JPH0419609B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0419609B2 JPH0419609B2 JP56042968A JP4296881A JPH0419609B2 JP H0419609 B2 JPH0419609 B2 JP H0419609B2 JP 56042968 A JP56042968 A JP 56042968A JP 4296881 A JP4296881 A JP 4296881A JP H0419609 B2 JPH0419609 B2 JP H0419609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- protective film
- antistatic agent
- magnetic memory
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク又は磁
気ドラムなど）に用いられる磁気記憶体、得に連
続薄膜形磁気記憶体に関するものである。 連続薄膜形磁気記憶体では、高密度に記録を行
なうために磁気ヘツドをできる限り接近させて記
録、再生を行なうことを目的として、その表面は
極めて平滑に仕上げられている。 このような磁気記憶体を用いて、操作開始時に
磁気ヘツドと磁気記憶体表面とを接触状態にセツ
トしておき、その磁気記憶体に所要の回転を与え
ることにより磁気ヘツドと磁気記憶体表面間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録、再生を行
なう、所謂コンタクト・スタートス・ストツプ方
式での操作を行なつていると、次のような問題が
起ることが明らかとなつた。 磁気記憶体が停止しているときは磁気ヘツドが
磁気記憶体の表面に接触しているが、このとき磁
気ヘツドと磁気記憶体との密着が強く、操作開始
時に磁気ヘツドに過大な力が作用して磁気ヘツド
を破壊したり、磁気ヘツドが磁気記憶体表面上を
バウンドして磁気記憶体に損傷を与えるなどの事
故が発生することがある。また、操作中において
も、磁気ヘツドが磁気記憶体に衝突したり、特に
磁気ヘツドの浮揚力が弱くなる回転開始直後又は
停止直前においてフライングが不安定になつて磁
気ヘツドが磁気記憶体に衝突する事故が発生する
こともある。さらに、操作中に磁気ヘツドと磁気
記憶体間で放電が起り、これがノイズとなつて記
録、再生時の誤動作の原因になることもある。 このような現象は、磁性金属やフエライトを記
憶媒体とする連続薄膜形磁気記憶体において顕著
に現れ、磁性粉末をバインダー中に分散させて塗
布した形の、所謂、コーテツド・デイスクではあ
まり問題にならない。これは前者においては磁気
記憶体表面が極めて平滑であることと、磁気ヘツ
ドと磁気記憶体間の距離が小さいことに起因して
いると考えられる。 本発明は、連続薄膜形磁気記憶体のうち、特に
磁性金属を記憶媒体とする磁気記憶体において上
記問題点を解決することを目的とするものであつ
て、その磁気記憶体の表面を被覆している保護膜
に帯電防止剤を含有せしめたことを特徴とする磁
気記憶体である。 本発明で用いる保護膜は、珪素化合物または非
磁性金属酸化物である。また、本発明の帯電防止
剤は、イオン化されたアミン系界面活性剤であ
る。界面活性剤の主なものを次表に例示する。
尚、その表の化学構造式においてＲはアルキル基
を表わし、ｍ、ｎは整数を表わしている。
気ドラムなど）に用いられる磁気記憶体、得に連
続薄膜形磁気記憶体に関するものである。 連続薄膜形磁気記憶体では、高密度に記録を行
なうために磁気ヘツドをできる限り接近させて記
録、再生を行なうことを目的として、その表面は
極めて平滑に仕上げられている。 このような磁気記憶体を用いて、操作開始時に
磁気ヘツドと磁気記憶体表面とを接触状態にセツ
トしておき、その磁気記憶体に所要の回転を与え
ることにより磁気ヘツドと磁気記憶体表面間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録、再生を行
なう、所謂コンタクト・スタートス・ストツプ方
式での操作を行なつていると、次のような問題が
起ることが明らかとなつた。 磁気記憶体が停止しているときは磁気ヘツドが
磁気記憶体の表面に接触しているが、このとき磁
気ヘツドと磁気記憶体との密着が強く、操作開始
時に磁気ヘツドに過大な力が作用して磁気ヘツド
を破壊したり、磁気ヘツドが磁気記憶体表面上を
バウンドして磁気記憶体に損傷を与えるなどの事
故が発生することがある。また、操作中において
も、磁気ヘツドが磁気記憶体に衝突したり、特に
磁気ヘツドの浮揚力が弱くなる回転開始直後又は
停止直前においてフライングが不安定になつて磁
気ヘツドが磁気記憶体に衝突する事故が発生する
こともある。さらに、操作中に磁気ヘツドと磁気
記憶体間で放電が起り、これがノイズとなつて記
録、再生時の誤動作の原因になることもある。 このような現象は、磁性金属やフエライトを記
憶媒体とする連続薄膜形磁気記憶体において顕著
に現れ、磁性粉末をバインダー中に分散させて塗
布した形の、所謂、コーテツド・デイスクではあ
まり問題にならない。これは前者においては磁気
記憶体表面が極めて平滑であることと、磁気ヘツ
ドと磁気記憶体間の距離が小さいことに起因して
いると考えられる。 本発明は、連続薄膜形磁気記憶体のうち、特に
磁性金属を記憶媒体とする磁気記憶体において上
記問題点を解決することを目的とするものであつ
て、その磁気記憶体の表面を被覆している保護膜
に帯電防止剤を含有せしめたことを特徴とする磁
気記憶体である。 本発明で用いる保護膜は、珪素化合物または非
磁性金属酸化物である。また、本発明の帯電防止
剤は、イオン化されたアミン系界面活性剤であ
る。界面活性剤の主なものを次表に例示する。
尚、その表の化学構造式においてＲはアルキル基
を表わし、ｍ、ｎは整数を表わしている。
【表】
炭素粉末、金属粉末又は金属繊維など導電性の
ある粉末又は繊維も帯電を防止する上では有効で
あるが、これらは保護膜に含有させた場合、保護
膜の表面平滑性を損ねるので本発明の帯電防止剤
としては望ましいものではない。 本発明の対象とする連続薄膜形磁気記憶体は、
第１図に示すような基板１の上に厚さ数十μｍの
下地体層２が設けられ、その上に厚さ0.03〜0.1μ
ｍの金属磁性媒体層３が被覆され、さらにその上
に厚さ0.01〜0.3μｍの保護膜４が被覆された構
造、又は第２図に示すような金属磁性媒体層３と
保護膜４の間にさらに厚さ0.02μｍ程度の非磁性
合金層５が設けられた構造をもつている。 基板１としてはチタン合金や軽くて加工性のよ
いアルミ合金をその表面粗さが円周方向で50μｍ
以下、半径方向で100μｍ以下になるように旋盤
加工と熱矯正により機械加工して用いられる。 下地体層２は平滑な表面を得るために設けられ
るものであつて、Ni−Ｐ合金などがめつきによ
り被覆され、その表面粗さが最大で0.03μｍぐら
いになるように機械的に研磨される。 金属磁性媒体層３はCo、No又はFeを含む合金
で代表的なものとしてはCo−Ni−Ｐ、Co−Mn
−Ｐ、Co−Ｗ−Ｐ、Co−Crなどがあり、これら
はめつき法、蒸着法、スパツタ法又はイオンブレ
ーテイング法で形成される。 保護膜４としては珪酸ポリマー（ポリ珪酸）、
ガラスその他の珪素酸化物若しくは珪素窒化物な
どの珪素化合物、Rn若しくはCrなど高硬度で耐
食性のある非磁性金属若しくはそれらの合金、又
はAl、Co、Ni、Cr、Ti、Zr若しくはCe若しく
はそれらの合金の酸化物が、塗布法、蒸着法又は
スパツタ法で形成されたものが用いられる。 また、非磁性合金層５は金属磁性媒層３とその
上の保護膜４との密着を向上させるために設けら
れるものであつて、Ni−Ｐが好ましい。 帯電防止剤を保護膜に含有させるには保護膜の
種類により適宜望ましい方法を選択することがで
きる。例えば珪酸ポリマーのように塗布法により
形成される保護膜の場合には、保護膜形成のため
の溶液に希望の帯電防止剤を所定量溶解させ、そ
の溶液を金属磁性媒体層上又はその上に設けられ
た非磁性合金層上にスピン塗布法で塗布し、乾燥
させ、必要があれば焼成することにより、帯電防
止剤を含有した保護膜が得られる。また、ガラ
ス、合金又は金属酸化物のように蒸着法又はスパ
ツタ法で形成される保護膜の場合には、そのよう
な保護膜が被覆された磁気記憶体を帯電防止剤中
又は帯電防止剤を溶解している溶液中に浸漬し
て、帯電防止剤を保護膜中に浸透させることによ
り帯電防止膜を含有した保護膜が得られる。 帯電防止剤の含有量は、多い程帯電防止の効果
が著しくなるが、一方、多過ぎると保護膜の耐摩
耗性の特性を低下させることになる。したがつ
て、多くても50°重量％ぐらいまでに抑えるのが
好ましく、実用的には数重量％で十分帯電防止上
の効果を発揮することができる。 保護膜中に含有された帯電防止剤は、保護膜の
電気抵抗を低下させ、記憶装置の操作中に磁気ヘ
ツドと磁気記憶体の相対運動により保護膜表面に
発生する荷重を金属磁性媒体その他の金属部分を
経由して放電させ、これにより磁気ヘツドのフラ
イングを安定させて磁気記憶体との衝突を防ぎ、
また、これらの間での放電に基因するノイズの発
生を防ぐように作用する。さらに、帯電を防ぐこ
とにより磁気記憶体停止時における磁気ヘツドと
磁気記憶体との密着強度を弱くして、操作開始時
の事故を少なくするように作用するものである。 特に、本発明では、保護膜材料として珪素化合
物または非磁性金属酸化物を用い、帯電防止剤と
してイオン化されたアミン系界面活性剤を用いた
ことにより、優れた帯電防止効果を得ることがで
きる。すなわち、塩基性であるアミン界面活性剤
は酸性である珪素化合物や非磁性金属酸化物と親
和性がよく、保護膜表面に吸着しやすいという特
徴がある。さらに、このように保護膜表面に吸着
した分子がイオン化されているため、導電性がよ
く、保護膜表面に発生する電荷を効率よく放電さ
せることができるという特徴がある。 次に実施例と比較例により本発明をさらに詳細
に説明する。 実施例 １ 表面粗さが円周方向で50μｍ以下、半径方向で
10μｍ以下に加工されたアルミ合金からなるデイ
スク状基板上に、下地体層としてNi−Ｐ合金を
約50μｍの厚さにめつきし、これを表面の最大粗
が0.02μｍになるように厚さ30μｍまで鏡面研磨仕
上げした。その上に金属磁性媒体層としてCo−
Ni−Ｐ合金を0.05μｍの厚さにめつきし、さらに
その上に帯電防止剤を含有した保護膜を形成する
溶液として下記の溶液をスピン塗布法により塗布
し、乾燥させた後、空気中で200℃で５時間焼成
して磁気デイスクを作つた。尚、この場合の保護
膜はポリ珪酸である。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−ブチルアルコ
ール溶液 99.9ｇ テトラメチルアンモニウムクロライド 0.1ｇ 実施例 ２ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−プロピルアル
コール溶液 99.9ｇ メチルペタイン 0.1ｇ 実施例 ３ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％エチルアルコール
溶液 99.9ｇ Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）メチル
アミン 0.1ｇ 実施例 ４ 実施例１と同様にして基板上にNi−Ｐ合金層、
さらにその上にCo−Ni−Ｐ合金層を形成し、但
し、保護膜はポリ珪酸に代えてそのCo−Ni−Ｐ
合金磁性媒体層の表面を酸化してその酸化物を保
護膜とした。これをテトラメチルアンモニウムナ
トリウムを９重量％含むエチルアルコール溶液中
に15時間浸漬して金属合金酸化物保護膜中に帯電
防止剤を含有した磁気デイスクを作つた。 実施例 ５ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−ブチルアルコ
ール溶液 99.5ｇ トリメチルベンジルアンモニウムクロライド
0.5ｇ 実施例 ６ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−プロピルアル
コール溶液 99.5ｇ ラウソルイミダソン誘導体
ある粉末又は繊維も帯電を防止する上では有効で
あるが、これらは保護膜に含有させた場合、保護
膜の表面平滑性を損ねるので本発明の帯電防止剤
としては望ましいものではない。 本発明の対象とする連続薄膜形磁気記憶体は、
第１図に示すような基板１の上に厚さ数十μｍの
下地体層２が設けられ、その上に厚さ0.03〜0.1μ
ｍの金属磁性媒体層３が被覆され、さらにその上
に厚さ0.01〜0.3μｍの保護膜４が被覆された構
造、又は第２図に示すような金属磁性媒体層３と
保護膜４の間にさらに厚さ0.02μｍ程度の非磁性
合金層５が設けられた構造をもつている。 基板１としてはチタン合金や軽くて加工性のよ
いアルミ合金をその表面粗さが円周方向で50μｍ
以下、半径方向で100μｍ以下になるように旋盤
加工と熱矯正により機械加工して用いられる。 下地体層２は平滑な表面を得るために設けられ
るものであつて、Ni−Ｐ合金などがめつきによ
り被覆され、その表面粗さが最大で0.03μｍぐら
いになるように機械的に研磨される。 金属磁性媒体層３はCo、No又はFeを含む合金
で代表的なものとしてはCo−Ni−Ｐ、Co−Mn
−Ｐ、Co−Ｗ−Ｐ、Co−Crなどがあり、これら
はめつき法、蒸着法、スパツタ法又はイオンブレ
ーテイング法で形成される。 保護膜４としては珪酸ポリマー（ポリ珪酸）、
ガラスその他の珪素酸化物若しくは珪素窒化物な
どの珪素化合物、Rn若しくはCrなど高硬度で耐
食性のある非磁性金属若しくはそれらの合金、又
はAl、Co、Ni、Cr、Ti、Zr若しくはCe若しく
はそれらの合金の酸化物が、塗布法、蒸着法又は
スパツタ法で形成されたものが用いられる。 また、非磁性合金層５は金属磁性媒層３とその
上の保護膜４との密着を向上させるために設けら
れるものであつて、Ni−Ｐが好ましい。 帯電防止剤を保護膜に含有させるには保護膜の
種類により適宜望ましい方法を選択することがで
きる。例えば珪酸ポリマーのように塗布法により
形成される保護膜の場合には、保護膜形成のため
の溶液に希望の帯電防止剤を所定量溶解させ、そ
の溶液を金属磁性媒体層上又はその上に設けられ
た非磁性合金層上にスピン塗布法で塗布し、乾燥
させ、必要があれば焼成することにより、帯電防
止剤を含有した保護膜が得られる。また、ガラ
ス、合金又は金属酸化物のように蒸着法又はスパ
ツタ法で形成される保護膜の場合には、そのよう
な保護膜が被覆された磁気記憶体を帯電防止剤中
又は帯電防止剤を溶解している溶液中に浸漬し
て、帯電防止剤を保護膜中に浸透させることによ
り帯電防止膜を含有した保護膜が得られる。 帯電防止剤の含有量は、多い程帯電防止の効果
が著しくなるが、一方、多過ぎると保護膜の耐摩
耗性の特性を低下させることになる。したがつ
て、多くても50°重量％ぐらいまでに抑えるのが
好ましく、実用的には数重量％で十分帯電防止上
の効果を発揮することができる。 保護膜中に含有された帯電防止剤は、保護膜の
電気抵抗を低下させ、記憶装置の操作中に磁気ヘ
ツドと磁気記憶体の相対運動により保護膜表面に
発生する荷重を金属磁性媒体その他の金属部分を
経由して放電させ、これにより磁気ヘツドのフラ
イングを安定させて磁気記憶体との衝突を防ぎ、
また、これらの間での放電に基因するノイズの発
生を防ぐように作用する。さらに、帯電を防ぐこ
とにより磁気記憶体停止時における磁気ヘツドと
磁気記憶体との密着強度を弱くして、操作開始時
の事故を少なくするように作用するものである。 特に、本発明では、保護膜材料として珪素化合
物または非磁性金属酸化物を用い、帯電防止剤と
してイオン化されたアミン系界面活性剤を用いた
ことにより、優れた帯電防止効果を得ることがで
きる。すなわち、塩基性であるアミン界面活性剤
は酸性である珪素化合物や非磁性金属酸化物と親
和性がよく、保護膜表面に吸着しやすいという特
徴がある。さらに、このように保護膜表面に吸着
した分子がイオン化されているため、導電性がよ
く、保護膜表面に発生する電荷を効率よく放電さ
せることができるという特徴がある。 次に実施例と比較例により本発明をさらに詳細
に説明する。 実施例 １ 表面粗さが円周方向で50μｍ以下、半径方向で
10μｍ以下に加工されたアルミ合金からなるデイ
スク状基板上に、下地体層としてNi−Ｐ合金を
約50μｍの厚さにめつきし、これを表面の最大粗
が0.02μｍになるように厚さ30μｍまで鏡面研磨仕
上げした。その上に金属磁性媒体層としてCo−
Ni−Ｐ合金を0.05μｍの厚さにめつきし、さらに
その上に帯電防止剤を含有した保護膜を形成する
溶液として下記の溶液をスピン塗布法により塗布
し、乾燥させた後、空気中で200℃で５時間焼成
して磁気デイスクを作つた。尚、この場合の保護
膜はポリ珪酸である。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−ブチルアルコ
ール溶液 99.9ｇ テトラメチルアンモニウムクロライド 0.1ｇ 実施例 ２ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−プロピルアル
コール溶液 99.9ｇ メチルペタイン 0.1ｇ 実施例 ３ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％エチルアルコール
溶液 99.9ｇ Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）メチル
アミン 0.1ｇ 実施例 ４ 実施例１と同様にして基板上にNi−Ｐ合金層、
さらにその上にCo−Ni−Ｐ合金層を形成し、但
し、保護膜はポリ珪酸に代えてそのCo−Ni−Ｐ
合金磁性媒体層の表面を酸化してその酸化物を保
護膜とした。これをテトラメチルアンモニウムナ
トリウムを９重量％含むエチルアルコール溶液中
に15時間浸漬して金属合金酸化物保護膜中に帯電
防止剤を含有した磁気デイスクを作つた。 実施例 ５ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−ブチルアルコ
ール溶液 99.5ｇ トリメチルベンジルアンモニウムクロライド
0.5ｇ 実施例 ６ 実施例１と同様にして、但し、帯電防止剤を含
有した保護膜を形成する溶液として下記の溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。 テトラヒドロキシシラン２％ｎ−プロピルアル
コール溶液 99.5ｇ ラウソルイミダソン誘導体
【式】 0.5ｇ
比較例 １〜４
実施例１〜４において、保護膜に帯電防止剤を
含有させないで磁気デイスクを作成し、これらを
実施例１〜４にそれぞれ対応して比較例１〜４と
する。 実施例１〜６、比較例１〜３で作成した磁気デ
イスクを用いて湿度30％の環境でコンタクト・ス
タート・ストツプ方式で記録、再生を繰り返して
実験を行なつたところ、比較例の磁気デイスクで
は操作開始時の磁気ヘツドと磁気デイスク表面と
の衝突が１％ぐらいの率で発生したが、実施例の
磁気デイスクではこの衝突はほとんど発生するこ
とがなかつた。 再生出力を比較してみると、比較例の磁気デイ
スクでは磁気ヘツドのフライングの不安定性に起
因してその再生出力が５〜10％変動するが、実施
例の磁気デイスクの場合、この再生出力の変動が
２〜３％に減少した。また、実施例のものでは記
録、再生時の放電ノイズが全く見られなくなつ
た。
含有させないで磁気デイスクを作成し、これらを
実施例１〜４にそれぞれ対応して比較例１〜４と
する。 実施例１〜６、比較例１〜３で作成した磁気デ
イスクを用いて湿度30％の環境でコンタクト・ス
タート・ストツプ方式で記録、再生を繰り返して
実験を行なつたところ、比較例の磁気デイスクで
は操作開始時の磁気ヘツドと磁気デイスク表面と
の衝突が１％ぐらいの率で発生したが、実施例の
磁気デイスクではこの衝突はほとんど発生するこ
とがなかつた。 再生出力を比較してみると、比較例の磁気デイ
スクでは磁気ヘツドのフライングの不安定性に起
因してその再生出力が５〜10％変動するが、実施
例の磁気デイスクの場合、この再生出力の変動が
２〜３％に減少した。また、実施例のものでは記
録、再生時の放電ノイズが全く見られなくなつ
た。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明を示す部分
断面図である。 １……基板、２……下地体層、３……金属磁性
媒体層、４……保護膜、５……非磁性合金層。
断面図である。 １……基板、２……下地体層、３……金属磁性
媒体層、４……保護膜、５……非磁性合金層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の鏡面研磨された下地体層の上に金属
磁性媒体層が被覆され、さらにこの金属磁性媒体
層上に直接又は非磁性合金層を介して保護膜が被
覆されている磁気記憶体において、前記保護膜が
珪素化合物または非磁性金属酸化物からなり、イ
オン化されたアミン系界面活性剤からなる帯電防
止剤を含有していることを特徴とする磁気記憶
体。 ２ 前記珪素化合物がポリ珪酸である特許請求の
範囲第１項に記載の磁気記憶体。 ３ 前記珪素化合物がSiO2である特許請求の範
囲第１項に記載の磁気記憶体。 ４ 前記非磁性金属酸化物がNi−Coの酸化物で
ある特許請求の範囲第１項に記載の磁気記憶体。 ５ 前記非磁性金属酸化物がNi酸化物である特
許請求の範囲第１項に記載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042968A JPS57158036A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic storage body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042968A JPS57158036A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic storage body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57158036A JPS57158036A (en) | 1982-09-29 |
| JPH0419609B2 true JPH0419609B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=12650831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56042968A Granted JPS57158036A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic storage body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57158036A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961106A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPH0650683B2 (ja) * | 1982-09-30 | 1994-06-29 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
| JPS5988807A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS5988805A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS5988806A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS59116924A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-06 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPH0642425B2 (ja) * | 1982-12-22 | 1994-06-01 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
| JPS59116925A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-06 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS61137221A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気デイスク |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5442107A (en) * | 1977-08-02 | 1979-04-03 | Nec Corp | Magnetic storage medium |
| JPS54143114A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-03-24 JP JP56042968A patent/JPS57158036A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57158036A (en) | 1982-09-29 |
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|---|---|---|
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