JPH0313583B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0313583B2 JPH0313583B2 JP55086847A JP8684780A JPH0313583B2 JP H0313583 B2 JPH0313583 B2 JP H0313583B2 JP 55086847 A JP55086847 A JP 55086847A JP 8684780 A JP8684780 A JP 8684780A JP H0313583 B2 JPH0313583 B2 JP H0313583B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- resist
- resist film
- irradiation
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はドライ現像方法に関し、特に半導体
基板に微細パターンを形成するために適用する電
子線感応レジストのドライ現像方法に係わるもの
である。
基板に微細パターンを形成するために適用する電
子線感応レジストのドライ現像方法に係わるもの
である。
従来、電子線感応レジストを用いた微細パター
ンの形成には次のような手段が採用されている。
すなわち、半導体基板上に電子線感応レジシトを
被覆させたのち、この電子線感応レジスト膜上に
電子線を選択的に照射させ、ついでこの半導体基
板を現像溶液に浸漬して、電子線照射部分と非照
射部分とのレジストの分子量の相違から生ずる差
を利用して所望のパターンを得るのである。
ンの形成には次のような手段が採用されている。
すなわち、半導体基板上に電子線感応レジシトを
被覆させたのち、この電子線感応レジスト膜上に
電子線を選択的に照射させ、ついでこの半導体基
板を現像溶液に浸漬して、電子線照射部分と非照
射部分とのレジストの分子量の相違から生ずる差
を利用して所望のパターンを得るのである。
しかし乍ら従来のこの方法では、現像工程に化
学薬品である溶液を使用しているために、この現
溶液中の塵埃の除去とか、溶液温度の制御、ある
いは現像後の洗浄、乾燥などに多くの問題を抱
え、徒らに工程が煩雑になるばかりでなく、これ
らのために微細パターンに欠陥を生じたり、パタ
ーン寸法がばらついたりして、半導体素子製造の
収率が低下するという欠点をもつものであつた。
学薬品である溶液を使用しているために、この現
溶液中の塵埃の除去とか、溶液温度の制御、ある
いは現像後の洗浄、乾燥などに多くの問題を抱
え、徒らに工程が煩雑になるばかりでなく、これ
らのために微細パターンに欠陥を生じたり、パタ
ーン寸法がばらついたりして、半導体素子製造の
収率が低下するという欠点をもつものであつた。
この発明は従来のこのような欠点を鑑み、溶液
による現像に代えて、ガスプラズマによるドライ
技術によつて現像する方法を提供するものであ
る。
による現像に代えて、ガスプラズマによるドライ
技術によつて現像する方法を提供するものであ
る。
こヽで光感応レジストに対するドライ現像につ
いては、選択的な紫外線照射によるレジストの分
子量の差を利用し、この分子量に対する酸素プラ
ズマでのエツチングレートの差で現像する方法が
知られているが、このドライ現像の場合、紫外線
照射のみではレジストの厚さ変化がなく、その後
のベーキング処理と酸素プラズマ処理とが必要で
あつた。
いては、選択的な紫外線照射によるレジストの分
子量の差を利用し、この分子量に対する酸素プラ
ズマでのエツチングレートの差で現像する方法が
知られているが、このドライ現像の場合、紫外線
照射のみではレジストの厚さ変化がなく、その後
のベーキング処理と酸素プラズマ処理とが必要で
あつた。
そこで電子線感応レジストに対する電子線照射
後の変化について研究を重ねたところ、電子線感
応レジストの場合は、紫外線照射による光感応レ
ジストに比較し、電子線による照射でそのレジス
ト膜厚が大きく変化することを見出し、これをド
ライ現像に適用して極めて良好なドライ現像結果
が得られた。
後の変化について研究を重ねたところ、電子線感
応レジストの場合は、紫外線照射による光感応レ
ジストに比較し、電子線による照射でそのレジス
ト膜厚が大きく変化することを見出し、これをド
ライ現像に適用して極めて良好なドライ現像結果
が得られた。
次にこの発明方法の一実施例につき、添付図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
まずシリコン半導体基板１上に、1000〓程度の
酸化シリコン膜２を形成したのち、電子線感応レ
ジスト〔１、１ジメチルテトラフルオロプロピル
メタクリレート〕３をおヽよそ2μｍの厚さに塗
布し、その後、この表面に選択的に電子線４を、
加速電圧20KV、照射量１×10-3c／cm2の条件で
照射した（図ａ）。この条件での照射後のレジス
トの膜厚変化を測定したところ、照射前に2μｍ
であつたレジスト膜厚が、照射後は1.1μｍの膜厚
まで減少していることが判明した（図ｂ）。
酸化シリコン膜２を形成したのち、電子線感応レ
ジスト〔１、１ジメチルテトラフルオロプロピル
メタクリレート〕３をおヽよそ2μｍの厚さに塗
布し、その後、この表面に選択的に電子線４を、
加速電圧20KV、照射量１×10-3c／cm2の条件で
照射した（図ａ）。この条件での照射後のレジス
トの膜厚変化を測定したところ、照射前に2μｍ
であつたレジスト膜厚が、照射後は1.1μｍの膜厚
まで減少していることが判明した（図ｂ）。
ついでこれを酸素を含むガスプラズマ中で約５
分間処理したところ、電子線の照射部分と非照射
部分とがほヾ均一にエツチングされ、照射部分が
完全除去されて、所望のレジストパターンを形成
でき（図ｃ）、さらにこのレジストパターンをマ
スクにして、酸化シリコン膜２をエツチングした
ところ、目的とする良好なパターンを得られた
（図ｄ）。
分間処理したところ、電子線の照射部分と非照射
部分とがほヾ均一にエツチングされ、照射部分が
完全除去されて、所望のレジストパターンを形成
でき（図ｃ）、さらにこのレジストパターンをマ
スクにして、酸化シリコン膜２をエツチングした
ところ、目的とする良好なパターンを得られた
（図ｄ）。
なお前記実施例では、電子線感応レジストとし
て、１、１ジメチルテトラフルオロプロピルメタ
クリレートを使用したが、他の電子線感応レジス
トでも同様な膜厚減少を観測でき、実施例と同様
の効果を得られることが判明した。
て、１、１ジメチルテトラフルオロプロピルメタ
クリレートを使用したが、他の電子線感応レジス
トでも同様な膜厚減少を観測でき、実施例と同様
の効果を得られることが判明した。
以上詳述したようにこの発明方法によれば、電
子線感応レジストをドライ現像することが可能と
なり、従来のように溶液による湿式現像でないた
めに、洗浄および乾燥を必要とせず、工程自体を
簡略化できると共に、現像工程での欠陥の発生を
解消でき、半導体素子の製造歩留りを向上し得る
などの特長を有するものである。
子線感応レジストをドライ現像することが可能と
なり、従来のように溶液による湿式現像でないた
めに、洗浄および乾燥を必要とせず、工程自体を
簡略化できると共に、現像工程での欠陥の発生を
解消でき、半導体素子の製造歩留りを向上し得る
などの特長を有するものである。
図面ａ〜ｄはこの発明方法の一実施例を工程順
に示す断面図である。 １……シリコン半導体基板、２……酸化シリコ
ン膜、３……電子線感応レジスト、４……電子
線。
に示す断面図である。 １……シリコン半導体基板、２……酸化シリコ
ン膜、３……電子線感応レジスト、４……電子
線。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に電子線感応レジストである
1.1ジメチルテトラフルオロプロピルメタクリレ
ートを成膜し、前記レジスト膜上に電子線を選択
的に20KV、１×10-3c／cm2で照射して、その照
射部分のレジスト膜厚を減少させる工程と、つい
で酸素を含むガスプラズマにより、前記減少させ
たレジスト膜が除去されるまで全面エツチングす
る工程とを含むことを特徴とするドライ現像方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8684780A JPS5711344A (en) | 1980-06-25 | 1980-06-25 | Dry developing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8684780A JPS5711344A (en) | 1980-06-25 | 1980-06-25 | Dry developing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5711344A JPS5711344A (en) | 1982-01-21 |
| JPH0313583B2 true JPH0313583B2 (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=13898198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8684780A Granted JPS5711344A (en) | 1980-06-25 | 1980-06-25 | Dry developing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5711344A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211939A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタン形成法 |
| JP2594926B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | パタン形成法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509549A (ja) * | 1973-05-30 | 1975-01-31 | ||
| JPS5272175A (en) * | 1975-12-12 | 1977-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | Mask patterning of resist meterial |
| JPS5427369A (en) * | 1977-08-01 | 1979-03-01 | Hitachi Ltd | Pattern formation method |
| JPS5449072A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Developing method for resist film |
| JPS5460571A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry developing and etching method |
| JPS5569265A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-24 | Hitachi Ltd | Pattern-forming method |
-
1980
- 1980-06-25 JP JP8684780A patent/JPS5711344A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5711344A (en) | 1982-01-21 |
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