JPH0240749B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0240749B2 JPH0240749B2 JP60209020A JP20902085A JPH0240749B2 JP H0240749 B2 JPH0240749 B2 JP H0240749B2 JP 60209020 A JP60209020 A JP 60209020A JP 20902085 A JP20902085 A JP 20902085A JP H0240749 B2 JPH0240749 B2 JP H0240749B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- gold
- based alloy
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
- B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
- C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/623—Porosity of the layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/02—Manufacture or treatment of conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. of metal plates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/17—Containers or parts thereof characterised by their materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12889—Au-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12937—Co- or Ni-base component next to Fe-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体部品のようなめつきした部
品およびその製造方法に関する。
品およびその製造方法に関する。
半導体装置用の容器のハーメチツク・シール・
カバーについては、Hascoeのもつ米国特許第
3874549号、第3946190号および第3823468号にお
いて、その製造方法および封止容器の製造方法が
記述されている。このようなシール・カバー（す
なわちふた）、ラダー・フレイムおよび金属被覆
したセラミツク容器の製造に用いられる他の金属
部品は従来電気めつきされており、その理由の一
つは、食塩雰囲気中での耐食性のある容器を提供
するためである。このような、完成容器が具備す
る必要のある一つの典型的な規格はMil−期格−
883Cの方法1009.4、試験条件Ａ、食塩雰囲気（腐
食）である。
カバーについては、Hascoeのもつ米国特許第
3874549号、第3946190号および第3823468号にお
いて、その製造方法および封止容器の製造方法が
記述されている。このようなシール・カバー（す
なわちふた）、ラダー・フレイムおよび金属被覆
したセラミツク容器の製造に用いられる他の金属
部品は従来電気めつきされており、その理由の一
つは、食塩雰囲気中での耐食性のある容器を提供
するためである。このような、完成容器が具備す
る必要のある一つの典型的な規格はMil−期格−
883Cの方法1009.4、試験条件Ａ、食塩雰囲気（腐
食）である。
前記の特許に記述されているシール・カバーは
従来電気めつきした基地材料で作製されている。
基地材料は普通共に鉄を主成分とするコバールあ
るいはAlloy４２である。電気めつき工程は基地
材料にニツケルをめつきし、次に金をめつきする
ものである。そのようなカバーの製造とめつきの
方法はHasoeのもつ米国特許第4284481号で開示
されており、めつきしたカバーはHascoeのもつ
米国特許第4243729号で開示されている。上記の
Hascoeの特許はすべて特に参考としてここに引
用した。
従来電気めつきした基地材料で作製されている。
基地材料は普通共に鉄を主成分とするコバールあ
るいはAlloy４２である。電気めつき工程は基地
材料にニツケルをめつきし、次に金をめつきする
ものである。そのようなカバーの製造とめつきの
方法はHasoeのもつ米国特許第4284481号で開示
されており、めつきしたカバーはHascoeのもつ
米国特許第4243729号で開示されている。上記の
Hascoeの特許はすべて特に参考としてここに引
用した。
これまでの製造経験では、食塩雰囲気中での腐
食試験に合格するのは極めて難しく、また得られ
た結果の再現性は低い。
食試験に合格するのは極めて難しく、また得られ
た結果の再現性は低い。
半導体容器部品のような金属部品の電気めつき
で生成する被覆は極めて薄い。厚さは普通100〜
500μin（約３〜13μｍ）である。このように薄いめ
つき層は多孔質であつて、そのために基地の金属
表面からめつき層の外表面まで貫通する小さなピ
ン・ホールが残存する。ナトリウムイオンおよび
塩素イオンが存在する食塩雰囲気は腐食性が強
い。各イオンは基地金属を構成する鉄および他の
成分と反応して酸化物を形成する。食塩雰囲気は
上記の小さいピン・ホールに浸透して電気めつき
した金属部品の腐食を起こし、前述の規格を満た
すことができなくなる。
で生成する被覆は極めて薄い。厚さは普通100〜
500μin（約３〜13μｍ）である。このように薄いめ
つき層は多孔質であつて、そのために基地の金属
表面からめつき層の外表面まで貫通する小さなピ
ン・ホールが残存する。ナトリウムイオンおよび
塩素イオンが存在する食塩雰囲気は腐食性が強
い。各イオンは基地金属を構成する鉄および他の
成分と反応して酸化物を形成する。食塩雰囲気は
上記の小さいピン・ホールに浸透して電気めつき
した金属部品の腐食を起こし、前述の規格を満た
すことができなくなる。
半導体容器の電気めつき被覆として最も一般的
に行なわれるのは、基地金属にニツケルめつき
し、その上から金めつきをするものである。ニツ
ケルは、ロー付け封止中生じるような高温下で、
金が基地金属中に拡散するのを防ぐ拡散バリヤー
として作用する。ニツケルは腐食に対するバリヤ
ーとしても作用する。外側の金被覆は２つの機能
をもつ。金被覆は容器のロー付けのために酸化物
のない表面を維持し、およびその耐酸化性による
腐食のバリヤーとして作用する。基地層上に純ニ
ツケルの層を100μin（約2.5μｍ）めつきし、次に
純金の層を50μin（約1.3μｍ）めつきするのが典型
的な方法である。
に行なわれるのは、基地金属にニツケルめつき
し、その上から金めつきをするものである。ニツ
ケルは、ロー付け封止中生じるような高温下で、
金が基地金属中に拡散するのを防ぐ拡散バリヤー
として作用する。ニツケルは腐食に対するバリヤ
ーとしても作用する。外側の金被覆は２つの機能
をもつ。金被覆は容器のロー付けのために酸化物
のない表面を維持し、およびその耐酸化性による
腐食のバリヤーとして作用する。基地層上に純ニ
ツケルの層を100μin（約2.5μｍ）めつきし、次に
純金の層を50μin（約1.3μｍ）めつきするのが典型
的な方法である。
めつきした部品の耐食性を増すためには、基地
上に堆積する金の量を増さなくてはならないと考
えられる。しかし、これはめつきした部品のコス
トを著しく上げることになろうし、明瞭は耐食性
の向上を見るまでには金層の厚さを相当増す必要
がある。食塩雰囲気中での耐食性の良いめつき部
品およびその製造方法の提供が望まれている。ま
た、必要な耐食性を備えた部品が、経済的な不利
益を伴なわずに供給されることが望まれている。
上に堆積する金の量を増さなくてはならないと考
えられる。しかし、これはめつきした部品のコス
トを著しく上げることになろうし、明瞭は耐食性
の向上を見るまでには金層の厚さを相当増す必要
がある。食塩雰囲気中での耐食性の良いめつき部
品およびその製造方法の提供が望まれている。ま
た、必要な耐食性を備えた部品が、経済的な不利
益を伴なわずに供給されることが望まれている。
本発明により提供されるめつきした金属部品の
一つは、基地金属層、該基地金属の上にめつきし
たニツケル又はニツケル基合金の第１層、ニツケ
ル又はニツケル基合金の該第１層の上にめつきし
た金又は金基合金の第１層、金又は金基合金の該
第１層の上にめつきしたニツケル又はニツケル基
合金の第２層、およびニツケル又はニツケル基合
金の該第２層の上にめつきした金又は金基合金の
第２層からなる。
一つは、基地金属層、該基地金属の上にめつきし
たニツケル又はニツケル基合金の第１層、ニツケ
ル又はニツケル基合金の該第１層の上にめつきし
た金又は金基合金の第１層、金又は金基合金の該
第１層の上にめつきしたニツケル又はニツケル基
合金の第２層、およびニツケル又はニツケル基合
金の該第２層の上にめつきした金又は金基合金の
第２層からなる。
次に、本発明により提供されるめつきした金属
部品の一つは、金属の標準電位列中である標準電
位をもつ基地金属を主金属成分とする基地金属
層、該基地金属層の上にめつきされ且つ基地金属
よりも標準電位の高い第１の金属を主金属成分と
する第１金属成分をもつ第１金属層、第１金属層
の上にめつきされ且つ第１金属よりも標準電位の
高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分
をもつ第２金属層、第２金属層の上にめつきされ
且つ第２金属層よりも標準電位の低い第３の金属
を主金属成分とする第３金属成分をもつ第３金属
層、および第３金属層の上にめつきされ且つ第３
金属よりも標準電位の高い第４の金属を主金属層
成分とする第４金属成分をもつ第４金属層から成
る。
部品の一つは、金属の標準電位列中である標準電
位をもつ基地金属を主金属成分とする基地金属
層、該基地金属層の上にめつきされ且つ基地金属
よりも標準電位の高い第１の金属を主金属成分と
する第１金属成分をもつ第１金属層、第１金属層
の上にめつきされ且つ第１金属よりも標準電位の
高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分
をもつ第２金属層、第２金属層の上にめつきされ
且つ第２金属層よりも標準電位の低い第３の金属
を主金属成分とする第３金属成分をもつ第３金属
層、および第３金属層の上にめつきされ且つ第３
金属よりも標準電位の高い第４の金属を主金属層
成分とする第４金属成分をもつ第４金属層から成
る。
次に、本発明により提供される、金属部品のめ
つき方法の一つは、基地金属層上のニツケル又は
ニツケル基合金の第１層のめつき、ニツケル又は
ニツケル基合金の第１層上の金又は金基合金の第
１層のめつき、金又は金基合金の第１層上のニツ
ケル又はニツケル基合金の第２層のめつき、ニツ
ケル又はニツケル基合金の第２層上の金又は金基
合金の第２層のめつきの各工程からなる。
つき方法の一つは、基地金属層上のニツケル又は
ニツケル基合金の第１層のめつき、ニツケル又は
ニツケル基合金の第１層上の金又は金基合金の第
１層のめつき、金又は金基合金の第１層上のニツ
ケル又はニツケル基合金の第２層のめつき、ニツ
ケル又はニツケル基合金の第２層上の金又は金基
合金の第２層のめつきの各工程からなる。
次に、本発明により供給される、耐食性を向上
させるための、金属部品のめつき方法の一つは、
基地金属層にニツケル又はニツケル基合金の層を
めつきし、このニツケル層上にあらかじめ決定し
た第１の厚さまで金の層をめつきするものであつ
て、改良した内容は下記のものから成る。すなわ
ち、ニツケル又はニツケル基合金の層上に、あら
かじめ決定した第２の厚さまで金又は金基合金の
層をめつきすること、この金又は金基合金の層上
にニツケル又はニツケル基合金の第２層をめつき
すること、そして、ニツケル又はニツケル基合金
の第２層上に、あらかじめ決定した第３の厚さま
で金又は金基合金の第２層をめつきすることであ
つて、あらかじめ決定した第２および第３の厚さ
の和は、あらかじめ決定した第１の厚さにほぼ等
しく、これによつて金属部品の耐食性は向上す
る。
させるための、金属部品のめつき方法の一つは、
基地金属層にニツケル又はニツケル基合金の層を
めつきし、このニツケル層上にあらかじめ決定し
た第１の厚さまで金の層をめつきするものであつ
て、改良した内容は下記のものから成る。すなわ
ち、ニツケル又はニツケル基合金の層上に、あら
かじめ決定した第２の厚さまで金又は金基合金の
層をめつきすること、この金又は金基合金の層上
にニツケル又はニツケル基合金の第２層をめつき
すること、そして、ニツケル又はニツケル基合金
の第２層上に、あらかじめ決定した第３の厚さま
で金又は金基合金の第２層をめつきすることであ
つて、あらかじめ決定した第２および第３の厚さ
の和は、あらかじめ決定した第１の厚さにほぼ等
しく、これによつて金属部品の耐食性は向上す
る。
更に、本発明により提供される、金属部品のめ
つき方法の一つは下記のことから成る。すなわ
ち、金属の標準電位列中ある一定の標準電位をも
つ金属を主金属成分とする基地金属層上に、基地
金属よりも高い標準電位をもつ第１の金属を主金
属成分とする第１金属成分の第１層をめつきする
こと、第１層上に、第１の金属よりも標準電位の
高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分
の第２層をめつきすること、第２層上に、第２の
金属よりも標準電位の低い第３の金属を主金属成
分とする第３金属成分の第３層をめつきするこ
と、および第３層上に、第３の金属よりも標準電
位の高い第４の金属を主金属成分とする第４金属
成分の第４層をめつきすること、である。
つき方法の一つは下記のことから成る。すなわ
ち、金属の標準電位列中ある一定の標準電位をも
つ金属を主金属成分とする基地金属層上に、基地
金属よりも高い標準電位をもつ第１の金属を主金
属成分とする第１金属成分の第１層をめつきする
こと、第１層上に、第１の金属よりも標準電位の
高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分
の第２層をめつきすること、第２層上に、第２の
金属よりも標準電位の低い第３の金属を主金属成
分とする第３金属成分の第３層をめつきするこ
と、および第３層上に、第３の金属よりも標準電
位の高い第４の金属を主金属成分とする第４金属
成分の第４層をめつきすること、である。
基地金属上のニツケル・金属のめつきを更にも
う一度施すことによつて、金の総厚さは従来のニ
ツケル・金めつきした部品とほぼ同じで、部品の
耐食性が著しく向上するということは驚くべき発
見である。
う一度施すことによつて、金の総厚さは従来のニ
ツケル・金めつきした部品とほぼ同じで、部品の
耐食性が著しく向上するということは驚くべき発
見である。
塩水噴霧試験に合格し、しかも金についての種
種の厚さ規格にも適合するめつき部品が、まず基
地金属上に従来の厚さでニツケルをメツキし、次
にニツケル上に金を、金の総めつき厚さの約半分
までめつきし、次に、金の上にもう一度ニツケル
をはじめとほぼ同じ厚さにめつきし、次にこのニ
ツケルの第２層の上に金の第２層を、金の総めつ
き厚さの約半分までめつきする方法で製造できる
ことは驚くべき発見である。この方法では金の総
使用量は従来製品での使用量とほぼ等しい。
種の厚さ規格にも適合するめつき部品が、まず基
地金属上に従来の厚さでニツケルをメツキし、次
にニツケル上に金を、金の総めつき厚さの約半分
までめつきし、次に、金の上にもう一度ニツケル
をはじめとほぼ同じ厚さにめつきし、次にこのニ
ツケルの第２層の上に金の第２層を、金の総めつ
き厚さの約半分までめつきする方法で製造できる
ことは驚くべき発見である。この方法では金の総
使用量は従来製品での使用量とほぼ等しい。
これを図で説明する。第１図および第２図に本
発明の多層めつき法でめつきしたシール用ふたす
なわちカバー１０を示す。シール用ふた１０は基
地材料１２を含む。基地材料１２は鉄基合金製の
基地金属であることが望ましい。最も望ましい基
地金属はAlloy４２、コバール合金（＝AlloyF−
15）等として知られているものである。コバール
合金（AlloyF−15）は、たとえばCarpenter
Technology Corporation（米国）からガラスお
よびセラミツクの封止用合金としてCarpenter
Kovar の名称で市販されており、実質的にFe
−Ni−Co合金であつて、代表的な組成はNi：
29.00％、Co：17.00％、Ｃ：0.02％、以下、
Mn：0.30％、Si：0.20％、残部Feである。
Alloy42は、たとえば同社からやはりガラスおよ
びセラミツク封止用合金としてCarpenter Glass
Sealing“42”の名称で市販されており、実質的に
Fe−Ni合金であつて、代表的な粗成はNi：41
％、Ｃ：0.05％以下、Mn：0.4％、Si：0.2％、残
部Feである。基地材料１０の厚さは必要に応じ
た任意の厚さでよい。基地材料の典型的な厚さは
約10000μin（0.01in、（約0.25mm））である。
発明の多層めつき法でめつきしたシール用ふたす
なわちカバー１０を示す。シール用ふた１０は基
地材料１２を含む。基地材料１２は鉄基合金製の
基地金属であることが望ましい。最も望ましい基
地金属はAlloy４２、コバール合金（＝AlloyF−
15）等として知られているものである。コバール
合金（AlloyF−15）は、たとえばCarpenter
Technology Corporation（米国）からガラスお
よびセラミツクの封止用合金としてCarpenter
Kovar の名称で市販されており、実質的にFe
−Ni−Co合金であつて、代表的な組成はNi：
29.00％、Co：17.00％、Ｃ：0.02％、以下、
Mn：0.30％、Si：0.20％、残部Feである。
Alloy42は、たとえば同社からやはりガラスおよ
びセラミツク封止用合金としてCarpenter Glass
Sealing“42”の名称で市販されており、実質的に
Fe−Ni合金であつて、代表的な粗成はNi：41
％、Ｃ：0.05％以下、Mn：0.4％、Si：0.2％、残
部Feである。基地材料１０の厚さは必要に応じ
た任意の厚さでよい。基地材料の典型的な厚さは
約10000μin（0.01in、（約0.25mm））である。
ニツケル又はニツケル基合金の第１層１４は、
バレルめつき、ストリツプめつき、ラツクめつき
あるいはこれらの組合せ等を含む従来の何らかの
めつき法で基地材料１２にめつきされている。バ
レルめつきにおけるニツケル層１４のいわゆる
“犬の骨（dog bone）”型の厚さ分布を第２図に
示す。ニツケル層１４の厚さは中央部で測定して
10〜300μCin（0.3〜7.6μｍ）の範囲にあることが
望ましく、約50〜200μin（約1.3〜5μｍ）の範囲に
あれば更に望ましい。ここに参照する層の厚さは
すべて層の中央部の厚さである。ニツケル層１４
の最も望ましい厚さは、約100μin（2.5μｍ）であ
る。金又は金基合金の第１層１６も何らかの従来
法でニツケル層１４の上にめつきされる。ただ
し、図にはバレルめつきした部品の断面形状を示
す。金層１６の厚さは５〜150μin（0.13〜3.8μｍ）
の範囲にあることが望ましく、約10〜75μin（約
0.25〜1.9μｍ）の範囲にあれば更に望ましい。金
層１６の最も望ましい厚さは中央部で25μin
（0.64μｍ）である。ニツケル又はニツケル基合金
の第２層１８は電気めつき法により金層１６の上
にめつきされ、その厚さは層１４について示した
範囲にあることが望ましい。ニツケル層１８の厚
さは第１のニツケル層１４とほぼ等しいことが望
ましい。金又は金基合金の第２層２０は電気めつ
き法によりニツケル層１８の上にめつきされ、そ
の厚さは層１６について示した範囲にあることが
望ましい。この方法による製品は塩水噴霧雰囲気
での腐食が著しく減少する。
バレルめつき、ストリツプめつき、ラツクめつき
あるいはこれらの組合せ等を含む従来の何らかの
めつき法で基地材料１２にめつきされている。バ
レルめつきにおけるニツケル層１４のいわゆる
“犬の骨（dog bone）”型の厚さ分布を第２図に
示す。ニツケル層１４の厚さは中央部で測定して
10〜300μCin（0.3〜7.6μｍ）の範囲にあることが
望ましく、約50〜200μin（約1.3〜5μｍ）の範囲に
あれば更に望ましい。ここに参照する層の厚さは
すべて層の中央部の厚さである。ニツケル層１４
の最も望ましい厚さは、約100μin（2.5μｍ）であ
る。金又は金基合金の第１層１６も何らかの従来
法でニツケル層１４の上にめつきされる。ただ
し、図にはバレルめつきした部品の断面形状を示
す。金層１６の厚さは５〜150μin（0.13〜3.8μｍ）
の範囲にあることが望ましく、約10〜75μin（約
0.25〜1.9μｍ）の範囲にあれば更に望ましい。金
層１６の最も望ましい厚さは中央部で25μin
（0.64μｍ）である。ニツケル又はニツケル基合金
の第２層１８は電気めつき法により金層１６の上
にめつきされ、その厚さは層１４について示した
範囲にあることが望ましい。ニツケル層１８の厚
さは第１のニツケル層１４とほぼ等しいことが望
ましい。金又は金基合金の第２層２０は電気めつ
き法によりニツケル層１８の上にめつきされ、そ
の厚さは層１６について示した範囲にあることが
望ましい。この方法による製品は塩水噴霧雰囲気
での腐食が著しく減少する。
この多層法が部品に対する貴金属の使用量が等
しくて腐食の低減に効果を有する厳密な理由は明
らかでないが、腐食の低減を説明すると思われる
機構は二つある。
しくて腐食の低減に効果を有する厳密な理由は明
らかでないが、腐食の低減を説明すると思われる
機構は二つある。
一つの機構は、腐食の原因となるガルバーニ反
応（電食）に基ずくものである。第３図には、基
地層のコバール１２の上のめつき層中に溝２２が
示してある。この溝は層１２の表面上の欠陥又は
ニツケル層１４の中にあいた孔から生じた可能性
がある。金層１６はこの孔を埋めておらず、仮に
第１のニツケル層１４と第１の金層１６のみでめ
つきを終了したとすれば腐食が発生する。金と基
地金属元素（鉄、ニツケル、コバルト）は化学電
池として作用し、電解反応によつて基地金属元素
は表面に輸送され酸化される。場合によつては腐
食が急速に進行し、基地層内に深い孔が生成す
る。金属の標準電位は正であり、負の標準電位を
もつ鉄のイオンは、金と鉄の起電力（EMF）差
によつて金の表面に輸送される。
応（電食）に基ずくものである。第３図には、基
地層のコバール１２の上のめつき層中に溝２２が
示してある。この溝は層１２の表面上の欠陥又は
ニツケル層１４の中にあいた孔から生じた可能性
がある。金層１６はこの孔を埋めておらず、仮に
第１のニツケル層１４と第１の金層１６のみでめ
つきを終了したとすれば腐食が発生する。金と基
地金属元素（鉄、ニツケル、コバルト）は化学電
池として作用し、電解反応によつて基地金属元素
は表面に輸送され酸化される。場合によつては腐
食が急速に進行し、基地層内に深い孔が生成す
る。金属の標準電位は正であり、負の標準電位を
もつ鉄のイオンは、金と鉄の起電力（EMF）差
によつて金の表面に輸送される。
これに対して本発明では、第２のニツケル層１
８と第２の金層２０を有し、二つの金層の間で
EMFの差はないから、たとえば第２の金属の表
面への鉄イオンの輸送は生じない。これはニツケ
ルの起電力が金のそれよりも低いからである。金
属酸化物が溝を満たし金属１６まで達してしまえ
ば、それ以後腐食反応の起きない。溝の直径は非
常に小さいため、金層１６でガルバーニ反応が停
止したことによつて、観察し得るほどの腐食は起
きない。
８と第２の金層２０を有し、二つの金層の間で
EMFの差はないから、たとえば第２の金属の表
面への鉄イオンの輸送は生じない。これはニツケ
ルの起電力が金のそれよりも低いからである。金
属酸化物が溝を満たし金属１６まで達してしまえ
ば、それ以後腐食反応の起きない。溝の直径は非
常に小さいため、金層１６でガルバーニ反応が停
止したことによつて、観察し得るほどの腐食は起
きない。
腐食部位の減少を説明する第二の機構は、連続
しためつき層の各々が内側のめつき層の多孔質欠
陥を被覆する統計的確率である。各連続層にはそ
れ自体の溝の部位があるが、これが他の層の欠陥
と合致する確率は極めて小さい。
しためつき層の各々が内側のめつき層の多孔質欠
陥を被覆する統計的確率である。各連続層にはそ
れ自体の溝の部位があるが、これが他の層の欠陥
と合致する確率は極めて小さい。
腐食の低減はこの二つの機構によるものと思わ
れる。連続してニツケルと金の第３層をめつきす
れば、腐食の起きる確率は更に小さくなる。多層
化の原理はこのようにして腐食の低減のための二
組以上の連続めつきにまで拡張される。
れる。連続してニツケルと金の第３層をめつきす
れば、腐食の起きる確率は更に小さくなる。多層
化の原理はこのようにして腐食の低減のための二
組以上の連続めつきにまで拡張される。
第４図に本発明の方法を概略図で示す。すなわ
ち、ニツケルめつき槽２４の中で基地層１２に第
１のニツケルめつきを施し、次に金めつき槽２６
まで進み、そこで第１ニツケル層の上に第１金層
をめつきし、次にニツケルめつき槽２８まで進
み、そこで第２ニツケル層をめつきし、次に金め
つき槽３０まで進み、そこで第２金層をめつきす
る。多層めつきの組合せを追加するためには、め
つき工程の組合せを追加する必要があることは明
らかである。始めに述べたように、バレルめつ
き、ストリツプめつき、ラツクめつき等、従来の
電気めつき法はすべて適用できる。たとえば、
個々のふたにバレルめつき又はラツクめつきによ
り個々のめつき層をめつきすることができる。全
ての層をこのような方法の一つでめつきすること
ができるし、あるいはめつき法を混在させること
もできる。たとえば、基地材料のストリツプには
じめの二層をストリツプめつきでめつきし、この
ストリツプからふた（又は他の部品）を打抜きで
作製し、最後の多層の組をバレルめつきでめつき
することができる。
ち、ニツケルめつき槽２４の中で基地層１２に第
１のニツケルめつきを施し、次に金めつき槽２６
まで進み、そこで第１ニツケル層の上に第１金層
をめつきし、次にニツケルめつき槽２８まで進
み、そこで第２ニツケル層をめつきし、次に金め
つき槽３０まで進み、そこで第２金層をめつきす
る。多層めつきの組合せを追加するためには、め
つき工程の組合せを追加する必要があることは明
らかである。始めに述べたように、バレルめつ
き、ストリツプめつき、ラツクめつき等、従来の
電気めつき法はすべて適用できる。たとえば、
個々のふたにバレルめつき又はラツクめつきによ
り個々のめつき層をめつきすることができる。全
ての層をこのような方法の一つでめつきすること
ができるし、あるいはめつき法を混在させること
もできる。たとえば、基地材料のストリツプには
じめの二層をストリツプめつきでめつきし、この
ストリツプからふた（又は他の部品）を打抜きで
作製し、最後の多層の組をバレルめつきでめつき
することができる。
実施例 １
0.505in（約12.8mm）四方のシール用ふたをコバ
ール合金シールから打抜いた。ふたは表面を平滑
にした後、バレルめつき装置内で下記の工程でめ
つきした。すなわち、コバール合金上にニツケル
を公称100μin（約2.5μｍ）、このニツケル上に金
（純度99.99％）を公称25μin（約0.6μｍ）、この金
上にニツケルを公称100μin（約2.5μｍ）そしてこ
のニツケル上に金（純度99.99％）を公称25μin
（約0.6μｍ）めつきした。５個のふたを切断して
実測しためつき厚さの平均値は次のとおりであ
る。
ール合金シールから打抜いた。ふたは表面を平滑
にした後、バレルめつき装置内で下記の工程でめ
つきした。すなわち、コバール合金上にニツケル
を公称100μin（約2.5μｍ）、このニツケル上に金
（純度99.99％）を公称25μin（約0.6μｍ）、この金
上にニツケルを公称100μin（約2.5μｍ）そしてこ
のニツケル上に金（純度99.99％）を公称25μin
（約0.6μｍ）めつきした。５個のふたを切断して
実測しためつき厚さの平均値は次のとおりであ
る。
第１ニツケル層＝118μin（約3μｍ）
第１金層＝22μin（約0.6μｍ）
第２ニツケル層＝105μin（約2.7μｍ）
第２金層＝27μin（約0.7μｍ）
上記のめつきしたふた20個を１群として食塩雰
囲気の槽中で、Mil−規格883C、方法1009.4、試
験条件Ａ（24時間）にしたがつて試験した。この
20個のふたの耐食性を、ライツTASイメージ・
アナライザーでこれまでのふたの測定によつて開
発した比較チヤートを使つて測定した。平均腐食
面積率は、0.1％未満であつた。上記規格では金
属表面の５％を越える明瞭な腐食があれば不合格
であると規定しているから、これらのふたがこの
試験に合格したことは明白である。
囲気の槽中で、Mil−規格883C、方法1009.4、試
験条件Ａ（24時間）にしたがつて試験した。この
20個のふたの耐食性を、ライツTASイメージ・
アナライザーでこれまでのふたの測定によつて開
発した比較チヤートを使つて測定した。平均腐食
面積率は、0.1％未満であつた。上記規格では金
属表面の５％を越える明瞭な腐食があれば不合格
であると規定しているから、これらのふたがこの
試験に合格したことは明白である。
比較として、従来のめつき法でニツケルを
140μin（約3.6μｍ）、金を60μin（約1.5μｍ）めつ
き
したふたでは、平均の腐食値が２％であつた。し
かし、このような平均腐食値は２から５％の範囲
で変動することがあり、５％を越る場合があるか
ら、その場合は上記試験に不合格となる。
140μin（約3.6μｍ）、金を60μin（約1.5μｍ）めつ
き
したふたでは、平均の腐食値が２％であつた。し
かし、このような平均腐食値は２から５％の範囲
で変動することがあり、５％を越る場合があるか
ら、その場合は上記試験に不合格となる。
以上のように、本発明は塩分雰囲気中での耐食
性を向上させためつき部品を提供するとともに、
そのような部品の製造方法をも提供するものであ
る。この部品は、半導体容器のシール用カバーの
ような半導体の構成要素に好適である。本発明の
部品は、実質的な金の使用量を増さず、経済的な
不利益を伴うことなく供給される。
性を向上させためつき部品を提供するとともに、
そのような部品の製造方法をも提供するものであ
る。この部品は、半導体容器のシール用カバーの
ような半導体の構成要素に好適である。本発明の
部品は、実質的な金の使用量を増さず、経済的な
不利益を伴うことなく供給される。
第１図は本発明に従つてめつきしたシール用ふ
たの遠近図である。第２図は、第１図のシール用
ふたの断面図であり、明瞭に図化するためにめつ
き層の厚さは著しく誇張してある。第３図は、従
来技術によるシール用ふたの断面であり、めつき
層中の溝は腐食の影響を示すものであつて、明瞭
に図化するためにめつき層の厚さは著しく誇張し
てある。第４図は本発明の方法の概略図である。
たの遠近図である。第２図は、第１図のシール用
ふたの断面図であり、明瞭に図化するためにめつ
き層の厚さは著しく誇張してある。第３図は、従
来技術によるシール用ふたの断面であり、めつき
層中の溝は腐食の影響を示すものであつて、明瞭
に図化するためにめつき層の厚さは著しく誇張し
てある。第４図は本発明の方法の概略図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基地金属層、当該基地金属の上にめつきされ
たニツケル又はニツケル基合金の第１層、当該ニ
ツケル又はニツケル基合金の第１層の上にめつき
された金又は金基合金の第１層、当該金又は金基
合金の第１層の上にめつきされたニツケル又はニ
ツケル基台金の第２層および当該ニツケル又はニ
ツケル基台金の第２層の上にめつきされた金又は
金基合金の第２層を具備することを特徴とするめ
つきした金属部品。 ２ 前記基地金属層が鉄基合金から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のめつきした
金属部品。 ３ 前記鉄基合金が、AlloyF−15又はAlloy42か
ら成る群から選択されることを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のめつきした金属部品。 ４ 前記鉄基合金がAlloyF−15であることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載のめつきした
金属部品。 ５ 前記第１ニツケル層および第２ニツケル層の
厚さが各々10から300μin（0.3から7.6μｍ）であつ
て、第１金層および第２金層の厚さが各々５から
150μin（0.1から3.8μｍ）であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のめつきした金属部
品。 ６ 前記第１ニツケル層と第２ニツケル層の厚さ
が実質的に等しく、第１金層と第２金層の厚さが
実質的に等しいことを特徴とする特許請求の範囲
第５項記載のめつきした金属部品。 ７ 前記金属部品が半導体部品であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のめつきした金
属部品。 ８ 前記金属部品が半導体容器のためのハーメチ
ツク・シール用カバーであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のめつきした金属部品。 ９ 前記基地金属層が鉄基合金から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第８項記載のめつきした
金属部品。 １０ 前記鉄基合金がAlloyF−15又はAlloy42か
ら成る群から選択されることを特徴とする特許請
求の範囲第９項記載のめつきした金属部品。 １１ 前記鉄基合金がAlloyF−15であることを
特徴とする特許請求の範囲第１０項記載のめつき
した金属部品。 １２ 前記第１ニツケル層および第２ニツケル層
の厚さが各々10から300μin（0.3から7.6μｍ）であ
つて、第１金層および第２金層の厚さが各々５か
ら150μin（0.1から3.8μｍ）であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１１項記載のめつきした金属
部品。 １３ 前記第１ニツケル層と第２ニツケル層の厚
さが実質的に等しく、第１金層と第２金層の厚さ
が実質的に等しいことを特徴とする特許請求の範
囲第１２項記載のめつきした金属部品。 １４ 各々のニツケル層の厚さが100μin（2.5μｍ）
であつて、各々の金層の厚さが25μin（0.6μｍ）で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１３項記
載のめつきした金属部品。 １５ 金又は金基合金の第２層の上にニツケル又
はニツケル基合金の第３層をめつきし、かつ当該
ニツケル又はニツケル基合金の第３層の上に金又
は金基合金の第３層をめつきすることを追加する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のめ
つきした金属部品。 １６ 基地金属層にニツケル又はニツケル基合金
の第１層をめつきし、当該ニツケル又はニツケル
基合金の第１層の上に金又は金基合金の第１層を
めつきし、当該金又は金基合金の第１層の上にニ
ツケル又はニツケル基合金の第２層をめつきし、
当該ニツケル又はニツケル基合金の第２層の上に
金又は金基合金の第２層をめつきする工程を含む
ことを特徴とする金属部品のめつき方法。 １７ めつき工程が電気めつきから成ることを特
徴とする特許請求の範囲第１６項記載の方法。 １８ 第１ニツケル層および第２ニツケル層を10
〜300μin（0.3から7.6μｍ）の範囲の厚さまでめつ
きし、かつ第１金層および第２金層を５から
150μin（0.1から3.8μｍ）の範囲の厚さまでめつき
することを特徴とする特許請求の範囲第１７項記
載の方法。 １９ 基地金属層が鉄基合金から成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１８項記載の方法。 ２０ 鉄基合金がAlloyF−15であることを特徴
とする特許請求の範囲第１９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US655002 | 1984-09-26 | ||
| US06/655,002 US4601958A (en) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | Plated parts and their production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187892A JPS6187892A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0240749B2 true JPH0240749B2 (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=24627095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209020A Granted JPS6187892A (ja) | 1984-09-26 | 1985-09-24 | めつきした部品およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4601958A (ja) |
| EP (1) | EP0175901B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6187892A (ja) |
| CA (1) | CA1279843C (ja) |
| DE (1) | DE3572136D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737418A (en) * | 1986-12-22 | 1988-04-12 | Advanced Materials Technology Corp. | Nickel clad corrosion resistant lid for semiconductor package |
| US4835067A (en) * | 1988-01-21 | 1989-05-30 | Electro Alloys Corp. | Corrosion resistant electroplating process, and plated article |
| US4842961A (en) * | 1988-03-04 | 1989-06-27 | Advanced Materials Technology Corp. | Alternate electrolytic/electroless-layered lid for electronics package |
| DE68923024T2 (de) * | 1988-03-28 | 1995-11-02 | Texas Instruments Inc | Leiterrahmen mit verminderter Korrosion. |
| US5051317A (en) * | 1990-01-03 | 1991-09-24 | Krementz & Co. Inc. | Multilayered electroplating process utilizing fine gold |
| WO1994024702A1 (en) * | 1993-04-13 | 1994-10-27 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal cover for ceramic package and method of making same |
| US5532513A (en) * | 1994-07-08 | 1996-07-02 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal-ceramic composite lid |
| WO1996002941A1 (en) * | 1994-07-19 | 1996-02-01 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal cover for ceramic package and method of making same |
| US5744752A (en) * | 1995-06-05 | 1998-04-28 | International Business Machines Corporation | Hermetic thin film metallized sealband for SCM and MCM-D modules |
| US5639014A (en) * | 1995-07-05 | 1997-06-17 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Integral solder and plated sealing cover and method of making same |
| TW340139B (en) * | 1995-09-16 | 1998-09-11 | Moon Sung-Soo | Process for plating palladium or palladium alloy onto iron-nickel alloy substrate |
| FR2748754B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-07-10 | Dassault Electronique | Procede de metallisation d'un composite a matrice metallique et composite ainsi obtenu |
| US6390353B1 (en) | 1998-01-06 | 2002-05-21 | Williams Advanced Materials, Inc. | Integral solder and plated sealing cover and method of making the same |
| EP1260609A4 (en) * | 2000-02-24 | 2005-01-05 | Ibiden Co Ltd | NICKEL GOLD PLATING WITH HIGH CORROSION RESISTANCE |
| CA2313438C (en) | 2000-07-06 | 2003-03-11 | B-Con Engineering Inc. | High quality optical surface and method of producing same |
| US7097897B1 (en) * | 2000-08-07 | 2006-08-29 | Illinois Tool Works Inc. | Powder coated strap and method for making same |
| JP2011080796A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子のパッケージおよびそのテストソケット |
| JP6089341B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2017-03-08 | オーエム産業株式会社 | めっき品及びその製造方法 |
| CN102544884B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-04-01 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 电连接器、电连接器壳体及其表面处理的方法 |
| DE102012004356B4 (de) | 2012-03-07 | 2013-10-31 | Umicore Galvanotechnik Gmbh | Haftfeste, korrosionsbeständige technische Verchromung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| DE102012012566B3 (de) | 2012-06-23 | 2013-12-05 | Audi Ag | Verbundscheibe für einen Kraftwagen und Kraftwagen mit einer solchen Verbundscheibe. |
| CN105849899B (zh) * | 2014-02-25 | 2019-03-12 | 日立汽车系统株式会社 | 防水型电子设备以及其制造方法 |
| US20190256994A1 (en) | 2016-02-16 | 2019-08-22 | Lumishield Technologies Incorporated | Electrochemical Deposition of Elements in Aqueous Media |
| CN111108236A (zh) | 2017-06-01 | 2020-05-05 | 鲁米士德科技公司 | 用于在水溶液中电化学沉积富金属层的方法和组合物 |
| CN110977362B (zh) * | 2019-12-26 | 2024-05-07 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法 |
| JP7395389B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-12-11 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2428033A (en) * | 1941-11-24 | 1947-09-30 | John S Nachtman | Manufacture of rustproof electrolytic coatings for metal stock |
| US3199003A (en) * | 1961-10-26 | 1965-08-03 | Rca Corp | Enclosure for semiconductor devices |
| US3219748A (en) * | 1961-12-04 | 1965-11-23 | Motorola Inc | Semiconductor device with cold welded package and method of sealing the same |
| NL281894A (ja) * | 1962-08-08 | |||
| GB1031837A (en) * | 1963-08-01 | 1966-06-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to metal plating |
| US3823468A (en) * | 1972-05-26 | 1974-07-16 | N Hascoe | Method of fabricating an hermetically sealed container |
| US3946190A (en) * | 1972-05-26 | 1976-03-23 | Semi-Alloys Incorporated | Method of fabricating a sealing cover for an hermetically sealed container |
| US3874549A (en) * | 1972-05-26 | 1975-04-01 | Norman Hascoe | Hermetic sealing cover for a container for a semiconductor device |
| US4284481A (en) * | 1978-07-31 | 1981-08-18 | Norman Hascoe | Method of fabricating a metallic hermetic sealing cover for a container |
| US4243729A (en) * | 1978-07-31 | 1981-01-06 | Semi-Alloys, Inc. | Metallic hermetic sealing cover for a container |
| DE2919404C2 (de) * | 1979-05-14 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gehäuse für Halbleiterbauelement |
| DD143673A1 (de) * | 1979-05-16 | 1980-09-03 | Lessig Hans Joerg | Verfahren zur herstellung von zwischentraegern mit kontakthuegeln |
| US4411965A (en) * | 1980-10-31 | 1983-10-25 | Occidental Chemical Corporation | Process for high speed nickel and gold electroplate system and article having improved corrosion resistance |
| EP0127857B1 (en) * | 1983-05-28 | 1987-07-29 | Masami Kobayashi | Solderable stainless steel article and method for making same |
-
1984
- 1984-09-26 US US06/655,002 patent/US4601958A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-08-13 EP EP85110121A patent/EP0175901B1/en not_active Expired
- 1985-08-13 DE DE8585110121T patent/DE3572136D1/de not_active Expired
- 1985-09-20 CA CA000491273A patent/CA1279843C/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-24 JP JP60209020A patent/JPS6187892A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6187892A (ja) | 1986-05-06 |
| DE3572136D1 (en) | 1989-09-14 |
| CA1279843C (en) | 1991-02-05 |
| EP0175901A1 (en) | 1986-04-02 |
| US4601958A (en) | 1986-07-22 |
| EP0175901B1 (en) | 1989-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0240749B2 (ja) | ||
| US4666796A (en) | Plated parts and their production | |
| JP2746840B2 (ja) | 集積回路パッケージとリードフレーム | |
| DE69329530T2 (de) | Gasdichte leitende durchfuehrungskabel-legierung | |
| US4620661A (en) | Corrosion resistant lid for semiconductor package | |
| KR100440363B1 (ko) | 적합한니켈코팅및이러한니켈코팅으로물품을코팅하기위한방법 | |
| US4835067A (en) | Corrosion resistant electroplating process, and plated article | |
| CA1291544C (en) | Method of sealing capacitor bushings | |
| US4737418A (en) | Nickel clad corrosion resistant lid for semiconductor package | |
| Ivshin et al. | Electrodeposition of copper on mild steel: peculiarities of the process | |
| US3515950A (en) | Solderable stainless steel | |
| US4927475A (en) | Process for joining metallic and ceramic materials | |
| US6117566A (en) | Lead frame material | |
| US5038195A (en) | Composition and coating to prevent current induced electrochemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate | |
| Kadija et al. | Thin Multilayer Palladium Coatings for Semiconductor Packaging Applications, Part I: Solderability | |
| JPH0217662A (ja) | 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 | |
| Endo et al. | Elimination of whisker growth on tin plated electrodes | |
| JP2648716B2 (ja) | アルミニウム系材料のめっき方法 | |
| JPS5827357B2 (ja) | リ−ド材用被覆鉄基合金 | |
| JPS60178654A (ja) | サ−デイツプのリ−ドの酸化被膜の除去方法 | |
| JPH0379790A (ja) | 耐食高張力鋼線およびそれを用いた耐食コイルバネ | |
| US3650912A (en) | Method of manufacture of electrolytic cells | |
| JPH06263477A (ja) | シ−ル構造 | |
| JP2767821B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS5837952B2 (ja) | 気密端子の製造方法 |