JPH0239093A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、交流駆動型容量性フラット・マトリクスデイ
スプレィパネル（以下、ＲＭＥＬ、表示装置と呼ぶ）の
駆動回路に関する。

従来の技術 たとえば、二重絶縁型（または三層構造）薄膜ＥＬ素子
は次のように構成される。

第６図に図示のように、ガラス基板１の上に■ｎ２０３
よりなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上にたと
えば、Ｙ　２０３．　Ｓ　ｉ　５Ｎ　＜、　Ｔ　ｉ　Ｏ
２゜Ａ　ｌ　ｚ　Ｏｓ等の誘電物質層３ａ、Ｍｎ等の活
性剤をドープしたＺｎＳよりなるＥＬ１１４、上記と同
じくＹ２Ｏコ、　Ｓ　ｉ　ｓＮａ、Ｔ　Ｌ　Ｏ２，ＡＩ
　ｚｏｓ等の誘Ｚ　物ｆｆ層３ｂを蒸着法、スパッタリ
ング法のような薄膜技術を用いて順次５００〜１０００
０人の膜厚にｇＩ層して三層構造にし、その上に上記透
明電極２と直交する方向にＡＩよりなる帯状の背面宅ｆ
！２５な平行に設ける。

上記薄膜ＥＬ素子はその電極２．５間に、誘電物質層３
ａ、３ｂ″′Ｃ挟持されたＥＬ物質層４を介在させたも
のであるから、等価回路的には容旦性素子と見ることが
できる。また、前記薄１１ＷＥＬ素子は第７図に示す電
圧−輝度特性から明らかな如く、２００Ｖ程度の比較的
高電圧を印加して駆動される。

この薄膜ＥＬ素子は交流電界によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。

上記薄膜ＥＬ素子を表示パネルとする薄膜ＥＬ表示装置
の基本的な表示駆動は、薄１１ｉＥＬ素子の透明電極２
および背面電極５の一方を走査側電極、他方をデータ側
電極とし、データ側電極に発光・非発光を決める表示デ
ータに対応する変調電圧を与え、走査側電極に変Ｘ１ｌ
ｌ電圧および線順次に書込み電圧を与えることによって
行われる。

本願出願人は先に、このような′３膜ＥＬ表示装置の駆
動における消ｆｆ電力の低減化を目的として。

第３（２Ｉに示すような駆動回路を提案している。

第３図において、表示パネル１０は発光しきい値電圧Ｖ
ｔｈ（Ｖｗ（Ｖｔ、（Ｖｗ＋Ｖ、）の薄膜ＥＬ素子から
なり、この図ではＸ方向電極をデータ側電極とし、Ｘ方
向電極を走査側電極として電極のみを示している。２０
．３０は、Ｘ方向電極の奇数ラインとｇＩＩｔ＆ライン
にそれぞれに対応する高耐圧プッシュプルタイプのドラ
イバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃ１ｒｃｕｉｔ）か
らなる走査側スイッチング回路である。２１．３１は各
走査側スイッチング回１８２０．３０中のシフトレジス
タ等の論理回路であり、　５ｃａｎ　ｄａｔａ、　Ｐ　
Ｕ　Ｐ　、　Ｐ　Ｄ　’ｖ￥等の制御信号によりシフト
レジスタ中の５ｃａｎ　ｄａｔａに対応してプルアップ
素子もしくはプルダウン素子がオンする伏聾、５ｃａｎ
　ｄａｔａに関係なく全てのプルアップ素子もしくはプ
ルダウン素子がオンする状態をつくりだすもので、′Ｐ
）る、４５はＸ方向電極に対応する高耐圧プッシュプル
タイプのドライバＩＣからなるデータ側スイッチング回
路であり、４６はデータ側スイッチング回路４５中のシ
フトレジスタ等の論理回路である。第４図（１）に示す
高耐圧プッシュプルタイプのドライバの異本的な一構成
例を第４図（２）に示す、第４図〈２）において、５０
１はプルアンプ用のＰ　ｃ　ｂ高耐圧Ｍ　ＯＳ（Ｍｅｔ
ａｌ　　０ｘｉｃｌｅ　　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｅｒ
）　　Ｆ　　Ｅ　　Ｔ　　（ＦｉｅｌｄＥｆＩｅｃＬ　
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、５０２はプルダウン用のＮｃ
　ｈ高耐圧ＭＯＳＦＥＴ、５０３，５０４は各々のＦＥ
Ｔに対して逆方向に電流を流すためのダイオードである
。５０１，５０２は入力されてくる表示データに応じて
レベルシフタ等の回路によりオン、オフが行われる。こ
の高耐圧プッシュプルタイプのドライバは、プルアップ
８！能をもつスイッチング素子とプルダウン機能をもつ
スイッチング素子で構成されていれば、池の構成でも差
しつがえない。

第３１Ｊにおいて、１００は走査開ス・ｆツチング回路
２０．３０のプルダウン共通線単位を切り換えるプルダ
ウン共通線電位切換回路であり、ｆｉｌｌ　１２１信号
ＮＶＣ，ＮＧＣ，ＮＭ２により負極性の書込み電圧−■
、と変調電圧１／２ＶＮとＯＶとを切り換えて導出する
スイッチＳＷＩ、ＳＷ２　　ＳＷ３によって構成されて
いる。

２００は走査側スイッチング回路２０．３０の１ルアラ
グ共通線電位を切り換えるプルアップ共通線電位切換回
路であり、Ｉｆ御信号ＰＶＣ，ＰＭ２により正極性の書
込み電圧Ｖ、÷Ｖ９と変調電圧１　、／　２　Ｖ　Ｔ＋
とを切り換えて導出するスイッチｓｗ４、ＳＷ５によっ
て構成されている。

３００はデータ側スイッチング回路４５の１ルアツブ共
通線電位を切り換えるプルアップ共通線電位切換回路で
あり、　１ＩＩＪ御信号Ｍ１により変調；圧１／２■イ
とフローティング状態に切り換えるスイッチＳＷ６によ
って構成されている。

４００は制御信号ＭＤＷによりスイッチＳＷ８をオンし
、コンデンサＣＨに変！ｌ！Ｉ電圧１　／　４　Ｖ　ｗ
を充電し、その渣にスイッチＳＷ８をオフし、ｉ！ｉ１
１御信号ＭＵＰによりスイッチＳＷ７をオンすることで
、１／４Ｖ、の変７Ａ＠圧の印加後、１／　２　Ｖ　ｗ
の′Ｘ、ｙ４電圧を供給する変調電圧供給回路であり、
制御信号ＮＭ２．ＰＭ２．ＭＬにより１１ｉ１１御され
るスイッチＳＷ３．ＳＷ５．ＳＷ６に接続される。

５００はデータ反転コントロール回路である。

次に、第５図のタイムチャートを用いて、第３図の勤１
Ｙについて説明する。

ここでは線順次駆動で絵素Ａを含むＹ、と絵素Ｂを合む
Ｙ、の走査側電極が選択されるものとする。また、この
駆動回路はｌライン毎に絵素に印加される書込み電圧の
極性を反転して駆動されるが、走査側選択電極に接続さ
れている走査側スイッチング回路２０．３０のプルダウ
ン用ＭＯＳＦＥＴをオンし、その電極ライン上の絵素に
負の書込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミング
をＮ駆動タイミングと呼び、一方、プルアップ用ＭＯ３
ＦＥＴをオンし、その電極ライン上の絵素に正の書込み
パルスを印加する１ラインの駆動タイミングをＰ駆動タ
イミングと呼ぶことにする。また、走査側奇数ラインに
対してＮ［動をし、偶数ラインに対してＰｉ動を実行す
るフィールド（画面）をＮＰフィールド、その逆のフィ
ールドをＰＮフィールドと呼ぶことにする。

（Ａ）ＮＰフィールド １、Ｎ　　　　お（Ｉ　　　　　　　　　Ｔ。

走査側スイッチング回路２０．３０の全てのドライバＳ
Ｄ、〜ＳＤ、のＮｃｌ−＋ＭＯ８ＦＥＴをオンさせ、制
御信号Ｎ　Ｇ　Ｃによりスイッチｓ　Ｗ　２をオンさせ
ることで、走査側全電極をＯＶに保つ。

同時に１１１ｍ信号Ｍ１によりスイッチＳＷ６をオンさ
せる。このとき、データ側スイッチング回路４５のドラ
イバＤＤ、、〜ＤＤ、、は表示データ信号に従い発光の
場合ＰｃｈＭＯ３ＦＥＴをオンにし、非発光の場合Ｎｃ
ｈ　　ＭＯＳＦＥＴをオンにする。

ここで表示データがＨ″で発光、′Ｌ”で非発光の場合
、入力表示データ（ＤＡＴＡ）をそのままデータ側スイ
ッチング回路４５に入力する必要があるので、データ反
転コントロール回路５００における信号ＲＶＣは“Ｌ″
にしておく（但しデータ側スイッチング回路４５は”Ｈ
”でＰｃｈＭＯ３ＦＥＴがオン・、Ｎｃｈ　ＭＯ３ＦＦ
、Ｔ　がオフし、“Ｌ”でＰｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴがオ
フ、ＮｃｈＭＯ３ＦＥＴ　　がオンするものとする。ま
た。

線順次駆動を行っているなめ、表示データは前ライン駆
動時に転送が行われ、ラッチにより保持される）、ここ
で、発光絵素に１　／４　ＶＨの変調電圧を印加すると
ともに、ＩＩＩ　ＩＩ信号ＭＤＷによりスイッチＳＷ８
をオンにしてコンデンサＣ９に１／４Ｖ、の変調電圧を
充電する１次に制御信号ＭＤＷによりスイッチＳＷ８を
オフにした後、制御信号ＭＵＰによりスイッチＳＷ７を
オンさせ、発光絵素に１／２Ｖ、の変調電圧を印加する
。これにより発光絵素だけに段階的に第１変調電圧１／
２Ｖ、ｌがデータ側に充電され、非発光絵素には充電さ
れず、データ側電極電位はＯｖに保たれる。充電が完了
すると、スイッチＳＷ６．ＳＷ７はオフにされる。

２、Ｎ　　　における　２亦　　　　　お　び　　み　
　　Ｔ１選択走査側電極に接続のドライバのみＮ　ｃ　
ｈＭＯ８ＰＥＴをオンさせ、他のドライバはＰ　ｃ　Ｆ
ＩＭＯ３ＰＥＴをオンさせる。同時に走査側スイッチン
グ回路２０．３０のプルアップ共通線には、制御信号Ｐ
Ｍ２によりスイッチＳＷ５をオンにしてｌ／４Ｖ、の変
調電圧を印加し、その後に制御信号ＭＵＰによりＳＷ７
をオンすることで１／２■９の変調電圧を印加する。ま
た、プルダウン共通線には制御信号ＮＶＣによりスイッ
チＳＷＩをオンにし、負極性の書込み電圧−■１を印加
する。

一方、データ側スイッチング回路４５は、Ｎ駆動におけ
る第１変調電圧充電期間（Ｔ１）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素にはＮ駆動における第１変ｉＡ電
圧充電期間〈Ｔ１）にデータ側に１／２■、の変ｙＪ電
圧が充電されているため、データｍｚ極電位は■。とな
り、選択走査側電極には負極性の書込み電圧−Ｖｌが印
加されるため、発光絵素には■。〜（−Ｖ、）＝Ｖ、＋
Ｖ、が印加され発光する。また、非発光絵素はデータ側
電極電位がＱＶであり、選択走査側電極には負極性の書
込み電圧−■、が印加されているため、非発光性絵素に
はＱＶ−（−Ｖ、）＝Ｖ、が印加されるが、発光しきい
値電圧Ｖ、ｈ以下なので発光しない。

３、Ｎ　　　にお　る　　　　　Ｔ。

制御信号ＮＶＣ，ＰＭ２．ＭＵＰによりスイッチＳＷＩ
、ＳＷ５．ＳＷ７をオフにした後、制御信号ＮＧＣによ
りスイッチＳＷ２をオンさせ、同時に走査側スイッチン
グ回路２０．３０のＮｃｈＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　　を
オンさせる。これにより、書込み電圧および第２変Ｘ１
ｌｌ電圧は放電され、全走査側電極はＱＶになる。

４、Ｐ　　　におする　Ｉ　　　　　　　　　Ｔ、１走
査側スイッチング回路２０．３０の全てのドライバ５Ｄ
ｒＩ〜ＳＤｒ、のＮｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴをオンさせ、
制御信号ＮＧＣによりスイッチＳＷ２をオンさせておく
ことで、走査側全電極の電位をＯＶに保つ、同時に、制
御信号Ｍ１によりスイッチＳＷ６をオンさせる。このと
き、データ側スイッチング回路４５のドライバＤＤ、、
〜ＤＤ、、は表示データの反転信号に従い発光の場合Ｎ
ｃｈＭＯ３ＦＥＴをオンにし、非発光の場き　ＰｃｈＭ
ＯＳＦＥＴをオンにする。ここで入力表示データ（ＤＡ
ＴＡ）の反転信号をデータ側スイッチング回路４５に入
力する必要があるので、データ反転コントロール回路５
００における信号ＲＶＣはパ■］”にしておく、また、
非発光絵素に１　／４　Ｖ、の変＊’を圧を印加すると
ともに、制御信号ＭＤＷによりスイッチＳＷ８をオンに
してコンデンサＣ，ｌに１／４■−の変調電圧を充電す
る１次に■Ｉ囲信号ＭＤＷによりスイッチＳＷ８をオフ
にした陵、制御信号ＭＵＰによりスイッチＳＷ７をオン
させて非発光絵素に１／２■イの変調電圧を印加する。

このとき１発光絵素には充電されずデータ側電極電位は
０■になる。これにより非発光絵素だけに変Ｈ電圧１／
２Ｖ、が段階的にデータ側に充電される。充電が完了す
るとスイッチＳＷ６．ＳＷ７はオフにする。

５　Ｐ　　にお（る　２　　　　および　゛み　　　Ｔ
Ｐ選択走査側電極に接続のドライバのみ　ＰｃｈＭＯＳ
ＦＥＴをオンさせ、他のドライバはＮｃｈＭＯ３ＰＥＴ
をオンさせる。同時に走査側スイッチング回路２０．３
０のプルアップ共通線には、制御信号ＰＶＣによりスイ
ッチＳ　Ｗ　４をオンにし、正極性の書込み電圧Ｖ、４
−Ｖ、Ｉを印加する。また、プルダウン共通線には、ｉ
ｄｌ　Ｉｌｌ信号ＮＭ２によりスイッチＳＷ３をオンに
して、１／４■イの変調電圧を印加し、その後に制御信
号ＭＵＰによりスイッチＳＷ８をオンすることで段階的
に１／２■イのｇ：ＩＸＩＩ　’Ｘ圧を印加する。一方
、データ側スイッチング回路４５はＰ駆動における第１
変調電圧充電期間（Ｔ、）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素では選択走査Ｉｌｌ電極に正極性
の書込み電圧Ｖｗ＋Ｖイが印加され、データ開−（至）
電位がＱＶであるので１発光絵素には（Ｖ。

モＶ、）−０Ｖ＝Ｖｗモ■６が印加され発光する。

また、非発光絵素はＰ駆動における第１変調電圧充電期
間（Ｔ、、）にデータ側に１／２Ｖ、の変調電圧が充電
されているため、データ（ｌｌｌ電電電位ｖ、ｌとなり
、選択走ＩＩＥ側電極には正極性の書込み電圧Ｖｗ＋Ｖ
ｘが印加されているため、非発光絵素には（Ｖ、ｔ＋Ｖ
、）−ＶＭ＝Ｖッが印加されるが発光しきい値電圧Ｖ　
Ｉｈ以下なので発光しない。

、Ｐ　′″←　　　　心 制御信号ＮＭ２．ＰＶＣ，ＭＵＰによりスイッチＳＷ３
．ＳＷ４．ＳＷ７をオフにしたｔ負、制御信号ＮＧＣに
よりスイッチＳＷ２をオンさせ、同時に走査側スイッチ
ング回路２０．３０の全てのＮｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴを
オンさせる。これにより書込み電圧および第２変調電圧
は放電され、全走査［電極は０■になる。

（Ｂ）ＰＮフィールド １、Ｐ　　　にお番る　１”’　　　　　　　　　Ｔ、
４ＮＰフイールドＰ駆動における第１変調電圧充電期間
（Ｔ　、Ｉ　）と同様の駆動を行う。

２、Ｐ　　仁お番る　２　　　　おび　み　　ＴＰＮＰ
フィールドＰ駆動における第２変調電圧充電および書込
み期間（Ｔ□）と同様の駆動を行う。

３、Ｐ　　　　　お　　　　　　　　　Ｔ。

ＮＰフィールドＰ駆動における放電期間（Ｔ１）と同様
の駆動を行う。

４、Ｎ　　　にお　る　Ｉ　　　　　　　　　Ｔ□ＮＰ
フィールドＮ駆動における第１変調電圧充電期間（Ｔ、
）と同様の駆動を行う。

５、Ｎ　　　にお　　　２　　　　　　お　び　　　　
　　Ｔ。

ＮＰフィールドＮ駆動における第２変調充電および書込
み期間（Ｔ　−２）と同様の駆動を行う。

６、Ｎ　　　にお　　　　　　　Ｔ。

ＮＰフィールドＮ駆動における放電期間（Ｔ、、）と同
様の駆動を行う。

以上のように、この駆動回路ではＮＰフィールドとＰＮ
フィールドとの駆動タイミングにより構成されており、
ＮＰフィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対し
てＮｌｌ動を、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実
行し、ＰＮフィールドではその逆の駆動を実行すること
で薄膜ＥＬ表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流
パルスを閉じるものである。

第５図には、絵素Ａ、絵素Ｂに印加される電圧波形を代
表例として示している。

上記した従来の駆動回路では、走査ｆＩｌ電極およびデ
ータｆｆ１ｌ電極に接続する走査側スイッチング回路２
０．３０およびデータ側スイッチング回路４５を、それ
ぞれプッシュプルタイプの高耐圧ドライバＩＣを用いて
構成しているので、消費電力の低減化だけでなく；薄型
・コンパクト化が可能となる。

発明が解決しようとする課題 ところで、上記した駆動回路では、データ側スイッチン
グ回路４５として、プッシュプルタイプの高耐圧ドライ
バＩＣが用いられているが、このＭｋｉ８ｉには１つの
データ側電極に対して、プルダウン用スイッチング素子
（上記例ではＮｃｈＭＯ３ＦＥＴ）と１ルアツブ用スイ
ツチング素子（上記例ではＰｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴ）と
、論理信号によってプルアップ用スイッチング素子をオ
ン、オフさせるためのレベルシフタ回路（この回路内に
は高耐圧スイッチング素子が少なくとも１素子は必要）
とを用意する必要があり、したがって１つのデータＩＴ
Ｉ！Ｉｔ僅に高耐圧スイッチング素子が最低３素子以上
必要とするので、構成が複雑化し、駆動回路のコストが
大幅に増大するという問題点があった。

したがって、本発明の目的は、高耐圧スイッチング素子
の必要個数を減少して回路構成を簡単化し、コストを大
幅に低減できる薄膜ＥＬ表示装置の駆動回路を提供する
ことである。

課題を解決するための手段 本発明は、互いに交差する方向に配列した複数の走査側
＠４［、と複数のデータ側電極との間にＥＬ発光層を介
在させ、変調電圧供給手段からデータ側スイッチング手
段を介して表示データに対応する変調電圧をデータ側電
極に印加する一方、走査ｆｆ１電極には、変調電圧供給
手段から変調電圧を印加しつつ負掻性書込み電圧供給手
段から走査側スイッチング手段を介して負極性の書込み
電圧を印加する第１態様駆動と、正極性書込み電圧供給
手段から走査側スイッチング手段を介して正極性の書込
み電圧を印加する第２態様駆動とをフィールドごとに交
互に行う表示駆動回路において、データ側スイッチング
手段は、 段階的に電位を上昇させながら変調電圧を供給する変調
電圧供給手段にアノードが接続される一方、カソードが
データ側電極に接続されたダイオードと、 そのダイオードのカソードと共通電位間に接続され、第
１態様駆動では発光に相当する表示データに応じて遮断
状態とし、非発光に相当する表示データに応じて導通状
態とする一方、第２君様駆動では発光に相当する表示デ
ータに応じて導通状態とし、非発光に相当する表示デー
タに応じて遮断状態とするプルダウン用スイッチング素
子とからなる複数の駆動回路を、各データｆｆ１ｌ電極
に明別的に対応付けて構成したことを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ表示装置の駆動回路である。

作　　用 本発明に従えば、走査側電極に負極性の書込み電圧が印
加される第１９様駆動の場合には、変調電圧供給手段か
ら、たとえば１　／’　２　ＶＮの変調電圧がデータ側
スイッチング手段を介してデータ側’ｔｉに印加される
。このとき、ドライバのプルダウン用スイッチング素子
は、表示データの発光に相当するデータか、非発光に相
当するデータかに関係なくオフしておく、そして１　ｙ
’　２　Ｖ　、の変調電圧光？ｌＸｆｇ、に、発光に相
当する表示データに対しては２ドライバのプルダウン用
スイッチング素子はオフを某ち、非発光に相当する表示
データに対しては、オンとする。こノとにより発光部の
データｉＩ′ＩＩＩ”ｘ　ｉ　電位はｌ　ｙ”　２　Ｖ
Ｎ　、非発光部Ｌｆ　ＯＶ　ｃ：　’、ｉ：　ル。

次に走査側電極より１　／”　２　Ｖ　Ｎの変調電圧が
印加されるなめに発光部のデータｆｆ１電極電位は■。

非発光部はＯＶとなり、発光、非発光が決定される。

また、走査ｆｆ［ｌＩ電極に正極性の書込み電圧が印加
される第２吾様駆動の場合には、変調電圧供給手段から
、たとえばｌ　、’　２　Ｖ　、の変ｉｔ圧がデータ側
スイッチング手段を介してデータ側電極に印加される。

このとき、ドライバのプルダウン用スイッチング素子は
、表示データの発光に相当するデータか、非発光に相当
するデータかに関係なくオフしておく、そして１／２Ｖ
ＩＩの変調電圧充電後に、発光に相当する表示データに
対しては、ドライバのプルダウン用スイッチング素子は
オンとされ、非発光に相当する表示データに対しては、
オフを保つ、これにより発光部のデータ側電極電位は０
■、非発光部はｌ／２Ｖ、ｌになる。次に走査側電極よ
り１７′２■イの変調電圧が印加されるために発光部の
データ側電極電位はＱＶ、非発光部は■となり、発光・
非発光が決定される。

実施例 第１図は、本発明の一実施例である駆動回路を示す回路
図である。この駆動回路は薄膜ＥＬ表示装置を駆動する
ための回路であって、第３１１１に示す従来の駆動回路
と異なる点は、データ側２インチ２７回路４５Ａを構成
する高耐圧ドライバＩＣにおいて、プルアップ用スイッ
チング素子としてＰ　ｃ　ｈ　　Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ
に替えてダイオードＤ１〜Ｄｉを用いた点であり、これ
によってプルアップ用スイッチング素子をオン、オフ制
御するレベルシフタ回路を省略するようにしている。す
なわち、第１Ｉ２Ｉに示す駆動回路において、表示バネ
・ル１０Ａは発光しきい値電圧Ｖ　＝　ｈ　（Ｖ　−＜
Ｖ　−ｈ　＜　Ｖ　ｗ＋　Ｖ　ｓ　）の薄膜ＥＬ素子か
らなり、第１図ではＸ方向電極をデータｆｆ１電極とし
、Ｙ方向Ｔｉ僅を走査ｆｆｌ電極として電子のみを示し
ている。走査側スイッチング回路２ＯＡ、３０Ａは走査
側電極の奇数ラインと偶数ラインにそれぞれ対応Ｃ寸け
て接続されたスイッチング回路であり、高耐圧プッシュ
プルタイプのドライバＩＣによって構成されている。各
走査側スイッチング回路２ＯＡ、３０Ａはシフトレジス
タなどの論理回路２ＬＡ、３１Ａをそれぞれ含んでおり
、これらの論理回路２１Ａ、３１Ａは、５ｃａｎ　ｄａ
Ｌａ、Ｐ　Ｕ　Ｐ　、　Ｐ　Ｄ　ＷなどのＭｍ信号によ
りシフトレジスタ中のＳ　ｃａｎ　ｄａｔａに対応して
プルアップ用スイッチング素子、もしくはプルダウン用
スイッチング素子がオンする状態、Ｓ　ｃａｎ　ｄａｔ
ａに関係なく全てのプルアップ用スイッチング素子、も
しくはプルダウン用スイッチング素子がオンする状態を
つくりだす機能を持つ、データ側スイッチング回路４５
Ａはデータｆｆ１電極に接続されたスイッチング回路で
あり、互いのアノードを接続したアノードコモンダイオ
ードＤ１−　Ｄｉと、複Ｊ［のＮ　ｃ　ｈ高耐圧Ｍ　Ｏ
Ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ　１〜Ｑ　ｉによって、各データｆ
ｆ１ｌ電極に個別的に対応する複数個のドライバＡＤ、
、−ＡＤ、、が構成されている。すなわち、たとえばド
ライバＡＤ、、では、ダイオードＤＩのカソードは対応
するデータ（１１１電極Ｘ１に接続され、またダイオー
ドＤ１のカソードにプルダウン用スイッチング素子であ
るＮ　ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＦＥＴＱ１のドレインが接続
され、ＭＯ５ＦＥＴＱＩのソースは接地されている。ま
た、ＭＯ３ＦＥＴＱ１のゲートは、データ側スイッチン
グ回路４５Ａに含ｉれるシフトレジスタなどの論理回路
４６　Ａに接続されている。他のドライバＡＤ、、〜Ａ
Ｄ、。

についても、上記したドライバＡＤ、、と同様に構成さ
れている。

プルダウン共通線？ｔ（ｉ切換回路１００Ａは、走査側
スイッチング回路２０Ａ、３０Ａのプルダウン共通線電
位を切り換える回路であり、制御信号ＮＶＣ，ＮＧＣ，
ＮＭ２により負極性の書込み電圧−■−と変調電圧１／
２Ｖイと０■とを切り換えて導出するスイッチＳＷ１．
ＳＷ２．ＳＷ３によって構成されている。すなわち、プ
ルダウン共通線電位切換回路１００Ａは、負極性書込み
電圧供給手段としての機能を一部に持つ。

一方、プルアップ共通線電位切換回路２００Ａは、走査
側スイッチング回路２０Ａ、３０Ａのプルアップ共通線
電位を切り換える回路であり、制ｉｎ信号ＰＶＣ，ＰＭ
２により正極性の書込み電圧Ｖ、＋Ｖ、と変ｒＡ電圧１
／２Ｖ、とを切り換えて導出するスイッチＳ’ｖＶ４．
ＳＷ５によって構成されている。すなわち、プルアップ
共通線電位切換回路２００Ａは、正極性書込み電圧供給
手段としての機能を一部に持つ。

別のプルアップ共通線電位切換回路３００Ａは、データ
側スイッチング回路４５Ａのプルアップ共通ｕＡ＠位を
切り換える回路であり、制御信号Ｍ１により変調電圧１
／２Ｖ、とフローティング状態に切り換えるスイッチＳ
Ｗ６によって構成されている。

変？Ａ電圧供給回路４００Ａは、制御信号Ｍ　Ｄ　Ｗに
よりスイッチＳＷ８をオンし、コンデンサＣＨに変調電
圧１　／４　ＶＨを充電し、その後にスイッチＳＷ８を
オフし、制御信号ＭＵＰによりスイッチＳＷ７をオンす
ることで、１　／４　Ｖ、の変調電圧を印加したあと、
１／２Ｖ、の変調電圧を供給する回路であり、制御信号
ＮＭ２．ＰＭ２．Ｍｌにより制御されるスイッチＳＷ３
．ＳＷ５．ＳＷ６に接続されている。

データ反転コントロール回路５００Ａは、入力されてく
る表示データを必要に応じて反転する回路である。走査
側スイッチング回路２０Ａ、３０Ａにおける各ドライバ
ＳＤ、、〜ＳＤ、、の具体的構成については第４図（２
）に示した従来例の場合と同一であるので、ここでは説
明を省略する１次に、第２図のタイムチャートを参照し
て、第１図に示す駆動回路の動作を説明する。

なお、ここでも線順次駆動で絵素Ａを含むＹｌと絵素Ｂ
ｆ！−含むＹ２の走査側電極が選択されるものとする。

また、Ｎ駆動タイミング、Ｐ駆動タイミング、ＮＰフィ
ールド、ＰＮフィールドの意義は、先述した従来の駆動
回路の動作の場合と同一であるもめとする。

（Ａ）ＮＰフィールド １、Ｎ　　　にお番る　１＝　　　　　　　　　Ｔ。

走査側スイッチング回路２ＯＡ、３０Ａの全てのドライ
バＳＤ、、　〜ＳＤ、、のＮｃｈＭＯ３ＦＥＴをオンさ
せ、制御信号ＮＧＣによりスイッチＳＷ２をオンさせる
ことで、走査側電極をＱＶに保つ、同時に制御信号Ｍ１
によりスイッチＳＷ６をオンさせる。このとき、データ
側スイッチング回路４５ＡのドライバＡＤｒ１〜ＡＤｔ
、のＮｃｈ　ＭＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ　１−Ｑ　ｉ　１
．ｔ、表示データニ無間係にオフしている。ここで、全
絵素に１　／４　Ｖ、の変：ＩＩＪＴｈ圧が印加される
。また、制御信号ＭＤＷによってスイッチＳＷ８をオン
にしてコンデンサＣ，に１／４Ｖ、の変調電圧を充電す
る０次に、制御信号Ｍ　Ｄ　ＷによりスイッチＳ　Ｗ　
８をオフにしたｆ！ｉ、制御信号ＭＵＰによりスイッチ
ＳＷ７をオンさせることによって、全絵素にさらにｌ／
２Ｖ、＋の変調電圧を印加する。このあとスイッチＳＷ
６．ＳＷ７をオフにし、データ側スイッチング回路４５
ＡのドライバＡＤ、、〜ＡＤ、、のＮ　ｃ　ｂ　　Ｍ　
ＯＳ　ＦＥＴＱ１〜Ｑｉを表示データに応じてオン・オ
フさせる。すなわち、発光に相当する表示データに対し
てはオフにし、非発光に相当する表示データに対しては
オンにする。この動作によって１発光すべき絵素には段
階的に第１変調電圧１／２Ｖ。

がデータ側電極から充電され、非発光となるべき絵素で
は充電後に放電動作が行われて、その絵素を含むデータ
側電極の電位はｏｖに保たれる。

２、Ｎ　　　にお　る　２　　　　　　および　　み　
　　Ｔこの期園の動作は、従来の駆動回路の場合と全く
同一である。すなわち、選択走査側電極に接続のドライ
バのみＮｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴをオンさせ、他のドライ
バはＰｃｂＭＯ３ＦＥＴ　　をオンさせる。同時に走査
罷スイッチング回路２０Ａ、３０へのプルアップ共通線
には、制御信号ＰＭ２によりスイッチＳＷ５をオンにし
て１／４■イの変調電圧を印加し、その後に制御信号Ｍ
ＵＰによりＳ〜ｖ７をオンすることで１　／　２　Ｖ　
＋’＋の変ｉ１１電圧を印加する。また、プルダウン共
通線には制御信号Ｎ■ＣによりスイッチＳＷＩをオンに
し、負極性の書込み電圧−Ｖｗを印加する２一方、デー
タ側スイッチング回路４５Ａは、Ｎ駆動における第１変
ｒＡ電圧充電期間（Ｔイ、）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素にはＮ駆動における第１変調電圧
充電期間（Ｔ、、）にデータ側に１／２■イの変調電圧
が充電されているため、データ側電極電位はＶ。となり
、選択走査（１１１電極には負極性の書込み電圧−■１
が印加されるため、発光絵素にはｖ、−（−ｖ、）＝ｖ
、＋ｖ、が印加され発光する。

また、非発光絵素はデータ側電極電位が０■であり、選
択走査側電極には負極性の書込み電圧−■０が印加され
ているため、非発光性絵素にはＯＶ−（−Ｖ駒＝Ｖ、が
印加されるが、発光しきい値電圧Ｖ、ｈ以下なので発光
しない。

３、Ｎ　　　における　　　　　Ｔｏ この期間の動ｆｔも、従来の駆動回路の場合と全く同一
である。すなわち、制御信号ＮＶＣ，ＰＭ２、ＭＵＰに
よりスイッチＳＷＩ、ＳＷ５．ＳＷ７をオフにした後、
制御信号Ｎ　Ｇ　ＣによりスイッチＳ　Ｗ　２をオンさ
せ、同時に走査側スイッチング回路２ＯＡ、３０ＡのＮ
ｃｈＭＯ３ＦＥＴをオンさせる。これにより、書込み電
圧および第２変調電圧は放電され、全走査側電極はＯＶ
になる。

４、Ｐ　　　にお　　　Ｉ　　　　　　　　　　Ｔ。

走査側スイッチング回路２０Ａ、３０Ａの全てのドライ
バ５ＤｒＩ−８ＤｒＩのＮｃｈＭＯ３ＦＥＴをオンさせ
、［１信号Ｎ　Ｇ　ＣによりスイッチＳＷ２をオンさせ
ておくことで、走査側全電極の電位をＯＶに保つ、同時
に、制御信号Ｍ１によりスイッチＳＷ６をオンさせる。

このとき、データ側スイッチング回路４５Ａのドライバ
ＡＤｒ１〜ＡＤ白のＮｃｈ　　ＭＯ３ＦＥＴＱＩ　〜Ｑ
ｉは、表示データに無関係にオフしている。ここでは、
全絵素に１／４Ｖ、の変調電圧が印加される６まな、制
御信号Ｍ　Ｄ　Ｗによってスイッチ５ＷＳ＝オンにして
コンデンサＣＭに１　／４　Ｖ、の変調電圧を充電する
０次に１．ｔ、ＩＩ　１１信号ＭＤＷによりスイッチＳ
Ｗ８をオンにした接、制御信号ＭＵＰによりスイッチＳ
　Ｗ　７をオンさせることによって、全絵素にさらにｌ
　、／　２　Ｖ　Ｈの変調電圧を印加する。このあとス
イッチＳ　ＩｒＶ　６．３　Ｗ　７をオフにし、データ
側スイッチング回路４５ＡのドライバＡＤ、、〜ＡＤ、
。

のＮｃｈ　　ＭＯ３ＦＥＴＱ１〜Ｑｉを表示データに応
じてオン・オフさせる。すなわち、発光に相当する表示
データに対してはオンにし、非発光に相当する表示デー
タに対してはオフにする。この勤ｆヤによって、非発光
となるべき絵素には段階的に第１変調電圧１／２■イが
データ側電極から充電され、発光すべき絵素では充電後
に放電動作が行われて、その絵素を含むデータ［１１電
極の電位は０■に保たれる。

５、Ｐ　　　にお番る　２　　　　およ　　　み　　　
Ｔ。

この期間の動作は、従来の駆動回路のＪ％会と全く同一
である。すなわち、選択走査ｆｆ１電極に接続のドライ
バのみ　Ｐｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴをオンさせ、他のドラ
イバはＮ　ｃ　ｂ　Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔをオンさせる
。

同時に走査側スイッチング回路２ＯＡ、３０Ａのプルア
ップ共通線には５制御信号ＰＶＣによりスイッチＳＷ４
をオンにし、正極性の書込み電圧■、＋Ｖ、を印加する
。また、プルダウン共通線には、Ｍｍ信−号ＮＭ２によ
りスイッチＳＷ３をオンにして、１　／４　ＶＭの変調
電圧を印加し、その後に制御信号ＭＵＰによりスイッチ
ＳＷ８をオンすることで段階的に１／２Ｖ、の変ｉｔ圧
を印加する。

一方、データ側スイッチング回路４５ＡはＰ％動におけ
る第１変調電圧充電期間（Ｔ、、）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素では選択走査罷工□□□に正極性
の書込み電圧Ｖｗ＋Ｖｓ力（印加され、データ側電極電
位が０■であるので、発光絵素には（■。

＋Ｖ＋＋）−０Ｖ＝ｖ、＋ｖ、が印加され発光する。

また、非発光絵素はＰ駆動における第１変調電圧充電期
間（Ｔ　、、　）にデータ側に１／２ＶＨの変調電圧が
充電されているため、データ側電極電位はＶ、となり、
選択走査側電極には正極性の書込み電圧Ｖ、＋Ｖ、が印
加８されているため、非発光絵素には（Ｖ、＋Ｖイ）−
Ｖ、＝Ｖ、が印加されるが発光しきい値電圧■ｏゎ以下
なので発光しない。

６、Ｐ　　　にお　る　　　　　Ｔｐ この期間の動作も、従来の駆動回路の場合と全く同一で
ある。すなわち、制御信号ＮＭ２．ＰＶＣ，ＭＵＰによ
りスイッチＳＷ３．ＳＷ４．ＳＷ７をオフにした陵、１
ｔｌＪ　１３１信号ＮＧＣによりスイッチＳＷ２をオン
させ、同時に走査側スイッチング回路２ＯＡ、３０Ａの
全てのＮｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴをオンさせる。これによ
り書込み電圧および第２変ｙＩｔ圧は放電され、全走査
側電極はＯｖになる。

（Ｉ３）ＰＮフィールド １、Ｐ　　　にお　る　Ｉ　　　　　　　　　　Ｔ。

ＮＰフィールドＰ駆動における第１変調電圧充電期間（
Ｔ　、ｌ　）と同様の駆動を行う。

２、Ｐ　　　　８番　　　２　　　　　　　お　　　　
　み　　　Ｔ。

ＮＰフィールドＰ駆動における第２変調電圧充電および
書込み期間（’ｒ、２）と同様の駆動を行う。

３、Ｐ駆動における放電期間（Ｔ□） ＮＰフィールドＰ駆動における放電期間（’ｒｐコ）と
同様の駆動を行う。

４、Ｎ　　　　　　Ｉ　　　　　　　ＴＮＰフィールド
Ｎ駆動における第１変調電圧充電期間（Ｔ□）と同様の
駆動を行う。

５、Ｎ　　　にお　る　２　　　　　　および　　　　
　　Ｔ。

ＮＰフィールドＮ駆動における第２変調充電および書込
み期間（Ｔ、２）と同様の駆動を行う。

６、Ｎ　　　にお　る　　　　　Ｔ。

ＮＰフィールドＮ駆動における放電期間（Ｔ　ｗ　、）
と同様の駆動を行う。

第３図には、絵素Ａ、絵素Ｂに印加される電圧波形を代
表例として示している。

上記したように、Ｔ□、　ＴＰＩＩ　ＴＰ４．　Ｔ１１
４の動作期間では、データ側スイッチング回路４５Ａの
全てのドライバＡＤ、、〜ＡＤｒｌのダイオードＤ１〜
Ｄｉから全絵素に１／２Ｖ、、Ｏ変調電圧を充電したあ
と、表示データに応じてその充電状態を保持するか放電
してしまうかしている。したがって、これらの動（’Ｆ
−は、同じ動作期間において、従来の駆動回路で表示デ
ータに応じて　Ｐｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴあるいは　Ｎ　
ｃ　ｈ　　Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔをオンした動作と等価
になる。つまり、この実施例の駆動回路では、データ側
スイッチング回路４５ＡのドライバＡＤ、、〜ＡＤ、、
をアノードコモンダイオードＤ１〜ＤｉとＮ　ｃ　ｈ　
ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴＱ　ｌ〜Ｑｉとで構成するとともに、
駆動手段を従来の場合と少し異ならせるだけで、プッシ
ュプルタイプのドライバＩＣを用いた従来の駆動回路に
おけるデータ側スイッチング回路と等価な動作を行って
いることになる。また、他の動作期間における駆動手段
は従来の場合と同じであるから、結局、データ側スイッ
チング回路４５Ａの構成を簡略化して従来の場合と同等
の動ｆヤを可能としたことになる。

発明の効果 以上のように、本発明のＩ！ＩＥＬ表示装置の駆動回路
によれば、データ側スイッチング回路のドライバをダイ
オードとプルダウン用スイッチング素子とを用いて構成
して、従来のデータ側スイッチング回路と等価な動作を
行えるようにしたので、データ側スイッチング回路の構
成が簡単化され、従来の利点である低消費電力化および
薄型・コンパクト化の可能性を損なうことなくコストを
低減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である駆動回路の概略の構成
を示す回路図、第２図はその駆動回路の動作を示すタイ
ムチャートおよび絵素への印加電圧を示す波形図、第３
図は従来の駆動回路の概略の構成を示す回路図、第４図
はその駆動回路のドライバの具体的な構成を示す回路図
、第５図はその駆動回路の動作を示すタイムチャートお
よび絵素への印加電圧を示す波形図、第６図は薄膜ＥＬ
素子の一部切欠き斜視図、第７図は薄［ＥＬ素子の印加
電圧−輝度特性を示すグラフである。 １０Ａ・・・表示パネル、２ＯＡ、３０Ａ・・・走査側
スイッチング回路、４５Ａ・・・データ側スイッチング
回路、ＡＤ、、〜ＡＤ、・・・ドライバ、Ｄ１〜Ｄｉ・
・・ダイオード、Ｑ１〜Ｑｉ・・・Ｎ　ｃ　ｈ高耐圧Ｍ
Ｏ３ＦＥＴ（プルダウン用スイッチング素子）、１００
Ａ・・・プルダウン共通線電位切換回路（負極性書込み
電圧供給手段）、２０ＯＡ・・プルアンプ共通線電位切
換回路（正極性書込み電圧供給手段）、３００Ａ・・・
プルアップ共通線電位切換回路、４００Ａ・・変調電圧
供給回路 代理人　　弁理士　西教　圭一部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 互いに交差する方向に配列した複数の走査側電極と複数
   のデータ側電極との間にＥＬ発光層を介在させ、変調電
   圧供給手段からデータ側スイッチング手段を介して表示
   データに対応する変調電圧をデータ側電極に印加する一
   方、走査側電極には、変調電圧供給手段から変調電圧を
   印加しつつ負極性書込み電圧供給手段から走査側スイッ
   チング手段を介して負極性の書込み電圧を印加する第１
   態様駆動と、正極性書込み電圧供給手段から走査側スイ
   ッチング手段を介して正極性の書込み電圧を印加する第
   ２態様駆動とをフィールドごとに交互に行う表示駆動回
   路において、 データ側スイッチング手段は、 段階的に電位を上昇させながら変調電圧を供給する変調
   電圧供給手段にアノードが接線される一方、カソードが
   データ側電極に接続されたダイオードと、 そのダイオードのカソードと共通電位間に接続され、第
   １態様駆動では発光に相当する表示データに応じて遮断
   状態とし、非発光に相当する表示データに応じて導通状
   態とする一方、第２態様駆動では発光に相当する表示デ
   ータに応じて導通状態とし、非発光に相当する表示デー
   タに応じて遮断状態とするプルダウン用スイッチング素
   子とからなる複数の駆動回路を、各データ側電極に個別
   的に対応付けて構成したことを特徴とする薄膜ＥＬ表示
   装置の駆動回路。