JPH023843A - Icメモリカード - Google Patents
IcメモリカードInfo
- Publication number
- JPH023843A JPH023843A JP63146925A JP14692588A JPH023843A JP H023843 A JPH023843 A JP H023843A JP 63146925 A JP63146925 A JP 63146925A JP 14692588 A JP14692588 A JP 14692588A JP H023843 A JPH023843 A JP H023843A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- address
- alternative
- chip
- memory chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、半導体メモリ素子として用いられるICメ
モリカードに関し、特に欠陥を含むメモリチップを用い
た安価なICメモリカードに関するものである。
モリカードに関し、特に欠陥を含むメモリチップを用い
た安価なICメモリカードに関するものである。
[従来の技術]
第3図は、例えば、社団法人日本電子工業新興協会パー
ソナルコンピュータ業務委員会作成による、[ICメモ
リカードガイドライン]に記載された従来のICメモリ
カードを示すブロック図である。
ソナルコンピュータ業務委員会作成による、[ICメモ
リカードガイドライン]に記載された従来のICメモリ
カードを示すブロック図である。
図において、インタフェースコネクタ(1)は、外部の
マイクロコンピュータ等(図示せず)に着脱自在に接続
されるようになっており、インタフェースコネクタ(1
)には、ICメモリカードに内蔵されたメモリチップ(
2〉及びチップセレクト回路(3)が接続されている。
マイクロコンピュータ等(図示せず)に着脱自在に接続
されるようになっており、インタフェースコネクタ(1
)には、ICメモリカードに内蔵されたメモリチップ(
2〉及びチップセレクト回路(3)が接続されている。
又、メモリチップ(2)は複数のRAM’PROMから
構成され、チップセレクト回路(3)はICから構成さ
れている。
構成され、チップセレクト回路(3)はICから構成さ
れている。
従来のICメモリカードは、以上のように構成されてお
り、チップセレクト回路(3)は、インタフェースコネ
クタ(1)を介して入力される制御信号C及び上位アド
レス^1に基づいて選択制御信号Sを出力し、所定のメ
モリチップ(2)を選択するようになっている。そして
、選択されたメモリチップ(2)に対し、下位アドレス
^2に応じてデータDを書き込み又は読み出しが行なわ
れる。
り、チップセレクト回路(3)は、インタフェースコネ
クタ(1)を介して入力される制御信号C及び上位アド
レス^1に基づいて選択制御信号Sを出力し、所定のメ
モリチップ(2)を選択するようになっている。そして
、選択されたメモリチップ(2)に対し、下位アドレス
^2に応じてデータDを書き込み又は読み出しが行なわ
れる。
従って、インタフェースコネクタ(1)に接続されたマ
イクロコンピュータのCPUからは、メモリチップ(2
)が大容量メモリチップのように見えるようになってい
る。
イクロコンピュータのCPUからは、メモリチップ(2
)が大容量メモリチップのように見えるようになってい
る。
尚、メモリチップ(2)としては、RAMカードの場合
は64にビットや256にビットのSRAMが用いられ
、ROMカードの場合は1Mビットや4Mビットのマス
クROMが多く用いられているが、メモリチップ(2)
の大容量化の傾向は近年ますます強くなっており、近い
将来は1MビットのSRAMや16MビットのマスクR
OMを採用する可能性が高い、しかしながら、このよう
な大容量メモリチップの製造途中においては、いわゆる
1ビツト不良が数%発生するため、製造歩留まりを低下
させる大きな要因となっている。
は64にビットや256にビットのSRAMが用いられ
、ROMカードの場合は1Mビットや4Mビットのマス
クROMが多く用いられているが、メモリチップ(2)
の大容量化の傾向は近年ますます強くなっており、近い
将来は1MビットのSRAMや16MビットのマスクR
OMを採用する可能性が高い、しかしながら、このよう
な大容量メモリチップの製造途中においては、いわゆる
1ビツト不良が数%発生するため、製造歩留まりを低下
させる大きな要因となっている。
従って、従来より、製造歩留まりを向上させるため、I
Cメーカでは1ビツト不良を救済する種々の方法を採用
している。しかし、例えばリダンダンシイ(冗長性)ビ
ットを用意する方法などは最大公約数的な救済策に過ぎ
ないため、十分に良品化することができず、結局不良品
ICとして廃棄されているのが現状である。
Cメーカでは1ビツト不良を救済する種々の方法を採用
している。しかし、例えばリダンダンシイ(冗長性)ビ
ットを用意する方法などは最大公約数的な救済策に過ぎ
ないため、十分に良品化することができず、結局不良品
ICとして廃棄されているのが現状である。
この場合、廃棄対象となるメモリICの不良率がたとえ
1%でも、全生産数が1000万個/月であれば、10
万個/月のパーシャル不良メモリが入手できることにな
る。特に、SRAMメモリチップは高価であるため、数
ビツト不良でも廃棄せずに利用しようとする要求が高く
なっている。
1%でも、全生産数が1000万個/月であれば、10
万個/月のパーシャル不良メモリが入手できることにな
る。特に、SRAMメモリチップは高価であるため、数
ビツト不良でも廃棄せずに利用しようとする要求が高く
なっている。
[発明が解決しようとする課題]
従来のICメモリカードは以上のように、完全に良品の
メモリチップ(2)のみを使用する必要があるので、メ
モリチップの製造歩留まりが悪いうえ、生産中にマージ
ン不足などで数ビットの不良が生じただけでも完全良品
のメモリチップと交換しなければならないため、非常に
高価になるという問題点があった。
メモリチップ(2)のみを使用する必要があるので、メ
モリチップの製造歩留まりが悪いうえ、生産中にマージ
ン不足などで数ビットの不良が生じただけでも完全良品
のメモリチップと交換しなければならないため、非常に
高価になるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、メモリチップにビット不良などのわずかの欠
陥が生じても使用可能とし、安価なICメモリカードを
得ることを目的とする。
たもので、メモリチップにビット不良などのわずかの欠
陥が生じても使用可能とし、安価なICメモリカードを
得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るICメモリカードは、特定アドレスに欠
陥を含むメモリチップを用い、特定アドレスに対応した
代替アドレスが入力される完全良品の代替メモリと、特
定アドレスが入力された場合にメモリチップを非動作状
態にし且つ代替メモリを動作状態にするためのメモリ切
換信号と代替アドレスとを生成する切換信号発生回路と
を設けたものである。
陥を含むメモリチップを用い、特定アドレスに対応した
代替アドレスが入力される完全良品の代替メモリと、特
定アドレスが入力された場合にメモリチップを非動作状
態にし且つ代替メモリを動作状態にするためのメモリ切
換信号と代替アドレスとを生成する切換信号発生回路と
を設けたものである。
[作用]
この発明においては、データアクセス用のアドレスが欠
陥に対応する特定アドレスの場合、その欠陥を含むメモ
リチップの代わりに代替メモリをアクセスし、ICメモ
リカード全体として正しくデータの書き込み及び読み出
しを行なう。
陥に対応する特定アドレスの場合、その欠陥を含むメモ
リチップの代わりに代替メモリをアクセスし、ICメモ
リカード全体として正しくデータの書き込み及び読み出
しを行なう。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例を示すブロック図であり、(1
)、^1、^2、C,D及びSは前述と同様のものであ
る。
図はこの発明の一実施例を示すブロック図であり、(1
)、^1、^2、C,D及びSは前述と同様のものであ
る。
メモリチップ(2^)は例えば一部に欠陥を持ったプロ
グラムを内蔵するマスクROMなどから構成されている
。アドレスデコード又はチップセレクトを行なうチップ
セレクト回路(3^)は、M7411C138Pなどの
ICから構成されている。
グラムを内蔵するマスクROMなどから構成されている
。アドレスデコード又はチップセレクトを行なうチップ
セレクト回路(3^)は、M7411C138Pなどの
ICから構成されている。
メモリチップ(2^)と並列に内蔵された代替メモリ(
10)は、例えばメモリ容量がIKバイト以下の完全良
品のプログラマブルROM (EPROMやOTPなど
)からなり、メモリチップ(2^)内の特定アドレスの
不良データを代替して正しいデータを格納するようにな
っている。
10)は、例えばメモリ容量がIKバイト以下の完全良
品のプログラマブルROM (EPROMやOTPなど
)からなり、メモリチップ(2^)内の特定アドレスの
不良データを代替して正しいデータを格納するようにな
っている。
メモリ・アドレス・トラップ回路とも呼ばれる切換信号
発生回路(11)は、入力されるアドレスが上記特定ア
ドレスを示す場合にメモリ切換信号E及び代替アドレス
A′を出力するようになっている。
発生回路(11)は、入力されるアドレスが上記特定ア
ドレスを示す場合にメモリ切換信号E及び代替アドレス
A′を出力するようになっている。
インバータ回路(12)は、メモリ切換信号Eを反転し
てチップセレクト回路(3^)に入力するようになって
いる。
てチップセレクト回路(3^)に入力するようになって
いる。
第2図は切換信号発生回路(11)をPLAで構成した
場合のブロック図であり、(lla)はANDアレイ部
、(llb)はORアレイ部である。
場合のブロック図であり、(lla)はANDアレイ部
、(llb)はORアレイ部である。
この場合、ANDアレイ部(lla)には、メモリチッ
プ(2^)に含まれる欠陥をトラップ又はマスクするた
めの特定アドレスがプログラムされており、上位アドレ
ス^1及び下位アドレス^2が入力されている。ORア
レイ部(llb)の同じ積項線には、代替メモリ(10
)に対する代替アドレス八′がプログラムされており、
出力線のうちの1本はメモリ切換信号Eとなっている。
プ(2^)に含まれる欠陥をトラップ又はマスクするた
めの特定アドレスがプログラムされており、上位アドレ
ス^1及び下位アドレス^2が入力されている。ORア
レイ部(llb)の同じ積項線には、代替メモリ(10
)に対する代替アドレス八′がプログラムされており、
出力線のうちの1本はメモリ切換信号Eとなっている。
次に、第1図及び第2図に示したこの発明の一実施例の
動作について説明する。
動作について説明する。
まず、IC製造テスト工程において、各メモリチップ(
2^)に含まれる欠陥の特定アドレスが分かるので、予
め、切換信号発生回路(11)に特定アドレス及びそれ
に対応する代替アドレス八′をプログラムする。
2^)に含まれる欠陥の特定アドレスが分かるので、予
め、切換信号発生回路(11)に特定アドレス及びそれ
に対応する代替アドレス八′をプログラムする。
通常のデータ読み出し時には、前述と同様に制御信号C
及び選択信号Sにより、所定のメモリチップ(2^)か
ら所望のデータDが読み出され、インタフェースコネク
タ(1)を介して外部のマイクロコンピュータに送られ
る。
及び選択信号Sにより、所定のメモリチップ(2^)か
ら所望のデータDが読み出され、インタフェースコネク
タ(1)を介して外部のマイクロコンピュータに送られ
る。
ここで、ICメモリカードに入力されるアドレス、即ち
上位アドレス^1及び下位アドレス^2がメモリチップ
(2^)の欠陥に対応した特定アドレスになると、切換
信号発生回路(11)は、メモリ切換信号Eを有意にす
ると共に、代替アドレス八′を出力し、メモリチップ(
2^)の特定アドレスの欠陥をマスクする。
上位アドレス^1及び下位アドレス^2がメモリチップ
(2^)の欠陥に対応した特定アドレスになると、切換
信号発生回路(11)は、メモリ切換信号Eを有意にす
ると共に、代替アドレス八′を出力し、メモリチップ(
2^)の特定アドレスの欠陥をマスクする。
メモリ切換信号Eは、インバータ回路(12)で反転さ
れてチップセレクト回路(3^)に入力され、チップセ
レクト回路(3^)及びメモリチップ(2^)を全て非
動作状態にすると共に、一方では、代替メモリ(10)
に入力され、代替メモリ(10)を選択して動作状態と
する。
れてチップセレクト回路(3^)に入力され、チップセ
レクト回路(3^)及びメモリチップ(2^)を全て非
動作状態にすると共に、一方では、代替メモリ(10)
に入力され、代替メモリ(10)を選択して動作状態と
する。
同時に、代替アドレス八′は制御信号Cと共に代替メモ
リ(10)に入力され、動作状態となった代替メモリ(
10)から正しいデータDを読み出す、こうして、一部
に欠陥を含むメモリチップ(2八)を用いても、何ら支
障なく正しいデータDを読み出すことができる。
リ(10)に入力され、動作状態となった代替メモリ(
10)から正しいデータDを読み出す、こうして、一部
に欠陥を含むメモリチップ(2八)を用いても、何ら支
障なく正しいデータDを読み出すことができる。
このとき、代替メモリ(10)は、メモリ容量が前述し
たようにIKバイト以下の場合が多いので、容量が数1
00バイトのメモリチップ(2A)と比較して非常に安
価であり、又、追加された切換信号発生回路(11)及
びインバータ回路(12)も安価な素子である。又、欠
陥を含み本来廃棄されるべきメモリチップ責2^)を、
はとんど経費のかからないテスト選別で救済できるので
、全体として安価なICメモリカードとなる。特に、メ
モリチップ(2^)がマスクROMより単価の高いSR
AMで構成されるRAMカードの場合は、コストダウン
の効果が顕著である。
たようにIKバイト以下の場合が多いので、容量が数1
00バイトのメモリチップ(2A)と比較して非常に安
価であり、又、追加された切換信号発生回路(11)及
びインバータ回路(12)も安価な素子である。又、欠
陥を含み本来廃棄されるべきメモリチップ責2^)を、
はとんど経費のかからないテスト選別で救済できるので
、全体として安価なICメモリカードとなる。特に、メ
モリチップ(2^)がマスクROMより単価の高いSR
AMで構成されるRAMカードの場合は、コストダウン
の効果が顕著である。
尚、上記実施例では、不良のメモリチップ(2^)がマ
スクROMの場合について説明したが、他のROM又は
RAMであってもよい。
スクROMの場合について説明したが、他のROM又は
RAMであってもよい。
又、メモリチップ(2^)がRAMの場合は、代替メモ
リ(10)として良品のRAMが用いられることは言う
までもない。
リ(10)として良品のRAMが用いられることは言う
までもない。
更に、メモリチップ(2^)に対してデータDの書き込
み及び読み出しを行なう場合について説明したが、メモ
リチップ(2^)がソフトウェアを格納する場合に適用
しても同等の効果を奏する。
み及び読み出しを行なう場合について説明したが、メモ
リチップ(2^)がソフトウェアを格納する場合に適用
しても同等の効果を奏する。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、特定アドレスに欠陥を
含むメモリチップを用い、特定アドレスに対応した代替
アドレスが入力される完全良品の代替メモリと、特定ア
ドレスが入力された場合にメモリチップを非動作状態に
し且つ代替メモリを動作状態にするためのメモリ切換信
号と代替アドレスとを生成する切換信号発生回路とを設
け、特定アドレスに対してはメモリチップの代わりに代
替メモリをアクセスするようにしたので、全アドレス領
域で正しくデータアクセスでき且つ安価なICメモリカ
ードが得られる効果がある。
含むメモリチップを用い、特定アドレスに対応した代替
アドレスが入力される完全良品の代替メモリと、特定ア
ドレスが入力された場合にメモリチップを非動作状態に
し且つ代替メモリを動作状態にするためのメモリ切換信
号と代替アドレスとを生成する切換信号発生回路とを設
け、特定アドレスに対してはメモリチップの代わりに代
替メモリをアクセスするようにしたので、全アドレス領
域で正しくデータアクセスでき且つ安価なICメモリカ
ードが得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第2図
は第1図内の切換信号発生回路の構成を示すブロック図
、第3図は従来のICメモリカードを示すブロック図で
ある。 (2^)・・・メモリチップ (3^)・・・チップセレクト回路 (10)・・・代替メモリ (11)・・・切換信号発生回路 A′・・・代替アドレス D・・・データE・・・
メモリ切換信号 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 A イを瞥T))又 E ・メfり切(・I鵞1な 手続補正書 昭和63年7
は第1図内の切換信号発生回路の構成を示すブロック図
、第3図は従来のICメモリカードを示すブロック図で
ある。 (2^)・・・メモリチップ (3^)・・・チップセレクト回路 (10)・・・代替メモリ (11)・・・切換信号発生回路 A′・・・代替アドレス D・・・データE・・・
メモリ切換信号 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 A イを瞥T))又 E ・メfり切(・I鵞1な 手続補正書 昭和63年7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数のメモリチップと、入力されるアドレスに応じて前
記メモリチップの1つを選択するチップセレクト回路と
を備えたICメモリカードにおいて、 前記メモリチップとして、特定アドレスに欠陥を含むメ
モリチップを用い、 前記特定アドレスに対応した代替アドレスが入力される
完全良品の代替メモリと、 前記特定アドレスが入力された場合に、前記メモリチッ
プを非動作状態にし且つ前記代替メモリを動作状態にす
るためのメモリ切換信号と前記代替アドレスとを生成す
る切換信号発生回路と、を設けたことを特徴とするIC
メモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146925A JPH023843A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Icメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146925A JPH023843A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Icメモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023843A true JPH023843A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15418675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63146925A Pending JPH023843A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Icメモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007193811A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Apple Inc | 欠陥フラッシュメモリダイの動作不能化 |
| JP2008063464A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム及び当該接着剤組成物の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63146925A patent/JPH023843A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007193811A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Apple Inc | 欠陥フラッシュメモリダイの動作不能化 |
| US8055959B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-11-08 | Apple Inc. | Disabling faulty flash memory dies |
| JP2012185850A (ja) * | 2006-01-18 | 2012-09-27 | Apple Inc | 欠陥フラッシュメモリダイの動作不能化 |
| JP2008063464A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム及び当該接着剤組成物の製造方法 |
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