JPH0240851A - 集束イオンビーム注入装置 - Google Patents
集束イオンビーム注入装置Info
- Publication number
- JPH0240851A JPH0240851A JP63189894A JP18989488A JPH0240851A JP H0240851 A JPH0240851 A JP H0240851A JP 63189894 A JP63189894 A JP 63189894A JP 18989488 A JP18989488 A JP 18989488A JP H0240851 A JPH0240851 A JP H0240851A
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- ion beam
- angle
- axis
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- crystallographic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、全チャンネリングを著しく小さく出来る集束
イオンビーム注入装置に関する。
イオンビーム注入装置に関する。
［従来の技術］
集束イオンビーム注入装置はイオン源からのイオンビー
ムを集束して、例えば、シリコンウェハの如き材料上の
任意の位置に注入する装置である。
ムを集束して、例えば、シリコンウェハの如き材料上の
任意の位置に注入する装置である。
さて、この様に材料にイオン注入を行う場合、材料面に
垂直にイオンをショットすると、該イオンが材料の原子
と衝突せずに奥深く打ち込まれてしまう。この様な現象
をチャンネル効果と呼んでいるか、特に、意識的に深い
イオン打ち込みを行う場合を除き、この様なチャンネル
効果は出来るだけ小さくする必要がある。その為に、イ
オンビームを材料面に対し斜めにショットする事により
、イオンを材料原子と衝突させ、材料表面の近くに止ま
る様にしている。該イオンを斜めショットする場合には
、例えば、第３図（ａ）に示す様に、光軸Ｏに対し、材
料Ｍを角度θ（７’ ）傾けるが、第３図（ｂ）に示す
様に、材料面は水平にし、上下２段の偏向器Ｄａ、Ｄｂ
から成る斜めショット用偏向器によりイオンビームを光
軸０に対し角度θ（７°）傾けて材料にショットする様
にしている。
垂直にイオンをショットすると、該イオンが材料の原子
と衝突せずに奥深く打ち込まれてしまう。この様な現象
をチャンネル効果と呼んでいるか、特に、意識的に深い
イオン打ち込みを行う場合を除き、この様なチャンネル
効果は出来るだけ小さくする必要がある。その為に、イ
オンビームを材料面に対し斜めにショットする事により
、イオンを材料原子と衝突させ、材料表面の近くに止ま
る様にしている。該イオンを斜めショットする場合には
、例えば、第３図（ａ）に示す様に、光軸Ｏに対し、材
料Ｍを角度θ（７’ ）傾けるが、第３図（ｂ）に示す
様に、材料面は水平にし、上下２段の偏向器Ｄａ、Ｄｂ
から成る斜めショット用偏向器によりイオンビームを光
軸０に対し角度θ（７°）傾けて材料にショットする様
にしている。
［発明が解決しようｔする課題］
所で、第４図におけるＸｃ、Ｙｃ、Ｚｃは材料の結晶軸
（Ｚ軸は光軸と平行である）で、上記斜めショットは、
該各結晶軸の内、Ｚ軸（以後、結晶Ｚ軸と称す）に対し
角度θ（７°）傾けてイオンビームを材料にショットし
たものである。即ち、垂直方向のチャンネリングを押さ
えたものである。
（Ｚ軸は光軸と平行である）で、上記斜めショットは、
該各結晶軸の内、Ｚ軸（以後、結晶Ｚ軸と称す）に対し
角度θ（７°）傾けてイオンビームを材料にショットし
たものである。即ち、垂直方向のチャンネリングを押さ
えたものである。
しかし、これたけでは、結晶軸の内、Ｙ軸（以後、結晶
Ｙ軸と称す）に対する角度は固定なので、水平方向のチ
ャンネリングが全く押さえられていない。
Ｙ軸と称す）に対する角度は固定なので、水平方向のチ
ャンネリングが全く押さえられていない。
本発明はこの様な点に鑑みて成されたもので、結晶Ｚ軸
に対し角度θ（７’ ）傾けてイオンビームを材料にシ
ョット出来る共に、該ビームの結晶Ｙ軸に対するショッ
ト角度を電気的に自由に変える事が出来る様に成す事に
より、垂直方向だけでは無く、水平方向のチャンネリン
グも押さえれるようにした新規な集束イオンビーム注入
装置を提供するものである。
に対し角度θ（７’ ）傾けてイオンビームを材料にシ
ョット出来る共に、該ビームの結晶Ｙ軸に対するショッ
ト角度を電気的に自由に変える事が出来る様に成す事に
より、垂直方向だけでは無く、水平方向のチャンネリン
グも押さえれるようにした新規な集束イオンビーム注入
装置を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
その為に、本発明の集束イオンビーム注入装置は、イオ
ンビーム発生手段、該イオンビーム発生手段からのイオ
ンビームを材料上で集束させる集束レンズ、該イオンビ
ームを光軸に対して所定角度傾かせて材料上にショット
させる機構、該イオンビームを材料上の所定位置にショ
ットさせる為のＸ方向、Ｙ方向偏向器備えた集束イオン
ビーム注入装置において、イオンビームの材料上でのシ
ョット位置を指定する位置信号（Ｘ、Ｙ）と、光軸を含
む面に対する水平方向の任意の角度（φ）の余弦値（ｃ
ｏｓφ）、正弦値（ｓｉｎφ）の６積を取る回路、該６
積の内、ＸｃｏｓφとＹｓｉｎφの差を取って上記Ｘ方
向偏向器に、ＸｓｉｎφとＹｃｏｓφの和を取って上記
Ｙ方向偏向器に夫々送る回路を設けた。
ンビーム発生手段、該イオンビーム発生手段からのイオ
ンビームを材料上で集束させる集束レンズ、該イオンビ
ームを光軸に対して所定角度傾かせて材料上にショット
させる機構、該イオンビームを材料上の所定位置にショ
ットさせる為のＸ方向、Ｙ方向偏向器備えた集束イオン
ビーム注入装置において、イオンビームの材料上でのシ
ョット位置を指定する位置信号（Ｘ、Ｙ）と、光軸を含
む面に対する水平方向の任意の角度（φ）の余弦値（ｃ
ｏｓφ）、正弦値（ｓｉｎφ）の６積を取る回路、該６
積の内、ＸｃｏｓφとＹｓｉｎφの差を取って上記Ｘ方
向偏向器に、ＸｓｉｎφとＹｃｏｓφの和を取って上記
Ｙ方向偏向器に夫々送る回路を設けた。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例として示した集束イオンビ
ーム注入装置の概略図である。
ーム注入装置の概略図である。
図中、１はイオン源、２は集束レンズ、３はサブレンズ
、４Ｘ、４Ｙは各々Ｘ方向、Ｙ方向偏向器、５はステー
ジ、６はホルダ、７は材料、８は制御装置、９Ｘ、９Ｙ
はＤＡ変換器、１０は余弦発生器、１１は正弦発生器、
１２．１３．１４゜１５は乗算器、１６は引算器、１７
は足算器、１８は補正演算回路である。上記ステージ５
としては、そのホルダ載置面が光軸に垂直な面（水甲面
）対し角度θ（７°）傾いたものを使用するか、そのホ
ルダ載置面の水平面に対する角度が自由に変えられるも
のを使用する。又は、材料７を保持したホルダ６をステ
ージ５の材料載置面上で任意の角度傾ける事が出来る様
に構成してもよい。
、４Ｘ、４Ｙは各々Ｘ方向、Ｙ方向偏向器、５はステー
ジ、６はホルダ、７は材料、８は制御装置、９Ｘ、９Ｙ
はＤＡ変換器、１０は余弦発生器、１１は正弦発生器、
１２．１３．１４゜１５は乗算器、１６は引算器、１７
は足算器、１８は補正演算回路である。上記ステージ５
としては、そのホルダ載置面が光軸に垂直な面（水甲面
）対し角度θ（７°）傾いたものを使用するか、そのホ
ルダ載置面の水平面に対する角度が自由に変えられるも
のを使用する。又は、材料７を保持したホルダ６をステ
ージ５の材料載置面上で任意の角度傾ける事が出来る様
に構成してもよい。
先ず、制御装置８はショットすべき位置（Ｘ。
Ｙ）データをＤＡ変換器９Ｘ、９Ｙに、イオンビームの
結晶Ｙ軸に対するショット角度φを余弦発生器１０．正
弦発生器１１に送る。このイオンビームの結晶Ｙ軸に対
するショット角度φとしては材料の種類に応じて最も材
料原子と衝突する確率の高い角度か選択出来る。この時
、同時に、材料７が基準軸からステージ５の材料載置面
に平行な面上で、角度φだけ回転する様にホルダ６をス
テージの材料載置面上で回転させる。材料の基準軸とは
、第２図（ａ）に示す様に、例えば、材料としてオリフ
ラ（オリエンテーションフラット）ＯＦを有するシリコ
ンウェハを使用した場合、該オリフラＯＦに垂直な線Ｖ
が結晶Ｙ！ｄ＋Ｙｃと平行な状態にある場合の、波線Ｖ
に対応した仮想的軸に対応する。尚、結晶Ｙ軸Ｙｃはス
テージ５のＹ座標軸Ｙｓに平行に一致する様に成されて
いるので、該ステージ５のＹ座標軸Ｙｓが基準軸と一致
する。
結晶Ｙ軸に対するショット角度φを余弦発生器１０．正
弦発生器１１に送る。このイオンビームの結晶Ｙ軸に対
するショット角度φとしては材料の種類に応じて最も材
料原子と衝突する確率の高い角度か選択出来る。この時
、同時に、材料７が基準軸からステージ５の材料載置面
に平行な面上で、角度φだけ回転する様にホルダ６をス
テージの材料載置面上で回転させる。材料の基準軸とは
、第２図（ａ）に示す様に、例えば、材料としてオリフ
ラ（オリエンテーションフラット）ＯＦを有するシリコ
ンウェハを使用した場合、該オリフラＯＦに垂直な線Ｖ
が結晶Ｙ！ｄ＋Ｙｃと平行な状態にある場合の、波線Ｖ
に対応した仮想的軸に対応する。尚、結晶Ｙ軸Ｙｃはス
テージ５のＹ座標軸Ｙｓに平行に一致する様に成されて
いるので、該ステージ５のＹ座標軸Ｙｓが基準軸と一致
する。
従って、本実施例の場合、第２図（ｂ）に示す様に、該
シリコンウェハが基準軸Ｙｓに対し、角度φだけ回転さ
せておく。図中ＸｓはステージのＸ座標軸である。
シリコンウェハが基準軸Ｙｓに対し、角度φだけ回転さ
せておく。図中ＸｓはステージのＸ座標軸である。
上記ＤＡ変換器９Ｘの出力（Ｘ）は乗算器１２゜１４に
、ＤＡ変換器９Ｙの出力（Ｙ）は乗算器１３．１５に夫
々送られる。又、余弦発生器１０の出力（ｃｏｓφ）は
乗算器１２．１５に、正弦発生器１１の出力（ｓｉｎφ
）は乗算器１３．１４に夫々送られる。
、ＤＡ変換器９Ｙの出力（Ｙ）は乗算器１３．１５に夫
々送られる。又、余弦発生器１０の出力（ｃｏｓφ）は
乗算器１２．１５に、正弦発生器１１の出力（ｓｉｎφ
）は乗算器１３．１４に夫々送られる。
上記乗算器１２の出力（Ｘｃｏｓφ）と、乗算器１３の
出力（Ｙｓｉｎφ）は引算器１６に、乗算器１４の出力
（Ｘｓｉｎφ）と、乗算器１５の出力（Ｙｃｏｓφ）は
足算器１７に夫々送られる。
出力（Ｙｓｉｎφ）は引算器１６に、乗算器１４の出力
（Ｘｓｉｎφ）と、乗算器１５の出力（Ｙｃｏｓφ）は
足算器１７に夫々送られる。
そして、上記引算器１６の出力（ＸｃｏｓφＹｓｉｎφ
）は、Ｘ方向偏向器４Ｘと補正演算回路１８に、足算器
１７の出力（Ｘｓｉｎφ＋Ｙｃｏｓφ）はＹ方向偏向器
４Ｙと補正演算回路１８に夫々送られる。
）は、Ｘ方向偏向器４Ｘと補正演算回路１８に、足算器
１７の出力（Ｘｓｉｎφ＋Ｙｃｏｓφ）はＹ方向偏向器
４Ｙと補正演算回路１８に夫々送られる。
而して、イオン源１からのイオンビームは集束レンズ２
により材料面上で集束される。この時、材料７は水平面
に対して角度θ（７°）傾けられており、偏向器４Ｘ、
４Ｙには、上記引算器１６゜足算器１７各々より（Ｘｃ
ｏｓφ−Ｙｓｉｎφ）。
により材料面上で集束される。この時、材料７は水平面
に対して角度θ（７°）傾けられており、偏向器４Ｘ、
４Ｙには、上記引算器１６゜足算器１７各々より（Ｘｃ
ｏｓφ−Ｙｓｉｎφ）。
（Ｘｓｉｎφ＋Ｙｃｏｓφ）に対応した位置信号か供給
されているので、該イオンビームは、材料の結晶Ｚ軸Ｚ
ｃに対し角度θ（７″）、結晶Ｙ軸Ｙｃに対し角度φ傾
けられて材料上の所定位置にショットされる。
されているので、該イオンビームは、材料の結晶Ｚ軸Ｚ
ｃに対し角度θ（７″）、結晶Ｙ軸Ｙｃに対し角度φ傾
けられて材料上の所定位置にショットされる。
さて、材料上の成る領域（フィールド）内にイオンビー
ムが打ち込まれる場合、上記制御装置８から該領域位置
を指定する位置信号が順次、各ＤＡ変換器９Ｘ、９Ｙに
送られて来るが、本実施例の場合、材料７を水平面に対
し角度θ（７°）傾けているので、該領域内の各位置で
フォーカスがずれてしまう恐れがある。そこで、本実施
例では、該フォーカスのずれが該領域内で発生しないよ
うに、補正演算回路１８が使用されている。該補正演算
回路は、該領域内の各位置を指定する信号（Ｘｃｏｓφ
−Ｙｓｉｎφ）、（−Ｘｓｉｎφ＋Ｙｃｏｓφ）が送ら
れて来ると、その位置に応じてフォーカス補正したレン
ズ電流をザブレンズ３に供給している。又、この様に領
域にイオンを打ち込む場合、本実施例では、第２図（ｂ
）に示す様に、該シリコンウェハを基準軸Ｙｓに対し、
角度φだけ回転させているので、例えば、形成すべき領
域が正方形状、若しくは長方形状の場合、オリフラＯＦ
に平行な辺の領域が形成される。従って、この様な領域
を繋いで大領域を形成しても場合、本実施例では精度よ
く繋がる。
ムが打ち込まれる場合、上記制御装置８から該領域位置
を指定する位置信号が順次、各ＤＡ変換器９Ｘ、９Ｙに
送られて来るが、本実施例の場合、材料７を水平面に対
し角度θ（７°）傾けているので、該領域内の各位置で
フォーカスがずれてしまう恐れがある。そこで、本実施
例では、該フォーカスのずれが該領域内で発生しないよ
うに、補正演算回路１８が使用されている。該補正演算
回路は、該領域内の各位置を指定する信号（Ｘｃｏｓφ
−Ｙｓｉｎφ）、（−Ｘｓｉｎφ＋Ｙｃｏｓφ）が送ら
れて来ると、その位置に応じてフォーカス補正したレン
ズ電流をザブレンズ３に供給している。又、この様に領
域にイオンを打ち込む場合、本実施例では、第２図（ｂ
）に示す様に、該シリコンウェハを基準軸Ｙｓに対し、
角度φだけ回転させているので、例えば、形成すべき領
域が正方形状、若しくは長方形状の場合、オリフラＯＦ
に平行な辺の領域が形成される。従って、この様な領域
を繋いで大領域を形成しても場合、本実施例では精度よ
く繋がる。
尚、上記実施例では、材料を水平面に対し角度θ（７＠
）傾けて結晶Ｚ軸に対し角度θ（７°）傾けてイオンビ
ームを材料にショット出来る様にしたが、第３図（ｂ）
に示す様に、材料面は水平にし、上下２段の偏向器Ｄａ
、Ｄｂから成る斜めショット用偏向器によりイオンビー
ムを光軸Ｏに対し角度θ（７’ ）傾けて材料にショッ
トする様に成した場合には、該光路上に該斜めショット
用偏向器を配置するが、材料を水平面に対し傾ける必要
がないので、補正演算回路１８を設けてフォーカス補正
をする必要もない。
）傾けて結晶Ｚ軸に対し角度θ（７°）傾けてイオンビ
ームを材料にショット出来る様にしたが、第３図（ｂ）
に示す様に、材料面は水平にし、上下２段の偏向器Ｄａ
、Ｄｂから成る斜めショット用偏向器によりイオンビー
ムを光軸Ｏに対し角度θ（７’ ）傾けて材料にショッ
トする様に成した場合には、該光路上に該斜めショット
用偏向器を配置するが、材料を水平面に対し傾ける必要
がないので、補正演算回路１８を設けてフォーカス補正
をする必要もない。
［発明の効果］
本発明によれば、材料の結晶Ｙ軸に対する角度が自由に
変えることが出来るので、水平方向のチャンネリングを
押さえる事が可能となり、全チャンネリングが極めて小
さく出来る。
変えることが出来るので、水平方向のチャンネリングを
押さえる事が可能となり、全チャンネリングが極めて小
さく出来る。
第１図は、本発明の一実施例として示した集束イオンビ
ーム注入装置の概略図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本発明の詳細な説明を補足する為のもの、第３
図（ａ）、（ｂ）は材料の結晶Ｚ軸に対し角度θ（７”
）傾けてイオンビームを材料にショットする例を示し
たもので、第４図は材料の結晶軸Ｘｃ、Ｙｃ、Ｚｃを説
明する為に用いたものである。 １：イオン源 ２：集束レンズ ３：サブレンズ
４Ｘ、４Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向偏向器５；ステージ
６：ホルダ ７：材料８：制御装置 ９Ｘ、９Ｙ：
ＤＡ変換器１０：余弦発生器 １１：正弦発生器
１２゜１３．１４，１５：乗算器 １６：引算器１７
：足算器 １８：補正演算回路 特許出願人 日本電子株式会社 Ｙ５（ｖ）
ーム注入装置の概略図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本発明の詳細な説明を補足する為のもの、第３
図（ａ）、（ｂ）は材料の結晶Ｚ軸に対し角度θ（７”
）傾けてイオンビームを材料にショットする例を示し
たもので、第４図は材料の結晶軸Ｘｃ、Ｙｃ、Ｚｃを説
明する為に用いたものである。 １：イオン源 ２：集束レンズ ３：サブレンズ
４Ｘ、４Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向偏向器５；ステージ
６：ホルダ ７：材料８：制御装置 ９Ｘ、９Ｙ：
ＤＡ変換器１０：余弦発生器 １１：正弦発生器
１２゜１３．１４，１５：乗算器 １６：引算器１７
：足算器 １８：補正演算回路 特許出願人 日本電子株式会社 Ｙ５（ｖ）
Claims (1)
- イオンビーム発生手段、該イオンビーム発生手段からの
イオンビームを材料上で集束させる集束レンズ、該イオ
ンビームを光軸に対して所定角度傾かせて材料上にショ
ットさせる機構、該イオンビームを材料上の所定位置に
ショットさせる為のＸ方向、Ｙ方向偏向器備えた集束イ
オンビーム注入装置において、イオンビームの材料上で
のショット位置を指定する位置信号（Ｘ、Ｙ）と、光軸
を含む面に対する水平方向の任意の角度（φ）の余弦値
（ｃｏｓφ）、正弦値（ｓｉｎφ）の各積を取る回路、
該各積の内、ＸｃｏｓφとＹｓｉｎφの差を取って上記
Ｘ方向偏向器に、ＸｓｉｎφとＹｃｏｓφの和を取って
上記Ｙ方向偏向器に夫々送る回路を設けた集束イオンビ
ーム注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189894A JPH0748366B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 集束イオンビーム注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189894A JPH0748366B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 集束イオンビーム注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240851A true JPH0240851A (ja) | 1990-02-09 |
| JPH0748366B2 JPH0748366B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16248967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63189894A Expired - Fee Related JPH0748366B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 集束イオンビーム注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748366B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5011761A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-06 | ||
| JPS5031770A (ja) * | 1973-04-19 | 1975-03-28 | ||
| JPS5984517A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Toshiba Corp | 単結晶基体へのイオン注入方法 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63189894A patent/JPH0748366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031770A (ja) * | 1973-04-19 | 1975-03-28 | ||
| JPS5011761A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-06 | ||
| JPS5984517A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Toshiba Corp | 単結晶基体へのイオン注入方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748366B2 (ja) | 1995-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |