JPH0241163B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241163B2 JPH0241163B2 JP56173190A JP17319081A JPH0241163B2 JP H0241163 B2 JPH0241163 B2 JP H0241163B2 JP 56173190 A JP56173190 A JP 56173190A JP 17319081 A JP17319081 A JP 17319081A JP H0241163 B2 JPH0241163 B2 JP H0241163B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating table
- heating
- heated
- parallel grooves
- conveyance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は加熱装置に関するものであり、とくに
基板(ガラス、金属、半導体など)の上に塗付さ
れた塗膜(フオトレジスト膜、保護膜、介在層、
絶縁層等)の均一な乾燥固化のための加熱装置に
関するものである。
基板(ガラス、金属、半導体など)の上に塗付さ
れた塗膜(フオトレジスト膜、保護膜、介在層、
絶縁層等)の均一な乾燥固化のための加熱装置に
関するものである。
従来上記のような被加熱体を連続工程の一環と
して加熱搬送する装置において、長時間の加熱を
行う必要がある場合には加熱装置は長大なものと
なり、流れ作業におけるその他の加工装置との関
係から無視できない大きなスペースを占拠し、問
題となつて来たものである。また加熱方法として
も上からの加熱のみでは塗膜の表面が先ず固化し
て、塗膜の中部や下層が固化する過程でその中に
気泡が取り残され、そのため膜表面に突起を生じ
たり、塗膜の内部の遅れた収縮により塗膜面に微
細な凹凸を生じたりする。
して加熱搬送する装置において、長時間の加熱を
行う必要がある場合には加熱装置は長大なものと
なり、流れ作業におけるその他の加工装置との関
係から無視できない大きなスペースを占拠し、問
題となつて来たものである。また加熱方法として
も上からの加熱のみでは塗膜の表面が先ず固化し
て、塗膜の中部や下層が固化する過程でその中に
気泡が取り残され、そのため膜表面に突起を生じ
たり、塗膜の内部の遅れた収縮により塗膜面に微
細な凹凸を生じたりする。
本発明は上記のような従来の欠点を改善するも
ので、上記のような塗装された基板を下からの加
熱を重点的に行い上面からの加熱とを併せて塗膜
の均一な乾燥を行うもので、また間歇的な前進と
停止を繰返す搬送機構によつて加熱装置としての
長さを節約し、スペース的に小型でしかも可成り
長時間の加熱が行えるように塗膜内に生ずる気泡
による微細な表面突起の生起を防止することがで
きるものであつて、以下図示の実施例によつて本
発明を具体的に説明する。
ので、上記のような塗装された基板を下からの加
熱を重点的に行い上面からの加熱とを併せて塗膜
の均一な乾燥を行うもので、また間歇的な前進と
停止を繰返す搬送機構によつて加熱装置としての
長さを節約し、スペース的に小型でしかも可成り
長時間の加熱が行えるように塗膜内に生ずる気泡
による微細な表面突起の生起を防止することがで
きるものであつて、以下図示の実施例によつて本
発明を具体的に説明する。
第1図は本発明の加熱装置の正面の断面的な説
明図である。また第2図は加熱部の搬送状態を上
面から示した説明図、第3図は加熱台上の搬送の
説明図である。
明図である。また第2図は加熱部の搬送状態を上
面から示した説明図、第3図は加熱台上の搬送の
説明図である。
加熱台1はヒーター(図示せず)が内蔵されて
おり、上面平滑な長尺型で水平に置かれ上面に始
端から終端まで連なる複数本の平行溝2(第3図
参照)を有する。この平行溝2の中にそれぞれ搬
送レール3が、上下動を伴つて円弧運動で前進後
退するリンク機構4を搬送レール3の両端部に取
付けることにより搬送レール3は加熱台1の上面
に出たり沈んだり、第1図の点線で示すように略
円弧運動を行つて水平を保ちつつ加熱台1上の被
加熱体Aを間歇的に前進、静止の繰返しによつて
先方に搬送するものである。すなわちこのリンク
機構4により搬送レール3が加熱台表面下にある
ときは被加熱体Aは加熱台1上に静止され、リン
ク機構により搬送レール3が加熱台1の上面より
出るときは被加熱体Aは水平を保つたままほぼ円
弧状に前進する搬送レール3の上に移つて搬送さ
れる。この運動が間歇的に繰返されるので被加熱
体Aは加熱台1上で先方に搬送される。
おり、上面平滑な長尺型で水平に置かれ上面に始
端から終端まで連なる複数本の平行溝2(第3図
参照)を有する。この平行溝2の中にそれぞれ搬
送レール3が、上下動を伴つて円弧運動で前進後
退するリンク機構4を搬送レール3の両端部に取
付けることにより搬送レール3は加熱台1の上面
に出たり沈んだり、第1図の点線で示すように略
円弧運動を行つて水平を保ちつつ加熱台1上の被
加熱体Aを間歇的に前進、静止の繰返しによつて
先方に搬送するものである。すなわちこのリンク
機構4により搬送レール3が加熱台表面下にある
ときは被加熱体Aは加熱台1上に静止され、リン
ク機構により搬送レール3が加熱台1の上面より
出るときは被加熱体Aは水平を保つたままほぼ円
弧状に前進する搬送レール3の上に移つて搬送さ
れる。この運動が間歇的に繰返されるので被加熱
体Aは加熱台1上で先方に搬送される。
被加熱体Aは常に上方から赤外線ヒーター5に
より加熱され、かつ加熱台1上に静置されている
時は加熱台1の上面からも能率よく直接加熱をう
ける。
より加熱され、かつ加熱台1上に静置されている
時は加熱台1の上面からも能率よく直接加熱をう
ける。
間歇的に加熱台上を被加熱体Aを搬送する運動
はリンク機構4によつて行われる。すなわち搬送
レール3には矢印方向に回転する回転車6、逆T
字型クランク7および支持腕8よりなる一種のリ
ンク機構がとりつけられ、第1図の点線で示した
ように円弧運動により一定距離だけ先方(右方)
に被加熱体Aを進行させるものである。加熱台1
の始端および終端にはコンベアベルト9が接続し
加熱台1上に被加熱体Aを搬入あるいは搬出が行
われる。
はリンク機構4によつて行われる。すなわち搬送
レール3には矢印方向に回転する回転車6、逆T
字型クランク7および支持腕8よりなる一種のリ
ンク機構がとりつけられ、第1図の点線で示した
ように円弧運動により一定距離だけ先方(右方)
に被加熱体Aを進行させるものである。加熱台1
の始端および終端にはコンベアベルト9が接続し
加熱台1上に被加熱体Aを搬入あるいは搬出が行
われる。
なお加熱時間を調節するには例えばリンク機構
の回転車6を連続的にしたり、間歇的にしたり、
または回転速度を調節する等の方法がある。
の回転車6を連続的にしたり、間歇的にしたり、
または回転速度を調節する等の方法がある。
本発明の加熱装置は上述の通りであるので写真
乾板や超精密電子部品等の塗膜の加熱乾燥に通
し、塗膜全体を均一に加熱乾燥して表面平滑な膜
面を得るに優れた性能を示すものである。
乾板や超精密電子部品等の塗膜の加熱乾燥に通
し、塗膜全体を均一に加熱乾燥して表面平滑な膜
面を得るに優れた性能を示すものである。
第1図は本発明の加熱装置の正面の断面的な説
明図、第2図は同じくその加熱台の上面説明図、
第3図は搬送レールの運動の説明図である。 1……加熱台、2……平行溝、3……搬送レー
ル、4……リンク機構、5……赤外線ヒーター、
6……回転車、7……逆T字型クランク、8……
支持腕、9……コンベアベルト、A……被加熱
体。
明図、第2図は同じくその加熱台の上面説明図、
第3図は搬送レールの運動の説明図である。 1……加熱台、2……平行溝、3……搬送レー
ル、4……リンク機構、5……赤外線ヒーター、
6……回転車、7……逆T字型クランク、8……
支持腕、9……コンベアベルト、A……被加熱
体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 上方で下向きに照射する赤外線ヒーターと、
その下に設けた長尺の上面平滑な加熱台よりな
り、 前記加熱台には始端から終端まで連なる複数本
の平行溝を設け、 該平行溝内それぞれに搬送レールを設けるとと
もに、 前記平行溝内で前記搬送レールそれぞれが加熱
台の上面以下にあるときは被加熱体は加熱台上で
残留静置され、前記搬送レールそれぞれが加熱台
面より上昇するときは搬送方向にほぼ円弧状に運
動して被加熱体を一定距離だけ搬送し、次いで加
熱台面より下降して後戻りすることにより被加熱
体を加熱台上に静置するように間歇的に繰返えす
リンク機構を、搬送レールの始端部および終端部
に取付けてなることを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173190A JPS5875154A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173190A JPS5875154A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875154A JPS5875154A (ja) | 1983-05-06 |
| JPH0241163B2 true JPH0241163B2 (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=15955757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56173190A Granted JPS5875154A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875154A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228731A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-22 | Toshiba Corp | ウエハ−移送装置 |
| JPS62183521A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPS62172150U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-31 | ||
| JPH0257184U (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-25 | ||
| JP4672538B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
| JP2009052762A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 乾燥装置 |
| JP7086232B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-06-17 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッド | 被加工材の露光後ベーク処理のための方法および装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913264U (ja) * | 1972-05-03 | 1974-02-04 | ||
| JPS5432910Y2 (ja) * | 1974-07-18 | 1979-10-12 | ||
| JPS51124839A (en) * | 1975-04-25 | 1976-10-30 | Hitachi Ltd | Infrared ray baking furnace |
| JPS54149471A (en) * | 1978-05-16 | 1979-11-22 | Nec Corp | Object moving unit |
| JPS5558516U (ja) * | 1978-10-11 | 1980-04-21 |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56173190A patent/JPS5875154A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5875154A (ja) | 1983-05-06 |
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