JPH0357538B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0357538B2 JPH0357538B2 JP56042963A JP4296381A JPH0357538B2 JP H0357538 B2 JPH0357538 B2 JP H0357538B2 JP 56042963 A JP56042963 A JP 56042963A JP 4296381 A JP4296381 A JP 4296381A JP H0357538 B2 JPH0357538 B2 JP H0357538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- protective film
- alloy
- metal
- magnetic memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置、
磁気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体、
特に磁性金属を記憶媒体とする磁気記憶体に関す
る。 一般に磁性金属を記憶媒体として使用する磁気
記憶体は主に次の２つの実用上の問題を有してい
る。 第１の問題は記録再生磁気ヘツド（以下ヘツド
と呼ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶
装置の記録再生方法に伴なうものである。 操作開始時にヘツドと磁気記憶体面とを接触状
態でセツトした後、前記磁気記憶体に所要の回転
を与えることにより前記ヘツドと前記磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記
録再生する方法であるコンタクト・スタート・ス
トツプ方式（以下CSS方式と呼ぶ）では操作終了
時に縦気記憶体の回転が止まり、この時ヘツドと
磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態
にある。 これらの接触摩擦状態におけるヘツドと磁気記
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツドおよび磁気記
憶体を摩耗させついにはヘツドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を生じさせることがある。また前記接
触摩擦状態においてヘツドのわずかな姿勢の変化
がヘツドにかかる荷重を不均一にし、ヘツドおよ
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。また更
に記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体に接
触しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が動き
ヘツドおよび磁気記憶体が破壊されることがしば
しば起こる。この様なヘツドと磁気記憶体との接
触摩擦、接触摩耗および接触破壊からヘツドおよ
び磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面
に保護被膜を被覆することが必要である。 第２の問題は、磁性金属が腐食し易く、この腐
食により磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、
あるいは局部的な腐食によつてエラーの増加を招
く。 以上の２つの問題を解決する為に種々の保護膜
が提案されているが、耐摩耗性と耐食性の両方共
に優れたものはまだ得られていない。 例えば特公昭52−17402号公報に見られる様な、
磁気記憶体表面をクロム酸又はその塩を含む酸化
剤で処理して作られる保護膜は耐摩耗性が十分で
ない上にクロム酸又はその塩の様な無機腐食抑制
剤はかえつて磁性金属を侵して磁性金属の膜厚の
不均一を招き、エラーを増加させる。この様に磁
性金属に過激に作用する腐食抑制剤は、磁気記憶
体の様な磁性金属の精密さが要求される用途には
適用が困難である。 本発明の目的は磁性金属への影響が無く、かつ
耐食性に優れた保護膜を有する磁気記憶体を提供
することにある。 すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面研磨された
下地体の上に金属磁性媒体が被覆され、この媒体
の上に直接又は非磁性合金を介して１級、２級若
しくは３級アミンの亜硝酸塩、安息香酸塩若しく
は炭酸塩からなる有機腐食抑制剤を含む保護膜が
被覆されていることを特徴としている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 第１，２図は本発明の磁気記憶体の一実施例を
示す部分断面図である。 第１図において磁気記憶体の基盤１としてアル
ミ合金が軽くて加工性が良く安価なことから最も
良く用いられるが、場合によつてはチタン合金が
用いられることもある。基盤表面は機械加工によ
り小さなうねり（円周方向で50μm以下、半径方
向で100μm以下）を有する面に仕上げられてい
る。次にこの基盤１の上に下地体２としてニツケ
ル−燐合金がめつきにより被覆され、この下地体
２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ
0.03μm以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地
体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３としてコバ
ルト−ニツケル−燐合金がめつきにより被覆さ
れ、この金属磁性媒体３の上に有機腐食抑制剤を
含む保護膜４が被覆されている。 第２図においては上記金属磁性媒体３の上に非
磁性合金５としてニツケル−燐合金を介して有機
腐食抑制剤を含む保護膜４が被覆されている。 金属磁性媒体３はCo，Ni若しくはFeを含む金
属又は合金であればなんでも良い。 保護膜４もガラス、珪素酸化物、珪素窒化物、
珪酸ポリマー（ポリ珪酸）などの固定珪素化合物
を初めとし、Rh，Crなどの非磁性金属、NiPな
どの非磁性合金、Al，Co，Ni，Cr，Ti，Zr若し
くはCeなどの金属またはこれらの合金の非磁性
金属酸化物が使用出来る。 有機腐食抑制剤としては１級、２級若しくは３
級アミンの亜硝酸塩、安息香酸塩若しくは炭酸塩
が最も効果があり、例えばイソプロピルアミン、
ジイソプロピルアミン、トリエタノールアミン、
ジシクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、
シクロヘキシルアミン、ジブチルアミンまたはト
リエチルアミンの亜硝酸塩、安息香酸塩又は炭酸
塩がある。 次に実施例および比較例により本発明の磁気記
憶体を詳細に説明する。 実施例 １ 基盤１として旋盤加工および熱矯正によつて十
分小さなうねり（円周方向で50μm以下および半
径方向で10μm以下）をもつた面に仕上げられた
デイスク状アルミニウム合金盤上に下地体２とし
てニツケル−燐合金を約50μmの厚さにめつきし、
このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ
0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げした。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３としてコバルト−ニツケル−燐合金を
0.05μmの厚さにめつきした。このコバルト−ニ
ツケル−燐めつき膜の上に下記の溶液をスピン塗
布法により塗布、乾燥した後、200℃で５時間焼
成して0.1μmの厚さの有機腐食抑制剤を含むポリ
珪酸からなる保護膜４を被覆して、第１図に示し
た構造の磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％イソプロピルアル
コール溶液 99.87ｇ 亜硝酸ジシクロヘキシルアミン 0.13ｇ 実施例 ２ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に非磁性合金５としてニツケル−燐合金を
0.02μmの厚さにめつきし、このニツケル−燐合
金の上に実施例１と同様にして有機腐食抑制剤を
含むポリ珪酸からなる保護膜４を被覆して第２図
に示した構造の磁気デイスクを作つた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に保護膜４としてSiO2をスパツタにより
0.1μmの厚さに被覆し、その後亜硝酸ジシクロヘ
キシルアミンの2.2％イソプロピルアルコール溶
液中に24時間浸漬してSiO2膜中に有機腐食抑制
剤を十分含ませて磁気デイスクを作つた。 実施例 ４ 実施例２と同様にして、但し、金属磁性媒体３
としてCo−Mn−Ｐを用いて磁気デイスクを作つ
た。 実施例 ５ 実施例３と同様にして、但し、金属磁性媒体３
としてCo−Crを用いて磁気デイスクを作つた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に保護膜４としてニツケル−燐合金を0.1μm
の厚さにめつきし、その後亜硝酸ジシクロヘキシ
ルアミンの23％メチルアルコール溶液中に10時間
浸漬してニツケル−燐合金保護膜中に有機腐食抑
制剤を十分含ませて磁気デイスクを作つた。 実施例 ７ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の表面を酸化してCo及びNiの酸化物からなる被
膜を形成して保護膜４となし、その後、亜硝酸ジ
シクロヘキシルアミンの9.2％エチルアルコール
溶液中に16時間浸漬してCo及びNiの酸化物から
なる保護膜中に有機腐食抑制剤を十分含ませて磁
気デイスクを作つた。 実施例 ８ 実施例７と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上にニツケル−燐合金を0.1μmの厚さにめつき
し、その表面を酸化してNi酸化物からなる被膜
を形成して保護膜４となし、その後、亜硝酸ジシ
クロヘキシルアミンの7.9％ジオキサン溶液中に
４時間浸漬してNiの酸化物からなる保護膜中に
有機腐食抑制剤を十分含ませて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ９ 実施例１と同様にして、但し、保護膜４を形成
する溶液として下記の溶液を用いて磁気デイスク
を作つた。 テトラヒドロキシシラン２％−ブチルアルコー
ル溶液 99.5ｇ 亜硝酸ジシクロヘキシルアミン 0.5ｇ 実施例 10 実施例１と同様にして、但し、保護膜４を形成
する溶液として下記の溶液を用いて磁気デイスク
を作つた。 テトラヒドロキシシラン２％−プロピルアルコ
ール溶液 99.5ｇ 亜硝酸ジイソプロピルアミン 0.5ｇ 実施例 11 実施例１と同様にして、但し、保護膜４を形成
する溶液として下記の溶液を用いて磁気デイスク
を作つた。 テトラヒドロキシシラン２％エチルアルコール
溶液 99.5ｇ 安息香酸イソプロピルシクロヘキシルアミン
0.5ｇ 比較例 １〜11 実施例１〜11と同様にして、但し、有機腐食抑
制剤を用いずに磁気デイスクを作り、それぞれを
比較例１〜11とした。 実施例１〜11および比較例１〜11で示した各磁
気デイスクを用いて水中浸漬試験（120時間）お
よび環境試験（相対湿度90％、湿度40℃、１ケ
月）を行ないそれぞれ腐食点の単位面積当りの個
数およびエラー数の増加率を調べた。 その結果下表の様な結果が得られた。
磁気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体、
特に磁性金属を記憶媒体とする磁気記憶体に関す
る。 一般に磁性金属を記憶媒体として使用する磁気
記憶体は主に次の２つの実用上の問題を有してい
る。 第１の問題は記録再生磁気ヘツド（以下ヘツド
と呼ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶
装置の記録再生方法に伴なうものである。 操作開始時にヘツドと磁気記憶体面とを接触状
態でセツトした後、前記磁気記憶体に所要の回転
を与えることにより前記ヘツドと前記磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記
録再生する方法であるコンタクト・スタート・ス
トツプ方式（以下CSS方式と呼ぶ）では操作終了
時に縦気記憶体の回転が止まり、この時ヘツドと
磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態
にある。 これらの接触摩擦状態におけるヘツドと磁気記
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツドおよび磁気記
憶体を摩耗させついにはヘツドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を生じさせることがある。また前記接
触摩擦状態においてヘツドのわずかな姿勢の変化
がヘツドにかかる荷重を不均一にし、ヘツドおよ
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。また更
に記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体に接
触しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が動き
ヘツドおよび磁気記憶体が破壊されることがしば
しば起こる。この様なヘツドと磁気記憶体との接
触摩擦、接触摩耗および接触破壊からヘツドおよ
び磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面
に保護被膜を被覆することが必要である。 第２の問題は、磁性金属が腐食し易く、この腐
食により磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、
あるいは局部的な腐食によつてエラーの増加を招
く。 以上の２つの問題を解決する為に種々の保護膜
が提案されているが、耐摩耗性と耐食性の両方共
に優れたものはまだ得られていない。 例えば特公昭52−17402号公報に見られる様な、
磁気記憶体表面をクロム酸又はその塩を含む酸化
剤で処理して作られる保護膜は耐摩耗性が十分で
ない上にクロム酸又はその塩の様な無機腐食抑制
剤はかえつて磁性金属を侵して磁性金属の膜厚の
不均一を招き、エラーを増加させる。この様に磁
性金属に過激に作用する腐食抑制剤は、磁気記憶
体の様な磁性金属の精密さが要求される用途には
適用が困難である。 本発明の目的は磁性金属への影響が無く、かつ
耐食性に優れた保護膜を有する磁気記憶体を提供
することにある。 すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面研磨された
下地体の上に金属磁性媒体が被覆され、この媒体
の上に直接又は非磁性合金を介して１級、２級若
しくは３級アミンの亜硝酸塩、安息香酸塩若しく
は炭酸塩からなる有機腐食抑制剤を含む保護膜が
被覆されていることを特徴としている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 第１，２図は本発明の磁気記憶体の一実施例を
示す部分断面図である。 第１図において磁気記憶体の基盤１としてアル
ミ合金が軽くて加工性が良く安価なことから最も
良く用いられるが、場合によつてはチタン合金が
用いられることもある。基盤表面は機械加工によ
り小さなうねり（円周方向で50μm以下、半径方
向で100μm以下）を有する面に仕上げられてい
る。次にこの基盤１の上に下地体２としてニツケ
ル−燐合金がめつきにより被覆され、この下地体
２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ
0.03μm以下に鏡面仕上げされる。次に上記下地
体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３としてコバ
ルト−ニツケル−燐合金がめつきにより被覆さ
れ、この金属磁性媒体３の上に有機腐食抑制剤を
含む保護膜４が被覆されている。 第２図においては上記金属磁性媒体３の上に非
磁性合金５としてニツケル−燐合金を介して有機
腐食抑制剤を含む保護膜４が被覆されている。 金属磁性媒体３はCo，Ni若しくはFeを含む金
属又は合金であればなんでも良い。 保護膜４もガラス、珪素酸化物、珪素窒化物、
珪酸ポリマー（ポリ珪酸）などの固定珪素化合物
を初めとし、Rh，Crなどの非磁性金属、NiPな
どの非磁性合金、Al，Co，Ni，Cr，Ti，Zr若し
くはCeなどの金属またはこれらの合金の非磁性
金属酸化物が使用出来る。 有機腐食抑制剤としては１級、２級若しくは３
級アミンの亜硝酸塩、安息香酸塩若しくは炭酸塩
が最も効果があり、例えばイソプロピルアミン、
ジイソプロピルアミン、トリエタノールアミン、
ジシクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、
シクロヘキシルアミン、ジブチルアミンまたはト
リエチルアミンの亜硝酸塩、安息香酸塩又は炭酸
塩がある。 次に実施例および比較例により本発明の磁気記
憶体を詳細に説明する。 実施例 １ 基盤１として旋盤加工および熱矯正によつて十
分小さなうねり（円周方向で50μm以下および半
径方向で10μm以下）をもつた面に仕上げられた
デイスク状アルミニウム合金盤上に下地体２とし
てニツケル−燐合金を約50μmの厚さにめつきし、
このニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ
0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げした。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３としてコバルト−ニツケル−燐合金を
0.05μmの厚さにめつきした。このコバルト−ニ
ツケル−燐めつき膜の上に下記の溶液をスピン塗
布法により塗布、乾燥した後、200℃で５時間焼
成して0.1μmの厚さの有機腐食抑制剤を含むポリ
珪酸からなる保護膜４を被覆して、第１図に示し
た構造の磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％イソプロピルアル
コール溶液 99.87ｇ 亜硝酸ジシクロヘキシルアミン 0.13ｇ 実施例 ２ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に非磁性合金５としてニツケル−燐合金を
0.02μmの厚さにめつきし、このニツケル−燐合
金の上に実施例１と同様にして有機腐食抑制剤を
含むポリ珪酸からなる保護膜４を被覆して第２図
に示した構造の磁気デイスクを作つた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に保護膜４としてSiO2をスパツタにより
0.1μmの厚さに被覆し、その後亜硝酸ジシクロヘ
キシルアミンの2.2％イソプロピルアルコール溶
液中に24時間浸漬してSiO2膜中に有機腐食抑制
剤を十分含ませて磁気デイスクを作つた。 実施例 ４ 実施例２と同様にして、但し、金属磁性媒体３
としてCo−Mn−Ｐを用いて磁気デイスクを作つ
た。 実施例 ５ 実施例３と同様にして、但し、金属磁性媒体３
としてCo−Crを用いて磁気デイスクを作つた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上に保護膜４としてニツケル−燐合金を0.1μm
の厚さにめつきし、その後亜硝酸ジシクロヘキシ
ルアミンの23％メチルアルコール溶液中に10時間
浸漬してニツケル−燐合金保護膜中に有機腐食抑
制剤を十分含ませて磁気デイスクを作つた。 実施例 ７ 実施例１と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の表面を酸化してCo及びNiの酸化物からなる被
膜を形成して保護膜４となし、その後、亜硝酸ジ
シクロヘキシルアミンの9.2％エチルアルコール
溶液中に16時間浸漬してCo及びNiの酸化物から
なる保護膜中に有機腐食抑制剤を十分含ませて磁
気デイスクを作つた。 実施例 ８ 実施例７と同様にして、但し、金属磁性媒体３
の上にニツケル−燐合金を0.1μmの厚さにめつき
し、その表面を酸化してNi酸化物からなる被膜
を形成して保護膜４となし、その後、亜硝酸ジシ
クロヘキシルアミンの7.9％ジオキサン溶液中に
４時間浸漬してNiの酸化物からなる保護膜中に
有機腐食抑制剤を十分含ませて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ９ 実施例１と同様にして、但し、保護膜４を形成
する溶液として下記の溶液を用いて磁気デイスク
を作つた。 テトラヒドロキシシラン２％−ブチルアルコー
ル溶液 99.5ｇ 亜硝酸ジシクロヘキシルアミン 0.5ｇ 実施例 10 実施例１と同様にして、但し、保護膜４を形成
する溶液として下記の溶液を用いて磁気デイスク
を作つた。 テトラヒドロキシシラン２％−プロピルアルコ
ール溶液 99.5ｇ 亜硝酸ジイソプロピルアミン 0.5ｇ 実施例 11 実施例１と同様にして、但し、保護膜４を形成
する溶液として下記の溶液を用いて磁気デイスク
を作つた。 テトラヒドロキシシラン２％エチルアルコール
溶液 99.5ｇ 安息香酸イソプロピルシクロヘキシルアミン
0.5ｇ 比較例 １〜11 実施例１〜11と同様にして、但し、有機腐食抑
制剤を用いずに磁気デイスクを作り、それぞれを
比較例１〜11とした。 実施例１〜11および比較例１〜11で示した各磁
気デイスクを用いて水中浸漬試験（120時間）お
よび環境試験（相対湿度90％、湿度40℃、１ケ
月）を行ないそれぞれ腐食点の単位面積当りの個
数およびエラー数の増加率を調べた。 その結果下表の様な結果が得られた。
【表】
【表】
なお、実施例１〜５および９〜11の磁気デイス
クについて２万回のCSS繰り返しテストを行なつ
たが表面の傷および摩耗跡など全く異常は見られ
なかつた。 以上のことから本発明の磁気記憶体は優れた耐
環境性と耐摩耗性を有していることが分つた。
クについて２万回のCSS繰り返しテストを行なつ
たが表面の傷および摩耗跡など全く異常は見られ
なかつた。 以上のことから本発明の磁気記憶体は優れた耐
環境性と耐摩耗性を有していることが分つた。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の磁気記憶
体の部分断面図である。 図において、１は基盤、２は下地体、３は金属
磁性媒体、４は保護膜、５は非磁性合金である。
体の部分断面図である。 図において、１は基盤、２は下地体、３は金属
磁性媒体、４は保護膜、５は非磁性合金である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鏡面研磨された下地体の上に金属磁性媒体が
被覆され、この媒体の上に直接又は非磁性合金を
介して１級、２級若しくは３級アミンの亜硝酸
塩、安息香酸塩若しくは炭酸塩からなる有機腐食
抑制剤を含み、硬質の固体材料からなる保護膜が
被覆されていることを特徴とする磁気記憶体。 ２ 前記保護膜が珪素化合物である特許請求の範
囲第１項記載の磁気記憶体。 ３ 前記珪素化合物がポリ珪酸である特許請求の
範囲第２項に記載の磁気記憶体。 ４ 前記保護膜が非磁性の金属又は合金である特
許請求の範囲第１項に記載の磁気記憶体。 ５ 前記非磁性の金属又は合金がRh、Ni−Ｐ又
はCrである特許請求の範囲第４項に記載の磁気
記憶体。 ６ 前記保護膜が金属酸化物である特許請求の範
囲第１項に記載の磁気記憶体。 ７ 前記金属酸化物がAl、Co、Ni若しくはCr又
はこれらの合金の酸化物である特許請求の範囲第
６項に記載の磁気記憶体。 ８ 前記有機腐食抑制剤が亜硝酸ジシクロヘキシ
ルアミンである特許請求の範囲第１項に記載の磁
気記憶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042963A JPS57158033A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic storage body |
| DE3210866A DE3210866C2 (de) | 1981-03-24 | 1982-03-24 | Magnetischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042963A JPS57158033A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic storage body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57158033A JPS57158033A (en) | 1982-09-29 |
| JPH0357538B2 true JPH0357538B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=12650682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56042963A Granted JPS57158033A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic storage body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57158033A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0619802B2 (ja) * | 1984-05-31 | 1994-03-16 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録方法 |
| US4729924A (en) * | 1984-12-21 | 1988-03-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Metallic thin film magnetic recording medium having a hard protective layer |
| US4803130A (en) * | 1984-12-21 | 1989-02-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Reactive sputtering process for recording media |
| JPS62120630A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120805A (ja) * | 1974-08-13 | 1976-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Jikideisukugatakirokutai |
| JPS5140902A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Fujitsu Ltd | Jikikirokubaitainohogomaku |
| JPS5440605A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-30 | Nec Corp | Magnetic memory element |
| JPS5939808B2 (ja) * | 1977-02-10 | 1984-09-26 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
-
1981
- 1981-03-24 JP JP56042963A patent/JPS57158033A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57158033A (en) | 1982-09-29 |
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| JPH0419609B2 (ja) | ||
| JPH0237606B2 (ja) | ||
| JPH0237605B2 (ja) | ||
| JPH079699B2 (ja) | 磁気ディスク記憶媒体 | |
| JPH0237604B2 (ja) | ||
| JPS6196512A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0241089B2 (ja) | ||
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