JPH0240078B2 - Jiarukiruhosuhonaatojudotaioyobisonoseizoho - Google Patents

Jiarukiruhosuhonaatojudotaioyobisonoseizoho

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JPH0240078B2
JPH0240078B2 JP8278383A JP8278383A JPH0240078B2 JP H0240078 B2 JPH0240078 B2 JP H0240078B2 JP 8278383 A JP8278383 A JP 8278383A JP 8278383 A JP8278383 A JP 8278383A JP H0240078 B2 JPH0240078 B2 JP H0240078B2
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JP
Japan
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formula
ppm
dihydroquinoline
dialkylphosphonate
ethoxycarbonyl
Prior art date
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JP8278383A
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JPS59210096A (ja
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Kinya Akiba
Kenji Tsuzuki
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Tosoh Corp
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Tosoh Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明はジアルキルホスホナート誘導体及びそ
の製造法に関する。 本発明の化合物は新規な化合物であり殺菌剤と
しては有用である。 本発明は、一般式
【式】 (式中R1,R2,R3は、低級アルキル基を示す。)
で示されるジアルキルホスホナート誘導体(以下
本発明化合物という。)、及び一般式
【式】(式中R1,R3は、前 記に同じ、)で表わされる4―アルキル―1―エ
トキシカルボニル―1,2―ジヒドロキノリン―
2―ジアルキルホスホナート()をアルカリ金
属塩とし、次いでR2X(式中R2は、前記に同じ。
Xはハロゲンを示す。)で表わされるハロゲン化
アルキルと反応させることを特徴とする一般式
【式】(式中R1,R2,R3は 前記に同じ。)で表わされるジアルキルホスホナ
ート誘導体の製造法を提供するものである。次に
本発明化合物の製造法を更に詳しく述べる。 本発明化合物の製造に用いる原料である4―ア
ルキル―1―エトキシカルボニル―1,2―ジヒ
ドロキノリン―2―ジアルキルホスホナート
()は、テトラヘドロン レターズ
(Tetrahedron Letters,23巻、16号、1709―
1712頁(1982))に記載されている様にキノリン
とクロル炭酸エチルを反応させ次いでヨウ化ナト
リウム存在下に亜リン酸トリアルキルを反応させ
一般式
【式】(式中R3は、前記に 同じ)で表わされる1―エトキシカルボニル―
1,2―ジヒドロキノリン―2―ジアルキルホス
ホナート()とし、次いで該化合物をアルカリ
金属塩としR1X(式中R1は、前記に同じ)で表わ
されるハロゲン化アルキルと反応させることによ
り得られる。 この一般式()の化合物のほぼ当量のアルカ
リ金属と反応させて1,2―ジヒドロキノリン誘
導体のアルカリ金属塩に導びき、次いどほぼ当量
のハロゲン化アルキルと反応させることにより本
発明化合物()を製造することができる。 反応に際しては、一般に溶媒の存在下で行うこ
とが好ましい。 溶媒としては、例えばエーテル、イソプロピル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベ
ンゼン、トルエン又はキシレン等が用いられる。 アルカリ金属としては、例えばナトリウム、カ
リウム、リチウム、又はn―ブチルリチウム等及
びそのアルキル化合物又は水素化ナトリウム、ナ
トリウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド
等が用いられる。 反応温度は通常約−80℃〜室温の間を選択す
る。 次に実施例でもつて本発明を詳細に説明するが
本発明は、これら実施例のみに限定されるもので
はない。 実施例 1 冷却器、窒素吸き込み管、ラバーセプタムを付
した100mlの3口フラスコに1―エトキシカルボ
ニル―4―メチル―1,2―ジヒドロキノリン―
2―ジエチルホスホナート1gr,テトラヒドロフ
ラン15mlを取りドライアイス―アセトン浴にて−
78℃に冷却した。マグネチツクスターラーで撹拌
しつつ、フラスコ内を窒素で十分置換した。 次いで1.59M n―ブチルリチウム―n―ヘキ
サン溶液1.78mlを加え、30分撹拌した。その後、
ヨウ化メチル0.18mlを加え20分間撹拌し、ドライ
アイス―アセトン浴を取り除き室温まで昇温し、
1時間撹拌した。 反応終了後、テトラヒドロフランを留去し残留
に5%炭酸水素ナトリウム水溶液25mlを加え生成
物をジクロロメタンで抽出した。ジクロロメタン
溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ジクロロ
メタンを留去した。残留物をカラムクロマトグラ
フイ(シリカゲル、酢酸エチル:n―ヘキサン=
4:1展開溶媒)で精製して4,4―ジメチル―
1―エトキシカルボニル―1,4―ジヒドロキノ
リン―2―ジエチルホスホナート0.81grを得た。
n25 D1.5172) 赤外線吸収スペクトル(NaCl) 2980(C―H)、1720(C=O)、1260(P=O)、
1050,1020(P―O―C)cm-1 核磁気共鳴吸収スペクトル(CCl4、内部標準
TMS) δ 1.10〜1.60(m)ppm(15H) δ 3.70〜4.60(m)ppm( 6H) δ 6.30 (d)ppm( 1H) δ 7.00〜7.40(m)ppm( 3H) δ 7.70〜8.00(m)ppm( 1H) 元素分析(C18H26NO5Pとして) C H N 分析値(%) 58.79 7.36 3.69 理論値(%) 58.85 7.13 3.81 GC―MSSによる分子量 367 次に4,4―ジメチル―1―エトキシカルボニ
ル―1,4―ジヒドロキノリン―2―ジエチルホ
スホナートの殺菌剤としての使用例を示す。4,
4―ジメチル―1―エトキシカルボニル―1,4
―ジヒドロキノリン―2―ジエチルホスホナート
を10%のメタノール水溶液に溶解し、さらにツイ
ーン20〔商品名、花王アトラス(株)製〕を添加
300ppmの濃度の薬剤を調製した。300ppmの薬剤
を小麦苗に噴霧し、30時間後に黒サビ病菌
(Puccinia graminis tritis race)を接種し温室
内で育てた。2週間後に観察したところ病害は、
全く認められなかつた。またウドンコ病菌
(Erysiple graminis)に対しても効果が認められ
た。 実施例 2 実施例1と同一の反応装置に1―エトキシカル
ボニル―4―メチル―1,2―ジヒドロキノリン
―2―ジエチルホスホナート1gr、テトラヒドロ
フラン15mlを取り、ドライアイス―アセトン浴に
て−78℃に冷却した。マグネチツクスターラーで
撹拌しつつ、フラスコ内を窒素で十分置換した。 次いで1.55M―n―ブチルリチウム―ヘキサン
溶液を1.83ml加え、30分間撹拌した。その後、臭
化エチル0.21mlを加え、20分間撹拌し、ドライア
イス―アセトン浴を取り除き室温まで昇温し、1
時間撹拌した。 反応終了後、実施例1と同一の操作を行い、1
―エトキシカルボニル―4―エチル―4―メチル
―1,4―ジヒドロキノリン―2―ジエチルホス
ホナート0.55grを得た。(n25 D1.5186) 赤外線吸収スペクトル(NaCl) 2970(C―H)、1716(C=O)、1250(P=O)、
1050,1020(P―O―C)cm-1 核磁気共鳴吸収スペクトル(CCl4、内部標準
TMS) δ 0.60〜1.90(m)ppm(17H) δ 3.48〜4.48(m)ppm( 6H) δ 6.12 (d)ppm( 1H) δ 6.73〜7.33(m)ppm( 3H) δ 7.57〜7.96(m)ppm( 1H) 元素分析値(C19H26NO5P) C H N 分析値(%) 59.80 7.44 3.71 理論値(%) 59.83 7.40 3.67 GC―MSSによる分子量 381 実施例 3 実施例1と同一の反応装置に1―エトキシカル
ボニル―1,2―ジヒドロキノリン―2―ジイソ
プルホスホナート1gr、テトラヒドロフラン20ml
を取りドライアイス―アセトン浴にて−78℃に冷
却した。マグネチツクスターラーで撹拌しつつ、
フラスコ内を窒素で十分置換した。 次いで1.59M―n―ブチルリチウム―n―ヘキ
サン溶液2.03mlを加え30分間撹拌した。さらにヨ
ウ化メチル0.17mlを加え20分間撹拌しドライアイ
ス―アセトン浴を取り除き室温まで昇温し1時間
撹拌した。 再びドライアイス―アセトン浴にて−78℃に冷
却し1.59M―n―ブチルリチウム―n―ヘキサン
溶液2.03ml、ヨウ化メチルを0.17ml加え同様の反
応を行つた。 反応終了後は、実施例1と同一の操作を行い
4,4―ジメチル―1―エトキシカルボニル―
1,4―ジヒドロキノリン―2―ジイソプロピル
ホスホナート0.5grを得た。(n25 D1.5045) 赤外線吸収スペクトル(NaCl) 2975(C―H)、1720(C=O)、1260(P=O)、
1010,980(P―O―C)cm-1 核磁気共鳴吸収スペクトル(CCl4内部標準
TMS) δ 1.00〜1.88(m)ppm(21H) δ 4.00〜5.00(m)ppm( 4H) δ 6.33 (d)ppm( 1H) δ 6.93〜7.43(m)ppm( 3H) δ 7.60〜8.00(m)ppm( 1H) 元素分析値(C20H30NO5Pとして) C H N 分析値(%) 60.81 7.60 3.57 理論値(%) 60.75 7.65 3.54 GC―MSSによる分子量 395

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式【式】(式中 R1,R2,R3は、低級アルキル基を示す。)で表わ
    されるジアルキルホスホナート誘導体。 2 一般式【式】(式中 R1,R3は低級アルキル基を示す。)で表わされる
    4―アルキル―1―エトキシカルボニル―1,2
    ―ジヒドロキノリン―2―ジアルキルホスホナー
    トをアルカリ金属塩とし、次いでR2X(式中R2
    は、前記に同じ、Xはハロゲンを示す。)で表わ
    されるハロゲン化アルキルと反応させることを特
    徴とする一般式 【式】(式中R1,R2,R3は 低級アルキル基を示す。)で表わされるジアルキ
    ルホスホナート誘導体の製造法。
JP8278383A 1983-05-13 1983-05-13 Jiarukiruhosuhonaatojudotaioyobisonoseizoho Expired - Lifetime JPH0240078B2 (ja)

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