JPH0240971A - 超伝導量子干渉素子の製造方法 - Google Patents

超伝導量子干渉素子の製造方法

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JPH0240971A
JPH0240971A JP63191503A JP19150388A JPH0240971A JP H0240971 A JPH0240971 A JP H0240971A JP 63191503 A JP63191503 A JP 63191503A JP 19150388 A JP19150388 A JP 19150388A JP H0240971 A JPH0240971 A JP H0240971A
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JP
Japan
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paste
quantum interference
superconducting quantum
rare earth
oxide
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Pending
Application number
JP63191503A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Tabuchi
順次 田渕
Kazuaki Uchiumi
和明 内海
Ichiro Takeuchi
一郎 竹内
Chiyoushin Sai
兆申 蔡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、超伝導体酸化物を用いた厚膜印刷による超伝
導量子干渉素子の製造方法に関するものである。
(従来の技術) 従来より超伝導材料としてPb、Nb−NpaGe等の
単体金属、合金、金属間化合物が知られていた。
これらの材料は主に薄膜化、線材化を行い加工すること
によってその超伝導性を応用したデバイスが作成されて
きた。これらの材料の超伝導転移温度はすべて23.2
に以下であったため液体ヘリウムによる冷却が必要であ
った。このため、超伝導体を応用したデバイスは限られ
たものしか適用されていなかった。近年、La−Ba−
Cu−0系のうち(La1−xBax)2CuO4で0
.075≦X≦0.1の組成のものがTcが30Kに、
Y−Ba−Cu−0系のうちYBa2Cu30.の組成
のもののTcが90に前後をもつと相次いで報告されて
いる。さらにこのYBa2Cu30.のYの位置を他の
希土類元素のうちランタン、ネオジミウム、サマリウム
、ユーロピウム、ガドニウム、ジスプロシウム、ホロミ
ウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビラム、ツリウ
ムに置き換えても、またこれらの元素が2種類以上混合
されていても、はぼ同じ90に程度のTcをもつことも
報告されている。Y−Ba−Cu−0系を始めとするこ
れらの超伝導体のTcは液体窒素の沸点(77K)より
も高くなったことにより、実用材料としての期待が大き
くなってきている。
一方、従来の超伝導量子干渉素子は、Pb、 Nb等の
金属材料を薄膜化し、それをエツチング等の方法により
微細なくびれを作製しジョセフソン接合を形成する方法
や超伝導体の間に非超伝導体をはさむトンネル接合によ
る方法により製造されてきた。これらの技術は薄膜を作
製するプロセスを含むため高価な設備が必要とされ、加
工にもいくつかのプロセスを要するため安価に大量に生
産するには向いていなかった。
この液体窒素の沸点以上で超伝導を示す酸化物の発見に
よって冷却装置が小型で簡便なもので済むようになるた
め、従来は用いられなかった低価格の超伝導を利用した
デバイスが作成される可能性がでてきた。そのため大型
で高価な設備が必要とされる薄膜や線材よりも安価な設
備で作成可能な印刷技術を利用した厚膜が安価な超伝導
デバイスへ応用されることが期待される。
しかしながら、この酸化物を厚膜印刷だけを用いて超伝
導量子干渉素子(SQUID)等のデバイスを作成する
試みは報告されていない。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、従来の薄膜化プロセスや加工プロセスを省略
することができ、製造コストが安価で大量生産に向いた
、しかも液体窒素温度以上で動作する超伝導量子干渉素
子の製造方法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は希土類−バリウム−銅系の酸化物を有機ビヒク
ルとともに混練することによりペーストを作製し、これ
を基板上にスクリーン印刷法により超伝導体厚膜の一部
にジョセフソン接合となるべき箇所を形成し、その後焼
成することを特徴とする超伝導量子干渉素子の製造方法
である。
(実施例) 以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
本発明において、超伝導体ペーストは以下により作成し
た。出発原料として純度99゜9%以上の酸化イツトリ
ウム(Y2O2)、炭酸バリウム(BaCO3)、酸化
第二j1M(CuO)を使用し、配合比が金属イオンの
モル比で1:2:3となるように秤量した。これらをボ
ールミルを用いて湿式混合した後、空気中880°Cか
ら920°Cの温度で仮焼し、再びボールミルにて再粉
砕を行った粉を有機バインターとともに有機溶媒で混練
しペースト化した。ペーストの作成においてはバインダ
ーとしてエチルセルロース系のバインダーと有機溶媒と
してテルピネオールをそれぞれ適量加え、混練しペース
ト化した。得られたペーストを400メツシユのステン
レススクリーンを用いてイツトリア安定化ジルコニア基
板上に印刷を行った。次に基板上の印刷体を酸化性もし
くは中性雰囲気で脱バインダーを行い、さらに酸化性雰
囲気で980°Cにて焼成した。焼成する温度から室温
までの降温速度を1時間当たり100°C以下となるよ
うにコントロールした。これは、イツトリウム−バリウ
ム−銅系の酸化物が超伝導を示すためには、酸素欠陥を
少なくしてやる必要があるため、降温を遅くし導体の酸
化物に酸素を入れるためである。
ここでは焼成時間を5分として焼成を行った。
第1図に本実施例において製作した超伝導量子干渉素子
の焼成後の寸法の模式図を示す。第1図における各部の
寸法を表す。Aは75pm、 Bは10011m、Cは
100100pは4mmである。厚みは10pmであっ
た。このようにして作成した超伝導量子干渉素子の電気
的特性を測定した結果、実施例の範囲ではおよそ90K
まで交流ジョセフソン効果によるシャピロステップが観
測された。さらに液体窒素温度(77,3K)において
交流磁場中で超伝導電流の磁束の出入りに伴う発振が観
測された。本実施例において観測された77.3Kにお
ける交流磁場中の超伝導電流の発振の様子を第2図に示
す。また希土類がY。
La、 Nd、Sm、 Eu、 Gd、 Dy、 Ho
、 Er、 Tm、 Yb、 Luの1種類または2種
類以上の希土類−バリウム−iq系の酸化物でも同様の
結果が得られる。
(発明の効果) 実施例からも明らかなように、本発明の超伝導干渉素子
は90に付近まで動作する。本発明によれば従来用いら
れていた超伝導体薄膜上の超伝導干渉素子に比べて安価
に作成することができ、簡便な電圧標準や医療用の心磁
計等に応用が期待されるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例において作製した超伝導量子干渉素子
の模式図、第2図は本発明による超伝導干渉素子の動作
を示す図。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 希土類元素がイットリウム、ランタン、ネオジミウム、
    サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジスプロシ
    ウム、ホロミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビ
    ウム、ルテチウムの1種類か、これらの2種以上の混合
    物であるところの希土類−バリウム−銅系の酸化物から
    なる超伝導体組成物を有機ビヒクルとともに混練するこ
    とにより超伝導体ペーストを作製し、該ペーストを基板
    上にスクリーンを用いて弱接合を形成する回路の印刷を
    行い、焼成することを特徴とする超伝導量子干渉素子の
    製造方法。
JP63191503A 1988-07-29 1988-07-29 超伝導量子干渉素子の製造方法 Pending JPH0240971A (ja)

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63279522A (ja) * 1987-05-11 1988-11-16 Toshiba Corp 超電導体線材
JPS63292525A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超伝導体膜の製造方法
JPH0196988A (ja) * 1987-10-09 1989-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導性配線の形成方法
JPH0199279A (ja) * 1987-10-12 1989-04-18 Mitsubishi Electric Corp 超電導セラミツク基板の製造方法
JPH01246136A (ja) * 1988-03-28 1989-10-02 Fujitsu Ltd 超伝導セラミックスペースト

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