JPH0237604B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置、
磁気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体、
特に磁性金属を記憶媒体とする磁気記憶体の製造
方法に関する。 一般に磁性金属を記憶媒体として使用する磁気
記憶体は主に次の２つの実用上の問題を有してい
る。 第１の問題は記録再生磁気ヘツド（以下ヘツド
と呼ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶
装置の記録再生方法に伴なうものである。 操作開始時にヘツドと磁気記憶体面とを接触状
態でセツトした後、前記磁気記憶体に所要の回転
を与えることにより前記ヘツドと前記磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記
録再生をする所謂、（コンタクト・スタート・ス
トツプ方式では操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘツドと磁気記憶体面は操作開始
時と同様に接触摩擦状態にある。 これらの接触摩擦状態におけるヘツドと磁気記
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツドおよび磁気記
憶体を摩耗させついにはヘツドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を生じさせることがある。また前記接
触摩擦状態においてヘツドのわずかな姿勢の変化
がヘツドにかかる荷重を不均一にし、ヘツドおよ
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。また更
に記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体に接
触しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働
き、ヘツドおよび磁気記憶体が破壊されることが
しばしば起こる。この様なヘツドと磁気記憶体と
の接触摩擦、接触摩耗および接触破壊からヘツド
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の
表面に保護被膜を被覆することが必要である。 第２の問題は、磁性金属が腐食し易く、この腐
食により磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、
あるいは局部的な腐食によつてエラーの増加を招
く。 以上の２つの問題を解決する為に種々の保護膜
が提案されているが、耐摩耗性と耐食性両方共に
優れたものはまず得られていない。 例えば特公昭52−17402号公報に見られる様な
磁気記憶体表面をクロム酸又はその塩を含む酸化
剤で処理して作られる保護膜は耐摩耗性が十分で
ない上にクロム酸又はその塩の様な無機腐食抑制
剤はかえつて磁性金属を侵して磁性金属の膜厚の
不均一を招き、エラーを増加させる。この様に磁
性金属に過激に作用する腐食抑制剤は、磁気記憶
体の様な磁性金属の精密さが要求される用途には
適用が困難である。 本発明の目的は磁性金属への影響が無く、かつ
耐摩耗性および耐食性に優れた磁気記憶体の製造
方法を提供することにある。 すなわち本発明の磁気記憶体の製造方法は鏡面
研磨された下地体の上に金属磁性媒体を被覆し、
この媒体の上に直接又は非磁性金属を介して有機
腐食抑制剤を含むテトラヒドロキシシランの溶液
を塗布し、焼成することにより有機腐食抑制剤を
含むポリ珪酸からなる保護膜を被覆することを特
徴としている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 図は本発明により製造された磁気記憶体の部分
断面図である。 第１図において磁気記憶体の基盤１としてアル
ミ合金が軽くて加工性が良く安価なことから最も
多く用いられるが、場合によつてはチタン合金が
用いられることもある。基盤表面は機械加工によ
り小さなうねり（円周方向で50μm以下、半径方
向で100μm以下）を有する面に仕上げられてい
る。 次にこの基盤１の上に下地体２としてニツケル
−燐合金がめつきにより被覆され、この下地体２
の表面は機械的研磨により最大表面粗さ0.03μm
以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地体２の鏡
面研磨面上に金属磁性媒体３としてコバルト−ニ
ツケル−燐合金がめつきにより被覆され、この金
属磁性媒体３の上に有機腐食抑制剤を含むポリ珪
酸からなる保護膜４が被覆されている。 第２図においては上記金属磁性媒体３の上に非
磁性合金５としてニツケル−燐合金を介して有機
腐食抑制剤を含むポリ珪酸からなる保護膜４が被
覆されている。 金属磁性媒体３は、Co，Ni若しくはFeを含む
金属又は合金であればなんでも良い。 保護膜４は腐食抑制剤を含むテトラヒドロキシ
シランの有機溶剤、特にアルコール類、ケトン
類、又はエステル類の溶液を磁気記憶体を回転さ
せながら塗布（スピンコーテイング）した後、焼
成して作られる、腐食抑制剤を含むポリ珪酸であ
る。このポリ珪酸は有機腐食抑制剤を良く吸着
し、焼成によつても取り除かれることが無い。 非磁性合金５はNi−Ｐ、Cr、Rhなど非磁性で
あればなんでも良い。 有機腐食抑制剤としては１級、２級若しくは３
級アミン又はそれらの亜硝酸塩、安息香酸塩若し
くは炭酸塩が最も効果があり、例えばイソプロピ
ルアミン、ジイソプロピルアミン、トリエタノー
ルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジイソブチ
ルアミン、シクロヘキシルアミン、ジブチルアミ
ンまたはトリエチルアミンの亜硝酸塩、安息香酸
塩又は炭酸塩がある。 次に実施例および比較例により本発明の磁気記
憶媒体の製造方法を詳細に説明する。 実施例 １ 基盤１として旋盤加工および熱矯正によつて十
分小さなうねり（周周方向で50μm以下および半
径方向で10μm以下）をもつた面に仕上げられた
デイスク状アルミニウム合金盤上に下地体２とし
てニツケル−燐合金を約50μmの厚さにめつきし、
このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ
0.02μm厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げした。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３としてコバルト−ニツケル−燐合金を
0.05μmの厚さにめつきした。このコバルト−ニ
ツケル−燐めつき膜の上に下記の溶液をスピン塗
布により塗布し、乾燥した後、200℃で５時間焼
成して0.1μmの厚さの有機腐食抑制剤を含むポリ
珪酸からなる保護膜を被覆して、第１図に示した
構造の磁気デイスクを作つた。テトラヒドロキシ
シラン２％、イソブロピルアルコール溶液
99.87g、亜硝酸ジシクロヘキシルアミン0.13g 実施例 ２ 実施例１と同様にして、但し、下記の溶液を用
いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−ブチルアルコー
ル溶液 99g 亜硝酸ジシクロヘキシルアミン 1g 実施例 ３ 実施例１と同様にして、但し、下記の溶液を用
いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％エチルアルコール溶
液 99.5g 安息香酸ジイソブチルアミン 0.5g 実施例 ４ 実施例１と同様にして、但し、下記の溶液を用
いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％トリエチルアミン
溶液 実施例 ５ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
としてCo−Crを用いて磁気デイスクを作つた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に非磁性合金５としてニツケル−燐合金を
0.02μmの厚さにめつきし、このニツケル−燐合
金の上に実施例１と同様にして有機腐食抑制剤を
含むポリ珪酸からなる保護膜４を被覆して第２図
に示した構造の磁気デイスクを作つた。 比較例 １ 実施例１と同様にして、但し、有機腐食抑制剤
を含まずに磁気デイスクを作つた。 比較例 ２ 実施例５と同様にして、但し、有機腐食抑制剤
を含まずに磁気デイスクを作つた。 比較例 ３ 実施例６と同様にして、但し、有機腐食抑制剤
を含まずに磁気デイスクを作つた。 実施例１〜６および比較例１〜３で示した各磁
気デイスクを用いて水中浸漬試験（120時間）お
よび環境試験（相対湿度90％、温度40℃、１ケ
月）を行ないそれぞれ腐食点の単位面積当りの個
数およびエラー数の増加率を調べた。 その結果下表の様な結果が得られた。

【表】 以上の結果から本発明の製造方法によつて作ら
れた磁気記憶媒体は優れた耐環境性を有している
ことが分つた。 なお、実施例１〜６の磁気デイスクについて２
万回のCSS繰り返しテストを行なつたが表面の傷
および摩耗跡など全く異常は見られなかつた。 以上のことから本発明により製造された磁気記
憶媒体は優れた信頼性を有していることが分つ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明により製造
された磁気記憶体の部分断面図である。 図において、１は基盤、２は下地体、３は金属
磁性媒体、４は保護膜、５は非磁性合金である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 鏡面研磨された下地体の上に金属磁性媒体を
   被覆し、この媒体の上に直接又は非磁性金属を介
   して１級、２級もしくは３級アミンまたはそれら
   の亜硝酸塩、安息香酸塩もしくは炭酸塩からなる
   有機腐食抑制剤を含むテトラヒドロキシシランの
   溶液を塗布し、焼成することにより前記有機腐食
   抑制剤を含むポリ珪酸からなる保護膜を被覆する
   ことを特徴とする磁気記憶体の製造方法。 ２ 前記有機腐食抑制剤として亜硝酸ジシクロヘ
   キシルアミンを用いる特許請求の範囲第１項に記
   載の磁気記憶体の製造方法。