JPH045752B2 - - Google Patents
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- JPH045752B2 JPH045752B2 JP21181283A JP21181283A JPH045752B2 JP H045752 B2 JPH045752 B2 JP H045752B2 JP 21181283 A JP21181283 A JP 21181283A JP 21181283 A JP21181283 A JP 21181283A JP H045752 B2 JPH045752 B2 JP H045752B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/52—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating using reducing agents for coating with metallic material not provided for in a single one of groups C23C18/32 - C23C18/50
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- Chemically Coating (AREA)
Description
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁気によ
つて記録を行う。いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するめつき浴に関する
ものである。 従来、一般に磁気デイスク装置、磁気テープ装
置などの磁気記録装置においては、基板上に形成
された磁気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつ
て水平方向に磁化することにより記録を行なつて
いる。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この問題解決のため短波
長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直記
録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気記
録媒体としは、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつCo−Crスパツタ膜が提案されている。そし
て、この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁
化による記録方式に比べて高密度記録に優れてい
ることが報告されている。（特開昭52−134706号
公報参照）。ところでCo−Cr膜をスパツタ法によ
り作製する場合、真空系内で行うため量産性に問
題がある。 このためこの様な製造上の問題点を改善して量
産性に優れた無電解めつき法により、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を製造す
る無電解Co−Mn−Ｐめつき浴が見い出されてい
る（特願昭56−025833、“無電解めつき浴”）。一
般に膜面に垂直な方向に磁化容易となる条件は、
媒体の垂直異方性磁界Hkと減磁界の最大値4πMs
（Msは飽和磁化）の間にHk＞4πMsの関係または
Hk／4πMs＞１の関係があることである。垂直記
録媒体においては必ずしもこの条件を満たす必要
はないが、Hk／4πMs１であつても大きな値を
もつ程垂直磁化容器の条件に近づいているため媒
体特性として好ましいといえる。実際に記録媒体
を用いて記録密度特性を測定した結果によつても
この傾向が示されている。例えば、電子通信学会
技術研究報告、MR82−22、1982年10月15日では
種々の特性のCo−Ｖスパツタ媒体にリングヘツ
ドを用いて垂直記録を行ない、Hk／4πMs値が大
きくなる程限界記録密度D50（孤立波再生出力が
１／２となる記録密度で、媒体の記録密度の性能を
表わす値）が増大すること、またHk／4πMs値が
0.5を下回るとD50が急激に減少することを示して
いる。この傾向は媒体の種類、記録再生条件が異
なる場合も同様の関係にある。しかし前記無電解
めつき浴においてはα−Co六方晶（磁化容易軸）
が基板に対して垂直配向した磁性膜が得られる
が、飽和磁化Msの低下が少なく4πMsの値が非常
に大きくなるため垂直磁化記録の障碍となる。こ
のためニツケルを共析することにより（特願昭56
−155706、“無電解めつき浴”）、またニツケルに
加えてレニウムを共析することにより（1982年、
金属表面技術協会、第66回学術講演大会講演要旨
集P.8〜９に掲載されためつき浴、以下AT浴と
よぶ）Msの低下がはかられている。 ところが、Co−Ni−Mn−Ｐ磁性膜にレニウム
を共析するために無電解めつき浴にレニウムイオ
ンを添加した場合、酒石酸ナトリウムを錯化剤と
して用いたAT浴においてはめつき浴が著しく不
安定となり、磁気特性の不均一、下地基板による
依存、再現性の劣化等を生じるという問題があつ
た。AT浴を用いて磁気記録体例えば磁気デイス
クを作製する場合、磁気特性の不均一のために一
周の再生出力波形（エンベローブ）の一様性の低
下を招き、磁気特性の再現性が劣り浴寿命が短い
ため一定のメツキ浴から極く限られた少ない数量
しか得られない等の欠点があつた。また磁気特性
の基板依存性が大きくPd触媒を付与したポリイ
ミド基板上にくらべて金属基板を用いた場合、
Hk／4πMsは大幅に減少するという問題があつ
た。 発明者らはこれらの問題を改善するためめつき
浴組成について詳細に検討した結果次のことが明
らかとなつた。酒石酸ナトリウムを単独に錯化剤
としているAT浴においては、レニウム共析量の
増加が容易であるが、めつき膜中にレニウムおよ
びニツケルを安定に適切量を共析することが困難
であり、均一な特性の膜を再現性よく得ることが
できない。Msが著しく減少するがHkの減少も大
きい。基板によつてはHk／4πMsが大幅に減少す
る。他の錯化剤としてマロン酸ナトリウムを単独
に錯化剤として用いた場合レニウムを増加しても
Hkは大きな値をもつが、Msはそれ程減少しな
い。このためHk／4πMsは小さな値をとる。そこ
で酒石酸、マロン酸両方を同時に含む浴を検討し
たが、両者の特性を生かし好ましい磁気特性を得
ることが困難であつた。しかし、これに更にコハ
ク酸を加えた場合、マロン酸と酒石酸に有効に作
用し、適当な大きさのHkの値を保ちつつMsの値
を適度に減少させて好ましい磁気特性が得られ
る。まためつき浴中にマロン酸、酒石酸、コハク
酸を同時に含むことにより、これら錯化剤の相互
作用により浴中金属イオン濃度が適切に調節され
る結果、めつき浴の安定性に寄与することを見い
出した。本発明はかかる知見をもとになされたも
のである。 本発明の目的は、従来の問題を改善して膜面に
垂直な方向に磁気記録するのに好ましい特性を均
一に有する磁気記録媒体を安定に製造できる無電
解めつき浴を提供することにある。 本発明による無電解めつき浴は、金属イオンと
して少なくともコバルトイオン、ニツケルイオ
ン、マンガンイオン、レニウムイオン、添加剤と
して少なくともこれら金属イオンの還元剤、pH
緩衝剤、pH調節剤を含む水溶液に、前記金属イ
オンの錯化剤として少なくともマロン酸基、酒石
酸基およびコハク酸基が同時に加えられているこ
とを特徴としている。これによりめつき浴の金属
イオンが適切に調節され、めつき膜の組成が一定
に保たれることにより、浴の安定化と膜特性の改
善と均一化がはかれる。 本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオン、ニツケルイオン、マンガンイオン
としては、コバルト、ニツケルあるいはマンガン
の硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電
解めつき浴中に溶解することによつて供給され
る。コバルトイオンの濃度は、0.005〜1mol／
の範囲が用いられるが、好ましくは0.01〜
0.15mol／の範囲である。ニツケルイオンの濃
度は、0.001〜0.5mol／の範囲が用いられるが
好ましくは0.005〜0.20mol／の範囲である。マ
ンガンイオンの濃度は、0.003〜2mol／の範囲
が用いられるが好ましくは0.002〜0.2mol／の
範囲である。レニウムイオンは過レニウム酸カ
リ、過レニウム酸アンモニウムなどの可溶性塩に
より供給され、レニウムイオン濃度として0.0001
〜0.1mol／、好ましくは0.001〜0.05mol／の
範囲が用いられる。還元剤としては次亜リン酸塩
が普通に用いられるが、ヒドラジン塩類、ホウ水
素化物、ジメチルアミンボランまたはその誘導体
等を用いることができる。 pH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、
有機酸塩などが使用され、0.01〜2mol／の範
囲の濃度が用いられる。 pH調節剤としては、pHの上昇にはアンモニ
ア、水酸化ナトリウムなどのアルカリが用いら
れ、pHの降下には硫酸、塩酸などの酸が用いら
れる。 錯化剤としてのマロン酸基は、マロン酸または
マロン酸の可溶性塩によつて供給され、0.05〜
2.5mol／の範囲の濃度が用いられる。酒石酸
基は酒石酸または酒石酸の可溶性塩によつて供給
され、0.02〜1.5mol／の範囲の濃度が用いられ
る。コハク酸基はコハク酸またはコハク酸の可溶
性塩によつて供給され、0.02〜1.5mol／の範囲
の濃度が用いられる。また、本発明の無電解めつ
き浴は基板依存性が少ないため金属または触媒活
性処理を施した非金属基板に適用できる。 以下、本発明による無電解めつき浴の特長を比
較例および実施例により説明する。 比較例 アルミ合金基板内径100mm外径210mm上に非磁性
Ni−Ｐ層をめつきし、その上に下記のめつき浴
およびめつき条件にて膜厚0.5μmのCo−Ni−Mn
−Re−Ｐ合金磁性膜を形成した。 めつき浴(1) 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニツケル 0.04mol／ 硫酸マンガン 0.03mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.003mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ 酒石酸ナトリウム 0.5mol／ めつき条件 めつき浴のpH9.2（室温にてNH4OHでpH調
節） メツキ浴の温度80℃ 次にこの上に珪酸モノマーを回転塗布し、190
℃で数時間焼成して膜厚0.02μmの珪酸重合体を
主成分とする保護膜を形成した。 こうして得られた磁気デイスクを下記の条件で
記録再生特性の測定を行つたところ、D50＝
30KFRPIの値を得た。 測定条件 使用ヘツド
Mn−Znフエライト・リングヘツド ヘツドギヤツプ長 0.3μm ヘツド浮上量 0.2μm しかし、一周の再生出力については、最大値の
１／２以下になる部分が一周全体の25％以上もあり、
エンベローブの一様性において実用上問題があつ
た。エンベローブにおいて出力が最大となる部分
の媒体特性はHk／4πMs値として0.6であつたが、
出力が1/2となる箇所では0.5以下であり特性の不
均一が認められた。 めつき浴の寿命に関しては次の様にして検討を
行つた。一定のめつき液（容量100）において、
本比較例の前記手順と同様にして１日に20枚づつ
磁気デイスクのめつきを行ない、めつき枚数と磁
気特性の関係を調べた。金属塩および還元剤は、
各めつき日に各成分の消費量相当分を補充した。
めつき枚数20枚ごとのHr／4πMsの変化を第１図
に示す。めつき開始時のHk／4πMsの値は0.6で
あるが、めつき枚数が増加するに従つて減少し60
枚めつきが終了した時点でのHk／4πMsは0.5と
なり、更にめつき枚数が増加するとHk／4πMsの
値は更に減少した。記憶媒体として実用上許容さ
れるHk／4πMsの値を0.5以上とすれば、前記の
めつき浴(1)から得られる磁気デイスクの数量（以
下浴寿命という）はめつき枚数60枚程度でしかな
いことがわかる。 なおめつき浴(1)は、浴の安定性の点で最も好ま
しい組成を選択した。Ａ−Ｔ浴においては過レニ
ウム酸アンモニウムおよび酒石酸ナトリウムの濃
度が、浴の安定性および磁気特性に最も影響す
る。過レニウム酸アンモニウムは、0.001mol／
以下ではMsが大きすぎ、0.008mol／以上で
はめつき速度が低下し均一な析出が極めて困難で
あり、0.003mol／が最も好ましかつた。酒石
酸ナトリウム濃度は、0.25mol／以下では溶分
解を生じやすく、0.75mol／以上では均一な析
出が困難で浴寿命も短かくなり、安定性の点で
0.5mol／が最も好ましかった。めつき浴(1)は
Ａ−Ｔ浴の中で好適組成であるにもかかわらず、
本比較例で示された様に安定性、磁気特性の点で
問題があつた。 実施例 １ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(2) 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニツケル 0.10mol／ 硫酸マンガン 0.05mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.3mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.3mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2mol／ コハク酸ナトリウム 0.3mol／ こうして得られた磁気デイスクを比較例と同様
の条件で記録再生特性の測定を行つたところ、
D50＝51KFRPIの値を得た。一周の再生出力につ
いては、最大値の90％以下になる部分はなく、実
用上十分良好なエンベローブを示した。デイスク
一面内の媒体特性も均一であり、平均値のHk／
4πMs＝1.05に対し±0.05内のバラツキであつた。 めつき浴の寿命を比較例と同様にして検討した
結果、めつき枚数によるHk／4πMsの変化として
第２図が得られた。めつき開始時のHk／4πMsの
値は1.05であり、めつき枚数が増加するに従つて
減少するが、200枚めつきが終了した時点でも0.9
であり減少度合は少ない。その後は減少度合が増
すがHk／4πMsが0.5となるのはめつき枚数320枚
である。本実施例では錯化剤としてマロン酸ナト
リウム、酒石酸ナトリウムおよびコハク酸ナトリ
ウムを用いためつき浴を使用することにより、比
較例にくらべ媒体特性、記録密度特性が著しく良
好かつ均一が磁気デイスクを多数枚得ることがで
きた。 実施例 ２ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(3) 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニツケル 0.12mol／ 硫酸マンガン 0.04mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.004mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2mol／ 硫酸アンモニウム 0.4mol／ マロン酸ナトリウム
0.1，0.2，0.3，0.4，0.5，0.6mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2mol／ コハク酸ナトリウム 0.3mol／ こうして得られた磁気デイスクのめつき開始時
のHk／4πMsの値と浴寿命（Hk／4πMsが0.5以
下となるめつき枚数）を第１表に示す。
つて記録を行う。いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するめつき浴に関する
ものである。 従来、一般に磁気デイスク装置、磁気テープ装
置などの磁気記録装置においては、基板上に形成
された磁気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつ
て水平方向に磁化することにより記録を行なつて
いる。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この問題解決のため短波
長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直記
録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気記
録媒体としは、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつCo−Crスパツタ膜が提案されている。そし
て、この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁
化による記録方式に比べて高密度記録に優れてい
ることが報告されている。（特開昭52−134706号
公報参照）。ところでCo−Cr膜をスパツタ法によ
り作製する場合、真空系内で行うため量産性に問
題がある。 このためこの様な製造上の問題点を改善して量
産性に優れた無電解めつき法により、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を製造す
る無電解Co−Mn−Ｐめつき浴が見い出されてい
る（特願昭56−025833、“無電解めつき浴”）。一
般に膜面に垂直な方向に磁化容易となる条件は、
媒体の垂直異方性磁界Hkと減磁界の最大値4πMs
（Msは飽和磁化）の間にHk＞4πMsの関係または
Hk／4πMs＞１の関係があることである。垂直記
録媒体においては必ずしもこの条件を満たす必要
はないが、Hk／4πMs１であつても大きな値を
もつ程垂直磁化容器の条件に近づいているため媒
体特性として好ましいといえる。実際に記録媒体
を用いて記録密度特性を測定した結果によつても
この傾向が示されている。例えば、電子通信学会
技術研究報告、MR82−22、1982年10月15日では
種々の特性のCo−Ｖスパツタ媒体にリングヘツ
ドを用いて垂直記録を行ない、Hk／4πMs値が大
きくなる程限界記録密度D50（孤立波再生出力が
１／２となる記録密度で、媒体の記録密度の性能を
表わす値）が増大すること、またHk／4πMs値が
0.5を下回るとD50が急激に減少することを示して
いる。この傾向は媒体の種類、記録再生条件が異
なる場合も同様の関係にある。しかし前記無電解
めつき浴においてはα−Co六方晶（磁化容易軸）
が基板に対して垂直配向した磁性膜が得られる
が、飽和磁化Msの低下が少なく4πMsの値が非常
に大きくなるため垂直磁化記録の障碍となる。こ
のためニツケルを共析することにより（特願昭56
−155706、“無電解めつき浴”）、またニツケルに
加えてレニウムを共析することにより（1982年、
金属表面技術協会、第66回学術講演大会講演要旨
集P.8〜９に掲載されためつき浴、以下AT浴と
よぶ）Msの低下がはかられている。 ところが、Co−Ni−Mn−Ｐ磁性膜にレニウム
を共析するために無電解めつき浴にレニウムイオ
ンを添加した場合、酒石酸ナトリウムを錯化剤と
して用いたAT浴においてはめつき浴が著しく不
安定となり、磁気特性の不均一、下地基板による
依存、再現性の劣化等を生じるという問題があつ
た。AT浴を用いて磁気記録体例えば磁気デイス
クを作製する場合、磁気特性の不均一のために一
周の再生出力波形（エンベローブ）の一様性の低
下を招き、磁気特性の再現性が劣り浴寿命が短い
ため一定のメツキ浴から極く限られた少ない数量
しか得られない等の欠点があつた。また磁気特性
の基板依存性が大きくPd触媒を付与したポリイ
ミド基板上にくらべて金属基板を用いた場合、
Hk／4πMsは大幅に減少するという問題があつ
た。 発明者らはこれらの問題を改善するためめつき
浴組成について詳細に検討した結果次のことが明
らかとなつた。酒石酸ナトリウムを単独に錯化剤
としているAT浴においては、レニウム共析量の
増加が容易であるが、めつき膜中にレニウムおよ
びニツケルを安定に適切量を共析することが困難
であり、均一な特性の膜を再現性よく得ることが
できない。Msが著しく減少するがHkの減少も大
きい。基板によつてはHk／4πMsが大幅に減少す
る。他の錯化剤としてマロン酸ナトリウムを単独
に錯化剤として用いた場合レニウムを増加しても
Hkは大きな値をもつが、Msはそれ程減少しな
い。このためHk／4πMsは小さな値をとる。そこ
で酒石酸、マロン酸両方を同時に含む浴を検討し
たが、両者の特性を生かし好ましい磁気特性を得
ることが困難であつた。しかし、これに更にコハ
ク酸を加えた場合、マロン酸と酒石酸に有効に作
用し、適当な大きさのHkの値を保ちつつMsの値
を適度に減少させて好ましい磁気特性が得られ
る。まためつき浴中にマロン酸、酒石酸、コハク
酸を同時に含むことにより、これら錯化剤の相互
作用により浴中金属イオン濃度が適切に調節され
る結果、めつき浴の安定性に寄与することを見い
出した。本発明はかかる知見をもとになされたも
のである。 本発明の目的は、従来の問題を改善して膜面に
垂直な方向に磁気記録するのに好ましい特性を均
一に有する磁気記録媒体を安定に製造できる無電
解めつき浴を提供することにある。 本発明による無電解めつき浴は、金属イオンと
して少なくともコバルトイオン、ニツケルイオ
ン、マンガンイオン、レニウムイオン、添加剤と
して少なくともこれら金属イオンの還元剤、pH
緩衝剤、pH調節剤を含む水溶液に、前記金属イ
オンの錯化剤として少なくともマロン酸基、酒石
酸基およびコハク酸基が同時に加えられているこ
とを特徴としている。これによりめつき浴の金属
イオンが適切に調節され、めつき膜の組成が一定
に保たれることにより、浴の安定化と膜特性の改
善と均一化がはかれる。 本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオン、ニツケルイオン、マンガンイオン
としては、コバルト、ニツケルあるいはマンガン
の硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電
解めつき浴中に溶解することによつて供給され
る。コバルトイオンの濃度は、0.005〜1mol／
の範囲が用いられるが、好ましくは0.01〜
0.15mol／の範囲である。ニツケルイオンの濃
度は、0.001〜0.5mol／の範囲が用いられるが
好ましくは0.005〜0.20mol／の範囲である。マ
ンガンイオンの濃度は、0.003〜2mol／の範囲
が用いられるが好ましくは0.002〜0.2mol／の
範囲である。レニウムイオンは過レニウム酸カ
リ、過レニウム酸アンモニウムなどの可溶性塩に
より供給され、レニウムイオン濃度として0.0001
〜0.1mol／、好ましくは0.001〜0.05mol／の
範囲が用いられる。還元剤としては次亜リン酸塩
が普通に用いられるが、ヒドラジン塩類、ホウ水
素化物、ジメチルアミンボランまたはその誘導体
等を用いることができる。 pH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、
有機酸塩などが使用され、0.01〜2mol／の範
囲の濃度が用いられる。 pH調節剤としては、pHの上昇にはアンモニ
ア、水酸化ナトリウムなどのアルカリが用いら
れ、pHの降下には硫酸、塩酸などの酸が用いら
れる。 錯化剤としてのマロン酸基は、マロン酸または
マロン酸の可溶性塩によつて供給され、0.05〜
2.5mol／の範囲の濃度が用いられる。酒石酸
基は酒石酸または酒石酸の可溶性塩によつて供給
され、0.02〜1.5mol／の範囲の濃度が用いられ
る。コハク酸基はコハク酸またはコハク酸の可溶
性塩によつて供給され、0.02〜1.5mol／の範囲
の濃度が用いられる。また、本発明の無電解めつ
き浴は基板依存性が少ないため金属または触媒活
性処理を施した非金属基板に適用できる。 以下、本発明による無電解めつき浴の特長を比
較例および実施例により説明する。 比較例 アルミ合金基板内径100mm外径210mm上に非磁性
Ni−Ｐ層をめつきし、その上に下記のめつき浴
およびめつき条件にて膜厚0.5μmのCo−Ni−Mn
−Re−Ｐ合金磁性膜を形成した。 めつき浴(1) 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニツケル 0.04mol／ 硫酸マンガン 0.03mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.003mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ 酒石酸ナトリウム 0.5mol／ めつき条件 めつき浴のpH9.2（室温にてNH4OHでpH調
節） メツキ浴の温度80℃ 次にこの上に珪酸モノマーを回転塗布し、190
℃で数時間焼成して膜厚0.02μmの珪酸重合体を
主成分とする保護膜を形成した。 こうして得られた磁気デイスクを下記の条件で
記録再生特性の測定を行つたところ、D50＝
30KFRPIの値を得た。 測定条件 使用ヘツド
Mn−Znフエライト・リングヘツド ヘツドギヤツプ長 0.3μm ヘツド浮上量 0.2μm しかし、一周の再生出力については、最大値の
１／２以下になる部分が一周全体の25％以上もあり、
エンベローブの一様性において実用上問題があつ
た。エンベローブにおいて出力が最大となる部分
の媒体特性はHk／4πMs値として0.6であつたが、
出力が1/2となる箇所では0.5以下であり特性の不
均一が認められた。 めつき浴の寿命に関しては次の様にして検討を
行つた。一定のめつき液（容量100）において、
本比較例の前記手順と同様にして１日に20枚づつ
磁気デイスクのめつきを行ない、めつき枚数と磁
気特性の関係を調べた。金属塩および還元剤は、
各めつき日に各成分の消費量相当分を補充した。
めつき枚数20枚ごとのHr／4πMsの変化を第１図
に示す。めつき開始時のHk／4πMsの値は0.6で
あるが、めつき枚数が増加するに従つて減少し60
枚めつきが終了した時点でのHk／4πMsは0.5と
なり、更にめつき枚数が増加するとHk／4πMsの
値は更に減少した。記憶媒体として実用上許容さ
れるHk／4πMsの値を0.5以上とすれば、前記の
めつき浴(1)から得られる磁気デイスクの数量（以
下浴寿命という）はめつき枚数60枚程度でしかな
いことがわかる。 なおめつき浴(1)は、浴の安定性の点で最も好ま
しい組成を選択した。Ａ−Ｔ浴においては過レニ
ウム酸アンモニウムおよび酒石酸ナトリウムの濃
度が、浴の安定性および磁気特性に最も影響す
る。過レニウム酸アンモニウムは、0.001mol／
以下ではMsが大きすぎ、0.008mol／以上で
はめつき速度が低下し均一な析出が極めて困難で
あり、0.003mol／が最も好ましかつた。酒石
酸ナトリウム濃度は、0.25mol／以下では溶分
解を生じやすく、0.75mol／以上では均一な析
出が困難で浴寿命も短かくなり、安定性の点で
0.5mol／が最も好ましかった。めつき浴(1)は
Ａ−Ｔ浴の中で好適組成であるにもかかわらず、
本比較例で示された様に安定性、磁気特性の点で
問題があつた。 実施例 １ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(2) 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニツケル 0.10mol／ 硫酸マンガン 0.05mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.3mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.3mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2mol／ コハク酸ナトリウム 0.3mol／ こうして得られた磁気デイスクを比較例と同様
の条件で記録再生特性の測定を行つたところ、
D50＝51KFRPIの値を得た。一周の再生出力につ
いては、最大値の90％以下になる部分はなく、実
用上十分良好なエンベローブを示した。デイスク
一面内の媒体特性も均一であり、平均値のHk／
4πMs＝1.05に対し±0.05内のバラツキであつた。 めつき浴の寿命を比較例と同様にして検討した
結果、めつき枚数によるHk／4πMsの変化として
第２図が得られた。めつき開始時のHk／4πMsの
値は1.05であり、めつき枚数が増加するに従つて
減少するが、200枚めつきが終了した時点でも0.9
であり減少度合は少ない。その後は減少度合が増
すがHk／4πMsが0.5となるのはめつき枚数320枚
である。本実施例では錯化剤としてマロン酸ナト
リウム、酒石酸ナトリウムおよびコハク酸ナトリ
ウムを用いためつき浴を使用することにより、比
較例にくらべ媒体特性、記録密度特性が著しく良
好かつ均一が磁気デイスクを多数枚得ることがで
きた。 実施例 ２ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(3) 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニツケル 0.12mol／ 硫酸マンガン 0.04mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.004mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2mol／ 硫酸アンモニウム 0.4mol／ マロン酸ナトリウム
0.1，0.2，0.3，0.4，0.5，0.6mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2mol／ コハク酸ナトリウム 0.3mol／ こうして得られた磁気デイスクのめつき開始時
のHk／4πMsの値と浴寿命（Hk／4πMsが0.5以
下となるめつき枚数）を第１表に示す。
【表】
比較例にくらべて本実施例では、媒体特性およ
び浴寿命が著しく改善され、また得られた磁気デ
イスクの記録密度特性も良好かつ均一であつた。 実施例 ３ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(4) 硫酸コバルト 0.07mol／ 硫酸ニツケル 0.12mol／ 硫酸マンガン 0.06mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.3mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.3mol／ 酒石酸ナトリウム
0.1，0.2，0.3，0.4，0.5mol／ コハク酸ナトリウム 0.3mol／ こうして得られた磁気デイスクのめつき開始時
のHk／4πMsの値と浴寿命を第２表に示す。
び浴寿命が著しく改善され、また得られた磁気デ
イスクの記録密度特性も良好かつ均一であつた。 実施例 ３ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(4) 硫酸コバルト 0.07mol／ 硫酸ニツケル 0.12mol／ 硫酸マンガン 0.06mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.3mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.3mol／ 酒石酸ナトリウム
0.1，0.2，0.3，0.4，0.5mol／ コハク酸ナトリウム 0.3mol／ こうして得られた磁気デイスクのめつき開始時
のHk／4πMsの値と浴寿命を第２表に示す。
【表】
比較例にくらべて本実施例では、媒体特性およ
び浴寿命が著しく改善され、また得られた磁気デ
イスクの記録密度特性も良好かつ均一であつた。 実施例 ４ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(5) 硫酸コバルト 0.07mol／ 硫酸ニツケル 0.13mol／ 硫酸マンガン 0.05mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.004mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.25mol／ 硫酸アンモニウム 0.4mol／ マロン酸ナトリウム 0.3mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2mol／ コハク酸ナトリウム
01，0.2，0.3，0.4，0.5，0.6mol／ こうして得られた磁気デイスクのめつき開始時
のHk／4πMsの値と浴寿命を第３表に示す。
び浴寿命が著しく改善され、また得られた磁気デ
イスクの記録密度特性も良好かつ均一であつた。 実施例 ４ 比較例と同様の手順で磁気デイスクを作製した
が、本実施例では下記のめつき浴を用いた。 めつき浴(5) 硫酸コバルト 0.07mol／ 硫酸ニツケル 0.13mol／ 硫酸マンガン 0.05mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.004mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.25mol／ 硫酸アンモニウム 0.4mol／ マロン酸ナトリウム 0.3mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2mol／ コハク酸ナトリウム
01，0.2，0.3，0.4，0.5，0.6mol／ こうして得られた磁気デイスクのめつき開始時
のHk／4πMsの値と浴寿命を第３表に示す。
【表】
比較例にくらべて本実施例では、媒体特性およ
び浴寿命が著しく改善され、また得られた磁気デ
イスクの記録密度特性も良好かつ均一であつた。 以上、比較例および実施例で示された様に本発
明によれば、磁性膜を作製するめつき浴におい
て、金属イオンとして少なくともコバルトイオ
ン、ニツケルイオン、マンガンイオン、レニウム
イオン、添加剤として少なくともこれら金属イオ
ンの還元剤、pH緩衝剤、pH調節剤を含む水溶液
に前記金属イオンの錯化剤として少なくともマロ
ン酸基、酒石酸基およびコハク酸基を同時に含む
ことにより、垂直記録媒体として優れた特性を均
一に有する磁気記録体を安定に多数得ることがで
きる。 なお実施例では金属イオンとしてコバルトイオ
ン、ニツケルイオン マンガイオン、レイニウム
イオンのみを、添加剤として還元剤、pH緩衝剤、
pH調節剤のみを、錯化剤としてマロン酸基、酒
石酸基、コハク酸基のみを含むめつき浴について
述べたが、本発明の目的、効果を損わない範囲に
おいて、光沢剤、励起剤、平滑剤、応力緩和剤、
ピンホール防止剤等として前記以外の金属イオ
ン、添加剤および錯化剤を加えることも可能であ
る。
び浴寿命が著しく改善され、また得られた磁気デ
イスクの記録密度特性も良好かつ均一であつた。 以上、比較例および実施例で示された様に本発
明によれば、磁性膜を作製するめつき浴におい
て、金属イオンとして少なくともコバルトイオ
ン、ニツケルイオン、マンガンイオン、レニウム
イオン、添加剤として少なくともこれら金属イオ
ンの還元剤、pH緩衝剤、pH調節剤を含む水溶液
に前記金属イオンの錯化剤として少なくともマロ
ン酸基、酒石酸基およびコハク酸基を同時に含む
ことにより、垂直記録媒体として優れた特性を均
一に有する磁気記録体を安定に多数得ることがで
きる。 なお実施例では金属イオンとしてコバルトイオ
ン、ニツケルイオン マンガイオン、レイニウム
イオンのみを、添加剤として還元剤、pH緩衝剤、
pH調節剤のみを、錯化剤としてマロン酸基、酒
石酸基、コハク酸基のみを含むめつき浴について
述べたが、本発明の目的、効果を損わない範囲に
おいて、光沢剤、励起剤、平滑剤、応力緩和剤、
ピンホール防止剤等として前記以外の金属イオ
ン、添加剤および錯化剤を加えることも可能であ
る。
第１図は、比較例のめつき浴を用いて磁気デイ
スクを作製した場合のめつき枚数によるHk／
4πMsの変化を示す図であり、第２図は、実施例
１のめつき浴を用いた場合のめつき枚数による
Hk／4πMsの変化を示す図。
スクを作製した場合のめつき枚数によるHk／
4πMsの変化を示す図であり、第２図は、実施例
１のめつき浴を用いた場合のめつき枚数による
Hk／4πMsの変化を示す図。
Claims (1)
- １ 金属イオンとして少なくともコパルトイオ
ン、ニツケルイオン、マンガンイオンおよびレニ
ウムイオンを含み、添加剤として少なくともこれ
ら金属イオンの還元剤、pH緩衝剤、pH調節剤を
含む水溶液に、前記金属イオンの錯化剤として少
なくともマロン酸基、酒石酸基およびコハク酸基
を含むことを特徴とする無電解めつき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21181283A JPS60103181A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21181283A JPS60103181A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 無電解めつき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103181A JPS60103181A (ja) | 1985-06-07 |
| JPH045752B2 true JPH045752B2 (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=16611998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21181283A Granted JPS60103181A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103181A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2826441T3 (es) * | 2017-06-02 | 2021-05-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Baños de metalizado no electrolítico de aleación de níquel, un método de deposición de aleaciones de níquel, depósitos de aleación de níquel y usos de dichos depósitos de aleación de níquel formados |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21181283A patent/JPS60103181A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60103181A (ja) | 1985-06-07 |
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