JPS6043826A - 半導体装置の製造方法

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、ゴム
系ネガレジストの現像方法に関する。

（ロ）従来技術半導体装置の製造における所謂ホトレジスト工程におい
て、半導体ウェハ面に所定のパターンを形成するために
ゴム系ネガレジストが用いられることが多い。

露光されたネガレジストは石油低沸点留分て現像される
。そして、石油低沸点留分を排出して現像を停止するた
め、前記現像の後、その１６導体ウェハは酢酸−ｎ−ブ
チル溶液で洗浄される。

しかしながら、酢酸−ｎ−ブチル溶液はレジストへの浸
透速度が遅いため、穴Ｉｓ旧ノ部分にレジストの薄膜が
発生しゃずいという問題がある。

（ハ）目的この発明は、穴開の部分にレジストの薄膜が発生しｔＩ
ｔい半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。

（ニ）構成この発明に係る半導体装置の製造方法は、ゴム〜／− 系ネガレジストを石油低沸点留分で現像した後、酢酸−
ｎ−ブチル溶液とイソプロピルアルコール溶液により洗
浄することを特徴としている。

（ボ）実施例ゴム系ネガレジストを所定のＩＶみに塗布された半導体
ウェハ面に所定のパターンの露光をしたのち、石油低沸
点留分てレジストの現像を行う。これにより、露光され
なかったａｌ；分のレジストが除去され、半導体ウェハ
面は所定パターンにマスキングされる。

そして、酢酸−〇−ブチル／８液で洗浄して現像停止を
行い、その後、イソプロピルアルコール溶液で洗浄する
。これにより、酢酸−ｎ−ブチル溶ＩＩｋの洗浄時に発
生したレジストの薄１挨ば、イソプロピルアルコール溶
液の洗浄により収縮をおこし消滅する。

ここで、現（＆後ずくにイソプロピルアルコール溶性の
みで洗浄する吉、現像不良や所謂しジストのかふりが発
生しやすいので、前述のように酢酸−ｎ−ブチル／８液
で洗浄した後、イソプロピルアルコール溶液を用いるの
が望ましい。

なお、上述の実施例では、現像後、酢酸−ｎ　−ブチル
溶液で洗浄し、その後、イソプロピルアルコール溶液で
洗浄するとして説明したが、この発明はこれに限られる
ものでなく、現（象後、１ｌｌ１１．酸−ｎ−〕゛チル
ｍ　ｌ＆とイソプロピルアルコール混合液で洗浄するも
のであってもよい。

この混合液の好ましい混合容積比は、略、ｌＩｌｉｌ−
酸一ｎーフチル溶液６０に対し、イソプロピルアルコー
ル熔ン１虻４０である。

上記実施例によると、従来方法に比較し７、現像不良率
において４０％、寸法バラツキにおいて２０％の改善が
確認された。

（へ）効果この発明によれば、窓開は部分にレジスト薄膜が発生ず
ることかないので、現像不良及び」法バラツキを減少さ
せることかできる。

特許出願人　ローム株式会社代理人　弁理士　大　西　孝　治

【特許請求の範囲】

（１）ゴム系ネガレジストを石油低Ｍｌｉ点留分で現像
した後、酢酸−ｎ−ブチル溶液とイソプロピルアルコー
ル溶液により洗浄することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
（２）前記酢酸−ｎ−フチル溶液とイソプロピルアルコ
ール溶液による洗浄は、酢酸−ｎ−ブチル溶液で洗浄し
た後、イソプロピルアルコール溶液で洗浄するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の製造方法。
（３）前記酢酸−ｎ−ブチル溶液とイソプロピルアルコ
ール溶液よる洗浄は、酢酸−〇−ブチル溶液とイソプロ
ピルアルコール溶液との混合液で行われるものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
の製造方法。