JPS63225531A - 酸化物超伝導材料 - Google Patents
酸化物超伝導材料Info
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- JPS63225531A JPS63225531A JP62058441A JP5844187A JPS63225531A JP S63225531 A JPS63225531 A JP S63225531A JP 62058441 A JP62058441 A JP 62058441A JP 5844187 A JP5844187 A JP 5844187A JP S63225531 A JPS63225531 A JP S63225531A
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- Japan
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- oxide
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- single phase
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高い臨界温度及び高い臨界磁場を有する酸化物
超伝導材料に関するものである。
超伝導材料に関するものである。
（従来の技術）
１９Ｋ６年参月にＩＢＭチェーリッヒ研究所のＢｅｄｎ
ｏｒｚとＭＬＩｌｌｅｒがＬａ−Ｂａ−Ｃｕの酸化物で
臨界温度Ｔｃの高い材料が得られる予言がなされた（
Ｔ、 Ｇ、 Ｂｅｄｎｏｒｚ ａｎｄ Ｋ、 Ａ、 Ｍ
ＬＩＩＩｅｒ＋ Ｚ、 Ｐｈｙｓ、 Ｂ６偽／１５′り
（／りＫ６））。この結果から東大の日中。
ｏｒｚとＭＬＩｌｌｅｒがＬａ−Ｂａ−Ｃｕの酸化物で
臨界温度Ｔｃの高い材料が得られる予言がなされた（
Ｔ、 Ｇ、 Ｂｅｄｎｏｒｚ ａｎｄ Ｋ、 Ａ、 Ｍ
ＬＩＩＩｅｒ＋ Ｚ、 Ｐｈｙｓ、 Ｂ６偽／１５′り
（／りＫ６））。この結果から東大の日中。
苗木グループかに＠ Ｎｉ Ｋ４型の結晶構造を持つＬ
ａ−８ｒ−Ｃｕの酸化物で≠ＯＫ前後の高いＴｃを示す
材料を作製した。しかしながら、この材料系は≠ＯＫ前
後が最高で、これ以上の高い臨界温度は得られない欠点
を有していた（ Ｋ、 Ｋ１５ｈｉｏ、Ｋ。
ａ−８ｒ−Ｃｕの酸化物で≠ＯＫ前後の高いＴｃを示す
材料を作製した。しかしながら、この材料系は≠ＯＫ前
後が最高で、これ以上の高い臨界温度は得られない欠点
を有していた（ Ｋ、 Ｋ１５ｈｉｏ、Ｋ。
Ｋｉｔａｚａｗａ＋ Ｓ、Ｋａｎｂｅ＋ Ｉ、 Ｙａｓ
ｕｄａ＋ Ｎ、Ｓｕｇｉｉ＋ ＨｌＴａｋａｇｉ ＋
Ｓ、Ｕｃｈｉｄａ ＋ Ｋ、 Ｆｕｅｋｉ ａｎｄ
Ｓ、 Ｔａｎａｋａ ：Ｏｈｅｍ、 Ｌｅｉｔ、（／
りＫ７）１７２り）。これに対し、ヒユーストン大学の
Ｗｕと Ｏｈｕ らによりＹｌ、２ ＢａｏＪＣｕｌ
Ｏの組成で２３ＫからｒＯＫ の間で超伝導へ転移す
る報告がなされた（ Ｐ、Ｈ，Ｈｏｒｅｔ ａＬ＋
Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、ｊ♂、 タＯ♂
（／りＫ７））。
ｕｄａ＋ Ｎ、Ｓｕｇｉｉ＋ ＨｌＴａｋａｇｉ ＋
Ｓ、Ｕｃｈｉｄａ ＋ Ｋ、 Ｆｕｅｋｉ ａｎｄ
Ｓ、 Ｔａｎａｋａ ：Ｏｈｅｍ、 Ｌｅｉｔ、（／
りＫ７）１７２り）。これに対し、ヒユーストン大学の
Ｗｕと Ｏｈｕ らによりＹｌ、２ ＢａｏＪＣｕｌ
Ｏの組成で２３ＫからｒＯＫ の間で超伝導へ転移す
る報告がなされた（ Ｐ、Ｈ，Ｈｏｒｅｔ ａＬ＋
Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、ｊ♂、 タＯ♂
（／りＫ７））。
また科学技術庁の金属材料技術研究所の戸叶らもＹ（１
，４１３ａＱ、６０ｕＩ０３の組成で７２３Ｋから２３
にの間で超伝導へ転移する報告がなされた。しかしなが
ら、これらの組成は超伝導を示す相の他に超伝導を示さ
ない相が混合しており、超伝導への転移点は高いものの
臨界電流、臨界磁場が小さいという欠点を有していた。
，４１３ａＱ、６０ｕＩ０３の組成で７２３Ｋから２３
にの間で超伝導へ転移する報告がなされた。しかしなが
ら、これらの組成は超伝導を示す相の他に超伝導を示さ
ない相が混合しており、超伝導への転移点は高いものの
臨界電流、臨界磁場が小さいという欠点を有していた。
また超伝導に転移する温度範囲も１０Ｋ以上を必要とす
る欠点を有していた。
る欠点を有していた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はこれまで混合相であった高温超伝導体の低い臨
界電流、臨界磁場特性及び広い超伝導転移温度領域を有
する点を解決した単−相の高温超伝導体を提供しようと
するものである。
界電流、臨界磁場特性及び広い超伝導転移温度領域を有
する点を解決した単−相の高温超伝導体を提供しようと
するものである。
（問題点を解決するための手段および作用）本発明はペ
ロブスカイト型酸化物で発明者が初めて見出したＡｔＢ
４０ｕ Ｏ１４＋Ｙ 構造の単−相を有する酸化物超
伝導体を提供する。従来の混合相からなる酸化物超伝導
と比べて単−相の酸化物超伝導体であることが異なる。
ロブスカイト型酸化物で発明者が初めて見出したＡｔＢ
４０ｕ Ｏ１４＋Ｙ 構造の単−相を有する酸化物超
伝導体を提供する。従来の混合相からなる酸化物超伝導
と比べて単−相の酸化物超伝導体であることが異なる。
（実施例）
Ａ４１ｊ４（ｊＬＩ６Ｌ）１４＋ｙＬ Ｏ（）’ ＜ｆ
） 荷造においてＡをイツトリウム、Ｂをバリウムとし
た場合の酸化物超伝導体についての実施例を説明する。
） 荷造においてＡをイツトリウム、Ｂをバリウムとし
た場合の酸化物超伝導体についての実施例を説明する。
Ｙｚ Ｂａ４０ｕ６０、＋＋Ｙ はＹ、Ｏ５を１モル
ＢａＯＯ８を≠モル、ＯｕＯを６モルを混合し、酸素中
で ２ｔ ｏ ’ｃ２≠時間熱処理した後、粉砕して再
び粉末にした後ポリビニルアルコール１０％水溶液を前
記粉末に３〜７重量％添加してビレット状に圧粉成形し
再び酸素中で１０００℃、！時間熱処理して作製する。
ＢａＯＯ８を≠モル、ＯｕＯを６モルを混合し、酸素中
で ２ｔ ｏ ’ｃ２≠時間熱処理した後、粉砕して再
び粉末にした後ポリビニルアルコール１０％水溶液を前
記粉末に３〜７重量％添加してビレット状に圧粉成形し
再び酸素中で１０００℃、！時間熱処理して作製する。
このように作製したＹ−Ｂａ−Ｏｕ の酸化物は第１
図に示すようなＡ２ Ｂ４０ｕａ ＯＩ４＋）’ 構
造の単−相をとる。単−相からなることは、第！図に示
したＸ線回折図より確認された。この結果、第２図に示
した温度に対する電気抵抗の変化において、り３Ｋから
り２にの約／にという小さな温度範囲で超伝導転移が生
じる。また、超伝導特性に対する磁場の影響を従来知ら
れているＹ。、４ Ｂａ６．６０ｕｌ ｏ。
図に示すようなＡ２ Ｂ４０ｕａ ＯＩ４＋）’ 構
造の単−相をとる。単−相からなることは、第！図に示
したＸ線回折図より確認された。この結果、第２図に示
した温度に対する電気抵抗の変化において、り３Ｋから
り２にの約／にという小さな温度範囲で超伝導転移が生
じる。また、超伝導特性に対する磁場の影響を従来知ら
れているＹ。、４ Ｂａ６．６０ｕｌ ｏ。
−スフ
と比較して第３図に示す。第３図は／ア←の磁場の下で
の電気抵抗の変化を示す。Ｙ６．４ Ｂ ａ６，６０ｕ
ＩＯ２は超伝導相と非導電性の相が混合しておシ超伝
導相が弱い結合体となっているため、／−Ｐラスの磁場
によって超伝導が簡単に破壊されてしまうのに対し、Ｙ
！ Ｂａ４（３ｕ６０１４−１−ｙはほとんど影響を受
けない。
の電気抵抗の変化を示す。Ｙ６．４ Ｂ ａ６，６０ｕ
ＩＯ２は超伝導相と非導電性の相が混合しておシ超伝
導相が弱い結合体となっているため、／−Ｐラスの磁場
によって超伝導が簡単に破壊されてしまうのに対し、Ｙ
！ Ｂａ４（３ｕ６０１４−１−ｙはほとんど影響を受
けない。
以上の結果から明らかなように従来の技術に比べて超伝
導転移の温度範囲を小さくしたこと及び磁場に対する影
響を受けに＜＜シたことの改善があった・ 〔実施例２〕 Ａｓ Ｂ４０ｕ６０＋＊＋Ｙにおいて人をランタン、Ｂ
をパと同様である。温度に対する電気抵抗の変化をに、
ＮｉＦ、構造のＬａ１Ｊｌｌ １３ａ（ｊｌｌｌ ０ｕ
１０４と比較して第≠図に示す。本発明の構造による酸
化物超伝導材料はＬａＢａ−０ｕの酸化物としては世界
最高の臨界磁場を有し、 Ｋ、ＮｉＦ、構造のものよ
りも／Ｊ”Ｋも高い。
導転移の温度範囲を小さくしたこと及び磁場に対する影
響を受けに＜＜シたことの改善があった・ 〔実施例２〕 Ａｓ Ｂ４０ｕ６０＋＊＋Ｙにおいて人をランタン、Ｂ
をパと同様である。温度に対する電気抵抗の変化をに、
ＮｉＦ、構造のＬａ１Ｊｌｌ １３ａ（ｊｌｌｌ ０ｕ
１０４と比較して第≠図に示す。本発明の構造による酸
化物超伝導材料はＬａＢａ−０ｕの酸化物としては世界
最高の臨界磁場を有し、 Ｋ、ＮｉＦ、構造のものよ
りも／Ｊ”Ｋも高い。
また、上部臨界磁場Ｈｃ２はｔテμまでの測定では１本
特許の構造のものはに、ＮｉＦ、構造のものよシも少な
くとも約２倍優れていることが明らかとなった。
特許の構造のものはに、ＮｉＦ、構造のものよシも少な
くとも約２倍優れていることが明らかとなった。
〔実施例３〕
示す。表／に見られるようにＡｔ Ｂ４０ｕ６０ｔ４＋
Ｙ 構造の単−相をとればいずれも高い臨界温度と小
さな温度範囲で超伝導転移を行う。
Ｙ 構造の単−相をとればいずれも高い臨界温度と小
さな温度範囲で超伝導転移を行う。
表 ／
（発明の効果）
以上説明したようにＡｘ Ｂ４ ｃｕａ Ｏ１４＋）’
（０＜ｙ ＜２）構造の単−相で酸化物超伝導材料
を構成したことにより、高い臨界温度と小さな超伝導転
移温度領域及び高い臨界磁場特性が得られる利点がある
。
（０＜ｙ ＜２）構造の単−相で酸化物超伝導材料
を構成したことにより、高い臨界温度と小さな超伝導転
移温度領域及び高い臨界磁場特性が得られる利点がある
。
第１図は本発明の酸化物超伝導材料の構造図。
第２図は本発明の酸化物超伝導材料の構造を有するＹ２
Ｂａ４００６０１４＋Ｙの温度に対する電気抵抗の変
化。 第３図は本発明の単−相を持つＹｔ Ｂａ４０ｕ６０＋
４＋ｙと混合相を持つＹ。、４１３ａＯ０６Ｃｕｌ ０
３の／テスラの磁場の下での伝導特性。 第≠図は本発明の酸化物超伝導材料の構造を有するＬａ
ｔＢａ４１ Ｃｕ６０１４＋Ｙ と Ｋ２ＮｉＦ４゛
構造のＬａｌ、８５ ＥｌａＱ、ｔｓ Ｏｕｔ ０４温
度に対スル電気抵抗Ｃ７）変化。 第５図は本発明のＹ２ Ｂａ４０ｕａ Ｏ＋＊＋Ｙ
のＸ線回折図である。 第１図
Ｂａ４００６０１４＋Ｙの温度に対する電気抵抗の変
化。 第３図は本発明の単−相を持つＹｔ Ｂａ４０ｕ６０＋
４＋ｙと混合相を持つＹ。、４１３ａＯ０６Ｃｕｌ ０
３の／テスラの磁場の下での伝導特性。 第≠図は本発明の酸化物超伝導材料の構造を有するＬａ
ｔＢａ４１ Ｃｕ６０１４＋Ｙ と Ｋ２ＮｉＦ４゛
構造のＬａｌ、８５ ＥｌａＱ、ｔｓ Ｏｕｔ ０４温
度に対スル電気抵抗Ｃ７）変化。 第５図は本発明のＹ２ Ｂａ４０ｕａ Ｏ＋＊＋Ｙ
のＸ線回折図である。 第１図
Claims (1)
- 酸素欠陥を有する正方晶系に属するペロブスカイト型
酸化物Ａ＿２Ｂ＿４Ｃｕ＿５Ｏ＿１＿４＿＋＿ｙ（０＜
ｙ＜２．５）構造を有し、Ａはイットリウム（Ｙ）、ラ
ンタン（Ｌａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム
（Ｌｕ）、スカンジウム（Ｓｃ）、アルミニウム（Ａｌ
）、ボロン（Ｂ）からなる群から選ばれた１又は２以上
の元素からなり、Ｂはバリウム（Ｂａ）、ストロンチウ
ム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）からなる群から選ばれ
た１又は２以上の元素からなることを特徴とする酸化物
超伝導材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62058441A JPS63225531A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 酸化物超伝導材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62058441A JPS63225531A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 酸化物超伝導材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63225531A true JPS63225531A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=13084483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62058441A Pending JPS63225531A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 酸化物超伝導材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63225531A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63230526A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Kazuo Fueki | 化合物超電導体およびその製造方法 |
| JPS643063A (en) * | 1987-03-28 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of superconductive material |
| JPS643059A (en) * | 1987-03-22 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of superconducting material |
| JPS643014A (en) * | 1987-03-28 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Superconducting material and production thereof |
| JPS643054A (en) * | 1987-03-22 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of superconducting material |
| JPS643009A (en) * | 1987-03-19 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Superconducting material and production thereof |
| JPS6452616A (en) * | 1987-03-13 | 1989-02-28 | Sanyo Electric Co | Superconducting substance and production thereof |
| JPH0517202A (ja) * | 1991-04-01 | 1993-01-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクス |
| JPH0517203A (ja) * | 1991-04-01 | 1993-01-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクス |
| US7112556B1 (en) | 1987-03-25 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Superconducting ceramics |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62058441A patent/JPS63225531A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452616A (en) * | 1987-03-13 | 1989-02-28 | Sanyo Electric Co | Superconducting substance and production thereof |
| JPS63230526A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Kazuo Fueki | 化合物超電導体およびその製造方法 |
| JPS643009A (en) * | 1987-03-19 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Superconducting material and production thereof |
| JPS643059A (en) * | 1987-03-22 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of superconducting material |
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| JPS643063A (en) * | 1987-03-28 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of superconductive material |
| JPS643014A (en) * | 1987-03-28 | 1989-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Superconducting material and production thereof |
| JPH0517202A (ja) * | 1991-04-01 | 1993-01-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクス |
| JPH0517203A (ja) * | 1991-04-01 | 1993-01-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクス |
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