JPH0240971A - 超伝導量子干渉素子の製造方法 - Google Patents
超伝導量子干渉素子の製造方法Info
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- JPH0240971A JPH0240971A JP63191503A JP19150388A JPH0240971A JP H0240971 A JPH0240971 A JP H0240971A JP 63191503 A JP63191503 A JP 63191503A JP 19150388 A JP19150388 A JP 19150388A JP H0240971 A JPH0240971 A JP H0240971A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、超伝導体酸化物を用いた厚膜印刷による超伝
導量子干渉素子の製造方法に関するものである。
導量子干渉素子の製造方法に関するものである。
(従来の技術)
従来より超伝導材料としてPb、Nb−NpaGe等の
単体金属、合金、金属間化合物が知られていた。
単体金属、合金、金属間化合物が知られていた。
これらの材料は主に薄膜化、線材化を行い加工すること
によってその超伝導性を応用したデバイスが作成されて
きた。これらの材料の超伝導転移温度はすべて23.2
に以下であったため液体ヘリウムによる冷却が必要であ
った。このため、超伝導体を応用したデバイスは限られ
たものしか適用されていなかった。近年、La−Ba−
Cu−0系のうち(La1−xBax)2CuO4で0
.075≦X≦0.1の組成のものがTcが30Kに、
Y−Ba−Cu−0系のうちYBa2Cu30.の組成
のもののTcが90に前後をもつと相次いで報告されて
いる。さらにこのYBa2Cu30.のYの位置を他の
希土類元素のうちランタン、ネオジミウム、サマリウム
、ユーロピウム、ガドニウム、ジスプロシウム、ホロミ
ウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビラム、ツリウ
ムに置き換えても、またこれらの元素が2種類以上混合
されていても、はぼ同じ90に程度のTcをもつことも
報告されている。Y−Ba−Cu−0系を始めとするこ
れらの超伝導体のTcは液体窒素の沸点(77K)より
も高くなったことにより、実用材料としての期待が大き
くなってきている。
によってその超伝導性を応用したデバイスが作成されて
きた。これらの材料の超伝導転移温度はすべて23.2
に以下であったため液体ヘリウムによる冷却が必要であ
った。このため、超伝導体を応用したデバイスは限られ
たものしか適用されていなかった。近年、La−Ba−
Cu−0系のうち(La1−xBax)2CuO4で0
.075≦X≦0.1の組成のものがTcが30Kに、
Y−Ba−Cu−0系のうちYBa2Cu30.の組成
のもののTcが90に前後をもつと相次いで報告されて
いる。さらにこのYBa2Cu30.のYの位置を他の
希土類元素のうちランタン、ネオジミウム、サマリウム
、ユーロピウム、ガドニウム、ジスプロシウム、ホロミ
ウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビラム、ツリウ
ムに置き換えても、またこれらの元素が2種類以上混合
されていても、はぼ同じ90に程度のTcをもつことも
報告されている。Y−Ba−Cu−0系を始めとするこ
れらの超伝導体のTcは液体窒素の沸点(77K)より
も高くなったことにより、実用材料としての期待が大き
くなってきている。
一方、従来の超伝導量子干渉素子は、Pb、 Nb等の
金属材料を薄膜化し、それをエツチング等の方法により
微細なくびれを作製しジョセフソン接合を形成する方法
や超伝導体の間に非超伝導体をはさむトンネル接合によ
る方法により製造されてきた。これらの技術は薄膜を作
製するプロセスを含むため高価な設備が必要とされ、加
工にもいくつかのプロセスを要するため安価に大量に生
産するには向いていなかった。
金属材料を薄膜化し、それをエツチング等の方法により
微細なくびれを作製しジョセフソン接合を形成する方法
や超伝導体の間に非超伝導体をはさむトンネル接合によ
る方法により製造されてきた。これらの技術は薄膜を作
製するプロセスを含むため高価な設備が必要とされ、加
工にもいくつかのプロセスを要するため安価に大量に生
産するには向いていなかった。
この液体窒素の沸点以上で超伝導を示す酸化物の発見に
よって冷却装置が小型で簡便なもので済むようになるた
め、従来は用いられなかった低価格の超伝導を利用した
デバイスが作成される可能性がでてきた。そのため大型
で高価な設備が必要とされる薄膜や線材よりも安価な設
備で作成可能な印刷技術を利用した厚膜が安価な超伝導
デバイスへ応用されることが期待される。
よって冷却装置が小型で簡便なもので済むようになるた
め、従来は用いられなかった低価格の超伝導を利用した
デバイスが作成される可能性がでてきた。そのため大型
で高価な設備が必要とされる薄膜や線材よりも安価な設
備で作成可能な印刷技術を利用した厚膜が安価な超伝導
デバイスへ応用されることが期待される。
しかしながら、この酸化物を厚膜印刷だけを用いて超伝
導量子干渉素子(SQUID)等のデバイスを作成する
試みは報告されていない。
導量子干渉素子(SQUID)等のデバイスを作成する
試みは報告されていない。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、従来の薄膜化プロセスや加工プロセスを省略
することができ、製造コストが安価で大量生産に向いた
、しかも液体窒素温度以上で動作する超伝導量子干渉素
子の製造方法を提供することにある。
することができ、製造コストが安価で大量生産に向いた
、しかも液体窒素温度以上で動作する超伝導量子干渉素
子の製造方法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は希土類−バリウム−銅系の酸化物を有機ビヒク
ルとともに混練することによりペーストを作製し、これ
を基板上にスクリーン印刷法により超伝導体厚膜の一部
にジョセフソン接合となるべき箇所を形成し、その後焼
成することを特徴とする超伝導量子干渉素子の製造方法
である。
ルとともに混練することによりペーストを作製し、これ
を基板上にスクリーン印刷法により超伝導体厚膜の一部
にジョセフソン接合となるべき箇所を形成し、その後焼
成することを特徴とする超伝導量子干渉素子の製造方法
である。
(実施例)
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
本発明において、超伝導体ペーストは以下により作成し
た。出発原料として純度99゜9%以上の酸化イツトリ
ウム(Y2O2)、炭酸バリウム(BaCO3)、酸化
第二j1M(CuO)を使用し、配合比が金属イオンの
モル比で1:2:3となるように秤量した。これらをボ
ールミルを用いて湿式混合した後、空気中880°Cか
ら920°Cの温度で仮焼し、再びボールミルにて再粉
砕を行った粉を有機バインターとともに有機溶媒で混練
しペースト化した。ペーストの作成においてはバインダ
ーとしてエチルセルロース系のバインダーと有機溶媒と
してテルピネオールをそれぞれ適量加え、混練しペース
ト化した。得られたペーストを400メツシユのステン
レススクリーンを用いてイツトリア安定化ジルコニア基
板上に印刷を行った。次に基板上の印刷体を酸化性もし
くは中性雰囲気で脱バインダーを行い、さらに酸化性雰
囲気で980°Cにて焼成した。焼成する温度から室温
までの降温速度を1時間当たり100°C以下となるよ
うにコントロールした。これは、イツトリウム−バリウ
ム−銅系の酸化物が超伝導を示すためには、酸素欠陥を
少なくしてやる必要があるため、降温を遅くし導体の酸
化物に酸素を入れるためである。
た。出発原料として純度99゜9%以上の酸化イツトリ
ウム(Y2O2)、炭酸バリウム(BaCO3)、酸化
第二j1M(CuO)を使用し、配合比が金属イオンの
モル比で1:2:3となるように秤量した。これらをボ
ールミルを用いて湿式混合した後、空気中880°Cか
ら920°Cの温度で仮焼し、再びボールミルにて再粉
砕を行った粉を有機バインターとともに有機溶媒で混練
しペースト化した。ペーストの作成においてはバインダ
ーとしてエチルセルロース系のバインダーと有機溶媒と
してテルピネオールをそれぞれ適量加え、混練しペース
ト化した。得られたペーストを400メツシユのステン
レススクリーンを用いてイツトリア安定化ジルコニア基
板上に印刷を行った。次に基板上の印刷体を酸化性もし
くは中性雰囲気で脱バインダーを行い、さらに酸化性雰
囲気で980°Cにて焼成した。焼成する温度から室温
までの降温速度を1時間当たり100°C以下となるよ
うにコントロールした。これは、イツトリウム−バリウ
ム−銅系の酸化物が超伝導を示すためには、酸素欠陥を
少なくしてやる必要があるため、降温を遅くし導体の酸
化物に酸素を入れるためである。
ここでは焼成時間を5分として焼成を行った。
第1図に本実施例において製作した超伝導量子干渉素子
の焼成後の寸法の模式図を示す。第1図における各部の
寸法を表す。Aは75pm、 Bは10011m、Cは
100100pは4mmである。厚みは10pmであっ
た。このようにして作成した超伝導量子干渉素子の電気
的特性を測定した結果、実施例の範囲ではおよそ90K
まで交流ジョセフソン効果によるシャピロステップが観
測された。さらに液体窒素温度(77,3K)において
交流磁場中で超伝導電流の磁束の出入りに伴う発振が観
測された。本実施例において観測された77.3Kにお
ける交流磁場中の超伝導電流の発振の様子を第2図に示
す。また希土類がY。
の焼成後の寸法の模式図を示す。第1図における各部の
寸法を表す。Aは75pm、 Bは10011m、Cは
100100pは4mmである。厚みは10pmであっ
た。このようにして作成した超伝導量子干渉素子の電気
的特性を測定した結果、実施例の範囲ではおよそ90K
まで交流ジョセフソン効果によるシャピロステップが観
測された。さらに液体窒素温度(77,3K)において
交流磁場中で超伝導電流の磁束の出入りに伴う発振が観
測された。本実施例において観測された77.3Kにお
ける交流磁場中の超伝導電流の発振の様子を第2図に示
す。また希土類がY。
La、 Nd、Sm、 Eu、 Gd、 Dy、 Ho
、 Er、 Tm、 Yb、 Luの1種類または2種
類以上の希土類−バリウム−iq系の酸化物でも同様の
結果が得られる。
、 Er、 Tm、 Yb、 Luの1種類または2種
類以上の希土類−バリウム−iq系の酸化物でも同様の
結果が得られる。
(発明の効果)
実施例からも明らかなように、本発明の超伝導干渉素子
は90に付近まで動作する。本発明によれば従来用いら
れていた超伝導体薄膜上の超伝導干渉素子に比べて安価
に作成することができ、簡便な電圧標準や医療用の心磁
計等に応用が期待されるものである。
は90に付近まで動作する。本発明によれば従来用いら
れていた超伝導体薄膜上の超伝導干渉素子に比べて安価
に作成することができ、簡便な電圧標準や医療用の心磁
計等に応用が期待されるものである。
第1図は本実施例において作製した超伝導量子干渉素子
の模式図、第2図は本発明による超伝導干渉素子の動作
を示す図。
の模式図、第2図は本発明による超伝導干渉素子の動作
を示す図。
Claims (1)
- 希土類元素がイットリウム、ランタン、ネオジミウム、
サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジスプロシ
ウム、ホロミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビ
ウム、ルテチウムの1種類か、これらの2種以上の混合
物であるところの希土類−バリウム−銅系の酸化物から
なる超伝導体組成物を有機ビヒクルとともに混練するこ
とにより超伝導体ペーストを作製し、該ペーストを基板
上にスクリーンを用いて弱接合を形成する回路の印刷を
行い、焼成することを特徴とする超伝導量子干渉素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191503A JPH0240971A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 超伝導量子干渉素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191503A JPH0240971A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 超伝導量子干渉素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240971A true JPH0240971A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16275735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191503A Pending JPH0240971A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 超伝導量子干渉素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240971A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279522A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Toshiba Corp | 超電導体線材 |
| JPS63292525A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体膜の製造方法 |
| JPH0196988A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導性配線の形成方法 |
| JPH0199279A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導セラミツク基板の製造方法 |
| JPH01246136A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Fujitsu Ltd | 超伝導セラミックスペースト |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63191503A patent/JPH0240971A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279522A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Toshiba Corp | 超電導体線材 |
| JPS63292525A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体膜の製造方法 |
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