JPH02115853A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02115853A JPH02115853A JP63268298A JP26829888A JPH02115853A JP H02115853 A JPH02115853 A JP H02115853A JP 63268298 A JP63268298 A JP 63268298A JP 26829888 A JP26829888 A JP 26829888A JP H02115853 A JPH02115853 A JP H02115853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist
- polymer
- semiconductor device
- tables
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
- Y10S438/949—Energy beam treating radiation resist on semiconductor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
有機物からなる平坦化層上に放射線感応性高分子の薄膜
を形成してパターン形成を行う半導体装置の製造方法に
関し、 工程を簡略化し、歩留まりおよびスループットを向上さ
せることを目的とし、 上記高分子としてプロトン酸を生じる物質と酸触媒によ
り脱離するＳｉ含有基を持つ重合体からなるレジストを
用いて露光後、酸素反応性イオンエツチング、ＥＣＲエ
ツチングまたは反応性イオンビームエツチングで処理す
ることにより上層および平坦化層のバターニングを一工
程で行うことにより構成する。
を形成してパターン形成を行う半導体装置の製造方法に
関し、 工程を簡略化し、歩留まりおよびスループットを向上さ
せることを目的とし、 上記高分子としてプロトン酸を生じる物質と酸触媒によ
り脱離するＳｉ含有基を持つ重合体からなるレジストを
用いて露光後、酸素反応性イオンエツチング、ＥＣＲエ
ツチングまたは反応性イオンビームエツチングで処理す
ることにより上層および平坦化層のバターニングを一工
程で行うことにより構成する。
本発明は、半導体集積回路の製造に際して、基板上に有
機物からなる平坦化層を設け、そのうえに放射線感応性
高分子の薄膜を形成してパターン形成を行う二層レジス
ト法による半導体装置の製造方法において、放射線感応
性レジスト、特にポジ型レジストを用いる半導体装置の
製造方法に関する。
機物からなる平坦化層を設け、そのうえに放射線感応性
高分子の薄膜を形成してパターン形成を行う二層レジス
ト法による半導体装置の製造方法において、放射線感応
性レジスト、特にポジ型レジストを用いる半導体装置の
製造方法に関する。
近年、集積回路の製造においては、素子の高密度化およ
び高集積化の要請が高まり、回路パターンの超微細化技
術確立が進められている。リソグラフィーにおいては、
従来の紫外線に変わって、波長の短い遠紫外線、Ｘ線、
電子線などの高エネルギー放射線を用いて、パターンを
形成する方法が開発されている。これに伴い、これら放
射線に悪心する高性能レジスト材料の開発が不可欠であ
る。集積回路製造に際しては、基板上にレジスト材料を
塗布した後、放射線を照射し、現像することによって微
細パターンを形成する。こうして得られたパターンをマ
スクとして基板をエツチングする手法が採られている。
び高集積化の要請が高まり、回路パターンの超微細化技
術確立が進められている。リソグラフィーにおいては、
従来の紫外線に変わって、波長の短い遠紫外線、Ｘ線、
電子線などの高エネルギー放射線を用いて、パターンを
形成する方法が開発されている。これに伴い、これら放
射線に悪心する高性能レジスト材料の開発が不可欠であ
る。集積回路製造に際しては、基板上にレジスト材料を
塗布した後、放射線を照射し、現像することによって微
細パターンを形成する。こうして得られたパターンをマ
スクとして基板をエツチングする手法が採られている。
かかる製造工程において、レジストには、高感度および
サブミクロン領域のパターンが得られる高解像性が求め
られている。また、エツチング工程においては、サイド
エッチフグの大きいウェットエツチング法に代わり、反
応性スパッタリングなどによるドライエツチング法に移
行している。このため、レジストには、更にドライエツ
チング耐性が要求されている。しかし、すべての性能を
満たすレジストはきわめて少ない。
サブミクロン領域のパターンが得られる高解像性が求め
られている。また、エツチング工程においては、サイド
エッチフグの大きいウェットエツチング法に代わり、反
応性スパッタリングなどによるドライエツチング法に移
行している。このため、レジストには、更にドライエツ
チング耐性が要求されている。しかし、すべての性能を
満たすレジストはきわめて少ない。
そこで、耐ドライエツチング性および基盤上の段差によ
るレジスト厚のばらつきによる解像性の違いを解決する
ため、基板上に厚く有機物の平坦化層を設け、そのうえ
に薄くレジスト材料を塗布することにより、高感度およ
、び高解像性を達成できる二層レジスト法が用いられて
いる。
るレジスト厚のばらつきによる解像性の違いを解決する
ため、基板上に厚く有機物の平坦化層を設け、そのうえ
に薄くレジスト材料を塗布することにより、高感度およ
、び高解像性を達成できる二層レジスト法が用いられて
いる。
二層レジスト法においては、上層にＳｉを含んだ重合体
を用い、上層を露光および現像してパタニングした後、
酸素反応性イオンエツチング（０，Ｉ？ＩＥ）により、
上層をマスクとして下層をエツチングすることによりパ
ターン形成を１〒っでいる。
を用い、上層を露光および現像してパタニングした後、
酸素反応性イオンエツチング（０，Ｉ？ＩＥ）により、
上層をマスクとして下層をエツチングすることによりパ
ターン形成を１〒っでいる。
しかし、この方法は、従来の単層レジストに比ベニ程が
複雑化するため、歩留まりおよびスループットの低下を
招き、このため工程の簡略化が望まれている。
複雑化するため、歩留まりおよびスループットの低下を
招き、このため工程の簡略化が望まれている。
本発明は、従って、かかる二層レジスト法において、工
程を簡略化し、歩留まりおよびスループットを向上させ
ることのできる方法を提供することを目的とする。
程を簡略化し、歩留まりおよびスループットを向上させ
ることのできる方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するため、基板上に有機物か
らなる平坦化層を設け、そのうえに高分子の薄膜を形成
してパターン形成を行う二層レジスト法を用いた半導体
装置の製造方法において、上記高分子としてプロトン酸
を生じる物質と酸触媒により脱離するＳｉ含有基を持つ
重合体からなるレジストを用いて露光後、酸素反応性イ
オンエツチング、ＥＣＲエツチングまたは反応性イオン
ビームエツチングで処理することにより上層および平坦
化層のバターニングを一工程で行う工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
らなる平坦化層を設け、そのうえに高分子の薄膜を形成
してパターン形成を行う二層レジスト法を用いた半導体
装置の製造方法において、上記高分子としてプロトン酸
を生じる物質と酸触媒により脱離するＳｉ含有基を持つ
重合体からなるレジストを用いて露光後、酸素反応性イ
オンエツチング、ＥＣＲエツチングまたは反応性イオン
ビームエツチングで処理することにより上層および平坦
化層のバターニングを一工程で行う工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
本発明に有用なレジスト重合体の好ましい例は、側鎖に
下記構造式（１）および（２）で示される構造を有する
重合体である。
下記構造式（１）および（２）で示される構造を有する
重合体である。
上式中、Ｒ，、Ｒ，およびＲ３は、それぞれアルキル基
またはフェニル基を表し、Ｒ４およびＲ２は、それぞれ
水素原子、アルキル基、フェニル基または ５ｔ−Ｒ２を表す。
またはフェニル基を表し、Ｒ４およびＲ２は、それぞれ
水素原子、アルキル基、フェニル基または ５ｔ−Ｒ２を表す。
また、本発明に有用な、プロトン酸を生じる物質の好ま
しい例としては、下記の如き化合物が挙げることができ
る。即ち、 ５ｂＦｂｅ 、 ＡｓＦｂｅマタハＳｔ、Ｆｓ（ＯＨ）
ｅヲ表Ｔ ） Ｔ：示すれる化合物である。
しい例としては、下記の如き化合物が挙げることができ
る。即ち、 ５ｂＦｂｅ 、 ＡｓＦｂｅマタハＳｔ、Ｆｓ（ＯＨ）
ｅヲ表Ｔ ） Ｔ：示すれる化合物である。
パターニングの際のエツチングは、０□ＲＩＥ、ＥＣＲ
エツチングおよび反応性イオンビームエツチングのいず
れによっても行うことができる。
エツチングおよび反応性イオンビームエツチングのいず
れによっても行うことができる。
本発明に用いられる側鎖に構造式（１）および（２）で
示される構造を持つ重合体はＳｔを含んでいるため０２
１？ＩＥ耐性を持つ。一方、これらの構造を持つものは
プロトン酸が存在すると置換基は脱離し、各々−〇ｉ＋
、−ＣＯＯＩＩとなる。したがって、本発明に用いる
材料に放射線を照射した場合、露光部にはプロトン酸が
発生し、置換基の脱離を生しるためＳｉを含まないもの
となる。このため、０□ＰＩＥにより露光部はアッシン
グされ、ポジパターンが形成され、同時にこれをマスク
として下層もエツチングされる。こうして上層と下層の
パタニングを一工程で行うことができる。
示される構造を持つ重合体はＳｔを含んでいるため０２
１？ＩＥ耐性を持つ。一方、これらの構造を持つものは
プロトン酸が存在すると置換基は脱離し、各々−〇ｉ＋
、−ＣＯＯＩＩとなる。したがって、本発明に用いる
材料に放射線を照射した場合、露光部にはプロトン酸が
発生し、置換基の脱離を生しるためＳｉを含まないもの
となる。このため、０□ＰＩＥにより露光部はアッシン
グされ、ポジパターンが形成され、同時にこれをマスク
として下層もエツチングされる。こうして上層と下層の
パタニングを一工程で行うことができる。
添付第１図に、本発明の方法の工程と従来の方法におけ
る工程との比較を示す。第１図からも、本発明の方法の
優位性が判る。
る工程との比較を示す。第１図からも、本発明の方法の
優位性が判る。
数理１．８のポリマーを得た。このポリマーに対し、ク
ロヘキサンの１０重量％溶液としたのち、スピンコード
により５０００人厚の薄膜を形成し、９０℃、２０分ベ
ータし、レジスト膜とした。この後、にｅ−１１ｇラン
プで６０秒照射し、１３０℃で２０分ヘーク後、０２Ｒ
ＩＥ（５０Ｗ 、 ５０ＳＣＣＭ 、 Ｏ，１５ｔｏｒ
ｒ）で５分現像した結果、残膜８０％で１． Ｏｔｍラ
インアンドスペースが得られた。
ロヘキサンの１０重量％溶液としたのち、スピンコード
により５０００人厚の薄膜を形成し、９０℃、２０分ベ
ータし、レジスト膜とした。この後、にｅ−１１ｇラン
プで６０秒照射し、１３０℃で２０分ヘーク後、０２Ｒ
ＩＥ（５０Ｗ 、 ５０ＳＣＣＭ 、 Ｏ，１５ｔｏｒ
ｒ）で５分現像した結果、残膜８０％で１． Ｏｔｍラ
インアンドスペースが得られた。
実施例２
〔実施例〕
以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明する。
実施例１
ｐ−トリメチルシロキシα−メチルスチレンとメチルα
−クロロメタクリレートを９：１で仕込み、１．４−ジ
オキサンを溶媒として８０℃でラジカル重合を行い組成
比ｌ：ｌ、分子量３万、分られた。
−クロロメタクリレートを９：１で仕込み、１．４−ジ
オキサンを溶媒として８０℃でラジカル重合を行い組成
比ｌ：ｌ、分子量３万、分られた。
実施例３
フェノール樹脂と感光剤（ナフトキノンジアジド）から
なるフォトレジストである叶Ｐｌ？−８００（東京応化
製）を１．５μ厚に塗布し、２００℃で１時間ベータし
、実施例１と同様にバターニングしたのち、さらに続い
て０□ＲＩＥで２０分エツチングした結果、寸法シフト
を伴うことなく、１．０角ラインアンドスペースが転写
された。
なるフォトレジストである叶Ｐｌ？−８００（東京応化
製）を１．５μ厚に塗布し、２００℃で１時間ベータし
、実施例１と同様にバターニングしたのち、さらに続い
て０□ＲＩＥで２０分エツチングした結果、寸法シフト
を伴うことなく、１．０角ラインアンドスペースが転写
された。
実施例４
実施例１でポリ （トリメチルシリルメタクリレート）
を用いて同様の処理を行い、０□ＲＩＥで３分現像した
結果、残膜９０％で１． Ｏｎラインアンドスペースの
パターニングり。
を用いて同様の処理を行い、０□ＲＩＥで３分現像した
結果、残膜９０％で１． Ｏｎラインアンドスペースの
パターニングり。
実施例５
実施例３で重合体としてポリ （トリメチルシリルメチ
ルメタクリレート）を用いても同様の結果が得られた。
ルメタクリレート）を用いても同様の結果が得られた。
実施例６
実施例１でポリマーとしてα−トリメチルシロキシスチ
レン−メチルメタクリレートｌ：ｌ共重合体を用いて同
様の処理を行った結果、残膜７０％で１．０戸ラインア
ンドスペースを解像した。
レン−メチルメタクリレートｌ：ｌ共重合体を用いて同
様の処理を行った結果、残膜７０％で１．０戸ラインア
ンドスペースを解像した。
実施例７
ＯＦＰＲ−８００を１．５趨厚に塗布し、２００℃で１
時間ベータした平坦化層上に上層レジストとしてｍトリ
メチルシロキシα−メチルスチレン−メチルα−クロロ
アクリレートｌ：１共重合体を用いて、実施例１と同様
にしてレジスト膜を形成した後、Ｘｅ−Ｈｇランプで１
００ｓｅｃ照射し、ベータ後、０．ＲｆＥ（０，１５，
ｔｏｒｒ 、 ５０ｓｅｃｍ 、 ５０ｗ）で２５分間
エツチングすると１．０−ラインアンドスペースが転写
された。
時間ベータした平坦化層上に上層レジストとしてｍトリ
メチルシロキシα−メチルスチレン−メチルα−クロロ
アクリレートｌ：１共重合体を用いて、実施例１と同様
にしてレジスト膜を形成した後、Ｘｅ−Ｈｇランプで１
００ｓｅｃ照射し、ベータ後、０．ＲｆＥ（０，１５，
ｔｏｒｒ 、 ５０ｓｅｃｍ 、 ５０ｗ）で２５分間
エツチングすると１．０−ラインアンドスペースが転写
された。
以上の実施例においてはＸｅ−Ｈｇで露光を行ったが、
ＥＢまたはＸ線による露光でも同様なパターニングがで
きることは言うまでもない。
ＥＢまたはＸ線による露光でも同様なパターニングがで
きることは言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、二層レジスト法
による半導体装置の製造における工程を簡略化でき、ス
ループット及び歩留まりの向上に寄与するところが大き
い。
による半導体装置の製造における工程を簡略化でき、ス
ループット及び歩留まりの向上に寄与するところが大き
い。
第１図は、従来の工程と本発明の工程の比較を示す図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に有機物からなる平坦化層を設け、そのうえ
に高分子の薄膜を形成してパターン形成を行う二層レジ
スト法を用いた半導体装置の製造方法において、上記高
分子としてプロトン酸を生じる物質と酸触媒により脱離
するＳｉ含有基を持つ重合体からなるレジストを用いて
露光後、酸素反応性イオンエッチング、ＥＣＲエッチン
グまたは反応性イオンビームエッチングで処理すること
により上層および平坦化層のパターニングを一工程で行
う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、上記レジストが側鎖に下記構造式（１）で示される
構造を持つ重合体と放射線照射によりプロトン酸を生じ
る物質からなる、請求項１記載の方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 上式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、それぞれアル
キル基またはフェニル基を表し、Ｒ＿４およびＲ＿５は
、それぞれ水素原子、アルキル基、フェニル基または▲
数式、化学式、表等があります▼を表す。 ３、上記レジストが側鎖に下記構造式（２）で示される
構造を持つ重合体と放射線照射によりプロトン酸を生じ
る物質からなる、請求項１記載の方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼（２） 上式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４およびＲ＿５
は、それぞれ、前記規定に同一のものを表す。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268298A JPH02115853A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019890015435A KR930001670B1 (ko) | 1988-10-26 | 1989-10-26 | 반도체장치의 제조방법 |
| US07/426,755 US5068169A (en) | 1988-10-26 | 1989-10-26 | Process for production of semiconductor device |
| EP89311041A EP0366460A3 (en) | 1988-10-26 | 1989-10-26 | Process for production of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268298A JPH02115853A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02115853A true JPH02115853A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17456584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268298A Pending JPH02115853A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5068169A (ja) |
| EP (1) | EP0366460A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02115853A (ja) |
| KR (1) | KR930001670B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146544A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-05 | Fujitsu Ltd | 二層構造ポジ型レジストの上層レジスト |
| WO2018180069A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| WO2020171006A1 (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-27 | Jsr株式会社 | 半導体基板の製造方法及び組成物 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442229A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-12 | Fujitsu Ltd | レジスト材料およびパターンの形成方法 |
| JPH06332196A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Nippon Paint Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JP2980149B2 (ja) * | 1993-09-24 | 1999-11-22 | 富士通株式会社 | レジスト材料およびパターン形成方法 |
| KR0156316B1 (ko) * | 1995-09-13 | 1998-12-01 | 김광호 | 반도체장치의 패턴 형성방법 |
| US6139647A (en) * | 1995-12-21 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Selective removal of vertical portions of a film |
| US5767017A (en) * | 1995-12-21 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Selective removal of vertical portions of a film |
| US5985524A (en) * | 1997-03-28 | 1999-11-16 | International Business Machines Incorporated | Process for using bilayer photoresist |
| US6444408B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-09-03 | International Business Machines Corporation | High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists |
| KR102418907B1 (ko) * | 2020-06-30 | 2022-07-08 | 현대제철 주식회사 | 냉연 강판의 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4551417A (en) * | 1982-06-08 | 1985-11-05 | Nec Corporation | Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices |
| US4481049A (en) * | 1984-03-02 | 1984-11-06 | At&T Bell Laboratories | Bilevel resist |
| US4770977A (en) * | 1984-09-21 | 1988-09-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Silicon-containing polymer and its use as a masking resin in a lithography process |
| FR2570844B1 (fr) * | 1984-09-21 | 1986-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Film photosensible a base de polymere silicie et son utilisation comme resine de masquage dans un procede de lithographie |
| JPH067263B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-01-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 光可溶化組成物 |
| US4665006A (en) * | 1985-12-09 | 1987-05-12 | International Business Machines Corporation | Positive resist system having high resistance to oxygen reactive ion etching |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63268298A patent/JPH02115853A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-26 KR KR1019890015435A patent/KR930001670B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-26 US US07/426,755 patent/US5068169A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-26 EP EP89311041A patent/EP0366460A3/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146544A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-05 | Fujitsu Ltd | 二層構造ポジ型レジストの上層レジスト |
| WO2018180069A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| WO2020171006A1 (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-27 | Jsr株式会社 | 半導体基板の製造方法及び組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0366460A2 (en) | 1990-05-02 |
| US5068169A (en) | 1991-11-26 |
| KR900007072A (ko) | 1990-05-09 |
| EP0366460A3 (en) | 1990-08-29 |
| KR930001670B1 (ko) | 1993-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0185030B1 (en) | Bilevel resist | |
| JPS64689B2 (ja) | ||
| US4235958A (en) | Photosensitive film usable in microgravure | |
| JPS6360891B2 (ja) | ||
| JPS6221151A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US5068169A (en) | Process for production of semiconductor device | |
| JPS6360899B2 (ja) | ||
| EP0186798B1 (en) | Top imaged plasma developable resists | |
| JPS61294433A (ja) | 高解像度感光性樹脂組成物およびこれを使用するサブミクロンパタ−ンの製造方法 | |
| JPS6256947A (ja) | 二層構造レジスト用平坦化層組成物 | |
| JPS6360898B2 (ja) | ||
| JPH0143300B2 (ja) | ||
| JPS59121042A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JP2618978B2 (ja) | レジスト材料およびこのレジスト材料を使用するパターン形成方法 | |
| JPS58214149A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH0223355A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH01244447A (ja) | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料 | |
| JPS6197651A (ja) | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 | |
| JPH04301852A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS60116132A (ja) | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0243172B2 (ja) | ||
| JPS6155647A (ja) | パタ−ン形成用材料及びその使用方法 | |
| JPS63113445A (ja) | 二層構造レジストにおける平坦化層の形成方法 | |
| JPS60254040A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6364771B2 (ja) |