JPH0237608B2 - Jikikirokutainoseizohoho - Google Patents
JikikirokutainoseizohohoInfo
- Publication number
- JPH0237608B2 JPH0237608B2 JP16402581A JP16402581A JPH0237608B2 JP H0237608 B2 JPH0237608 B2 JP H0237608B2 JP 16402581 A JP16402581 A JP 16402581A JP 16402581 A JP16402581 A JP 16402581A JP H0237608 B2 JPH0237608 B2 JP H0237608B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- mol
- axis
- recording
- manganese sulfate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/858—Producing a magnetic layer by electro-plating or electroless plating
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によ
つて記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁
気記録体の製造方法に関するものである。 従来、一般の磁気デイスク装置、磁気テープ装
置などの磁気記録装置においては、基板上に形成
された磁気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつ
て水平方向に磁化することにより記録を行なつて
いる。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この問題解決のため短波
長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直記
録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気記
録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸
をもつCo−Crスパツタ膜が提案されている。そ
して、この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の
磁化による記録方式に比べて高密度記録に優れて
いることが報告されている（特開昭52−134706号
公報参照）。ところでCo−Cr膜をスパツタ法によ
り作製する場合、真空系内で行うため量産性に問
題がある。 このためこの様な製造上の問題点を改善して量
産性に優れた無電解めつき法により、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体（磁性
膜）を製造する無電解めつき浴が見い出されてい
る（特願昭56−025833、“無電解めつき浴”等）。
ところで、無電解めつき浴においてはマンガン、
タングステン、鉄等の添加金属の増加によりα−
Co六方晶のＣ軸（磁化容易軸）を基板に対して
面内方向から垂直方向に変化させるが、Ｃ軸の垂
直配向性が良好な磁性膜では膜面に垂直な方向の
保磁力（Hc（⊥））が著しく増大するという傾向
がある。磁気記録媒体に垂直記録を行なう場合、
Hc（⊥）の値は磁気ヘツドの記録磁界の強度によ
り制限を受ける。ヘツド磁場が磁性膜のHc（⊥）
を下回ると記録磁化反転が起きなくなり垂直記録
は行われない。通常のリング型ヘツドの場合ギヤ
ツプ近傍に発生する最大の磁界は3000Oe程度で
あるが、磁気デイスク装置のように磁気ヘツドが
磁気記録体上を微小間隔浮上している場合や、磁
性膜上に保護膜を有する場合には磁性膜の受ける
記録磁界が減少するためHc（⊥）は1100Oe程度
以下であることが望ましい。しかるに無電解めつ
き浴より得られるＣ軸の垂直配向性の良好な磁性
膜のHc（⊥）は現在のところ1200Oe以上であり、
時には2000Oe程度に達する場合があり、通常の
リング型ヘツドを用いる場合記録磁界が不足する
という欠点があつた。 本発明の目的は、この問題を改善してα−Co
六方晶のＣ軸が膜面に垂直な方向に十分配向し、
かつ通常のリング型ヘツドを用いて容易に記録磁
化反転を起しうる値の保磁力（Hc（⊥））を有す
る磁気記録体の製造方法を提供することにある。 本発明による磁気記録体の製造方法は、非磁性
基板または非磁性基板上に形成したニツケル合金
めつき層上に磁化容易軸が主として膜面に垂直な
方向に配向しているコバルト合金めつき層を形成
した後、100℃以上の温度で熱処理することを特
徴としており、これによりＣ軸の垂直配向性に影
響を与えることなく、Hc（⊥）を通常のリング型
ヘツドを用いて容易に記録磁化反転を起しうる所
要の値まで減少させることができる。 以下、本発明による磁気記録体の製造方法の特
長を実施例により説明する。 実施例 １ エタノール脱脂後水洗を行なつた銅基板に下記
条件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、
下記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
コバルト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μm）を
形成した。 活性化処理条件 HSIOIB（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
、純水620c.c.／を組成とする活性液に３分間
浸漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン ０〜0.07mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ 硫酸マンガンの濃度を０から0.07mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
の結晶構造の変化を明らかにするためＸ線回折を
行つた結果を次表に示す。表中の数字は同一試料
における最大強度の回折線の強さを100とした相
対強度を示す。
つて記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁
気記録体の製造方法に関するものである。 従来、一般の磁気デイスク装置、磁気テープ装
置などの磁気記録装置においては、基板上に形成
された磁気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつ
て水平方向に磁化することにより記録を行なつて
いる。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この問題解決のため短波
長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直記
録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気記
録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸
をもつCo−Crスパツタ膜が提案されている。そ
して、この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の
磁化による記録方式に比べて高密度記録に優れて
いることが報告されている（特開昭52−134706号
公報参照）。ところでCo−Cr膜をスパツタ法によ
り作製する場合、真空系内で行うため量産性に問
題がある。 このためこの様な製造上の問題点を改善して量
産性に優れた無電解めつき法により、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体（磁性
膜）を製造する無電解めつき浴が見い出されてい
る（特願昭56−025833、“無電解めつき浴”等）。
ところで、無電解めつき浴においてはマンガン、
タングステン、鉄等の添加金属の増加によりα−
Co六方晶のＣ軸（磁化容易軸）を基板に対して
面内方向から垂直方向に変化させるが、Ｃ軸の垂
直配向性が良好な磁性膜では膜面に垂直な方向の
保磁力（Hc（⊥））が著しく増大するという傾向
がある。磁気記録媒体に垂直記録を行なう場合、
Hc（⊥）の値は磁気ヘツドの記録磁界の強度によ
り制限を受ける。ヘツド磁場が磁性膜のHc（⊥）
を下回ると記録磁化反転が起きなくなり垂直記録
は行われない。通常のリング型ヘツドの場合ギヤ
ツプ近傍に発生する最大の磁界は3000Oe程度で
あるが、磁気デイスク装置のように磁気ヘツドが
磁気記録体上を微小間隔浮上している場合や、磁
性膜上に保護膜を有する場合には磁性膜の受ける
記録磁界が減少するためHc（⊥）は1100Oe程度
以下であることが望ましい。しかるに無電解めつ
き浴より得られるＣ軸の垂直配向性の良好な磁性
膜のHc（⊥）は現在のところ1200Oe以上であり、
時には2000Oe程度に達する場合があり、通常の
リング型ヘツドを用いる場合記録磁界が不足する
という欠点があつた。 本発明の目的は、この問題を改善してα−Co
六方晶のＣ軸が膜面に垂直な方向に十分配向し、
かつ通常のリング型ヘツドを用いて容易に記録磁
化反転を起しうる値の保磁力（Hc（⊥））を有す
る磁気記録体の製造方法を提供することにある。 本発明による磁気記録体の製造方法は、非磁性
基板または非磁性基板上に形成したニツケル合金
めつき層上に磁化容易軸が主として膜面に垂直な
方向に配向しているコバルト合金めつき層を形成
した後、100℃以上の温度で熱処理することを特
徴としており、これによりＣ軸の垂直配向性に影
響を与えることなく、Hc（⊥）を通常のリング型
ヘツドを用いて容易に記録磁化反転を起しうる所
要の値まで減少させることができる。 以下、本発明による磁気記録体の製造方法の特
長を実施例により説明する。 実施例 １ エタノール脱脂後水洗を行なつた銅基板に下記
条件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、
下記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
コバルト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μm）を
形成した。 活性化処理条件 HSIOIB（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
、純水620c.c.／を組成とする活性液に３分間
浸漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン ０〜0.07mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ 硫酸マンガンの濃度を０から0.07mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
の結晶構造の変化を明らかにするためＸ線回折を
行つた結果を次表に示す。表中の数字は同一試料
における最大強度の回折線の強さを100とした相
対強度を示す。
【表】
硫酸マンガン濃度が０から0.07mol／に増加
するに従つてα−Co（六方晶）のＣ軸（磁化容易
軸）が膜面に対して面内方向から垂直方向に変化
していく様子が窺われる。 硫酸マンガン濃度を０から0.07mol／まで変
化させた場合のHc（⊥）の変化を第１図に示す。
Ｃ軸が面内配向している硫酸マンガン濃度０〜
0.01mol／でのHc（⊥）は400Oe程度であるが、
硫酸マンガン濃度増加とともにHc（⊥）が増大
し、Ｃ軸が垂直配向する硫酸マンガン0.05mol／
以上でのHc（⊥）は1600Oe以上となり著しく
増大した。 Hc（⊥）が1600Oe以上となつた硫酸マンガン
濃度0.05mol／、0.06mol／、及び0.07mol／
の浴より得られた磁性膜を温度をかえて熱処理
した場合のHc（⊥）の変化を第２図に示す。熱処
理は水素雰囲気中で２時間行い、いずれも25℃に
戻した時のHc（⊥）を示してある。硫酸マンガン
0.05mol／の場合、85℃でめつきしたままのHc
（⊥）は1600Oeであるが、熱処理温度の上昇とと
もにHc（⊥）が減少し250℃でHc（⊥）＝980Oeと
なつた。硫酸マンガン0.06mol／、0.07mol／
の場合も同様に熱処理温度の上昇とともに減少
し、それぞれ85℃で2040Oeが300℃で1050Oeに、
85℃で2620Oeが350℃で1060Oeとなり1100Oeを
下回つた。なお熱処理後にもＸ線回折を行つたが
これら磁性膜のＣ軸配向に変化はなく、いずれも
良好な垂直配向をしていた。 実施例 ２ 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げた
アルミ合金素板を熱矯正、熱処理などにより平坦
性を更に向上させた後、アルミ合金上に一様なニ
ツケル−リンめつきを行うに適した前処理を施
し、無電解ニツケル−リンめつき液（化成品興業
社製、ニツカ311）を用いて膜厚30μmのニツケル
−リンめつき膜を形成した。この両面を機械加工
により鏡面仕上げし、高密度記録に適する表面精
度を有するニツケルめつき基板を得た。次にこの
ニツケルめつき基板表面に下記のめつき浴組成及
びめつき条件にてコバルト−ニツケル−マンガン
−リン膜（膜厚は約5μm）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 硫酸ニツケル 0.010mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ リンゴ酸ナトリウム 0.05mol／ 硫酸マンガン ０〜0.06mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.6（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ こうして得られた磁気記録体のコバルト−ニツ
ケル−マンガンリン膜の結晶構造の変化を明らか
にするためＸ線回折を行つた結果を次表に示す。
するに従つてα−Co（六方晶）のＣ軸（磁化容易
軸）が膜面に対して面内方向から垂直方向に変化
していく様子が窺われる。 硫酸マンガン濃度を０から0.07mol／まで変
化させた場合のHc（⊥）の変化を第１図に示す。
Ｃ軸が面内配向している硫酸マンガン濃度０〜
0.01mol／でのHc（⊥）は400Oe程度であるが、
硫酸マンガン濃度増加とともにHc（⊥）が増大
し、Ｃ軸が垂直配向する硫酸マンガン0.05mol／
以上でのHc（⊥）は1600Oe以上となり著しく
増大した。 Hc（⊥）が1600Oe以上となつた硫酸マンガン
濃度0.05mol／、0.06mol／、及び0.07mol／
の浴より得られた磁性膜を温度をかえて熱処理
した場合のHc（⊥）の変化を第２図に示す。熱処
理は水素雰囲気中で２時間行い、いずれも25℃に
戻した時のHc（⊥）を示してある。硫酸マンガン
0.05mol／の場合、85℃でめつきしたままのHc
（⊥）は1600Oeであるが、熱処理温度の上昇とと
もにHc（⊥）が減少し250℃でHc（⊥）＝980Oeと
なつた。硫酸マンガン0.06mol／、0.07mol／
の場合も同様に熱処理温度の上昇とともに減少
し、それぞれ85℃で2040Oeが300℃で1050Oeに、
85℃で2620Oeが350℃で1060Oeとなり1100Oeを
下回つた。なお熱処理後にもＸ線回折を行つたが
これら磁性膜のＣ軸配向に変化はなく、いずれも
良好な垂直配向をしていた。 実施例 ２ 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げた
アルミ合金素板を熱矯正、熱処理などにより平坦
性を更に向上させた後、アルミ合金上に一様なニ
ツケル−リンめつきを行うに適した前処理を施
し、無電解ニツケル−リンめつき液（化成品興業
社製、ニツカ311）を用いて膜厚30μmのニツケル
−リンめつき膜を形成した。この両面を機械加工
により鏡面仕上げし、高密度記録に適する表面精
度を有するニツケルめつき基板を得た。次にこの
ニツケルめつき基板表面に下記のめつき浴組成及
びめつき条件にてコバルト−ニツケル−マンガン
−リン膜（膜厚は約5μm）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 硫酸ニツケル 0.010mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ リンゴ酸ナトリウム 0.05mol／ 硫酸マンガン ０〜0.06mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.6（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ こうして得られた磁気記録体のコバルト−ニツ
ケル−マンガンリン膜の結晶構造の変化を明らか
にするためＸ線回折を行つた結果を次表に示す。
【表】
硫酸マンガン濃度0.04mol／以上の濃度では
（002）のみとなりα−CoのＣ軸が膜面に対して
垂直な方向に配向した。 硫酸マンガン濃度を０から0.06mol／まで変
化させた場合のHc（⊥）の変化を第３図に示す。
Ｃ軸が面内配向している硫酸マンガン濃度
0mol／でのHc（⊥）は350Oe程度であるが、Ｃ
軸が垂直配向する硫酸マンガン0.03mol／以上
ではHc（⊥）が1300〜2000Oe程度に増大した。 Hc（⊥）が1300Oe以上となつた硫酸マンガン
濃度0.03mol／、0.04mol／、0.05mol／及
び0.06mol／の浴より得られた磁性膜を実施例
１と同様に温度をかえて熱処理した場合のHc
（⊥）の変化を第４図に示す。硫酸マンガン
0.06mol／の場合、85℃でめつきしたままのHc
（⊥）は1800Oeであるが、熱処理温度の上昇とと
もにHc（⊥）が減少し250℃でHc（⊥）＝1060Oe
となつた。硫酸マンガン0.03mol／、
0.04mol／、0.07mol／の場合も同様に熱処
理温度の上昇とともに減少し、それぞれ、85℃で
1300Oeが150℃で1050Oeに、85℃で1850Oeが300
℃で1000Oeに、85℃で2000Oeが300℃で1080Oe
となり1100Oeを下回つた。熱処理後にもＸ線折
を行つたがこれら磁性膜のＣ軸配向に変化はな
く、いずれも良好な垂直配向を示した。 以上のように実施例１及び２において磁化容易
軸が主として膜面に垂直な方向に配向しているコ
バルト合金めつき層を形成した後熱処理して得ら
れる磁性膜は、その垂直配向性に何らの変化がな
く、Hc（⊥）が通常のリング型ヘツドを用いて容
易に記録磁化反転を起しうる値まで減少するの
で、垂直磁化記録の磁気記録媒体として用いるこ
とができる。 以上、実施例で示された様に本発明によれば、
非磁性基板または非磁性基板上に形成したニツケ
ル合金めつき層上に磁化容易軸が主として膜面に
垂直な方向に配向しているコバルト合金めつき層
を形成した後、100℃以上の温度で熱処理するこ
とにより、Ｃ軸の垂直配向性に影響を与えること
なく、Hc（⊥）を通常のリング型ヘツドを用いて
容易に記録磁化反転を起しうる所要の値まで減少
させることができる。
（002）のみとなりα−CoのＣ軸が膜面に対して
垂直な方向に配向した。 硫酸マンガン濃度を０から0.06mol／まで変
化させた場合のHc（⊥）の変化を第３図に示す。
Ｃ軸が面内配向している硫酸マンガン濃度
0mol／でのHc（⊥）は350Oe程度であるが、Ｃ
軸が垂直配向する硫酸マンガン0.03mol／以上
ではHc（⊥）が1300〜2000Oe程度に増大した。 Hc（⊥）が1300Oe以上となつた硫酸マンガン
濃度0.03mol／、0.04mol／、0.05mol／及
び0.06mol／の浴より得られた磁性膜を実施例
１と同様に温度をかえて熱処理した場合のHc
（⊥）の変化を第４図に示す。硫酸マンガン
0.06mol／の場合、85℃でめつきしたままのHc
（⊥）は1800Oeであるが、熱処理温度の上昇とと
もにHc（⊥）が減少し250℃でHc（⊥）＝1060Oe
となつた。硫酸マンガン0.03mol／、
0.04mol／、0.07mol／の場合も同様に熱処
理温度の上昇とともに減少し、それぞれ、85℃で
1300Oeが150℃で1050Oeに、85℃で1850Oeが300
℃で1000Oeに、85℃で2000Oeが300℃で1080Oe
となり1100Oeを下回つた。熱処理後にもＸ線折
を行つたがこれら磁性膜のＣ軸配向に変化はな
く、いずれも良好な垂直配向を示した。 以上のように実施例１及び２において磁化容易
軸が主として膜面に垂直な方向に配向しているコ
バルト合金めつき層を形成した後熱処理して得ら
れる磁性膜は、その垂直配向性に何らの変化がな
く、Hc（⊥）が通常のリング型ヘツドを用いて容
易に記録磁化反転を起しうる値まで減少するの
で、垂直磁化記録の磁気記録媒体として用いるこ
とができる。 以上、実施例で示された様に本発明によれば、
非磁性基板または非磁性基板上に形成したニツケ
ル合金めつき層上に磁化容易軸が主として膜面に
垂直な方向に配向しているコバルト合金めつき層
を形成した後、100℃以上の温度で熱処理するこ
とにより、Ｃ軸の垂直配向性に影響を与えること
なく、Hc（⊥）を通常のリング型ヘツドを用いて
容易に記録磁化反転を起しうる所要の値まで減少
させることができる。
第１図は実施例１のめつき浴における硫酸マン
ガン濃度とHc（⊥）の関係を示す図、第３図は実
施例２のめつき浴における同様の関係を示す図で
ある。第２図は実施例１において硫酸マンガン濃
度を0.05mol／、0.06mol／及び0.07mol／
とした浴より得られた磁性膜の熱処理温度とHc
（⊥）の関係を示す図であり、第４図は実施例２
において硫酸マンガン濃度を0.03mol／、
0.04mol／、0.05mol／及び0.06mol／とし
た浴より得られた磁性膜の同様の関係を示す図で
ある。
ガン濃度とHc（⊥）の関係を示す図、第３図は実
施例２のめつき浴における同様の関係を示す図で
ある。第２図は実施例１において硫酸マンガン濃
度を0.05mol／、0.06mol／及び0.07mol／
とした浴より得られた磁性膜の熱処理温度とHc
（⊥）の関係を示す図であり、第４図は実施例２
において硫酸マンガン濃度を0.03mol／、
0.04mol／、0.05mol／及び0.06mol／とし
た浴より得られた磁性膜の同様の関係を示す図で
ある。
Claims (1)
- １ 非磁性基板または非磁性基板上に形成したニ
ツケル合金めつき層上に、無電解コバルトめつき
浴あるいは無電解コバルト・ニツケルめつき浴中
にマンガン、タングステン、鉄の１種以上を添加
することによつて磁化容易軸が主として膜面に垂
直な方向に配向しているコバルト合金めつき層を
形成した後、100℃以上の温度で熱処理すること
を特徴とする磁気記録体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16402581A JPH0237608B2 (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | Jikikirokutainoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16402581A JPH0237608B2 (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | Jikikirokutainoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864623A JPS5864623A (ja) | 1983-04-18 |
| JPH0237608B2 true JPH0237608B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=15785359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16402581A Expired - Lifetime JPH0237608B2 (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | Jikikirokutainoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237608B2 (ja) |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP16402581A patent/JPH0237608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5864623A (ja) | 1983-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100325659B1 (ko) | 자기기록매체, 그 제조방법 및 자기기억장치 | |
| CN100479038C (zh) | 磁记录介质及磁记录介质基片 | |
| JPH0237608B2 (ja) | Jikikirokutainoseizohoho | |
| JPH0666086B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS5948904A (ja) | 記録媒体 | |
| JPH0515790B2 (ja) | ||
| US3751345A (en) | Method of producing a magnetic storage medium | |
| JPH0429739B2 (ja) | ||
| JPS61276116A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS613317A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0323975B2 (ja) | ||
| JPS60149785A (ja) | 無電解めつき浴 | |
| JPH0362795B2 (ja) | ||
| JPS6338432B2 (ja) | ||
| JPS5858270A (ja) | 無電解めつき浴 | |
| KR100786664B1 (ko) | 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법, 및 수직 자기 기록 및재생 장치 | |
| JPS622629B2 (ja) | ||
| JPS61216125A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0450645B2 (ja) | ||
| JPS61184725A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS6325826A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPH045752B2 (ja) | ||
| JPS5858267A (ja) | 無電解めつき浴 | |
| JPS62293516A (ja) | 磁気記録体の製造方法 | |
| JPH0467684B2 (ja) |