JPH0236552A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0236552A JPH0236552A JP63187224A JP18722488A JPH0236552A JP H0236552 A JPH0236552 A JP H0236552A JP 63187224 A JP63187224 A JP 63187224A JP 18722488 A JP18722488 A JP 18722488A JP H0236552 A JPH0236552 A JP H0236552A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- lead frame
- circuit device
- deflection
- circuit element
- Prior art date
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣカード等に用いられる集積回路装置に関
するものである。
するものである。
従来の技術
近年、マイクロコンピュータ−、メモリ等の集積回路素
子をプラスチック裂カードに搭載または埋設したいわゆ
るＩＣカードが実用に供されつつある。
子をプラスチック裂カードに搭載または埋設したいわゆ
るＩＣカードが実用に供されつつある。
このＩＣカードは、すでに多量に使用されている磁気ス
トライプカードに比して記憶容量が大きく、防犯性に優
れていることから、従来の磁気ストライプカードの用途
ばかシでなく身分証明書等多様な用途に使用することが
考えられている。
トライプカードに比して記憶容量が大きく、防犯性に優
れていることから、従来の磁気ストライプカードの用途
ばかシでなく身分証明書等多様な用途に使用することが
考えられている。
ＩＣカードは、塩化ビニル等のプラスチックカードに、
リーダー・ライター等の外部装置との接続用端子を有す
る集積回路装置が搭載された構成であり、この集積回路
装置は極めて薄型にするこ゛とが必要とされる。このた
め、従来の集積回路装置は、第３図に断面を示すように
、フィルム上の絶縁基板３１に外部接続用端子パターン
３２２回路パターン３３およびスルーホール３４等の配
線導体を形成した薄型配線基板に、集積回路素子３６を
ダイスポンディングし、集積回路素子３６の入出力電極
と回路パターン３３とをワイヤーボンディング方式等に
よシ金属線３６で接続する。また樹脂封止時の樹脂なか
れ止め用の封止枠３７を配線基板に接着して設け、エポ
キシ樹脂等の封止樹脂３８によ）封止している。（特開
昭５５−５６６４７号公報、特開昭５８−９２５９７号
公報）発明が解決しようとする課題 ＩＣカードに搭載されている集積回路装置は、薄型化と
同時に、高信頼性、高寸法精度、さらに低コストである
ことが求められている。しかしながら、前述したような
集積回路装置においては、次のような問題点を有してい
る。（１）配線基板が高価である。（２）スルーホール
３４の形成はめっきによシ行うのでスルーホール形成時
のめっき厚さのばらつきが配線基板の総厚のばらつきと
なり、良好な厚さ精度が得にくい。（３）集積回路素子
３６の樹脂封止時に、封止樹脂３８がスルーホール３４
より流出するので、流出防止のためスルーホール３４を
封口する手段が必要である。
リーダー・ライター等の外部装置との接続用端子を有す
る集積回路装置が搭載された構成であり、この集積回路
装置は極めて薄型にするこ゛とが必要とされる。このた
め、従来の集積回路装置は、第３図に断面を示すように
、フィルム上の絶縁基板３１に外部接続用端子パターン
３２２回路パターン３３およびスルーホール３４等の配
線導体を形成した薄型配線基板に、集積回路素子３６を
ダイスポンディングし、集積回路素子３６の入出力電極
と回路パターン３３とをワイヤーボンディング方式等に
よシ金属線３６で接続する。また樹脂封止時の樹脂なか
れ止め用の封止枠３７を配線基板に接着して設け、エポ
キシ樹脂等の封止樹脂３８によ）封止している。（特開
昭５５−５６６４７号公報、特開昭５８−９２５９７号
公報）発明が解決しようとする課題 ＩＣカードに搭載されている集積回路装置は、薄型化と
同時に、高信頼性、高寸法精度、さらに低コストである
ことが求められている。しかしながら、前述したような
集積回路装置においては、次のような問題点を有してい
る。（１）配線基板が高価である。（２）スルーホール
３４の形成はめっきによシ行うのでスルーホール形成時
のめっき厚さのばらつきが配線基板の総厚のばらつきと
なり、良好な厚さ精度が得にくい。（３）集積回路素子
３６の樹脂封止時に、封止樹脂３８がスルーホール３４
より流出するので、流出防止のためスルーホール３４を
封口する手段が必要である。
一方、所望する形状に加工されたリードフレームを用い
、その片面を外部接続用端子、他面を集積回路素子搭載
接続面とし、リードフレームの外部接続用端子を除く部
分と集積回路素子とを封止樹脂で覆った集積回路装置は
、上記のような高精度な精密配線基板を必要としないの
で高寸法精度でかつ高効率に製造でき、しかも安価であ
るという長所があるが、外形寸法からの制約があり、製
造上多くの困難な点を残している。たとえば、ＩＣカー
ドの厚さは、ｌ５Ｏ（国際標準化機構）規格により７６
０±８０μｍと定められておυ、また集積回路装置搭載
により生ずる工Ｃカード表面の凹凸は、カードの機械的
強度や磁気ストライプ読み誤り防止の観点から小さく抑
えられなければいけないが、集積回路装置のたわみが大
きい場合には、カードに搭載した際に上記の寸法を満足
することが困難となるほか、たわみによって生ずるスト
レスのために集積回路素子が破損するといった問題点を
有している。
、その片面を外部接続用端子、他面を集積回路素子搭載
接続面とし、リードフレームの外部接続用端子を除く部
分と集積回路素子とを封止樹脂で覆った集積回路装置は
、上記のような高精度な精密配線基板を必要としないの
で高寸法精度でかつ高効率に製造でき、しかも安価であ
るという長所があるが、外形寸法からの制約があり、製
造上多くの困難な点を残している。たとえば、ＩＣカー
ドの厚さは、ｌ５Ｏ（国際標準化機構）規格により７６
０±８０μｍと定められておυ、また集積回路装置搭載
により生ずる工Ｃカード表面の凹凸は、カードの機械的
強度や磁気ストライプ読み誤り防止の観点から小さく抑
えられなければいけないが、集積回路装置のたわみが大
きい場合には、カードに搭載した際に上記の寸法を満足
することが困難となるほか、たわみによって生ずるスト
レスのために集積回路素子が破損するといった問題点を
有している。
本発明は、このような問題点を解決するもので、リード
フレームを用いて集積回路装置を構成し、そのたわみを
一定値以下に抑えることを目的とするものである。
フレームを用いて集積回路装置を構成し、そのたわみを
一定値以下に抑えることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、リードフレーム
の片方の少なくとも一部を外部接続用端子とし、他方の
而に集積回路素子を搭載接続し、ｍＩ記リードフレーム
の他方の面の集積回路素子を少なくとも封止樹脂で覆う
とともに、この封止樹脂と前記リードフレームの線膨張
係数の差を、７Ｘ １ｏ−６／’ｃ以下とするものであ
る。
の片方の少なくとも一部を外部接続用端子とし、他方の
而に集積回路素子を搭載接続し、ｍＩ記リードフレーム
の他方の面の集積回路素子を少なくとも封止樹脂で覆う
とともに、この封止樹脂と前記リードフレームの線膨張
係数の差を、７Ｘ １ｏ−６／’ｃ以下とするものであ
る。
布団
本発明は上記した構成によって、従来用いられていた高
密度な精密回路基板を必要とせず、安価で隠めて一般的
なリードフレームが使用でき、しかも集積回路装置とし
ての厚みが容易に製造できるとともに、たわみを一定値
以下に押えることが可能となる。
密度な精密回路基板を必要とせず、安価で隠めて一般的
なリードフレームが使用でき、しかも集積回路装置とし
ての厚みが容易に製造できるとともに、たわみを一定値
以下に押えることが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例の集積回路装置について図面を
謬照しながら説明する。、第１図は本発明の実施例にお
ける構成の集積回路装置の断面を示すものである。
謬照しながら説明する。、第１図は本発明の実施例にお
ける構成の集積回路装置の断面を示すものである。
第１図のごとく本実施例においては、帯状の金属性素材
からフォトエツチング加工等により所定の形状に形成さ
れたリードフレーム４０に、金等のめっきを施して片方
の面を外部接続用端子４０２Ｌとし、他方の而４０ｂに
集積回路素子５ｏをダイスボンドし、金、アルミ、銅等
の材質のワイヤーボンディング６ｏにより他方の而４０
ｂと集積回路素子６ｏの接続パッド部とを接続している
。この部分はワイヤーを使用しないフェイスボンディン
グあるいはテープキャリアで実施することもできる。集
積回路素子５０とリードフレーム４０との必要な接続を
行った後、エポキシ等の成形材料を用いてトランスファ
成形法で封止樹脂７０により集積回路素子５ｏを覆い、
保護する。このことにより集積回路装置１００が得られ
る。
からフォトエツチング加工等により所定の形状に形成さ
れたリードフレーム４０に、金等のめっきを施して片方
の面を外部接続用端子４０２Ｌとし、他方の而４０ｂに
集積回路素子５ｏをダイスボンドし、金、アルミ、銅等
の材質のワイヤーボンディング６ｏにより他方の而４０
ｂと集積回路素子６ｏの接続パッド部とを接続している
。この部分はワイヤーを使用しないフェイスボンディン
グあるいはテープキャリアで実施することもできる。集
積回路素子５０とリードフレーム４０との必要な接続を
行った後、エポキシ等の成形材料を用いてトランスファ
成形法で封止樹脂７０により集積回路素子５ｏを覆い、
保護する。このことにより集積回路装置１００が得られ
る。
このトランスファ成形法についてさらにくわしく説明す
る。まず、集積回路素子６０を実装したリードフレーム
４ｏを温度１７０〜１８０’Ｃに設定されたトランスフ
ァ成形機の金型にセツティングし、次に７０〜９０’Ｃ
に予備加熱されたエポキン成形樹脂をトランスファチャ
ンバー内に挿入し、加熱加圧のもとにあらかじめ密封さ
れたキャビティ内にこれを射出させて硬化する。このと
きの成形条件は、成形温度＝１７０〜１８０’Ｃ，成形
圧カニ ３ｏ 〜１ｏｏｋｑ／ｃｒｉ 、 成形時間
＝ ４０〜１２０ＳｅＣである。
る。まず、集積回路素子６０を実装したリードフレーム
４ｏを温度１７０〜１８０’Ｃに設定されたトランスフ
ァ成形機の金型にセツティングし、次に７０〜９０’Ｃ
に予備加熱されたエポキン成形樹脂をトランスファチャ
ンバー内に挿入し、加熱加圧のもとにあらかじめ密封さ
れたキャビティ内にこれを射出させて硬化する。このと
きの成形条件は、成形温度＝１７０〜１８０’Ｃ，成形
圧カニ ３ｏ 〜１ｏｏｋｑ／ｃｒｉ 、 成形時間
＝ ４０〜１２０ＳｅＣである。
以上のように構成された集積回路装置１００について、
リードフレーム材及び封止樹脂材を種々に変化させた場
合のたわみを以下に説明する。
リードフレーム材及び封止樹脂材を種々に変化させた場
合のたわみを以下に説明する。
〈第１表〉は、本実施例において用いたリードフレーム
材及び封止樹脂材の線膨張係数である。
材及び封止樹脂材の線膨張係数である。
く第１表〉 リードフレーム材及び封止樹脂材の線膨張
係数 〈第２表〉はリードフレーム材と封止樹脂材を種々組み
合せて作製した集積回路装置の外部接続用端子面におけ
るたわみである。ただしリードフレームの厚さは１５０
μｍ、封止樹脂層の厚さは４ＢＯｆｉｍであり、たわみ
は集積回路装置の対角１２．６羽における値である。
係数 〈第２表〉はリードフレーム材と封止樹脂材を種々組み
合せて作製した集積回路装置の外部接続用端子面におけ
るたわみである。ただしリードフレームの厚さは１５０
μｍ、封止樹脂層の厚さは４ＢＯｆｉｍであり、たわみ
は集積回路装置の対角１２．６羽における値である。
〈第２表〉 各組み合せにおける集積回路装置のたわみ
第２図は、線膨張係数の差とたわみの関係をグラフに示
したものである。同図より、線膨張係数の差が小さい組
み合せほど集積回路装置のたわみが小さいことがわかる
。
したものである。同図より、線膨張係数の差が小さい組
み合せほど集積回路装置のたわみが小さいことがわかる
。
次に、集積回路装置のたわみと機械的強度の関係を示す
。〈第３表〉は、集積回路装置をカードに搭載し、繰り
返しローラー通過試験を行った結果である。
。〈第３表〉は、集積回路装置をカードに搭載し、繰り
返しローラー通過試験を行った結果である。
〈第３表〉 ローラー通過試験結果
以上より、２ｏｋｑｆ’のローラー通過試験に耐えるた
めには、たわみを５０μｍ以下に抑えなければならない
ことがわかる。そして第２図より、集積回路装置のたわ
みを５０μｍ以下とするためにはリードフレーム４ｏと
封止樹脂Ｔｏの線膨張係数の差を７Ｘ１０／”Ｃ以下と
しなければならない。
めには、たわみを５０μｍ以下に抑えなければならない
ことがわかる。そして第２図より、集積回路装置のたわ
みを５０μｍ以下とするためにはリードフレーム４ｏと
封止樹脂Ｔｏの線膨張係数の差を７Ｘ１０／”Ｃ以下と
しなければならない。
以上のように本実施例によれば、リードフレーム４０と
封止樹脂７００線膨張係数の差を７×１０−６／°Ｃ以
下となるように組み合せることにより、集積回路のたわ
みを５０μｍ以下に抑え、寸法精度及び機械的強度を向
上させることができる。
封止樹脂７００線膨張係数の差を７×１０−６／°Ｃ以
下となるように組み合せることにより、集積回路のたわ
みを５０μｍ以下に抑え、寸法精度及び機械的強度を向
上させることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、リードフレームの片方の面の少
なぐとも一部を外部接続用端子とし、他方の面に集積回
路素子を搭載接続し、前記リードフレームの他方の面の
集積回路素子を少なくとも封止樹脂で覆った構成におい
て、この封止樹脂と＠記す−ドフレームの線膨張係数の
差を７×１０−６／°Ｃ以下となるように組み合せるこ
とにより、高精度な精密回路基板を必要とせず、安価で
極めて一般的なリードフレームが使用でき、しかも製造
時に生ずるたわみを小さくして寸法精度及び機械的強度
を向上させ、ＩＣカード搭載用集積回路装置としての実
用性ならびに信頼性を高めることができる。
なぐとも一部を外部接続用端子とし、他方の面に集積回
路素子を搭載接続し、前記リードフレームの他方の面の
集積回路素子を少なくとも封止樹脂で覆った構成におい
て、この封止樹脂と＠記す−ドフレームの線膨張係数の
差を７×１０−６／°Ｃ以下となるように組み合せるこ
とにより、高精度な精密回路基板を必要とせず、安価で
極めて一般的なリードフレームが使用でき、しかも製造
時に生ずるたわみを小さくして寸法精度及び機械的強度
を向上させ、ＩＣカード搭載用集積回路装置としての実
用性ならびに信頼性を高めることができる。
第１図は本発明の一実施例における集積回路装置の断面
図、第２図は集積回路装置のたわみと線膨張係数の差の
関係についての検討結果を示す説明図、第３図は従来の
集積回路装置の断面図である。 ４ｏ・・・・・・リードフレーム、４０ａ・・・・・・
リードフレームの片方の而、４０ｂ・・・・・・リード
フレームの他方の面、６ｏ・・・・・・集積回路素子、
６０・・・・・ワイヤーボンディング、７０・・・・・
・封止樹脂、１ｏＯ・・・・・・集積回路装置。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 末芙月乞Ｓ従不采イタの差 ＣｔｔＯ−’／”ｃ−） 蜀−−−ワードフシ−へ ｌθθ−Ｍ＝櫂固蒐衷１
図、第２図は集積回路装置のたわみと線膨張係数の差の
関係についての検討結果を示す説明図、第３図は従来の
集積回路装置の断面図である。 ４ｏ・・・・・・リードフレーム、４０ａ・・・・・・
リードフレームの片方の而、４０ｂ・・・・・・リード
フレームの他方の面、６ｏ・・・・・・集積回路素子、
６０・・・・・ワイヤーボンディング、７０・・・・・
・封止樹脂、１ｏＯ・・・・・・集積回路装置。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 末芙月乞Ｓ従不采イタの差 ＣｔｔＯ−’／”ｃ−） 蜀−−−ワードフシ−へ ｌθθ−Ｍ＝櫂固蒐衷１
Claims (1)
- リードフレームの片方の面の少なくとも一部を外部接続
用端子とし、他方の面に集積回路素子を搭載接続し、前
記リードフレームの他方の面の集積回路素子を少なくと
も封止樹脂で覆い、上記封止樹脂と前記リードフレーム
の線膨張係数の差を７×１０＾−＾６／℃以下とした集
積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187224A JPH0236552A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187224A JPH0236552A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236552A true JPH0236552A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16202240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63187224A Pending JPH0236552A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0236552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04196568A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63187224A patent/JPH0236552A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04196568A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止半導体装置 |
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