JPH0241742B2 - - Google Patents
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- JPH0241742B2 JPH0241742B2 JP8074581A JP8074581A JPH0241742B2 JP H0241742 B2 JPH0241742 B2 JP H0241742B2 JP 8074581 A JP8074581 A JP 8074581A JP 8074581 A JP8074581 A JP 8074581A JP H0241742 B2 JPH0241742 B2 JP H0241742B2
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- Japan
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- hydrogenated silicon
- amorphous
- silicon layer
- layer
- microcrystalline
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体に係わり、特にアモル
フアス水素化シリコンおよび微結晶水素化シリコ
ンとの積層を利用した高感度電子写真感光体に関
する。
フアス水素化シリコンおよび微結晶水素化シリコ
ンとの積層を利用した高感度電子写真感光体に関
する。
従来、電子写真感光体は導電性基板上にセレ
ン、セレン・テルル合金、酸化亜鉛又は有機光導
電体の層を形成したもの、或いは該基板上に硫化
カドミウム、透明絶縁層を積層したもの等が実用
化されている。しかるに、上記いずれの感光体も
それぞれ次のような欠点を有し、満足できるもの
ではなかつた。セレンや硫化カドミウムは有毒
で、公害の点でも問題があり、有機光導電体は機
械的強度が十分でないために取扱い上損傷し易
く、酸化亜鉛に至つては耐用寿命が極端に短かい
等の欠点があつた。
ン、セレン・テルル合金、酸化亜鉛又は有機光導
電体の層を形成したもの、或いは該基板上に硫化
カドミウム、透明絶縁層を積層したもの等が実用
化されている。しかるに、上記いずれの感光体も
それぞれ次のような欠点を有し、満足できるもの
ではなかつた。セレンや硫化カドミウムは有毒
で、公害の点でも問題があり、有機光導電体は機
械的強度が十分でないために取扱い上損傷し易
く、酸化亜鉛に至つては耐用寿命が極端に短かい
等の欠点があつた。
本発明に使用するアモルフアスシリコンはこれ
まで太陽電池に応用されてきたが、近年、電子写
真感光体にも適用されるようになつた。
まで太陽電池に応用されてきたが、近年、電子写
真感光体にも適用されるようになつた。
従来、アモルフアスシリコンの暗抵抗はセレ
ン、酸化亜鉛、有機光導電体と比較すると２乃至
３桁低く、電子写真感光体の必須条件である電荷
保持特性に問題があつて実用できる特性ではなか
つた。近年、アモルフアス水素化シリコンが開発
されるに及んで電子写真感光体にも実用化され始
めたが、まだまだ開発上の課題が残つている。例
えば、アモルフアス水素化シリコン層は、通常、
高周波グロー放電法でシランガス（SiH4）を分
解させ、導電性基体上に堆積させて製造するもの
であるが、このときアモルフアス水素化シリコン
層の形成速度は大体４Å／secと著しく小さく、
そのため実用可能な感光体ドラム１本を製造する
のに数時間を要してしまう。このように製造能率
が低く、量産には不適当である。
ン、酸化亜鉛、有機光導電体と比較すると２乃至
３桁低く、電子写真感光体の必須条件である電荷
保持特性に問題があつて実用できる特性ではなか
つた。近年、アモルフアス水素化シリコンが開発
されるに及んで電子写真感光体にも実用化され始
めたが、まだまだ開発上の課題が残つている。例
えば、アモルフアス水素化シリコン層は、通常、
高周波グロー放電法でシランガス（SiH4）を分
解させ、導電性基体上に堆積させて製造するもの
であるが、このときアモルフアス水素化シリコン
層の形成速度は大体４Å／secと著しく小さく、
そのため実用可能な感光体ドラム１本を製造する
のに数時間を要してしまう。このように製造能率
が低く、量産には不適当である。
また、半導体レーザー光源に対応した長波長感
光体の光感度は850nm付近まで求められるが、ア
モルフアス水素化シリコンは、かかる長波長領域
では光吸収係数の関係で感度が十分でないとの欠
点も有している。
光体の光感度は850nm付近まで求められるが、ア
モルフアス水素化シリコンは、かかる長波長領域
では光吸収係数の関係で感度が十分でないとの欠
点も有している。
本発明者らは、アモルフアス水素化シリコン層
のみを光導電層とする感光体では、上記欠点の克
服は困難と考え、アモルフアス水素化シリコンの
長所を生かしつつその欠点の解消を意図して研究
を重ねて本発明を完成させるに至つた。
のみを光導電層とする感光体では、上記欠点の克
服は困難と考え、アモルフアス水素化シリコンの
長所を生かしつつその欠点の解消を意図して研究
を重ねて本発明を完成させるに至つた。
すなわち、本発明の目的は、従来の電子写真感
光体に代わる新規な感光層を開発し、これにより
機械的強度が強くて耐摩耗性に優れ、安全で公害
を生起するおそれもなく、しかもアモルフアス水
素化シリコンのみを光導電層とする感光体よりも
製造速度が大きく、かつ長波長領域まで高感度で
ある電子写真感光体を提供することにある。
光体に代わる新規な感光層を開発し、これにより
機械的強度が強くて耐摩耗性に優れ、安全で公害
を生起するおそれもなく、しかもアモルフアス水
素化シリコンのみを光導電層とする感光体よりも
製造速度が大きく、かつ長波長領域まで高感度で
ある電子写真感光体を提供することにある。
本発明は、導電性基体上に、アモルフアス水素
化シリコン層と微結晶水素化シリコン層とを積層
してなることを特徴とする電子写真感光体であ
る。
化シリコン層と微結晶水素化シリコン層とを積層
してなることを特徴とする電子写真感光体であ
る。
本発明は、アモルフアス水素化シリコン層の一
部を微結晶水素化シリコン層で置き換えることに
より、製造速度を上げ、長波長感度は微結晶水素
化シリコンの幅広い光吸収係数（1100nm付近ま
で）で補うものである。
部を微結晶水素化シリコン層で置き換えることに
より、製造速度を上げ、長波長感度は微結晶水素
化シリコンの幅広い光吸収係数（1100nm付近ま
で）で補うものである。
アモルフアス水素化シリコン層は、例えばシラ
ンガス（SiH4）を水素気流中で高周波グロー放
電分解法によつて形成される。この時の基体温度
は200乃至300℃、ガス圧は0.01乃至2Torr、シラ
ンガス流量は0.1乃至100c.c.／minなどの製造条件
下で通常0.1乃至30MHzの高周波電圧を印加して
ガス分解し、成膜する。アモルフアス水素化シリ
コン層中に含有される水素の量は15〜30atomic
％であるのが望ましい。この範囲で、暗抵抗と暗
明抵抗比が調和がとれ、光導電性が一層すぐれた
ものとなる。膜厚は適宜設定されるが、多くは３
乃至30μの範囲が望ましい。
ンガス（SiH4）を水素気流中で高周波グロー放
電分解法によつて形成される。この時の基体温度
は200乃至300℃、ガス圧は0.01乃至2Torr、シラ
ンガス流量は0.1乃至100c.c.／minなどの製造条件
下で通常0.1乃至30MHzの高周波電圧を印加して
ガス分解し、成膜する。アモルフアス水素化シリ
コン層中に含有される水素の量は15〜30atomic
％であるのが望ましい。この範囲で、暗抵抗と暗
明抵抗比が調和がとれ、光導電性が一層すぐれた
ものとなる。膜厚は適宜設定されるが、多くは３
乃至30μの範囲が望ましい。
一方、微結晶水素化シリコン層は反応性スパツ
ター法、真空蒸着法によつて容易に形成できる。
例えば、反応性スパツター法においては、シリコ
ンをターゲツトとして水素気流中にて高周波スパ
ツタリング（13.56MHz〕することにより、常温
で基体上に成膜させることができる。膜厚は0.1
乃至10μの範囲が好ましく、アモルフアス水素化
シリコン層より薄くすることが好ましい。アモル
フアス水素化シリコンの方が微結晶水素化シリコ
ンよりも暗抵抗が大きいので、これに電荷保持能
を果させるためである。
ター法、真空蒸着法によつて容易に形成できる。
例えば、反応性スパツター法においては、シリコ
ンをターゲツトとして水素気流中にて高周波スパ
ツタリング（13.56MHz〕することにより、常温
で基体上に成膜させることができる。膜厚は0.1
乃至10μの範囲が好ましく、アモルフアス水素化
シリコン層より薄くすることが好ましい。アモル
フアス水素化シリコンの方が微結晶水素化シリコ
ンよりも暗抵抗が大きいので、これに電荷保持能
を果させるためである。
また、微結晶水素化シリコン層の形成には、ア
モルフアス水素化シリコン層の場合と同様に、高
周波グロー放電分解法によつても形成できる。そ
の場合、アモルフアスシリコン層を形成する場合
よりも支持体の温度を高く、具体的には300〜350
℃、好ましくは320℃〜350℃とし、高周波電力も
0.5〜5W／cm2、好ましくは１〜3W／cm2とすれば
良い。更にガス圧力は0.01〜10torr、好ましくは
0.02〜0.2torr、流量は100〜1000c.c.／minとすれ
ば良い。このように、支持基体温度を高め、電力
を大きくすることにより、原料ガス（シラン等）
の流量を増大させることも可能になり、その結果
成膜速度を大幅に増大させることができる。この
ようにして、微結晶水素化シリコン層を、約20〜
100Å／secの大きい速度で形成することができる
が、この成膜速度の高速化によつても光導電特性
の低下はまつたく認められず、優れた光導電層を
得ることができる。
モルフアス水素化シリコン層の場合と同様に、高
周波グロー放電分解法によつても形成できる。そ
の場合、アモルフアスシリコン層を形成する場合
よりも支持体の温度を高く、具体的には300〜350
℃、好ましくは320℃〜350℃とし、高周波電力も
0.5〜5W／cm2、好ましくは１〜3W／cm2とすれば
良い。更にガス圧力は0.01〜10torr、好ましくは
0.02〜0.2torr、流量は100〜1000c.c.／minとすれ
ば良い。このように、支持基体温度を高め、電力
を大きくすることにより、原料ガス（シラン等）
の流量を増大させることも可能になり、その結果
成膜速度を大幅に増大させることができる。この
ようにして、微結晶水素化シリコン層を、約20〜
100Å／secの大きい速度で形成することができる
が、この成膜速度の高速化によつても光導電特性
の低下はまつたく認められず、優れた光導電層を
得ることができる。
微結晶水素化シリコンの水素含有量は15〜
30atomic％が好ましい。（理由）水素含有量が
15atomic％未満であると、微結晶水素化シリコ
ン層中のボイドが多くなつて、暗抵抗が低くな
り、一方、30atomic％を超えると所望の光感度
が得られないなどの欠点が生じる。
30atomic％が好ましい。（理由）水素含有量が
15atomic％未満であると、微結晶水素化シリコ
ン層中のボイドが多くなつて、暗抵抗が低くな
り、一方、30atomic％を超えると所望の光感度
が得られないなどの欠点が生じる。
本発明で用いられる微結晶水素化シリコンは、
Ｘ線回析ピークのないアモルフアスではないこと
の特徴として27度の位置でのＸ線回析ピークを有
し、更に106Ω・cm以下の暗抵抗を示す通常いわ
れているポリクリスタルではないことの特徴とし
て1011Ω・cm以上の暗抵抗を有するという点で識
別される。従つてこの事実から結晶性はあるもの
のその結晶粒径は測定できない程度、すなわち数
10Åの微細な結晶の集合であると言えるのであ
る。
Ｘ線回析ピークのないアモルフアスではないこと
の特徴として27度の位置でのＸ線回析ピークを有
し、更に106Ω・cm以下の暗抵抗を示す通常いわ
れているポリクリスタルではないことの特徴とし
て1011Ω・cm以上の暗抵抗を有するという点で識
別される。従つてこの事実から結晶性はあるもの
のその結晶粒径は測定できない程度、すなわち数
10Åの微細な結晶の集合であると言えるのであ
る。
本発明の電子写真感光体においては、アモルフ
アス水素化シリコン層と微結晶水素化シリコン層
との積層順はどちらでもよいが、光感度、静電荷
保持性の点からは微結晶水素化シリコン層が上層
となる構成が好ましい。
アス水素化シリコン層と微結晶水素化シリコン層
との積層順はどちらでもよいが、光感度、静電荷
保持性の点からは微結晶水素化シリコン層が上層
となる構成が好ましい。
本発明に使用する導電性基体は特に限定しない
がステンレス、アルミニウム或いはITO膜を被覆
したガラスなどが使用でき、その形状はシート、
ドラム、ベルトと任意に選択可能である。
がステンレス、アルミニウム或いはITO膜を被覆
したガラスなどが使用でき、その形状はシート、
ドラム、ベルトと任意に選択可能である。
本発明は上述したように製造速度が速く、しか
も半導体レーザーにも感応する長波長感光体をア
モルフアス水素化シリコン系材料で製作すること
を可能にしたものである。
も半導体レーザーにも感応する長波長感光体をア
モルフアス水素化シリコン系材料で製作すること
を可能にしたものである。
次に、本発明を実施例について説明する。
実施例 １
直径50mm厚さ１mmのアルミニウム基板を堆積装
置内の加熱保持体に設置した。堆積槽内を真空排
気装置で一旦２×10-7Torrに減圧し、次いでシ
ラン（SiH4）／水素混合ガス（シラン含量15Vol
％）を0.4Torrに保持した。アルミニウム基板の
温度を200℃に昇温させ、13.56MHzの高周波を
50W印加してグロー放電を起こし、アルミニウム
基板上にアモルフアス水素化シリコン層を形成し
た。この時の成膜速度は約７Å／secであつて、
約12μ厚のアモルフアス水素化シリコン層を得
た。
置内の加熱保持体に設置した。堆積槽内を真空排
気装置で一旦２×10-7Torrに減圧し、次いでシ
ラン（SiH4）／水素混合ガス（シラン含量15Vol
％）を0.4Torrに保持した。アルミニウム基板の
温度を200℃に昇温させ、13.56MHzの高周波を
50W印加してグロー放電を起こし、アルミニウム
基板上にアモルフアス水素化シリコン層を形成し
た。この時の成膜速度は約７Å／secであつて、
約12μ厚のアモルフアス水素化シリコン層を得
た。
次に、アルミニウム基板を徐冷して室温に放置
し、シラン／水素混合ガス流量を５倍に増加させ
て100c.c.／minにした。
し、シラン／水素混合ガス流量を５倍に増加させ
て100c.c.／minにした。
また、高周波グロー放電電力も100Wに上げて
再度グロー放電を起こし、基板温度を320℃とし
て、アモルフアス水素化シリコン層上に微結晶水
素化シリコン層を積層形成した。この場合の成膜
速度は約30Å／secであつて、約3μ厚の微結晶水
素化シリコン層を積層して、電子写真感光体を作
製した。なお微結晶水素化シリコン膜は、Ｘ線回
析ピークの存在及び1011Ω・cm以上の暗抵抗の測
定により確認した。
再度グロー放電を起こし、基板温度を320℃とし
て、アモルフアス水素化シリコン層上に微結晶水
素化シリコン層を積層形成した。この場合の成膜
速度は約30Å／secであつて、約3μ厚の微結晶水
素化シリコン層を積層して、電子写真感光体を作
製した。なお微結晶水素化シリコン膜は、Ｘ線回
析ピークの存在及び1011Ω・cm以上の暗抵抗の測
定により確認した。
該感光体について、マイナス6.0KVのコロナ放
電を10秒行なつて負帯電せしめた後、５秒間暗所
に放置し、その時の表面電位を測定した。次い
で、300Wキセノン光源から干渉フイルターで単
色化した850nmの光を露光し、その表面電位が半
減するまでの時間Ｔ1/2を求めた。その結果は、
本発明の電子写真感光体についてはＴ1/2＝
7.0secであつたのに対し、比較に用意したアモル
フアス水素化シリコン単層感光体ではＴ1/2＝
15.0secと非常に大きな値であつた。
電を10秒行なつて負帯電せしめた後、５秒間暗所
に放置し、その時の表面電位を測定した。次い
で、300Wキセノン光源から干渉フイルターで単
色化した850nmの光を露光し、その表面電位が半
減するまでの時間Ｔ1/2を求めた。その結果は、
本発明の電子写真感光体についてはＴ1/2＝
7.0secであつたのに対し、比較に用意したアモル
フアス水素化シリコン単層感光体ではＴ1/2＝
15.0secと非常に大きな値であつた。
実施例 ２
透明電極であるITO膜を被覆したガラス板100
×100×１（mm）を反応性スパツター装置のカソー
ド上に設置した。一方、５ナインのシリコン結晶
をターゲツト電極に固定した後、真空排気し、堆
積槽内を８×10-7Torrまで減圧した。放電ガス
として水素とアルゴンの混合ガス（水素含量，
20Vol％）を使用し、ガス圧を２×10-2Torrに調
整した。ガラス基板温度は300℃に加熱保持し、
13.56MHzの高周波を印加してスパツターリング
した。堆積速度は著しく速く100Å／secの条件
で、膜厚5μ厚の微結晶水素化シリコン層を得た。
なお微結晶水素化シリコン膜は、Ｘ線回析ピーク
の存在及び1011Ω・cm以上の暗抵抗の測定により
確認した。一時、高周波電圧の印加を停止し、ガ
ラス基板温度を200℃に昇温してから再びスパツ
ターリングを実施した。この時、混合ガス流量を
半減し、堆積速度を８Å／secにしてアモルフア
ス水素化シリコン層を微結晶水素化シリコン層上
に設けた。アモルフアス水素化シリコン層の膜厚
は15μであつた。
×100×１（mm）を反応性スパツター装置のカソー
ド上に設置した。一方、５ナインのシリコン結晶
をターゲツト電極に固定した後、真空排気し、堆
積槽内を８×10-7Torrまで減圧した。放電ガス
として水素とアルゴンの混合ガス（水素含量，
20Vol％）を使用し、ガス圧を２×10-2Torrに調
整した。ガラス基板温度は300℃に加熱保持し、
13.56MHzの高周波を印加してスパツターリング
した。堆積速度は著しく速く100Å／secの条件
で、膜厚5μ厚の微結晶水素化シリコン層を得た。
なお微結晶水素化シリコン膜は、Ｘ線回析ピーク
の存在及び1011Ω・cm以上の暗抵抗の測定により
確認した。一時、高周波電圧の印加を停止し、ガ
ラス基板温度を200℃に昇温してから再びスパツ
ターリングを実施した。この時、混合ガス流量を
半減し、堆積速度を８Å／secにしてアモルフア
ス水素化シリコン層を微結晶水素化シリコン層上
に設けた。アモルフアス水素化シリコン層の膜厚
は15μであつた。
該電子写真感光体にプラス6.0KVのコロナ放電
を行なつて、実施例１同様に850nmの単色光を透
明電極側から露光したところ、Ｔ1/2＝6.0secの
高い光感度が観測された。
を行なつて、実施例１同様に850nmの単色光を透
明電極側から露光したところ、Ｔ1/2＝6.0secの
高い光感度が観測された。
以上、本発明を詳細に説明したとおり、アモル
フアス水素化シリコン層と微結晶水素化シリコン
層を積層することにより、電子写真感光体の製造
速度を高められるばかりでなく、アモルフアス水
素化シリコン単層では光感度の乏しい長波長領域
（850nm）においてもめざましい増感効果を得る
ことができた。
フアス水素化シリコン層と微結晶水素化シリコン
層を積層することにより、電子写真感光体の製造
速度を高められるばかりでなく、アモルフアス水
素化シリコン単層では光感度の乏しい長波長領域
（850nm）においてもめざましい増感効果を得る
ことができた。
Claims (1)
- １ 導電性基体上に、アモルフアス水素化シリコ
ン層と、Ｘ線回析による結晶回析ピークを有しか
つ暗抵抗が1011Ω・cm以上である微結晶水素化シ
リコン層とを積層してなることを特徴とする電子
写真感光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8074581A JPS57196262A (en) | 1981-05-29 | 1981-05-29 | Electrophotographic photoreceptor |
| US06/382,285 US4560634A (en) | 1981-05-29 | 1982-05-26 | Electrophotographic photosensitive member using microcrystalline silicon |
| DE8282104724T DE3279006D1 (en) | 1981-05-29 | 1982-05-28 | Electrophotographic photosensitive member |
| EP82104724A EP0066812B1 (en) | 1981-05-29 | 1982-05-28 | Electrophotographic photosensitive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8074581A JPS57196262A (en) | 1981-05-29 | 1981-05-29 | Electrophotographic photoreceptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57196262A JPS57196262A (en) | 1982-12-02 |
| JPH0241742B2 true JPH0241742B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13726932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8074581A Granted JPS57196262A (en) | 1981-05-29 | 1981-05-29 | Electrophotographic photoreceptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57196262A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616178B2 (ja) * | 1983-07-19 | 1994-03-02 | 株式会社東芝 | 光導電部材 |
| JPS61295576A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPS61295577A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPH07109517B2 (ja) * | 1985-06-25 | 1995-11-22 | 株式会社東芝 | 光導電性部材 |
-
1981
- 1981-05-29 JP JP8074581A patent/JPS57196262A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57196262A (en) | 1982-12-02 |
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