JPH0237606B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置、
磁気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体、
特に磁性金属を記憶媒体とする磁気記憶体の製造
方法に関する。 一般に磁性金属を記憶媒体として使用する磁気
記憶体は主に次の２つの実用上の問題を有してい
る。 第１の問題は記録再生磁気ヘツド（以下ヘツド
と呼ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶
装置の記録再生方法に伴なうものである。 操作開始時にヘツドと磁気記憶体面とを接触状
態でセツトした後、前記磁気記憶体に所要の回転
を与えることにより前記ヘツドと前記磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記
録再生をする所謂コンタクト・スタート・ストツ
プ方式では操作終了時に磁気記憶体の回転が止ま
り、この時ヘツドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態にある。 これらの接触摩擦状態におけるヘツドと磁気記
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツドおよび磁気記
憶体を摩耗させついにはヘツドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を生じさせることがある。また前記接
触摩擦状態においてヘツドのわずかな姿勢の変化
がヘツドにかかる荷重を不均一にし、ヘツドおよ
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。また更
に記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体に接
触しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働
き、ヘツドおよび磁気記憶体が破壊されることが
しばしば起こる。この様なヘツドと磁気記憶体と
の接触摩擦、接触摩耗および接触破壊からヘツド
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の
表面に保護被膜を被覆することが必要である。 第２の問題は、磁性金属が腐食し易く、この腐
食により磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、
あるいは局部的な腐食によつてエラーの増加を招
く。 以上の２つの問題を解決する為に種々の保護膜
が提案されているが、耐摩耗性と耐食性両方共に
優れたものはまだ得られていない。 例えば特公昭52−17402号公報に見られる様な、
磁気記憶体表面をクロム酸又はその塩を含む酸化
剤で処理して作られる保護膜は耐摩耗性が十分で
ない上にクロム酸又はその塩の様な無機腐食抑制
剤はかえつて磁性金属を侵して磁性金属の膜厚の
不均一を招き、エラーを増加させる。この様に磁
性金属に過激に作用する腐食抑制剤は、磁気記憶
体の様な磁性金属の精密さが要求される用途には
適用が困難である。 本発明の目的は磁性金属への影響が無く、かつ
耐摩耗性および耐食性に優れた磁気記憶体の製造
方法を提供することにある。 すなわち、本発明の磁気記憶体の製造方法は鏡
面研磨された下地体の上に金属磁性媒体を被覆
し、この媒体の上に直接又は非磁性金属を介して
保護膜を被覆して磁気記憶体を形成し、この磁気
記憶体を有機腐食抑制剤溶液中に浸漬して前記保
護膜中に有機腐食抑制剤を含ませることを特徴と
している。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 図は本発明により製造された磁気記憶体の部分
断面図である。 第１図において磁気記憶体の基盤１としてアル
ミ合金が軽くて加工性が良く安価なことから最も
良く用いられるが、場合によつてはチタン合金が
用いられることもある。基盤表面は機械加工によ
り小さなうねり（円周方向で50μm以下、半径方
向で100μm以下）を有する面に仕上げられてい
る。 次にこの基盤１の上に下地体２としてニツケル
−燐合金がめつきにより被覆され、この下地体２
の表面は機械的研磨により最大表面粗さ0.03μm
以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地体２の鏡
面研磨面上に金属磁性媒体３としてコバルト−ニ
ツケル−燐合金がめつきにより被覆され、この金
属磁性媒体３の上に有機腐食抑制剤を含む保護膜
４が被覆されている。 第２図においては上記金属磁性媒体３の上に非
磁性合金５としてニツケル−燐合金を介して有機
腐食抑制剤を含む保護膜４が被覆されている。 金属磁性媒体３はCo、Ni若しくはFeを含む金
属又は合金であればなんでも良い。 保護膜４もガラス、珪素酸化物、珪素窒化物、
珪酸ポリマー（ポリ珪酸）などの珪素化合物を初
めとし、Rh、Crなどの非磁性金属、NiPなどの
非磁性合金、Al、Co、Ni、Cr、Ti、Zr若しくは
Ceなどの金属またはこれらの合金の非磁性金属
酸化物が使用出来る。 有機腐食抑制剤としては１級、２級若しくは３
級アミン又はそれらの亜硝酸塩、安息香酸塩若し
くは炭酸塩が最も効果があり、例えばイソプロピ
ルアミン、ジイソプロピルアミン、トリエタノー
ルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジイソブチ
ルアミン、シクロヘキシルアミン、ジブチルアミ
ンまたはトリエチルアミンの亜硝酸塩、安息香酸
塩、又は炭酸塩がある。これら有機腐食抑制剤
は、アルコール類、ケトン類、エステル類などの
有機溶剤に溶解して溶液として用いる。但し、液
体の有機腐食抑制剤は有機溶剤で希釈することな
しにそのまま使用することが出来る。 液状にした有機腐食抑制剤液中に前記保護膜を
被覆した磁気記憶体を浸漬することにより、その
保護膜中に有機腐食抑制剤を含ませる。 本方法によれば、保護膜に腐食液（水など）が
最も侵入し易い部分にまず有機腐食抑制剤が侵入
する為、より一層防食効果を上げることが出来
る。 次に実施例および比較例により本発明の磁気記
憶体の製造方法を詳細に説明する。実施例 １ 基板１として旋盤加工および熱矯正によつて十
分小さなうねり（円周方向で50μm以下および半
径方向で10μm以下）をもつた面に仕上げられた
デイスク状アルミニウム合金盤上に下地体２とし
てニツケル−燐合金を約50μmの厚さにめつきし、
このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ
0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げした。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３としてコバルト−ニツケル−燐合金を
0.05μmの厚さにめつきした。このコバルト−ニ
ツケル−燐めつき膜の上にテトラヒドロキシシラ
ンの２％ｎ−ブチルアルコール溶液を0.1μmの厚
さに塗布、乾燥後200℃で５時間焼成して保護膜
４としてポリ珪酸を被覆した。次に全体を亜硝酸
ジシクロヘキシルアミンの23％無水メチルアルコ
ール溶液中に５時間浸漬して亜硝酸ジシクロヘキ
シルアミンを保護膜中に含ませて、第１図に示し
た構造の磁気デイスクを作つた。 実施例 ２ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に非磁性合金５としてニツケル−燐合金を
0.02μmの厚さにめつきし、このニツケル−燐合
金の上に実施例１と同様にして有機腐食抑制剤を
含むポリ珪酸からなる保護膜を被覆して第２図に
示した構造の磁気デイスクを作つた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に保護膜４としてSiO₂をスパツタにより
0.1μmの厚さに被覆し、その後、亜硝酸ジシクロ
ヘキシルアミンの2.2％イソプレピルアルフール
溶液中に24時間浸漬してSiO₂保護膜中に有機腐
食抑制剤を十分含ませて磁気デイスクを作つた。 実施例 ４ 実施例２と同様にして、但し、金属磁性媒体３
としてCo−Mn−Ｐを用いて磁気デイスクを作つ
た。 実施例 ５ 実施例３と同様にして、但し、金属磁性媒体３
としてCo−Crを用いて磁気デイスクを作つた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に保護膜４としてニツケル−燐合金を0.1μm
の厚さにめつきし、その後亜硝酸ジシクロヘキシ
ルアミンの23％メチルアルコール溶液中に10時間
浸漬してニツケル−燐合金中に有機腐食抑制剤を
十分含ませて磁気デイスクを作つた。 実施例 ７ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の表面を酸化してCo及びNiの酸化物からなる被
膜を形成して保護膜４となし、その後、亜硝酸ジ
シクロヘキシルアミンの9.2％エチルアルコール
溶液中に16時間浸漬して、Co及びNiの酸化物か
らなる保護膜中に有機腐食抑制剤を十分含ませて
磁気デイスクを作つた。 実施例 ８ 実施例７と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上にニツケル−燐合金を0.1μmの厚さにめつき
し、その表面を酸化してNiの酸化物からなる被
膜を形成して保護膜４となし、その後、亜硝酸ジ
シクロヘキシルアミンの7.9％ジオキサン溶液中
に４時間浸漬してNiの酸化物からなる保護膜中
に有機腐食抑制剤を十分含ませて磁気デイスクを
作つた。 実施例 ９ 実施例１と同様にして、但し、有機腐食抑制剤
として安息香酸ジイソブチルアミンの飽和イソプ
ロピルアルコール溶液を用いて磁気デイスクを作
つた。 実施例 10 実施例１と同様にして、但し、有機腐食抑制剤
としてジシクロヘキシルアミン（100％）を用い
て磁気デイスクを作つた。 比較例 １〜８ 実施例１〜８に対応してそれらと同様にして、
但し、有機腐食抑制剤を用いずに磁気デイスクを
作り、それぞれを比較例１〜８とした。 実施例１〜10および比較例１〜８で示した各磁
気デイスクを用いて水中浸漬試験（120時間）お
よび環境試験（相対湿度90％、温度40℃、１ケ
月）を行ないそれぞれ腐食点の単位面積当りの個
数およびエラー数の増加率を調べた。 その結果下表の様な結果が得られた。

【表】

【表】 以上の結果から本発明の製造方法によつて作ら
れた磁気記憶体は優れた耐環境性を有しているこ
とが分つた。 なお実施例１〜５および９，10の磁気デイスク
について２万回のCSS繰り返しテストを行なつた
が表面の傷および摩耗跡など全く異常は見られな
かつた。 以上のことから本発明により製造された磁気記
憶体は優れた信頼性を有していることが分つた。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明により製造
された磁気記憶体の部分断面図である。 図において、１は基板、２は下地体、３は金属
磁性媒体、４は保護膜、５は非磁性合金である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 鏡面研磨された下地体の上に金属磁性媒体を
   被覆し、この媒体の上に直接又は非磁性金属を介
   して保護膜を被覆して磁気記憶体を形成し、この
   磁気記憶体を１級、２級もしくは３級アミンまた
   はそれらの亜硝酸塩、安息香酸塩もしくは炭酸塩
   からなる有機腐食抑制剤溶液中に浸漬して前記保
   護膜中にその有機腐食抑制剤を含ませることを特
   徴とする磁気記憶体の製造方法。 ２ 前記保護膜が珪素化合物である特許請求の範
   囲第１項に記載の磁気記憶体の製造方法。 ３ 前記珪素化合物がポリ珪酸である特許請求の
   範囲第１項に記載の磁気記憶体の製造方法。 ４ 前記保護膜が非磁性金属又は合金である特許
   請求の範囲第１項に記載の磁気記憶体の製造方
   法。 ５ 前記非磁性金属又は合金がRh、Ni−Ｐ又は
   Crである特許請求の範囲第４項に記載の磁気記
   憶体の製造方法。 ６ 前記保護膜が金属酸化物である特許請求の範
   囲第１項に記載の磁気記憶体の製造方法。 ７ 前記金属酸化物がAl、Co、Ni若しくはCr又
   はこれらの酸化物である特許請求の範囲第６項に
   記載の磁気記憶体の製造方法。 ８ 前記有機腐食抑制剤が亜硝酸ジシクロヘキシ
   ルアミンである特許請求の範囲第１項に記載の磁
   気記憶体の製造方法。