JPH0241740B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241740B2 JPH0241740B2 JP8929181A JP8929181A JPH0241740B2 JP H0241740 B2 JPH0241740 B2 JP H0241740B2 JP 8929181 A JP8929181 A JP 8929181A JP 8929181 A JP8929181 A JP 8929181A JP H0241740 B2 JPH0241740 B2 JP H0241740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- resist film
- workpiece
- pmma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レジストを用いる微細パターン形成
方法の改良に関する。
方法の改良に関する。
近時、１〔μｍ〕或いはサブミクロンの微細な
寸法を持つパターンを形成するものとして、電子
ビーム露光法やイオンビーム露光法等が開発され
ている。これらの方法は、被加工物上に形成した
レジスト膜に電子ビームやイオンビーム等の荷電
ビームを照射し、このビーム照射を受けたレジス
ト膜に物理的或いは化学的変化を起こさせ、この
変化の有無を利用してレジストパターン形成す
る。そして、このレジストパターンをマスクとし
てリアクテイブイオンエツチング等のドライエツ
チングを施すことにより、被加工物を所望パター
ンに微細加工するものである。
寸法を持つパターンを形成するものとして、電子
ビーム露光法やイオンビーム露光法等が開発され
ている。これらの方法は、被加工物上に形成した
レジスト膜に電子ビームやイオンビーム等の荷電
ビームを照射し、このビーム照射を受けたレジス
ト膜に物理的或いは化学的変化を起こさせ、この
変化の有無を利用してレジストパターン形成す
る。そして、このレジストパターンをマスクとし
てリアクテイブイオンエツチング等のドライエツ
チングを施すことにより、被加工物を所望パター
ンに微細加工するものである。
しかしながら、この種の方法にあつては次のよ
うな問題があつた。すなわち、前記レジストとし
ては、従来PMMA（ポリメチルメタクリレート）
が用いられているが、このPMMAレジストでは
高感度だと解像度が悪く、高解像度だと低感度に
なる等の問題がある。特に電子ビーム用レジスト
として用いられるPMMAは解像度は0.2〔μｍ〕
以下と優秀であるが、感度が50〔μc／cm2〕以上と
非常に悪い。また、PMMAはリアテイブイオン
エツチング等のドライエツチングに対する耐性が
乏しく、これがためにドライエツチングを良好に
行い得ないと言う問題があつた。
うな問題があつた。すなわち、前記レジストとし
ては、従来PMMA（ポリメチルメタクリレート）
が用いられているが、このPMMAレジストでは
高感度だと解像度が悪く、高解像度だと低感度に
なる等の問題がある。特に電子ビーム用レジスト
として用いられるPMMAは解像度は0.2〔μｍ〕
以下と優秀であるが、感度が50〔μc／cm2〕以上と
非常に悪い。また、PMMAはリアテイブイオン
エツチング等のドライエツチングに対する耐性が
乏しく、これがためにドライエツチングを良好に
行い得ないと言う問題があつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、レジストの解像度およ
び感度の向上をはかり得て、精度良い微細加工を
行い得る微細パターン形成方法を提供することに
ある。
その目的とするところは、レジストの解像度およ
び感度の向上をはかり得て、精度良い微細加工を
行い得る微細パターン形成方法を提供することに
ある。
まず、本発明の概要を説明する。本発明の骨子
はPMMAとMMAとを含むレジストを用いたこ
とにある。すなわち、本発明者等の鉛意研究によ
りMMAに紫外線を照射するとラジカルが生成さ
れることが見出された。そして、このラジカルが
PMMA鎖とMMA鎖との間に架橋反応を引き起
こす。つまりPMMAの網目構造が形成される。
この網目構造はリアクテイブイオンエツチング等
に対し従来のPMMAより２倍も耐性がある。ま
た、ビーム照射された部分とされない部分との分
子量の差が従来のPMMAよりも大きくなること
が見出された。
はPMMAとMMAとを含むレジストを用いたこ
とにある。すなわち、本発明者等の鉛意研究によ
りMMAに紫外線を照射するとラジカルが生成さ
れることが見出された。そして、このラジカルが
PMMA鎖とMMA鎖との間に架橋反応を引き起
こす。つまりPMMAの網目構造が形成される。
この網目構造はリアクテイブイオンエツチング等
に対し従来のPMMAより２倍も耐性がある。ま
た、ビーム照射された部分とされない部分との分
子量の差が従来のPMMAよりも大きくなること
が見出された。
本発明はこのような点に着目し、被加工物上に
PMMAおよびMMAを含むレジスト膜を形成し
このレジスト膜に紫外線を照射したのち、上記レ
ジスト膜に荷電ビームで所望パターンを描画し、
その後レジスト膜を現像してレジストパターンを
形成し、しかるのちこのレジストパターンをマス
クとして前記被加工物を選択エツチングするよう
にした方法である。
PMMAおよびMMAを含むレジスト膜を形成し
このレジスト膜に紫外線を照射したのち、上記レ
ジスト膜に荷電ビームで所望パターンを描画し、
その後レジスト膜を現像してレジストパターンを
形成し、しかるのちこのレジストパターンをマス
クとして前記被加工物を選択エツチングするよう
にした方法である。
したがつて本発明によれば、レジストの感度お
よび耐ドライエツチング性を大幅に向上すること
ができ、高精度な微細加工を行い得る等の効果を
奏する。
よび耐ドライエツチング性を大幅に向上すること
ができ、高精度な微細加工を行い得る等の効果を
奏する。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第１図乃至第５図は本発明の一実施例に係わる
パターン形成工程を示す模式図である。まず、第
１図に示す如く面方位（100）、比抵抗６〜８〔Ω〕
のSi基板１の上面に熱酸化法を用いて厚さ0.5〔μ
ｍ〕の酸化膜２（被加工膜）を形成する。次い
で、この酸化膜２上に、溶媒メチルイソブチルケ
トンに３〔％〕のPMMAと５〔％〕のMMAとを
含む溶液を回転塗布し、第２図に示す如くレジス
ト膜３を形成する。そして、このレジスト膜３の
表面全面に水銀ランプで１〔Ｊ／cm2〕の紫外線を
照射する。続いて、レジスト膜３を180〔℃〕で１
時間熱処理する。
パターン形成工程を示す模式図である。まず、第
１図に示す如く面方位（100）、比抵抗６〜８〔Ω〕
のSi基板１の上面に熱酸化法を用いて厚さ0.5〔μ
ｍ〕の酸化膜２（被加工膜）を形成する。次い
で、この酸化膜２上に、溶媒メチルイソブチルケ
トンに３〔％〕のPMMAと５〔％〕のMMAとを
含む溶液を回転塗布し、第２図に示す如くレジス
ト膜３を形成する。そして、このレジスト膜３の
表面全面に水銀ランプで１〔Ｊ／cm2〕の紫外線を
照射する。続いて、レジスト膜３を180〔℃〕で１
時間熱処理する。
次に、電子ビーム描画装置を用い加速電圧20
〔kV〕，ドーズ量10〔μc／cm2〕で第３図に示す如く
レジスト膜３を所望パターンに描画する。続い
て、メチルイソブチルケトン溶液28〔℃〕で第４
図に示す如くレジスト膜３を現像しレジストパタ
ーンを形成する。次いで、平行平板型のリアクテ
イブイオンエツチング装置を用い高周波周波数
13.56〔ＭHz〕，反応性ガスCF4／H2で第５図に示
す如く上記レジストパターンをマスクとして酸化
膜２を選択エツチングする。
〔kV〕，ドーズ量10〔μc／cm2〕で第３図に示す如く
レジスト膜３を所望パターンに描画する。続い
て、メチルイソブチルケトン溶液28〔℃〕で第４
図に示す如くレジスト膜３を現像しレジストパタ
ーンを形成する。次いで、平行平板型のリアクテ
イブイオンエツチング装置を用い高周波周波数
13.56〔ＭHz〕，反応性ガスCF4／H2で第５図に示
す如く上記レジストパターンをマスクとして酸化
膜２を選択エツチングする。
かくして得られる酸化膜２のパターンは前記レ
ジストパターンに忠実なものであり、微細パター
ンを精度良く形成することができた。
ジストパターンに忠実なものであり、微細パター
ンを精度良く形成することができた。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。例えば、前記被加工物は酸化膜に限
らず各種の部材を用いることができる。また、電
子ビームの代りにイオンビームを用いてもよい。
さらに、前記紫外線照射時に基板を加熱するよう
にしてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
のではない。例えば、前記被加工物は酸化膜に限
らず各種の部材を用いることができる。また、電
子ビームの代りにイオンビームを用いてもよい。
さらに、前記紫外線照射時に基板を加熱するよう
にしてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図乃至第５図はそれぞれ本発明の一実施例
に係わるパターン形成工程を示す模式図である。 １……Si基板、２……酸化膜（被加工物）、３
……レジスト膜。
に係わるパターン形成工程を示す模式図である。 １……Si基板、２……酸化膜（被加工物）、３
……レジスト膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被加工物上にポリメチルメタクリレートおよ
びメチルメタクリレートを含むレジスト膜を形成
する工程と、このレジスト膜表面に紫外線を照射
する工程と、しかるのち上記レジスト膜に荷電ビ
ームで所望パターンを描画する工程と、しかるの
ち上記レジスト膜を現像してレジストパターンを
形成する工程と、このレジストパターンをマスク
として前記被加工物を選択エツチングする工程と
を具備したことを特徴とする微細パターン形成方
法。 ２ 前記被加工物を選択エツチングする工程とし
て、ドライエツチング法を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の微細パターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8929181A JPS57204033A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Formation of fine pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8929181A JPS57204033A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Formation of fine pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57204033A JPS57204033A (en) | 1982-12-14 |
| JPH0241740B2 true JPH0241740B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13966580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8929181A Granted JPS57204033A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Formation of fine pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57204033A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5951527A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6027131A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | Rohm Co Ltd | ホトレジスト塗布方法 |
| JPS6045511U (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-30 | 日本電気株式会社 | 固体マイクロ波発振器 |
| US4849320A (en) * | 1986-05-10 | 1989-07-18 | Ciba-Geigy Corporation | Method of forming images |
| JP2594926B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | パタン形成法 |
| JPS6431416A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nec Corp | Photoetching |
| DE4230297C1 (de) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verwendung eines Gießharzes und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1981
- 1981-06-10 JP JP8929181A patent/JPS57204033A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57204033A (en) | 1982-12-14 |
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