Ｒ，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する
為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない
。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーシゴンを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ２＋支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能で・あった・ 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製畠舎理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５Ｑ１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１の
凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平行
になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄｌ＝（ｍ子局）λが成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体で、は光受容層の層厚ｄ　
Ｉ　　＊　ｄ２　＋　ｄ３　Ｔ　ｄ４の夫々−性がある
ため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体トに多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。′ 本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発“明の概要〕

本発明の光受容部材は、ショートレンジ内に、層厚方向
と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し１つ配列
方向に於いて各々なめらかに連結しているｌ対以上の非
平行な界面を有する、少なくとも１つの感光層と：反射
防止機能を有する表面層と；を有する多層構成の光受容
層を支持体上に有する光受容部材であって、前記光受容
層は酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される
原子の少なくとも一種を含有することを特徴としている
。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小でなめらか
なな凹凸形状を有する支持体（下図示）上に、その凹凸
の傾斜面に沿って、１つ以上の感光層を有する多層構成
の光受容層が、第６図（Ａ）に拡大して例示されている
。第６図に示される様に、第２層６０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）交に入射した可干渉性光は、
該微小部公文に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７゜４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光１．にする反
射光Ｒ０と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第１層７０１の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７≠ｄ８）でも同様に伝える為
、全層領域に於て入射光量、が均一になる（第６図のｒ
　（Ｄ）Ｊ参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて９本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉｏに対
して、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４、Ｒ５が存在する
。その九番々の層で第７図を以って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない、又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ見（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌであ
る。

この様に設計することにより、回折効果を積−的に利幼
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄｓ　　ｄ６）は、照射光の波
長をλとすると、 に の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後［微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が。

以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプリズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移状支持体を予め所望に従って設計さ
れたプログラムに従って回転させながら規則的に所定方
向に移動させることにより、支持体表面を正確に切削加
工することで所望のなめらかな凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削加工法によって形成される
凹凸が作りだす正弦ｒＡ数形線状突起部は、円筒状支持
体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。

正弦関数形線状突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重
螺旋構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線ａ造を導
入しても良い。

本発明においては、管理された状態で支持体表面に設け
られるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点
を考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様
に設定する。

即ち、第１は感光層を例えばＡ−５ｉ層で構成する場合
には、Ａ−５ｉ層は、層形成される表面の状態に構造敏
感であって、表面状態に応じて層品質は大きく変化する
。

従って、Ａ−Ｓｉ感光層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを・設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好門しくは５００ルｍ〜
０．３終ｍ、より好ましく′は２００７ｉｍ　−Ｉ　Ｌ
ｍ、最適には５０　ＪＬ　ｍ　〜５　ｇｍであるのが望
ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．ｌＩＬｍ〜５Ｊ
Ｌｍ、より好ましくは０．３ｇｍ　〜３ｐｍ、最適には
０．６＃Ｌｍ〜２１１．ｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、隣接する凹部と凸部の各々の極小値点と極大値
点とを結ぶ傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、
より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度と
されるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１μｍ〜２＃Ｌｍ、より好ましく７は０．１　ｐｍ〜ｌ
　、５ｐｍ、最適にはＯ’、２．ｉｍ〜ｌＩＬｍとされ
るのが望ましい。

本発明の光受容部、材に於いては、高光感度化と高暗抵
抗化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良
を図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原
子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子
が含有される。光受容層中に含有されるこの様な原子（
ＯＣＮ）は、光受容層の全層領域に刃傷なく含有されて
も良いし、或いは、光受容層の一部の層領域のみに含有
させることで偏在させても良い。

原子（□ＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＱＣＮ）が、
光受容層の層厚方向及び支持体の表面と平行な面内に於
いて均＝であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。　
前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量が、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多にされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。又、前記層領域
（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が設けられる場合
には、該他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界
面に於ける特性との関係も考慮されて、原子（ＯＣＮ）
の含有量が適宜選択される０層領域（ＯＣＮ）中に含有
される原子（ＯＣＮ）の量は、形成される光受容部材の
要求される特性に応じて所望に従って適宜法められるが
、好ましくはｏ、ｏｏｔ　〜ｓｏ　　ａｔｏｍｔｃ　　
％、より好ましくは、０．００２〜４０　　ａｔｏｍｉ
ｃ　　％、最適には０．００３〜３０　　ａｔｏｍｉｃ
　　％とされ□るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（’ＯＣＮ　）が光受容層の全
域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも
１層領域（ＯＣＮ）の層圧Ｔ　の光受容層の層圧Ｔに占
める割合が充分多い場合には、層領域（０，ＣＮ）に含
有される原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値よ
り充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔが光受容
層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様
な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ％
以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃｉ％以下、より
好ましくは２０ａｔｏ’ｍｉｃ％以下、最適にはｌＯａ
ｔｍｉ　ｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
衝撃層には、少なくとも含有される。詰り、光受容層の
支持体側端部所領域に原子（ＯＣＮ）を含有させること
で、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ること
が出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、ホウ素原子との共
存下に於いて゛、暗抵抗の向上と高光光感度の確保が出
来るので、感光層に所望量含有されることが望ましい 又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、電荷注入防止層中には
、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含有
させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒
素原子とを共存させる形で含有させてもよい。

本発明において、Ａ−５，ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感
光層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利
用する真空堆積法によって成される０例えば、グロー放
電法によって、ａ−Ｓ′ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光
層を形成するには、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、必要に応じて水
素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されて’−４所定
の支持体表面上にａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、併えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使
用して、必要に応じてＨｅ　、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈
された水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望
のガスのプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットを
スパッタリングしてやれば良い。

、イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シ
リコン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源と、して蒸着
ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させ
る以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行
うことが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
うる物質としては、−３ｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ
Ｂ　、Ｓｉ、Ｈ，０等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４，５ＩｚＨｓ　＊が好ましい
ものとして挙げられる。

木・発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、　　ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　
、ＢｒＦ３．ＩＦ３．ＩＦ、、ＩＣＭ、ＩＢ′ｒ等のハ
ロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含むホウ素化合物、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　、Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
ホウ素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲ
ン原子を含むａ　−３ｉから成る感光層を形成する事が
出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雲囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い、又、各ガスは単独槽のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含むケ
イ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。又、水素原
子を導入する場合は、水素原子導入用の原料ガス、例え
ば、Ｈ２、或いは前記したシラン類のガス類をスパッタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ、ＨＣＵ、ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン化水素
、ＳｉＨ２Ｆ２゜ＳｉＨ２Ｉ２　．５ＬＨ２０文２．５
ｉｌＱ文、。

５ｉＨ２Ｂｒ２　．５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ、。

等のハロゲン置換水素化ケイ素等のガス状態の或いはガ
ス化し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質として
挙げる事が出来る。これ等の物質の中、水素原子を含む
ハロゲン化物は、感光層形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて
有効な水素原子を導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出°発物゛貰をガス状態で堆積室中に光受容層を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第■族原子導入用の出発物質ζ成り得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい
。その様な第■族原子導入の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６＊　Ｂ４　ＨＩ　Ｏ
＋　ＢＳ　Ｂ９　＋ＢＳ　Ｈｌ　１　　＋Ｂ６Ｈ１゜＋
　Ｂ６　Ｈｌ　２　　＋　Ｂ＆　Ｈｌ　４等の水素化硼
素、’Ｂ　Ｆ３　、　Ｂ　Ｃｌ　３　、　ＢＢ　ｒ３等
のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ
３　、ＧａｃＪ１３　、Ｇａ　（ＣＨ３）３　、Ｉ　ｎ
ｃｊＬ３　、ＴｌＣ１，等も挙げΔことが出来る。。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ，等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、Ｐ、Ｆ３　、ＰＦ
ｓ　、２０文、、ＰＣ見、、ＰＢｒ３　、ＰＢｒ３．Ｐ
Ｉ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他ＡｓＨ３、
ＡｓＦ３　　、ＡｓＣＣｌ３　　、Ａ’ＳＢ　ｒ３　、
ＡｓＦ５　、Ｓ　ｂＨ３、ＳｂＦ：＋、ＳｂＦ５．Ｓｂ
Ｃ立３．ＳｂＣ立５　、ＢｉＨ３、ＢｉＣＪＬ３　、Ｂ
１Ｂｒ、、等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ−）を設けるには、光受容層の形成の
際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を蒋°記した光受
容層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、三酸化窒素（Ｎ。

２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０
３　）＋四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ
２０Ｓ）、三酸化窒素（Ｎ’０３）シリコン原子（Ｓｉ
）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とす
る、例えば、ジシロキサ７（’Ｈ３５ｉＯ３ｉＨ３）、
）！Ｊシｔｒキサｙ（Ｂ３５ｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）
等の低級シロキサン、メタ７’　（ＣＨ４）　＋　工’
）　７　（Ｃ２Ｈｂ　）　＋　７’ロパン（Ｃ３ＨＢ）
、ｎ−ブタ７　（ｎ−Ｃ４Ｈｌｏ）、ペンタン（Ｃ５Ｈ
Ｉ２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ
２Ｈ４）、プロピレフ（Ｃ３Ｈ＆）ｌブテン−１（Ｃａ
　Ｈｅ　）　　、ブチ７　２（ＣａＨｅ）、インブチレ
ン（Ｃ４Ｂ８）、ペンテン（Ｃ５ＨＩＯ）等の炭素数２
〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈａ）、ブチン（Ｃａ　Ｈ６）
等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素。

窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｂ
２　ＮＮＢ２）、アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３　、アジ化
アンモニウム（ＮＨ４Ｎ）、三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四
弗化窒素（Ｆ４　Ｎ２　）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉＯ７、Ｓ　１３　Ｎ４　　＋カーボンブラック等を
挙げることが出来る。これ等は、８１等のターゲットと
共にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用さ
れる。

反射防止機能を持つ表面層の厚さは、次のように決・定
される。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長をλとす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、 ｄ、＝　　−ｍ　　（ｍは奇数） ｎ が好ましいものである。

また、表面層の材料”としては、表面層を堆積する感光
層の屈折率をｎ。とすると、 ｎ＝（ｎ）繕 の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、表面層の層厚は、露
光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるものとし
て、０．０５〜２７１ｍとされるのが好適である・ 本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２　
、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２，Ｔｉｅ２ＺｎＳ、ＣｅＯ，、
ＣｅＦ、、、５ｔｏ２　、ｓｔＯ，Ｔａ２０５　、Ａｌ
Ｆ３　、ＮａＦ。

Ｓｉ３Ｎ、等の無機弗化物、Ｓａ酸化物や無機窒化物、
或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化合物が挙げ
られる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第９図に示される光受容部材９００は、本発明の目的を
達成する様に表面切削加工された支持体９０１上に、光
受容層９０２を有し、該光受容層９０２は支持体９０１
側より電荷注入防止層９０３、感光層９０４９表面層９
０５で構成されている。

支持体９０１としては一導電性でも電気絶縁性であって
もよい、導電性支持体としては、例えば、ＮｊＣｒ、ス
テｙレス、ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金があげられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側の他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面にＮｉＣｒ　。

ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ　、Ｔ　ｉ−Ｐ　ｔ　、Ｐ　ｄ　＋　Ｉ　ｎ　２０２
　　＊　Ｓ　ｎ　Ｏ２。

ＩＴＯ（Ｉ　ｎ７　ｏ３＋Ｓｎ０．２　）等から成る薄
膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであればＮｉＣ
ｒ、Ａｌ　、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ　。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその前面に設け、又は、前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状として得、所望によってその形状は決定される
が、例えば、第９図の光受容部材９００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのがψましい、支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜
決定されるが、光受容部材として可撓性が要求される場
合には、支持体としての機能が十分発揮される範囲内で
あれば可能な限り薄くされる。

しかしながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、好ましくは１０終以上と
される。

電荷注入防止層９０３は、感光層９０４への支持体９０
１側からの電荷の注入を防いで見掛」；の高抵抗化を計
る目的で設けられる。

電荷注入防止層９０３は、水素原子又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｉ（、以後ｒＡ−Ｓ　ｉ　
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと記す）で構成されると共に伝゛導性
を支配する物質（Ｃ）が含有される。

電荷注入防止層９０３に含有される伝導性を支配する物
質（Ｃ）としては、い、わゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Ｓｉに対し
て、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びＤ型体導性を
与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体的には、
Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第■
族原子）例えばＢ（硼素）、ＡＩ（アルミニウム）　　
、Ｇａ（ガリウム）、　、　Ｉ　ｎ　（インジウム）　
　、ＴＩ　　（夕１ノウム）等があり、殊に好適に用い
られるのは、ｎ、ｃａである。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（＄Ｖ
族原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アン
チモン）　、Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に好適に
用いられるのは、Ｐ、Ａｓ。

である。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３に余有される伝導
性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷注
入防止特性、或いは該電荷注入防止層９０３が支持体９
０１１に直に接触して設けられる場合には、該支持体９
０１′との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於て、適宜選択することが出来る。又、前記電荷
注入防止層に直に接触して設けられる他に層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が適宜選
択される。

本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性、
を支配する物質の含有量としては、好適には、０．００
１〜５Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　　ＰＰｍ、より好適に
は０．５〜ｌＸｌ０’　ａｔ　ｏｍｉｃｐｐｍ、最適に
は１〜５Ｘ１０３ａｔ　ｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３に於ける物質（Ｃ
）の含有量は、好ましくは、３０ａｔ　。

ｍｉｃｐｐｍ以上、より好適には５０ａｔｏｍｉｃ　　
ｐｐｍ以上、最適には１ｏＯａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以
上とすることによって、以下に述べる効果をより顕著に
得ることができる０例えば含有させる物質（Ｃ）が前記
のｐ型不純物の場合には光受容層の自由表面がΦ極性に
帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入され
る電子の移動を、より効果的に阻止することが出来、又
、前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた
際に支持体側から感光層中へ注入される正孔の移動を、
より効果的に阻止することが出来る。電荷注入防止Ｊｌ
ｊ）９０３の層厚は好ましくは３Ｏ＾〜１０　ｇ　ｍ　
、より好適には４０λ〜８ルｍ。

最適には５０Ａ〜５＃Ｌｍとされるのが望ましい。

感光層９０４は、Ａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）　で構成さ・れ
、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する
電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機
能を有する。

感光層９０４は層厚としては、好ましくは、１〜１００
　ｐ、　ｍ　、より好ましくは１〜８０　ｐＬｍ　、最
適には２〜５０ｐｍとされるのが望ましい。

感光層９０４には、電荷注入防止層９０３に含有される
伝導特性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性の伝
導特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、
同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層９
０３に含有される実際の量よりも一段と少ない量として
含有させても良い、　この様な場合、前記感光層９０４
中に含、有される前記伝導特性を支配する物質の含有量
としては、電荷注入防止層９０３に含有される前記物質
の極性や含有量に応じて所望に従って適宜決定されるも
のであるが、好ましくは０．００１〜１００１０００ａ
ｔｏ　　ｐｐ、ｍ、より好適には０．０５〜５００ａｔ
ｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、最適には０．１〜２００ａｔｏｍ
ｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３及び感光層９０４
に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、
感光層９０４に於ける含有量としては、好ましくは３０
　　ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３及び感光層９０４
中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（
Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ
）は好ましくは１〜４０　　ａｉｏｍｉｃ　　％、より
好適には５〜３０ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるの
が望ましい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、ＣＩ　、Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＩが好ましいものと
して挙げられる。

第９図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層９０
３の代りに電気絶縁性材料から成る、いわゆる障壁層を
設けても良い、或いは、該障壁層と電荷注入防止層９０
３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａｌｚ　Ｏ３，Ｓ　＋　０２
　　＋　Ｓ　’３　Ｎ４等の無ａｍ気絶縁材料やポリカ
ーボネート等の有機電気絶縁材料を挙げることができる
。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本゛実施例ではスポット系８０ｇｍの半導体レーザー（
波長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−５ｉ：Ｈ
を堆積させる円筒状のＡｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍ
ｍ、径（ｒ）８０ｍｍ）上に旋盤でピッチ（Ｐ）２５ｇ
ｍで深さくＤ）０．８ｓで螺線状の溝を作成した。この
ときの溝の形を第１０図に示す。

このＡＭ支持体上に第１１図の装置で電荷注入防止層、
感光層、を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１１０１は高周波電源、１
１０２はマツチングボックス、１１０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１１０４’ＪよＡｎ
支持体回転用モータ、１，１０５はＡｎ支持体、１１０
６はＡ　ｌ’支持体加熱用ヒータ、１１０７はガス導入
管、１１０８は高周波導入用カソード電極、１１０９は
シールド板、１１１０はヒータ用電源、１１２１−１１
２５　。

１１４１〜１１４５はバルブ°、１１３１−１１３５は
マスフロコントローラー、１１５１−１１５５はレギュ
レーター、１１６１は水素（Ｂ７）ボンベ、１１６２は
・どラン（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）ボンベ、１１６３はジポラ
ン（８２Ｈ＆）ボンベ、１１６４は酸化窒素（Ｎｏ）ボ
ンベ、１１６５はメタン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１１６１〜１１６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラー
およびバルブを開け、１１０３の拡散ポンプにより堆積
装置内を１０　　　Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同時
に１１０６のヒータ番こより１１０５のＡｌ支持体を２
５０℃まで加熱し２５０℃で一定に保った。１１０５の
Ａｌ支持体の温度が２５０℃で一定になった後１１２１
〜１１２５．１１４１〜１１４５．１１５１　Ｎ１１５
５のバルブを閉じ、１１６１−１１６５のボンベの元栓
を開け、１１０３の拡散ポンプをメカニカルブースター
ポンプに代える。１１５１−１１５５のレギュレーター
付き／くルブの二次圧を１゜５Ｋｇ／ｃｒｎ’に設定し
た。　１１３１ｃ７）マスフローコントローラーを３０
０３ＣＣＭに設定し、１１４１のバルブと１１２１の／
くルプを順に開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次に１１６１のＳｉＨ４ガスを１１３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０３　ＣＣＭニ設定して、Ｈ２
ガスの導入と同様の操作で５ｉＨａガスを堆積装置に導
入した。次に１１６３のＢ２Ｈ６ガス波量をＳｉＨ４ガ
ス流量に対して、１６００Ｖｏｌ　　ＰＰｍになるよう
に１１３３のマスフローコントローラーを設定して、Ｈ
２ガスの導入と同様な操作でＢ２．ＨＧガスを堆積装置
内に導入した。

次に１１６４のＮｏガス流量をＳ　ｉ　Ｈ４ガス流量に
対して、３．４Ｖｏ１％になるように１１３４のマスフ
ローコントローラーを設定して、Ｈ２ガスの導入と同様
な操作でＮｏガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．’２Ｔｏｒｒで安定した
ら、１１０１の高周波電源のスイッチを入れ１１０２の
マツチングボックスを８１１６して、１１０５のＡｌ支
持体と１１０８のカソード電極間にグロー放電を生じさ
せ、高周波電力を１５０Ｗとし５ｇｍ厚にＡ−５ｔ：Ｈ
：Ｂ：０層（Ｂ、０を含むＰ型のＡ−５ｊ：Ｈ層となる
）を堆積した（電荷注入防止層層）。この様にして５ｇ
ｍ厚のＡ−５ｉ：Ｈ：Ｂ（Ｐ型）を堆積したのち放電を
切らずに、１１２３のバルブを閉め８２Ｈ６の流入を１
トめた。

そして高周波電力１５０Ｗで２０ｇｍＪ’Ｘの八−３ｉ
：Ｈ層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層）。

その後、高周波電源及びガスのバルブをすべて閉じ堆積
装置を排気し、Ａ１支持体の温度を室温まで下げて、光
受容層を形成した支持体を取り出した。

同様な方法で支持体上に感光層まで形成したものを、２
２本作製した。

次に、１１６１の水素（Ｈ２）ボンベをアルゴン（Ａｒ
）ガスボンベに取換え、堆積装置を清掃し、カソード電
極上に第１表（条件Ｎｏ、１０１）に示す表面層材料を
一面にはる。前記感光層まで形成したもの１本を設置し
、堆積装置−内を拡散ポンプで十分に減圧する。その後
、アルゴンガスを０．０１５　　Ｔｏｒｒまで導入し、
高周波電力１５０　　Ｗでグロー放電を起して、表面材
料をスパッタリングして、前記支持体上に第１表（条件
Ｎｏ、１０１）の表面層１３０５を堆積した。

（サンプルＮｏ、１Ｏ１） 同様に残り２１本について第１表（条件Ｎｏ。

１０２〜１２２）の条件で表面層を堆積した。

（サンプルＮｏ、１０２〜１２２） 別に、同一の表面性の円筒状Ａ１支持体上に高周波電力
４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製手
順で電荷注入防止層、感光層。

及び表面層を支持体上に形成したところ第１２図に示す
様に感光層１２０３の表面は、支持体１２０１の平面に
対して平行になっていた。このときＡｌ支持体の中央と
両端部とで全層の層厚の差はｌＩＬｍであった。

また、前記の高周波電力を１６０　　Ｗにしだ場合には
第１３図の様に感光層１３０３の表面と支持体１３０１
の表面とは、非平行であった。この場合ＡＩ支持体層の
中央と両端部とで全層の層厚の差は２μｍであった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体ル−ザーをスポット径８０ｇｍで第１
４図に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た０層作製時の高周波電力４０Ｗで、第１
４図に示す表面性の光受容部材では干渉縞模様が観察さ
れた。

一方、第１３図に示す表面性を有する光受容部材では干
渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特性を示
すものが得られた。

実施例　２ 、シリンダー状Ａｎ支持体の表面を旋盤で、第２表のよ
うに加工した。これ等（Ｎｏ、２０１〜２０８）の円筒
状のＡＩ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消尺た条
件（高周波電力１６０Ｗ）と同様の条件で、電子写真用
光受容部材を作製した（ＮＯ，２１１〜２１８）、この
とｊの電子写真用光受容部材のＡＩ支持体の中央と両端
部での平均′層厚の差は２．２４ｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピッチ内での差を測定したところ、第３
表の様な結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様に第１５
図の装置で波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使い、ス
ポット径８０ｇｍで画像露光を行ったところ、第３表の
結果を得”た。

実施例３ 以下の点を除いて実施′＠２と同様な条件で光受容部材
を作製した（Ｎｏ３１１〜３１８）。そのとき電荷注入
防止層の層厚を１０μｍとした。このときの電荷注入防
止層中央と両端部での平均層厚差は１．２７ｚｍ、感光
層の層厚の中央と両端部での平均の差は２．３ｇｍであ
った。Ｎｏ、３１１〜３１８の各層の厚さを電子顕微鏡
で測定したところ、第４表の様な結果を得た。これらの
光受容部材について、実施例１と同様な像露光装置に於
いて１画像露光を行った結果、第４表の結果を得た。

実施例４ 第２表に示す表面性のシリンダー状Ａｉ支持体（Ｎｏ、
２０１〜２０８）上に窒素を含有する電荷注入防止層を
設けた光受容部材を第５表に示す条件で作製した（Ｎｏ
４０１〜４０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で０．０９ＪＬｍであった。感光層の平均
層厚はシリンダーの中央と両端で３μｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第６表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第６表に示す結果を得た。

実施例５ 第２表に示す表面性のシリンダー状Ａｉ支持体（Ｎｏ、
２０１〜２０８）上に窒素を含有する電荷注入阻止層を
第７表に示す条件で作製した（Ｎｏ５０１〜５０８）　
　。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で０．３μｍであった。感光層の平均層厚
はシリンダーの中央と両端で３．２ｇｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第８表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第８表に示す結果を得た。

実施例６ ８２表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（Ｎｏ、
２０１〜２０８）上に炭素を含有する電荷注入阻止層を
第９表に示す条件で作製した（Ｎｏ１００１〜１００Ｂ
）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で０．０８ｇｍであった。感光層の平均層
厚はシリンダーの中央と両端で２．５ルｍであった・ 各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第１θ表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第１Ｏ表に示す結果を得た。

実施例〉 第２表に示す表面性のシリンダー状Ａ９．支持体（Ｎｏ
、２０１〜２０８）上に炭素を含有する電荷注入阻止層
を第１１表に示す条件で作製した（Ｎｏ　１２’０１−
１２０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で１．１７ｔｍであった。感光層の平均層
厚はシリンダーの中央と両端で３・４Ｋｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第１２表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第１２表に示り結果を得た。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡｌ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡｔ支持体の表面を粗面化したＡｌ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の高周波電力’１５０Ｗ
で作製した電子写真用光受容部材と全く同様の方法でＡ
−５ｉ電子写真用光受容部材を作製した。この際のサン
ドブラスト法により表面粗面化処理したＡｌ支持体の表
面状態については光受容層を設ける前に小板研究所の万
能表面形状測定器（Ｓ　Ｅ　−３Ｃ）で側底したが、こ
の時平均表面粗さは１．８１ｔｍであることが判明した
。

この比較用電子写真・用光受容部材を実施例１で用いた
第１５図の装置に取付けて、同様の測定を行なったとこ
ろ、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた
。

［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
しかも表面における光反射を低減し、入射光を効率よく
利用できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の発現を説
明する為の図である。 第３図は散乱光による干渉縞の発現を説明する為の図で
ある。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞の発現を説明する為の図であ“る。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２゛層の場合の展開して説明する為の図
である。 第９図は、光受容部材の説明図である。 第１０図は、実施例１で用いたＡｔ支持体の表面状態の
説明図である。 第１１図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１２図、第１３図は、夫々実施例１で作製した光受容
部材の構造図である。 第１４図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 ９００・・・・・・・・・光受容体 ９０２・・・・・・・・・光受容層 ９０１．１２０１．１３０１ ・・・・・・・・・Ａ文支持体 ９０３．１２０２．１３０２ ・・・・・・・・・第１の層 ９０４．１２０３．１３０３ ・・・・・・・・・感光層 ９０５．１２０５．１３０５ ・・・・・・・・・表面層 １４０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１４
０２・・自・自・・半導体レーサー１４０３・・・・・
・・・・ｆθレンズ１４０４・・・・・・・・・ポリゴ
ンミラー１４０５・・・・・・・・・露光装置の平面図
１４０６・・・・・・・・・露光装置の側面図Ｃ≧二：
ニニ〕コ 第　３　図 笥　４　図 筆　５　閃 イ１夏 第７１゛＜１ （Ａ）　　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）イΣＬｌ 第１２図 第１３図 第１４図

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）ショートレンジ内に、層厚方向と垂直な面内の少
   なくとも一方向に多数配列し且つ配列方向に於いて各々
   なめらかに連結している１対以上の非平行な界面を有す
   る、少なくとも１つの感光層と；反射防止機能を有する
   表面層と：を有する多層構成の光受容層を支持体上に有
   する光受容部材であって、前記光受容層は酸素原子、炭
   素原子、窒素原子の中から選択される原子の少なくとも
   一種を含有することを特徴とする光受容部材。
2. （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
3. （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
4. （４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
   特許請求の範囲第１項に記載の 光受容部材。
5. （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
   されている特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
   て形成されている特許請求の範囲第５項に記載の光受容
   部材。
7. （７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
8. （８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
   いて螺旋構造を有する特許請求の範囲第７項に記載の光
   受容部材。
9. （９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の範
   囲第８項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第７項に記載
    の光受容部材。
12. （１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
    の範囲第５項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１２項に記載の光受容部材。
14. （１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第５項に記載
    の光受容部材。
15. （１５）感光層がシリコン原子を含む非晶質材料から成
    る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
16. （１６）感光層に水素原子が含有されている特許請求の
    範囲第１５項に記載の光受容部材。