JPS6187892A - めつきした部品およびその製造方法 - Google Patents
めつきした部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6187892A JPS6187892A JP60209020A JP20902085A JPS6187892A JP S6187892 A JPS6187892 A JP S6187892A JP 60209020 A JP60209020 A JP 60209020A JP 20902085 A JP20902085 A JP 20902085A JP S6187892 A JPS6187892 A JP S6187892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- gold
- based alloy
- plated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
- B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
- C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/623—Porosity of the layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/02—Manufacture or treatment of conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. of metal plates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/17—Containers or parts thereof characterised by their materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12889—Au-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12937—Co- or Ni-base component next to Fe-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体部品のようなめっきした部品および
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
半導体装置用の容器のハーメチック・シール・カバーに
ついては、Ｈａｓｃｏｅ のもつ米国特許第３．８７
４，５４９号、第３．９４６．１９０号および第３．８
２３．４６８号において、その製造方法および封止容器
の製造方法が記述されている。このようなシール・カバ
ーＣすなわちふた）、ラダー・７レイムおよび金属被覆
したセラミック容器の製造に用いられる他の金属部品は
従来電気めっきされており、その理由の一つは、食塩雰
囲気中での耐食性のある容器を提供するためである。こ
のような、完成容器が具備する必要のある一つの典型的
な規格はＭｌｔ−規格−８８３Ｃの方法１００９．４、
試験条件Ａ１食塩雰囲気（腐食）である〇前記の特許に
記述されているシール・カバーは従来電気めっきした基
地材料で作製されている。
ついては、Ｈａｓｃｏｅ のもつ米国特許第３．８７
４，５４９号、第３．９４６．１９０号および第３．８
２３．４６８号において、その製造方法および封止容器
の製造方法が記述されている。このようなシール・カバ
ーＣすなわちふた）、ラダー・７レイムおよび金属被覆
したセラミック容器の製造に用いられる他の金属部品は
従来電気めっきされており、その理由の一つは、食塩雰
囲気中での耐食性のある容器を提供するためである。こ
のような、完成容器が具備する必要のある一つの典型的
な規格はＭｌｔ−規格−８８３Ｃの方法１００９．４、
試験条件Ａ１食塩雰囲気（腐食）である〇前記の特許に
記述されているシール・カバーは従来電気めっきした基
地材料で作製されている。
基地材料は普通共に鉄を主成分とするコバールあるいは
Ａｔｔｏｙ ４２である。電気めっき工程は基地材料に
ニッケルをめっきし、次に金をめっきするものである。
Ａｔｔｏｙ ４２である。電気めっき工程は基地材料に
ニッケルをめっきし、次に金をめっきするものである。
そのようなカバーの製造とめっきの方法はＨａｓｃｏｅ
のもつ米国特許第４，２８４，４８１号で開示されてお
り、めっきしたカバーはＨａｓｃｏｅのもつ米国特許第
４．２４３．７２９号で開示されている。上記のＨａ
ａ ｃ ｏ ｓの特許はすべて特に参考としてここに引
用した。
のもつ米国特許第４，２８４，４８１号で開示されてお
り、めっきしたカバーはＨａｓｃｏｅのもつ米国特許第
４．２４３．７２９号で開示されている。上記のＨａ
ａ ｃ ｏ ｓの特許はすべて特に参考としてここに引
用した。
これまでの製造経験では、食塩雰囲気中での腐食試験に
合格するのは極めて難しく、また得られた結果の再現性
は低い。
合格するのは極めて難しく、また得られた結果の再現性
は低い。
半導体容器部品のような金属部品の電気めっきで化成す
る被覆は極めて薄い。厚さは普通１００〜５００μｉｎ
（約３〜１３μｍ１である。このように薄いめっき層は
多孔質であって、そのために基地の金属表面からめっき
層の外表面まで貫通する小さなピン・ホールが残存する
。ナトリウムイオンおよび塩累イオンが存在する食塩雰
囲気は腐食性が強い。各イオンは基地金属を構成する鉄
および他の成分と反応して酸化物を形成する。食塩雰囲
気は上記のｌトさいビン・ホールに浸透して電気めっき
した金属部品の腐食を起こし、前述の規格を満たすこと
ができなくなる。
る被覆は極めて薄い。厚さは普通１００〜５００μｉｎ
（約３〜１３μｍ１である。このように薄いめっき層は
多孔質であって、そのために基地の金属表面からめっき
層の外表面まで貫通する小さなピン・ホールが残存する
。ナトリウムイオンおよび塩累イオンが存在する食塩雰
囲気は腐食性が強い。各イオンは基地金属を構成する鉄
および他の成分と反応して酸化物を形成する。食塩雰囲
気は上記のｌトさいビン・ホールに浸透して電気めっき
した金属部品の腐食を起こし、前述の規格を満たすこと
ができなくなる。
半導体容器の電気めっき被覆として最も一般的に行なわ
れるのは、基地金属にニッケルめっきし、その上から金
めつきをするものである。ニッケルは、ロー付は封上中
生じるような高温下で、金が基地金属中に拡散するのを
防ぐ拡散バリヤーとして作用する。ニッケルは腐食に対
するバリヤーとしても作用する。外側の金被覆は２つの
機能をもつ。金被覆は容器のロー付けのために酸化物の
ない表面を維持し、およびその耐酸化性により腐食のバ
リヤーとして作用する。基地層上に純ニッケルの層を１
００μｉｎｒ約２．５μｍ）めっきし、次に純金の層を
５０ Ａｉｄ （約１．３μｍ）めっきするのが典型的
な方法である。
れるのは、基地金属にニッケルめっきし、その上から金
めつきをするものである。ニッケルは、ロー付は封上中
生じるような高温下で、金が基地金属中に拡散するのを
防ぐ拡散バリヤーとして作用する。ニッケルは腐食に対
するバリヤーとしても作用する。外側の金被覆は２つの
機能をもつ。金被覆は容器のロー付けのために酸化物の
ない表面を維持し、およびその耐酸化性により腐食のバ
リヤーとして作用する。基地層上に純ニッケルの層を１
００μｉｎｒ約２．５μｍ）めっきし、次に純金の層を
５０ Ａｉｄ （約１．３μｍ）めっきするのが典型的
な方法である。
めっきした部品の耐食性を増すためには、基地上て堆積
する金の量を増さなくてはならないと考えられる。しか
し、これはめっきした部品のコストを著しく上げること
になろうし、明瞭な耐食性の向上を見るまでには金層の
厚さを相洛増す必要があるー食壇雰囲気中での耐食性の
良いめっき部品およびその製造方法の提供が望まれてい
る。また、必要な耐食性を備えた部品が、経済的な不利
益を伴なわずに供給されることが望まれている。
する金の量を増さなくてはならないと考えられる。しか
し、これはめっきした部品のコストを著しく上げること
になろうし、明瞭な耐食性の向上を見るまでには金層の
厚さを相洛増す必要があるー食壇雰囲気中での耐食性の
良いめっき部品およびその製造方法の提供が望まれてい
る。また、必要な耐食性を備えた部品が、経済的な不利
益を伴なわずに供給されることが望まれている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明により提供されるめっきした金属部品の一つは、
基地金属層、該基地金属の上にめっきし九ニッケル又は
ニッケル基合金の第１層、ニッケル又は二・ソケル基合
金の該第１層の上にめっきした金又は金基合金の第１層
、金又は金基合金の該第１層の上にめっきしたニッケル
又はニッケル基合金の第２層、および二・νケル又はニ
ッケル基合金の該第２Ｍの上にめっきした金又は金基合
金の第２層からなる。
基地金属層、該基地金属の上にめっきし九ニッケル又は
ニッケル基合金の第１層、ニッケル又は二・ソケル基合
金の該第１層の上にめっきした金又は金基合金の第１層
、金又は金基合金の該第１層の上にめっきしたニッケル
又はニッケル基合金の第２層、および二・νケル又はニ
ッケル基合金の該第２Ｍの上にめっきした金又は金基合
金の第２層からなる。
次に、本発明により提供されるめっきした金属部品の一
つは、金属の標準電位列中である標準電位をもつ基地金
属を主金属成分とする基地金属層、該基地金属層の上に
めっきされ且つ基地金属よりも標準電位の高い第１の金
属を主金属成分とする第１金属成分をもつ第１金属層、
第１金属層の上にめっきされ乱つ 第１金属よりも標準
電位の高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分
をもつ第２金属層、第２金属層の上にめっきされ且つ第
２金属よりも標準電位の低い第３の金属を主金属成分と
する第２金属成分をもつ第３金属層から成る。
つは、金属の標準電位列中である標準電位をもつ基地金
属を主金属成分とする基地金属層、該基地金属層の上に
めっきされ且つ基地金属よりも標準電位の高い第１の金
属を主金属成分とする第１金属成分をもつ第１金属層、
第１金属層の上にめっきされ乱つ 第１金属よりも標準
電位の高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分
をもつ第２金属層、第２金属層の上にめっきされ且つ第
２金属よりも標準電位の低い第３の金属を主金属成分と
する第２金属成分をもつ第３金属層から成る。
次に、本発明により提供される、金属部品のめっき方法
の一つは、基地金属層上の二・ソケル又はニッケル基合
金の第１ｆｆｉのめっき、ニッケル又はニッケル基合金
の第１層上の金又は金基台金の第１層のめっき、金又は
金基台金の第１Ｎ４上のニッケル又はニッケル基合金の
８２Ｍのめっき、ニッケル又はニッケル基合金の第２層
上の金又は金基合金の第２層のめっきの各工程からなる
。
の一つは、基地金属層上の二・ソケル又はニッケル基合
金の第１ｆｆｉのめっき、ニッケル又はニッケル基合金
の第１層上の金又は金基台金の第１層のめっき、金又は
金基台金の第１Ｎ４上のニッケル又はニッケル基合金の
８２Ｍのめっき、ニッケル又はニッケル基合金の第２層
上の金又は金基合金の第２層のめっきの各工程からなる
。
次に、本発明により供給される、耐食性を向上させるた
めの、金属部品のめっき方法の一つ（ｒｉ、基地金属層
にニッケル又はニッケル基合金の層をめっきし、このニ
ッケル層上にあらかじめ決定した第１の厚さまで金の層
をめっきするものであって、改良した内容は下記のもの
から成る。すなわち、ニッケル又はニッケル基合金の層
上に、あらかじめ決定した第２の厚さまで金又は金基台
金の層をめっきすること、この金又は金基合金の層上に
ニッケル又はニッケル基合金の第２層をめっきすること
、そして、ニッケル又はニッケル基合金の第２層上に、
あらかじめ決定した第３の厚さまで金又は金基合金の第
２層をめっきすることであって、あらかじめ決定した第
２および第３の厚さの和は、あらかじめ決定した第１の
厚さにほぼ等しく、これによって金属部品の耐食性は向
上する。
めの、金属部品のめっき方法の一つ（ｒｉ、基地金属層
にニッケル又はニッケル基合金の層をめっきし、このニ
ッケル層上にあらかじめ決定した第１の厚さまで金の層
をめっきするものであって、改良した内容は下記のもの
から成る。すなわち、ニッケル又はニッケル基合金の層
上に、あらかじめ決定した第２の厚さまで金又は金基台
金の層をめっきすること、この金又は金基合金の層上に
ニッケル又はニッケル基合金の第２層をめっきすること
、そして、ニッケル又はニッケル基合金の第２層上に、
あらかじめ決定した第３の厚さまで金又は金基合金の第
２層をめっきすることであって、あらかじめ決定した第
２および第３の厚さの和は、あらかじめ決定した第１の
厚さにほぼ等しく、これによって金属部品の耐食性は向
上する。
更に、本発明により提供される、金属部品のめっき方法
の一つは下記のものから成る。すなわち、金属の標準電
位列中ある一足の標準電位をもつ金属を主金属成分とす
る基地金属層上に、基地金属よりも高い標準電位をもつ
第１の金属を主金属成分とする第１金属成分の第１層を
めっきすること、第１層上に、第１の金属よりも検量電
位の高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分を
もつ第２層をめっきすること、そして第２／ｌ！上に、
第２の金がよりも標準電位の低い第３の金属を主金属成
分とする第３金属成分をもつ第３層をめっきすること である。
の一つは下記のものから成る。すなわち、金属の標準電
位列中ある一足の標準電位をもつ金属を主金属成分とす
る基地金属層上に、基地金属よりも高い標準電位をもつ
第１の金属を主金属成分とする第１金属成分の第１層を
めっきすること、第１層上に、第１の金属よりも検量電
位の高い第２の金属を主金属成分とする第２金属成分を
もつ第２層をめっきすること、そして第２／ｌ！上に、
第２の金がよりも標準電位の低い第３の金属を主金属成
分とする第３金属成分をもつ第３層をめっきすること である。
基地金属上のニッケル・金層のめっきを更にもう一度施
すことによって、金の総厚さは従来のニッケル・金めっ
きした部品とほぼ同じで、部品の耐食性が著しく向上す
るということは驚くべき発見である。
すことによって、金の総厚さは従来のニッケル・金めっ
きした部品とほぼ同じで、部品の耐食性が著しく向上す
るということは驚くべき発見である。
以下４Ｚ白
〔実施態様〕
塩水９霧試験に合格し、しかも金についての種種の厚さ
規格にも適合するめっき部品が、まず基地金属上に従来
の厚さでニンケルをメ・ツキし、次にニッケル上に金を
、金の総めっき厚さの約半分までめっきし、次に、金の
上知もう一度ニッケルをはじめとほぼ同じ厚さにめっき
し、次にこのニッケルの第２層の上に金の第２層を、金
の総めっき厚さの約半分捷でめっきする方法で製造でき
ることは驚くべき発見である。この方法では金の総使用
量は従来製品での使用量とほぼ等しい。
規格にも適合するめっき部品が、まず基地金属上に従来
の厚さでニンケルをメ・ツキし、次にニッケル上に金を
、金の総めっき厚さの約半分までめっきし、次に、金の
上知もう一度ニッケルをはじめとほぼ同じ厚さにめっき
し、次にこのニッケルの第２層の上に金の第２層を、金
の総めっき厚さの約半分捷でめっきする方法で製造でき
ることは驚くべき発見である。この方法では金の総使用
量は従来製品での使用量とほぼ等しい。
これを図で説明するρ第１図および第２図に本発明の多
層めっき法でめっきしたシール用ふたすなわちカバー１
０を示す、シール用ふた１ｏは基地材料１２を含む。基
地材料１２は鉄基合金製の基地金属であることが望まし
い０最も望ましい基地金属はＡＬｌｏＶ４２、コパール
、Ａｕｏｙ Ｆ −１５等として知られているものであ
る。コパール合金の成分はおよそ１７ｗｔ ％コバル
ト、２９ｗｔ％ニッケル、残部鉄及び少量の他の元素か
ら成り、Ｍｌｏ７４２の化学成分はシよそ４２ｗｔ％ニ
ッケル、残部鉄および少量の他の元素から成る。基地材
料１０の厚さは必要に応じた任意の厚さでよい。
層めっき法でめっきしたシール用ふたすなわちカバー１
０を示す、シール用ふた１ｏは基地材料１２を含む。基
地材料１２は鉄基合金製の基地金属であることが望まし
い０最も望ましい基地金属はＡＬｌｏＶ４２、コパール
、Ａｕｏｙ Ｆ −１５等として知られているものであ
る。コパール合金の成分はおよそ１７ｗｔ ％コバル
ト、２９ｗｔ％ニッケル、残部鉄及び少量の他の元素か
ら成り、Ｍｌｏ７４２の化学成分はシよそ４２ｗｔ％ニ
ッケル、残部鉄および少量の他の元素から成る。基地材
料１０の厚さは必要に応じた任意の厚さでよい。
基地材料の典型的な厚さは約１０，０００μｍｎ（０，
ｏｌ ｌｎ％（約０．２５ｍ１）である。
ｏｌ ｌｎ％（約０．２５ｍ１）である。
ニッケル又はニッケル基合金の第１層１４は、バレルめ
っき、ストリップめっき、ラックめっきあるいはこれら
の組合せ等を含む従来の何らかのめっき法で基地材料１
２にめっきされている。バレルめっきにおけるニッケル
層１４のいわゆる１大の骨（ｄｏｇ ｂｏｎｅ ３“型
の厚さ分布を搗２目に示す。ニッケル層１４の厚さは中
央部で測定して約１０〜３００ μｉｎ（約０．３〜７
．６７１ｍ １の範囲にあることが望ましく、約５０
〜２００μｉｎ（約１．３〜５μｍ ）の範囲にあれば
更に望ましい。ここに参照する層の厚さはすべて層の中
央部の厚さである。ニッケル層１４の最も望ましい厚さ
は、約１００μｉｎ（約２．５μｍ）である０金又は金
基台金の第１層１６も何らかの従来法でニッケル層１４
の上にめっきされる。ただし、図にはバレルめっきした
部品の断面形状を示す。金層１６の厚さは約５〜１５０
μｉｎ（約０．１３〜３．８μｍ ）の範囲にあること
が望ましく、約１０〜７５μｉｎ（約０．２５〜１，９
μｍ）の範囲にあれば更に望ましい。金層１６の最も望
ましい厚さは中央部で約２５μｉｎ（約０．６４μｍ）
である。ニッケル又はニッケル基合金の第２層１８は電
気めっき法により金層１６の上くめっきされ、その厚さ
は層１４について示した範囲にあることが望ましい。ニ
ッケル層１８の厚さは第１のニッケル層１４とほぼ等し
いことが望ましい０金又は金基金金の第２層２０は電気
めっき法によりニッケル層１８の上にめっきされ、その
厚さは層１６について示した範囲にあることが望ましい
。この方法による製品は塩水噴霧雰囲気での腐食が著し
く減少する。
っき、ストリップめっき、ラックめっきあるいはこれら
の組合せ等を含む従来の何らかのめっき法で基地材料１
２にめっきされている。バレルめっきにおけるニッケル
層１４のいわゆる１大の骨（ｄｏｇ ｂｏｎｅ ３“型
の厚さ分布を搗２目に示す。ニッケル層１４の厚さは中
央部で測定して約１０〜３００ μｉｎ（約０．３〜７
．６７１ｍ １の範囲にあることが望ましく、約５０
〜２００μｉｎ（約１．３〜５μｍ ）の範囲にあれば
更に望ましい。ここに参照する層の厚さはすべて層の中
央部の厚さである。ニッケル層１４の最も望ましい厚さ
は、約１００μｉｎ（約２．５μｍ）である０金又は金
基台金の第１層１６も何らかの従来法でニッケル層１４
の上にめっきされる。ただし、図にはバレルめっきした
部品の断面形状を示す。金層１６の厚さは約５〜１５０
μｉｎ（約０．１３〜３．８μｍ ）の範囲にあること
が望ましく、約１０〜７５μｉｎ（約０．２５〜１，９
μｍ）の範囲にあれば更に望ましい。金層１６の最も望
ましい厚さは中央部で約２５μｉｎ（約０．６４μｍ）
である。ニッケル又はニッケル基合金の第２層１８は電
気めっき法により金層１６の上くめっきされ、その厚さ
は層１４について示した範囲にあることが望ましい。ニ
ッケル層１８の厚さは第１のニッケル層１４とほぼ等し
いことが望ましい０金又は金基金金の第２層２０は電気
めっき法によりニッケル層１８の上にめっきされ、その
厚さは層１６について示した範囲にあることが望ましい
。この方法による製品は塩水噴霧雰囲気での腐食が著し
く減少する。
この多層法が部品に対する貴金属の使用量が等しくて腐
食の低減に効果を有する厳密な理由は明らかでないが、
腐食の低減を説明すると思われる機構は二つある。
食の低減に効果を有する厳密な理由は明らかでないが、
腐食の低減を説明すると思われる機構は二つある。
一つの機構は、腐食の原因となるガルバーニ反応（電食
）に基ずくものである。第３図には、基地層のコバール
１２の上のめっき層中に溝２２が示しである。この溝は
層１２の表面上の欠陥又はニッケル層１４の中にあいた
孔から生じた可能性がある。金層１６はこの孔を埋めて
おらず、仮に第１のニッケル層１４と第１の金層１６の
みでめっきを終了したとすれば腐食が発生する。金と基
地金属元素（鉄、ニッケル、コバルト）は化学電池とし
て作用し、電解反応によって基地金属元素は表面に輸送
され酸化される。場合によっては腐食が急速に進行し、
基地層内に深い孔が生成する。
）に基ずくものである。第３図には、基地層のコバール
１２の上のめっき層中に溝２２が示しである。この溝は
層１２の表面上の欠陥又はニッケル層１４の中にあいた
孔から生じた可能性がある。金層１６はこの孔を埋めて
おらず、仮に第１のニッケル層１４と第１の金層１６の
みでめっきを終了したとすれば腐食が発生する。金と基
地金属元素（鉄、ニッケル、コバルト）は化学電池とし
て作用し、電解反応によって基地金属元素は表面に輸送
され酸化される。場合によっては腐食が急速に進行し、
基地層内に深い孔が生成する。
金層の標準電位は正であり、負の標準電位をもつ鉄のイ
オンは、金と鉄の起電力Ｉ ＥＭＦ ）差によって金の
表面に輸送される。
オンは、金と鉄の起電力Ｉ ＥＭＦ ）差によって金の
表面に輸送される。
これに対して本発明では、第２のニッケル層１８と第２
の金層２０を有し、二つの金層の間でＥＭＦＯ差はない
から、たとえば第２の金層の表面へＣ・鉄イオンの輸送
は生じない。これはニッケルの起電力が金のそれよりも
低いからである。金属酸化物が溝を満たし金層１６まで
達してしまえば、それ以後腐食反応は起きない。溝の直
径は非常に小さいため、金層１６でガルバーニ反応が停
止したことＫよって、観察し得るほどの腐食は起きない
。
の金層２０を有し、二つの金層の間でＥＭＦＯ差はない
から、たとえば第２の金層の表面へＣ・鉄イオンの輸送
は生じない。これはニッケルの起電力が金のそれよりも
低いからである。金属酸化物が溝を満たし金層１６まで
達してしまえば、それ以後腐食反応は起きない。溝の直
径は非常に小さいため、金層１６でガルバーニ反応が停
止したことＫよって、観察し得るほどの腐食は起きない
。
腐食部位の減少を説明する第二の機構は、連続しためっ
き層の各々が内側のめっき層の多孔質欠陥を被覆する統
計的確率である。各連続層にはそれ自体の溝の部位があ
るが、これが他の層の欠陥と合致する確率は極めて小さ
い。
き層の各々が内側のめっき層の多孔質欠陥を被覆する統
計的確率である。各連続層にはそれ自体の溝の部位があ
るが、これが他の層の欠陥と合致する確率は極めて小さ
い。
腐食の低減はこの二つの機構によるものと思われる０連
続して二・νケルと金の第３層をめっきすれば、腐食の
起きる確率は更に小さくなる。多層化の原理はこのよう
にして腐食の低減のための二組以上の連続めっきにまで
拡張される。
続して二・νケルと金の第３層をめっきすれば、腐食の
起きる確率は更に小さくなる。多層化の原理はこのよう
にして腐食の低減のための二組以上の連続めっきにまで
拡張される。
第４図に本発明の方法を概略図で示す。すなわち、ニッ
ケルめっき槽２４の中で基地層１２に第１のニッケルめ
っきを施し、次に金めっき槽２６まで進み、そこで第１
ニッケル層の上に第１金層をめっきし、次にニッケルめ
っき槽２８まで進み、そこで第２二・リケル層をめっき
し、次に金めっき槽３０ｔで進み、そこで第２金７Ｗを
めっきする。
ケルめっき槽２４の中で基地層１２に第１のニッケルめ
っきを施し、次に金めっき槽２６まで進み、そこで第１
ニッケル層の上に第１金層をめっきし、次にニッケルめ
っき槽２８まで進み、そこで第２二・リケル層をめっき
し、次に金めっき槽３０ｔで進み、そこで第２金７Ｗを
めっきする。
多層めっきの組合せを追加するためには、めっき工程の
組合せを追加する必要があることは明らかである。始め
に述べたように、バレルめっき、ストリップめっき、う
・ンクめっき等、従来の電気めっき法はすべて適用でき
る。たとえば、個々のふたにバレルめっき又はラックめ
っきにより個々のめっき層をめっきすることができる。
組合せを追加する必要があることは明らかである。始め
に述べたように、バレルめっき、ストリップめっき、う
・ンクめっき等、従来の電気めっき法はすべて適用でき
る。たとえば、個々のふたにバレルめっき又はラックめ
っきにより個々のめっき層をめっきすることができる。
全ての層をこのような方法の一つでめっきすることがで
きるし、あるいはめっき法を混在させることもできる。
きるし、あるいはめっき法を混在させることもできる。
たとえば、基地材料のストリップにはじめの二層をスト
リップめっきでめっきし、このストリップからふた（又
は他の部品）を打抜きで作製し、最後の多層の組をバレ
ルめっきでめっきすることができる。
リップめっきでめっきし、このストリップからふた（又
は他の部品）を打抜きで作製し、最後の多層の組をバレ
ルめっきでめっきすることができる。
上記の説明はニッケルと金を用いた多層法を指すが、本
発明はこれらの金属に限定するものではない。一般的に
は、金属の標準電位列中、基地金属よりも高い標準電位
をもつ金属を、第１金属層として基地金属層の上にめっ
きすることができる。
発明はこれらの金属に限定するものではない。一般的に
は、金属の標準電位列中、基地金属よりも高い標準電位
をもつ金属を、第１金属層として基地金属層の上にめっ
きすることができる。
第１層の金属よりも高い標準電位をもつ金属を主金属成
分とする第２金属層を第１金属層の上にめっきする。＠
２層よりも低い標進電位をもつ金属を主金属成分とする
第３金属層を第２金属層の上にめっきする。最後に１第
３金属層の金属よりも高い標準電位をもつ金属を主金属
成分とする第４金属層を第３金属層の上にめっきする。
分とする第２金属層を第１金属層の上にめっきする。＠
２層よりも低い標進電位をもつ金属を主金属成分とする
第３金属層を第２金属層の上にめっきする。最後に１第
３金属層の金属よりも高い標準電位をもつ金属を主金属
成分とする第４金属層を第３金属層の上にめっきする。
第３層の金属の標準電位が第２層の金属にくらべて低い
から、基地層中の鉄その他の酸化されやすい金属のイオ
ンを表面に輸送し続けるに必要な駆動力は存在しない。
から、基地層中の鉄その他の酸化されやすい金属のイオ
ンを表面に輸送し続けるに必要な駆動力は存在しない。
したがって、第２．第３のめっき層はガルバーニ電池を
構成しないから、鉄イオンの表面への輸送、表面での酸
化は起きない。
構成しないから、鉄イオンの表面への輸送、表面での酸
化は起きない。
第１表は標準電位列における金属の標準電極電位を示す
。
。
また薄いめっき層は多孔質であって、酸化および腐食の
起きる傾向が強い。一般的に、厚さが約５００μｉｎ（
約１２，７μｍ）未満のめっき層では腐食が起きる可能
性がある。第１層および第３層の金属は、二・ソケル、
チタン、クロム、錫、およびこれらの合金の群から選択
するのが望ましい。第佃伍マ’Ｃ！ｉｉ輔セ歳壕１トヘ
矢！ｉ ｍ ＩＩ ＩＩ−ｈ Ｑｌ＜−’ １層、第３層の金属は拡散に対するバリヤーとして働く
ものであり、ニッケルであることが最も望ましい。
起きる傾向が強い。一般的に、厚さが約５００μｉｎ（
約１２，７μｍ）未満のめっき層では腐食が起きる可能
性がある。第１層および第３層の金属は、二・ソケル、
チタン、クロム、錫、およびこれらの合金の群から選択
するのが望ましい。第佃伍マ’Ｃ！ｉｉ輔セ歳壕１トヘ
矢！ｉ ｍ ＩＩ ＩＩ−ｈ Ｑｌ＜−’ １層、第３層の金属は拡散に対するバリヤーとして働く
ものであり、ニッケルであることが最も望ましい。
また、第２層および第４層の金属は、金、銅。
銀、パラジウム、白金およびこれらの合金の群から選択
するのが望ましい。第２層、第４層の金属は耐食層とし
て働くものであり、金であることが最も望ましい。
するのが望ましい。第２層、第４層の金属は耐食層とし
て働くものであり、金であることが最も望ましい。
第１層と第３層の金属は同一金属であって、かつほぼ同
一の厚さにめっきされること、および第２層と第４層の
金属は同一金属であって、かつほぼ同一の厚さにめっき
されることが望ましい０半導体装＠に用いられる金属部
品については、外層は貴金属であるが、他のめっき部品
では外層が貴金属である必要はない。そのような場合第
４の金属層は第３の金属層上に適用される必要はないＯ はじめに指摘したように１本発明のめっきした金属部品
は半導体容器のシール用ふたに好適である。このふたは
、デュアル・イン・ライン（ＤＩＬ）容器のようなハー
メチック・シールを施した容器の作製に用いられる。半
導体装置にはセラミック基板上にこのようなふたでハー
メチック−シールを施すのが典屋的である。
一の厚さにめっきされること、および第２層と第４層の
金属は同一金属であって、かつほぼ同一の厚さにめっき
されることが望ましい０半導体装＠に用いられる金属部
品については、外層は貴金属であるが、他のめっき部品
では外層が貴金属である必要はない。そのような場合第
４の金属層は第３の金属層上に適用される必要はないＯ はじめに指摘したように１本発明のめっきした金属部品
は半導体容器のシール用ふたに好適である。このふたは
、デュアル・イン・ライン（ＤＩＬ）容器のようなハー
メチック・シールを施した容器の作製に用いられる。半
導体装置にはセラミック基板上にこのようなふたでハー
メチック−シールを施すのが典屋的である。
本発明を更に説明するために１以下の実施例を提示する
。ただし、これに限定するものではない。
。ただし、これに限定するものではない。
〔実施例１〕
０．５０５ｉｎ（約１２．８ｍｍ）四方のシール用ふた
をコパール合金シートから打抜いた。ふたは表面を平滑
にした後、バレルめっき装置内で下記の工程でめっきし
た。すなわち、コパール合金上にニッケルを公称１００
μｉｎ”（約２．５μｍ）、このニッケル上に金（純度
９９．９９チ）を公称２５ μｉｎ（約０．６μｍ）、
この全土にニッケルを公称１００μｉｎ （約２．５μ
ｍ）そしてこのニッケル上に金（Ｎ度９９．９９Ｌ）を
公称２５μｉｎ （約０．６μｍ）めっきした。５個の
ふたを切断して実測しためっき厚さの平均値は次のとお
シである。
をコパール合金シートから打抜いた。ふたは表面を平滑
にした後、バレルめっき装置内で下記の工程でめっきし
た。すなわち、コパール合金上にニッケルを公称１００
μｉｎ”（約２．５μｍ）、このニッケル上に金（純度
９９．９９チ）を公称２５ μｉｎ（約０．６μｍ）、
この全土にニッケルを公称１００μｉｎ （約２．５μ
ｍ）そしてこのニッケル上に金（Ｎ度９９．９９Ｌ）を
公称２５μｉｎ （約０．６μｍ）めっきした。５個の
ふたを切断して実測しためっき厚さの平均値は次のとお
シである。
第１ニッケル層＝１１８μｉｎ （約３μｍ）第１金層
＝ ２２μｉｎ（約０．６μｍ）第２ニッケル層
＝１０５μｉｎ（約２．７μｍ）第２金層 ＝
２７μｉｎ（約０．７Ａｔｎ）上記のめっきしたふた２
０個を１群として食塩雰囲気の槽中で、Ｍｉｌ−規”路
ｓ ｓ ａ ｃ、方法１００９．４、試験条件Ａ（２４
時間）Ｋしたがって試験した。この２０個のふたの耐食
性を、ライッＴＡＳイメージーアナライザーでこれまで
のふたの測定によって開発した比較チャートを使って測
定した。平均腐食面積率は、０，１俤未満であった。上
記規格では金属表面の５％を越える明瞭な腐食があれば
不合格であると規定しているから、これらのふたがこの
試験に合格したことは明白である。
＝ ２２μｉｎ（約０．６μｍ）第２ニッケル層
＝１０５μｉｎ（約２．７μｍ）第２金層 ＝
２７μｉｎ（約０．７Ａｔｎ）上記のめっきしたふた２
０個を１群として食塩雰囲気の槽中で、Ｍｉｌ−規”路
ｓ ｓ ａ ｃ、方法１００９．４、試験条件Ａ（２４
時間）Ｋしたがって試験した。この２０個のふたの耐食
性を、ライッＴＡＳイメージーアナライザーでこれまで
のふたの測定によって開発した比較チャートを使って測
定した。平均腐食面積率は、０，１俤未満であった。上
記規格では金属表面の５％を越える明瞭な腐食があれば
不合格であると規定しているから、これらのふたがこの
試験に合格したことは明白である。
比較として、従来のめっき法でニッケルを１４０μｉｎ
（約３．６μｍ）、金を６０μｉｎ （約１．５ μ
ｍ ）めっきしたふたでは、平均の腐食値が２俤であっ
た。
（約３．６μｍ）、金を６０μｉｎ （約１．５ μ
ｍ ）めっきしたふたでは、平均の腐食値が２俤であっ
た。
しかし、このような平均腐食値け２から５％の範囲で変
動することがらシ、５チを越る場合があるから、その場
合は上記試験に不合格となる。
動することがらシ、５チを越る場合があるから、その場
合は上記試験に不合格となる。
以上のように１本発明は塩分雰凹気中での耐食性を向上
させためっき部品を提供するとともに、そのような部品
の製造方法をも提供するものである。この部品は、半導
体容器のシール用カバーのような半導体の構成要素に好
適である。本発明の部品は、実質的な金の使用量を増さ
ず、経済的な不利益を伴うことなく供給される。
させためっき部品を提供するとともに、そのような部品
の製造方法をも提供するものである。この部品は、半導
体容器のシール用カバーのような半導体の構成要素に好
適である。本発明の部品は、実質的な金の使用量を増さ
ず、経済的な不利益を伴うことなく供給される。
笛１図は本発明に従ってめっきしたシール用ふたの遠近
図である。 第２図は、第１図のシール用ふたの断面図であわ、明瞭
に図化するためくめつき層の厚さは著しく誇張しである
。 第３図は、従来技術によるシール用ふたの断面であシ、
めっき層中の溝は腐食の影響を示すものであって、明瞭
に図化するためにめっき層の厚さは著しく誇張しである
。 第４図は本発明の方法の概略図である。 以下余自
図である。 第２図は、第１図のシール用ふたの断面図であわ、明瞭
に図化するためくめつき層の厚さは著しく誇張しである
。 第３図は、従来技術によるシール用ふたの断面であシ、
めっき層中の溝は腐食の影響を示すものであって、明瞭
に図化するためにめっき層の厚さは著しく誇張しである
。 第４図は本発明の方法の概略図である。 以下余自
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基地金属層、当該基地金属の上にめっきされたニッ
ケル又はニッケル基合金の第１層、当該ニッケル又はニ
ッケル基合金の第１層の上にめっきされた金又は金基合
金の第１層、当該金又は金基合金の第１層の上にめっき
されたニッケル又はニッケル基合金の第２層および当該
ニッケル又はニッケル基合金の第２層の上にめっきされ
た金又は金基合金の第２層を具備することを特徴とする
めっきした金属部品。 ２、前記基地金属層が鉄基合金から成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のめっきした金属部品。 ３、前記鉄基合金が、ＡｌｌｏｙＦ−１５又はＡｌｌｏ
ｙ４２から成る群から選択されることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載のめっきした金属部品。 ４、前記鉄基合金がＡｌｌｏｙＦ−１５であることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載のめっきした金属部
品。 ５、前記第１ニッケル層および第２ニッケル層の厚さが
各々約１０から３００μｉｎ（約０．３から７．６μｍ
）であって、第１金層および第２金層の厚さが各々約５
から１５０μｉｎ（約０．１から３．８μｍ）であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のめっきした
金属部品。 ６、前記第１ニッケル層と第２ニッケル層の厚さが実質
的に等しく、第１金層と第２金層の厚さが実質的に等し
いことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のめっき
した金属部品。 ７、前記金属部品が半導体部品であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のめっきした金属部品。 ８、前記金属部品が半導体容器のためのハーメチック・
シール用カバーであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のめっきした金属部品。 ９、前記基地金属層が鉄基合金から成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第８項記載のめっきしした金属部品。 １０、前記鉄基合金がＡｌｌｏｙＦ−１５又はＡｌｌｏ
ｙ４２から成る群から選択されることを特徴とする特許
請求の範囲第９項記載のめっきした金属部品。 １１、前記鉄基合金がＡｌｌｏｙ−１５であることを特
徴とする特許請求の範囲第１０項記載のめっきした金属
部品。 １２、前記第１ニッケル層および第２ニッケル層の厚さ
が各々約１０から３００μｉｎ（約０．３から７．６μ
ｍ）であって、第１金層および第２金層の厚さが各々約
５から１５０μｉｎ（約０．１から３．８μｍ）である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１１項記載のめっき
した金属部品。 １３、前記第１ニッケル層と第２ニッケル層の厚さが実
質的に等しく、第１金層と第２金層の厚さが実質的に等
しいことを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載のめ
っきした金属部品。 １４、各々のニッケル層の厚さが約１００μｉｎ（約２
．５μｍ）であって、各々の金層の厚さが約２５μｉｎ
（約０．６μｍ）であることを特徴とする特許請求の範
囲第１３項記載のめっきした金属部品。 １５、金又は金基合金の第２層の上にニッケル又はニッ
ケル基合金の第３層をめっきし、かつ当該ニッケル又は
ニッケル基合金の第３層の上に金又は金基合金の第３層
をめっきすることを追加することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のめっきした金属部品。 １６、基地金属層にニッケル又はニッケル基合金の第１
層をめっきし、当該ニッケル又はニッケル基合金の第１
層の上に金又は金基合金の第１層をめっきし、当該金又
は金基合金の第１層の上にニッケル又はニッケル基合金
の第２層をめっきし、当該ニッケル又はニッケル基合金
の第２層の上に金又は金基合金の第２層をめっきする工
程を含むことを特徴とする金属部品のめっき方法。 １７、めっき工程が電気めっきから成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１６項記載の方法。 １８、第１ニッケル層および第２ニッケル層を約１０〜
３００μｉｎ（約０．３から７．６μｍ）の範囲の厚さ
までめっきし、かつ第１金層および第２金層を約５から
１５０μｉｎ（約０．１から３．８μｍ）の範囲の厚さ
までめっきすることを特徴とする特許請求の範囲第１７
項記載の方法。 １９、基地金属層が鉄基合金から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１８項記載の方法。 ２０、鉄基合金がＡｌｌｏｙＦ−１５であることを特徴
とする特許請求の範囲第１９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US655002 | 1984-09-26 | ||
| US06/655,002 US4601958A (en) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | Plated parts and their production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187892A true JPS6187892A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0240749B2 JPH0240749B2 (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=24627095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209020A Granted JPS6187892A (ja) | 1984-09-26 | 1985-09-24 | めつきした部品およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4601958A (ja) |
| EP (1) | EP0175901B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6187892A (ja) |
| CA (1) | CA1279843C (ja) |
| DE (1) | DE3572136D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011080796A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子のパッケージおよびそのテストソケット |
| JPWO2013094766A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2015-04-27 | オーエム産業株式会社 | めっき品及びその製造方法 |
| WO2015129418A1 (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 防水型電子機器及びその製造方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737418A (en) * | 1986-12-22 | 1988-04-12 | Advanced Materials Technology Corp. | Nickel clad corrosion resistant lid for semiconductor package |
| US4835067A (en) * | 1988-01-21 | 1989-05-30 | Electro Alloys Corp. | Corrosion resistant electroplating process, and plated article |
| US4842961A (en) * | 1988-03-04 | 1989-06-27 | Advanced Materials Technology Corp. | Alternate electrolytic/electroless-layered lid for electronics package |
| DE68923024T2 (de) * | 1988-03-28 | 1995-11-02 | Texas Instruments Inc | Leiterrahmen mit verminderter Korrosion. |
| US5051317A (en) * | 1990-01-03 | 1991-09-24 | Krementz & Co. Inc. | Multilayered electroplating process utilizing fine gold |
| WO1994024702A1 (en) * | 1993-04-13 | 1994-10-27 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal cover for ceramic package and method of making same |
| US5532513A (en) * | 1994-07-08 | 1996-07-02 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal-ceramic composite lid |
| WO1996002941A1 (en) * | 1994-07-19 | 1996-02-01 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal cover for ceramic package and method of making same |
| US5744752A (en) * | 1995-06-05 | 1998-04-28 | International Business Machines Corporation | Hermetic thin film metallized sealband for SCM and MCM-D modules |
| US5639014A (en) * | 1995-07-05 | 1997-06-17 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Integral solder and plated sealing cover and method of making same |
| TW340139B (en) * | 1995-09-16 | 1998-09-11 | Moon Sung-Soo | Process for plating palladium or palladium alloy onto iron-nickel alloy substrate |
| FR2748754B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-07-10 | Dassault Electronique | Procede de metallisation d'un composite a matrice metallique et composite ainsi obtenu |
| US6390353B1 (en) | 1998-01-06 | 2002-05-21 | Williams Advanced Materials, Inc. | Integral solder and plated sealing cover and method of making the same |
| EP1260609A4 (en) * | 2000-02-24 | 2005-01-05 | Ibiden Co Ltd | NICKEL GOLD PLATING WITH HIGH CORROSION RESISTANCE |
| CA2313438C (en) | 2000-07-06 | 2003-03-11 | B-Con Engineering Inc. | High quality optical surface and method of producing same |
| US7097897B1 (en) * | 2000-08-07 | 2006-08-29 | Illinois Tool Works Inc. | Powder coated strap and method for making same |
| CN102544884B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-04-01 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 电连接器、电连接器壳体及其表面处理的方法 |
| DE102012004356B4 (de) | 2012-03-07 | 2013-10-31 | Umicore Galvanotechnik Gmbh | Haftfeste, korrosionsbeständige technische Verchromung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| DE102012012566B3 (de) | 2012-06-23 | 2013-12-05 | Audi Ag | Verbundscheibe für einen Kraftwagen und Kraftwagen mit einer solchen Verbundscheibe. |
| US20190256994A1 (en) | 2016-02-16 | 2019-08-22 | Lumishield Technologies Incorporated | Electrochemical Deposition of Elements in Aqueous Media |
| CN111108236A (zh) | 2017-06-01 | 2020-05-05 | 鲁米士德科技公司 | 用于在水溶液中电化学沉积富金属层的方法和组合物 |
| CN110977362B (zh) * | 2019-12-26 | 2024-05-07 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法 |
| JP7395389B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-12-11 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2428033A (en) * | 1941-11-24 | 1947-09-30 | John S Nachtman | Manufacture of rustproof electrolytic coatings for metal stock |
| US3199003A (en) * | 1961-10-26 | 1965-08-03 | Rca Corp | Enclosure for semiconductor devices |
| US3219748A (en) * | 1961-12-04 | 1965-11-23 | Motorola Inc | Semiconductor device with cold welded package and method of sealing the same |
| NL281894A (ja) * | 1962-08-08 | |||
| GB1031837A (en) * | 1963-08-01 | 1966-06-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to metal plating |
| US3823468A (en) * | 1972-05-26 | 1974-07-16 | N Hascoe | Method of fabricating an hermetically sealed container |
| US3946190A (en) * | 1972-05-26 | 1976-03-23 | Semi-Alloys Incorporated | Method of fabricating a sealing cover for an hermetically sealed container |
| US3874549A (en) * | 1972-05-26 | 1975-04-01 | Norman Hascoe | Hermetic sealing cover for a container for a semiconductor device |
| US4284481A (en) * | 1978-07-31 | 1981-08-18 | Norman Hascoe | Method of fabricating a metallic hermetic sealing cover for a container |
| US4243729A (en) * | 1978-07-31 | 1981-01-06 | Semi-Alloys, Inc. | Metallic hermetic sealing cover for a container |
| DE2919404C2 (de) * | 1979-05-14 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gehäuse für Halbleiterbauelement |
| DD143673A1 (de) * | 1979-05-16 | 1980-09-03 | Lessig Hans Joerg | Verfahren zur herstellung von zwischentraegern mit kontakthuegeln |
| US4411965A (en) * | 1980-10-31 | 1983-10-25 | Occidental Chemical Corporation | Process for high speed nickel and gold electroplate system and article having improved corrosion resistance |
| EP0127857B1 (en) * | 1983-05-28 | 1987-07-29 | Masami Kobayashi | Solderable stainless steel article and method for making same |
-
1984
- 1984-09-26 US US06/655,002 patent/US4601958A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-08-13 EP EP85110121A patent/EP0175901B1/en not_active Expired
- 1985-08-13 DE DE8585110121T patent/DE3572136D1/de not_active Expired
- 1985-09-20 CA CA000491273A patent/CA1279843C/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-24 JP JP60209020A patent/JPS6187892A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011080796A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子のパッケージおよびそのテストソケット |
| JPWO2013094766A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2015-04-27 | オーエム産業株式会社 | めっき品及びその製造方法 |
| WO2015129418A1 (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 防水型電子機器及びその製造方法 |
| JPWO2015129418A1 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-03-30 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 防水型電子機器及びその製造方法 |
| US9852962B2 (en) | 2014-02-25 | 2017-12-26 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Waterproof electronic device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3572136D1 (en) | 1989-09-14 |
| CA1279843C (en) | 1991-02-05 |
| EP0175901A1 (en) | 1986-04-02 |
| US4601958A (en) | 1986-07-22 |
| JPH0240749B2 (ja) | 1990-09-13 |
| EP0175901B1 (en) | 1989-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6187892A (ja) | めつきした部品およびその製造方法 | |
| US4666796A (en) | Plated parts and their production | |
| US4620661A (en) | Corrosion resistant lid for semiconductor package | |
| DE3882998T2 (de) | Halbleitergehäuse. | |
| DE69705262T2 (de) | Verfahren zur Beschichtung eines Gegenstandes mit einer konformen Nickelbeschichtung | |
| US4469567A (en) | Treatment of copper foil | |
| DE4311872C2 (de) | Leiterrahmen für integrierte Schaltungen | |
| DE102010012609A1 (de) | Sn-plattiertes Kupfer oder Sn-plattierte Kupferlegierung mit hervorragender Wärmebeständigkeit und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE2631904A1 (de) | Zuleitungsstreifen fuer integrierte schaltungsplatten und verfahren zu dessen herstellung | |
| US4737418A (en) | Nickel clad corrosion resistant lid for semiconductor package | |
| US4104135A (en) | Method of producing highly corrosion resistant tin-plated steel sheet | |
| US3515950A (en) | Solderable stainless steel | |
| EP0823719A1 (en) | Molded electronic component having pre-plated lead terminals and manufacturing process thereof | |
| DE2549861C3 (de) | Verfahren zur Anbringung von lokalisierten Kontakten auf einer Dünnschichtschaltung | |
| DE2438870C3 (de) | Elektolytkondensator | |
| JPH04337657A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| US5038195A (en) | Composition and coating to prevent current induced electrochemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate | |
| US6117566A (en) | Lead frame material | |
| US5074969A (en) | Composition and coating to prevent current induced electrochemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate | |
| DE3041740A1 (de) | Verfahren zum galvanisieren mit silber/platinmetall-legierungen | |
| JPH0379790A (ja) | 耐食高張力鋼線およびそれを用いた耐食コイルバネ | |
| JPH0217662A (ja) | 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 | |
| KR100231825B1 (ko) | 반도체 리드 프레임 | |
| KR100215996B1 (ko) | 철-니켈 합금 소재의 내식성 및 내균열성 향상을 위한 4층 도금 방법 | |
| CA2069390A1 (en) | Corrosion resistant high temperature contacts or electrical connectors and method of fabrication thereof |