JPS6027131A - ホトレジスト塗布方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はＩＣ等の製造過程において実施されるホトレジ
スト塗布方法に係り、特に複数回の塗布の間にウェハ表
面を紫外線露光するようにしたボトレジスＩ−塗布方法
に関する。

（ロ）従来技術 従来の塗布方法の手順を説明すると次のようである。

■　スピンクリーン。

まっ、小径の噴射孔を有するノズルを矢印方向に移動し
つつ、前記ノズルから、純水を高圧噴射してウェハの表
面を洗浄する。

■　デバイトレージョン。

前記した純水をウェハ表面から除去するため、ウェハを
約２５０度Ｃの温度にまで上昇する。

■　ホトレジスト塗布。

前記ウェハを回転しつつ、−例とし“ζ約４００ｃｐの
高粘度のレジスト剤をウェハ表面に塗布する。

■　ヘーキング。

前記ボトレジスト塗布したウェハをヘーキングすること
によって、ウェハ表面に塗布したホトレジスト映を成る
程度重合して安定さ−ｌる。このときの温度は約１４０
〜１５０度Ｃで、ヘーキンク時間は約１分程度である。

■　ホトレジスト膜の膜厚を所定の値にする目的で、前
記■〜■の手順、つまり、スピンクリーン、デバイトレ
ージョン、ホトレジスト塗布及びベーキングの工程を繰
り返す。

すなワチ、従来のポトレジスト塗布方法はスピンクリー
ンからベーキング迄の工程を繰り返すことが必要であっ
たため、工程全体としての所要時間が長くなるという欠
点があった。

また、ウェハを複数回、塗布、ハーフを繰り返す方法で
あったため、ウェハハンドリング中に粉塵がウェハ表面
に降りかかり、そのためウェハのホトレジスト膜のピン
ホール発生率を低減することが困難であった。

（ハ）目的 本発明は塗布に要する時間を短縮しうるホトレジスト塗
布方法を提供することを目的としている。

もうひとつの目的はピンボール発生率を低減しうるホト
レジスト塗布方法を提供することである。

（ニ）構成 本発明はウェハに最初のホトレジスＦ？布を行った後、
前記ウェハの全面を紫外線露光することにより前記ボト
レシストの股を安定させた後、前記ウェハにホトレジス
ト塗布を施し、その後最終工程としてベーキングを施す
ようにしたボトレジスト塗布方法である。

（ボ）実施例 第１図は本発明に係るボトレシスト塗布方法の手順を示
す説明図である。同図によ−りこの塗布方法を説明する
と、以下の手順となる。

■　スピンクリーン。

まづ、小径の噴射孔を有するノスル１０から、純水を高
圧噴射してウェハ２０の表面を洗浄する。

この場合、必要に応じて前記ウェハ２０を適宜な回転機
で回転してもよい。

この工程は従来技術と変わらない。

■　デバイ１ル−ジョン。

ウェハ表面に残った純水を除去するため、ウェハを適宜
な雰囲気炉３０　（またはボットプレート上）に導入し
てその表面を約２５０度Ｃの温度にまで上昇する。この
工程も従来と変わらない。

■　ホトレジスト塗布。

前記ウェハを回転機４０により回転しつつ、レジスト剤
５０をノズル６０から適量適下してこれをウェハ表面に
均一に塗布する。

■　紫外線露光。

■の工程でホトレジスト塗布を施したウェハの表面に紫
外線露光を行う。その手段として、例えば電源１００に
より、超高圧水銀灯９０を動作せしめ、超高圧水銀灯９
０で発生した紫外線をガラスファイバ゛−７０で導出し
、ガラスファイハーフ０の他端から紫外線をウェハ表面
に照射する。

この照射はウェハ表面全面に施すことが必要であり、そ
のため、前記ウェハは回転させるが、この回転にあたっ
ては、■で使用した回転機４０が使用できる。そして、
紫外線露光により、ホトレジスト膜はある程度架橋反応
が進行し、膜が安定した状態となる。

好ましい実施例として、３ｍＷ／ｃｍ程度の強度の紫外
線を約１０秒間照射することが挙げられる。

■　ホトレジスト塗布。

前記■と同様にして、レジスト剤をウェハ表面に塗布す
る。

なお、このホトレジスト塗布では、所要のレジスト１挨
の膜厚が得られない場合には、前記■〜■の工程を繰り
返すことによって、所要の例えば数十ミクロンの膜厚を
得ることができる。

■　ベーキング。

最終の工程として、前記ホトレジスト塗布したウェハを
ヘーキング炉８０またはホットプレートでもって、ベー
キングするごとによって、ウェハ表面に塗布したボトレ
シス日史を重合して安定させる。このときの温度は約１
４０〜１５０度Ｃで、ベーキング時間は約１分程度か好
ましい例である。

なお、必要に応じてベーキングと同時に露光の］−程を
付加することも可能である。

（へ）効果 本発明に係るポトレジスト塗布によれば、従来必要とし
ていた１回目のベーキングを省くごとができる故、ホト
レジスト塗ＡＪの工程に要した時間を短縮することが可
能であり、装置の生産性を向上することができる。

さらに、上述のように■〜■の工程を繰り返すこととす
れば、前記ホトレジスト剤を低粘度のものを使用するこ
とが可能であるため、ピンホール発生率を低く保つこと
ができるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るホトレジスト塗布方法の手順を示
す説明図である。 １０・・・ノズル、２０・・・ウェハ、３０・・・雰囲
気炉、４０・・・回転機、５０・・・レジスト剤、６０
・・・ノズル、７０・・・ガラスファイバー、８０・・
・ヘーキング炉、９０・・・超高圧水銀灯、１００・・
・電源。 特許出願人　ローム株式会社 代理人　弁理士　大　西　孝　治 第１図 手続補正書（方式） 昭和５８年１２月２６日 住　所　京都市右京区西院溝崎町２１番地第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハに最初のホトレジスト塗布を行った後、前
   記ウェハの全面を紫外線露光することにより前記ホトレ
   ジストの）模を安定させた後、前記ウェハにホトレジス
   ト塗布を施し、ホトレジスト膜を所定の膜厚にした後、
   前記ウェハをヘーキングするようにしたことを特徴とす
   るホトレジスト塗布方法。
2. （２）前記紫外線の露光はウェハを回転しつつ行うもの
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のホ
   トレジスト塗布方法。