JPH024238B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は新規物質であるストレプトマイシン誘
導体に関し、さらに詳しく述べると、次の一般式
（） （式中、Ｒは−CH₂OHまたは−CHOを示す）
で表わされるストレプトマイシンまたはジヒドロ
ストレプトマイシンの3″位のエピ誘導体に関す
る。 ストレプトマイシンはワクスマンにより発見さ
れた著明な抗生物質であり、そのアルデヒド基還
元体であるジヒドロストレプトマイシンと共に広
く医薬に使用されている。しかるに広く使用され
るにつれ、これらに対する耐性菌が出現し、この
事実がストレプトマイシン及びジヒドロストレプ
トマイシンの薬効を著しく減殺して来た。耐性菌
の出現はストレプトマイシン系物質に限らず、カ
ナマイシン類、リビドマイシン類その他の医薬品
に対しても一般的に現われるが、この歴史的事情
に関しては本発明者の一人であり、以下述べる耐
性機構の最初の発見者である梅沢浜夫による総説
（梅沢浜夫、アドヴアンセズ・イン・カーボハイ
ドレート・ケミストリー・アンド・バイオケミス
トリー，30巻，183頁，アカデミツク プレス
1974年）にくわしい。ストレプトマイシン類の場
合にはストレプトマイシン・アデニリル転位酵素
をもつ耐性菌によつて3″位の水酸基がアデニリル
化される結果3″−Ｏ−アデニリルストレプトマイ
シンが形成されてその薬効が不活化されることが
判明した（梅沢ら、ジヤーナル・オブ・アンチビ
オテクス，21巻，81頁，1968年）。そこで本発明
者らはこの3″位の水酸基を除去することにより、
上記アデニリル化による不活化の可能性を除去
し、上記ストレプトマイシン耐性菌にも有効なス
トレプトマイシン誘導体を得るべく研究をはじめ
た。その結果3″−デオキシジヒドロストレプトマ
イシンを合成することに成功すると共に、その物
質が耐性菌に有効であることを知見した（特開昭
52−105154号公報参照）。 本発明者らは、さらに検討を重ね、ストレプト
マイシンおよびジヒドロストレプトマイシンの
3″位をエピ化することに成功し、これら新らたに
合成された3″−エピストレプトマイシン及び3″−
エピジヒドロストレプトマイシンが耐性菌に有効
であることを知見し本発明を完成させた。 一般式（）で表わされる本発明の化合物は、
式中Ｒが−CH₂OHの場合は3″−エピ−ジヒドロ
ストレプトマイシン、Ｒが−CHOの場合は3″−
エピ−ストレプトマイシンであり、いずれも文献
未載の新規化合物である。 本発明の化合物の抗菌力を表わす各種菌の最低
生育阻止濃度（MIC）は次の第１表に示す。第
１表に示す通り、本発明化合物は対照のジヒドロ
ストレプトマイシンと同様な抗菌スペクトルを有
するが、その抗菌力はグラム陰性菌、特に各種の
大腸菌（Escherichia coli）の耐性株に対し顕著
な改善効果が認められた。 本発明の化合物はストレプトマイシンやジヒド
ロストレプトマイシンと同程度の安全性を示し抗
菌剤として有用な化合物である。なお、本発明の
化合物は、常法で無毒の酸、例えば塩酸、硫酸，
リン酸，酢酸，マロン酸などとの酸付加塩にする
ことができる。

【表】

【表】 次に本発明による式（）の新規化合物の製造
法を述べる。 まず3″−エピ−ジヒドロストレプトマイシンの
製造法の概要は、下記の第１工程図に示され、ジ
ヒドロストレプトマイシンより８工程で生産され
る。第１工程図及び後記の他の工程図の中では、
各工程の反応により変化した部分を主体に記載し
たので、反応前に存在する置換基であつて反応後
の記載部位が省略されているのは反応前と同じで
あることを示す。なお、式(4)中のAcアセチル基
を表わす。 以下、先づ3″−エピジヒドロストレプトマイシ
ンの製造法を第１工程図の各工程別について説明
をし、具体例としては実施例１をもつて詳述す
る。 出発物質として用いられるジヒドロストレプト
マイシンは第１工程図の式(1)で表わされる化合物
である。これから出発して本発明の3″−エピジヒ
ドロストレプトマイシンを合成するには、先づ工
程Ａにおいて式(1)の化合物の2″位メチルアミノ基
を公知のアミノ保護基で選択的に保護する。この
目的には、水−アセトン混液中で塩基、好ましく
は炭酸アルカリの存在下に−20℃〜50℃の温度
で、好ましくは０℃で氷冷下に１モル比又は実質
的に１モル比の量の塩化ベンジルオキシカルボニ
ルを作用させることにより、第１工程図の式(2)で
示される2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−ジ
ヒドロストレプトマイシンを生成させるのが好ま
しい。 次に工程Ｂにおいて式(2)化合物の3′位及び3′a
位の一対の水酸基並びに4″位及び6″位の一対の水
酸基を公知のヒドロキシル保護基で保護するが、
このためには、式(2)の化合物を無水のジメチルホ
ルムアミド（DMF）中で反応触媒としてのｐ−
トルエンスルホン酸の存在下に２，２−ジメトキ
シプロパンを作用させ、3′位及び3′a位の水酸基
の一対並びに4″位及び6″位の水酸基の一対を夫々
にイソプロピリデン基で保護するのが好ましい。
これによつて、式(3)で示される2″−Ｎ−ベンジル
オキシカルボニル−3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イ
ソプロピリデンジヒドロストレプトマイシンが生
成される。なお、工程ＡおよびＢは特開昭52−
105154号公報の参考例２に記載された処理方法又
はそれに準じた方法で行つてもよい。 次に工程Ｃにおいて式(3)の化合物について、そ
の中の水酸基のすべて及びグアニジル基すべてを
保護するのであるが、このためには、それら管能
基をアセチル基で閉塞するのが好ましい。そのア
セチル化剤としては、酢酸ナトリウムの存在下に
用いられる無水酢酸であるのがよい。これによつ
て、第１工程図の式(4)で示されるテトラ−N^G−
アセチル−２，５，６，3″−テトラ−Ｏ−アセチ
ル−2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3′，
3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデンジヒド
ロストレプトマイシンが生成される。 さらに、工程Ｄにおいて、式(4)の化合物から
2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル基を脱離させ
る。これには、常用の脱保護法であるパラジウム
黒触媒の存在下に水素による還元を行うのがよ
い。これによつて、式(5)のテトラ−N^G−アセチ
ル−２，５，６，3″−テトラ−Ｏ−アセチル−
3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデンジヒ
ドロストレプトマイシンが生成される。 さらに工程Ｅにおいて式(5)の化合物の3″−水酸
基からアセチル基を選択的に脱離させる。このた
めには、式(5)の化合物をエタノールに溶解し20〜
30℃の温度で１日以上、通常は３日間位放置して
おくと、3″位のアセチル基のみが選択的に脱離さ
れる。このように他のアセチル基が外れずにアセ
チル基が3″位のみから脱離する特異な事実は予想
外であつた。 この工程Ｅにより、式(6)のテトラーN^G−アセ
チル−２，５，６，−トリ−Ｏ−アセチル−3′，
3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデンヒドロ
ストレプトマイシンが生成される。 次に工程Ｆにおいて、式(6)の化合物の2″−メチ
ルアミノ基を再びベンジルオキシカルボニル基で
保護する。これには工程Ａと同じ手法で、あるい
は炭酸水素ナトリウムの存在下にクロロホルム中
で塩化ベンジルオキシカルボニルを作用させるの
がよい。これによつて、式(7)のテトラ−N^G−ア
セチル−２，５，６−トリ−Ｏ−アセチル−2″−
Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3′，3′a；4″，
6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデンジヒドロストレプ
トマイシンが生成される。 さらに工程Ｇにおいて、式(7)の化合物をジクロ
ルメタンの如き有機溶媒に溶解し冷却下（好まし
くは−50℃程度であるが、50℃までの温度に加温
してもよい）にピリジンの存在下で１〜10モル比
の量の無水トルフルオロメタンスルホン酸を反応
させると、一旦不安定な3″−トリフルオロメチル
スルホニル誘導体がガラス状物質として得られ
る。さらにこれをピリジン中で10〜100℃の温度
で、好ましくは常温で反応させると、3″−トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ基と2″−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニルメチルアミノ基とが相互に
縮合、環化してカルバメート型になり、第１の工
程図の式(8)で示される化合物、すなわち、テトラ
ーN^G−アセチル−２，５，６−トリ−Ｏ−アセ
チル−2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル−3″−エピー
3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデンジヒ
ドロストレプトマイシンが生成される。 次に工程Ｈにおいて、脱保護反応を行う。すな
わち、式(8)の化合物の保護基、アセチル基の脱離
と2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル基の除去を行うの
であるが、このためには含水テトラヒドロフラン
中で水酸化バリウムの存在下に加水分解するのが
便利である。これで両者の基が一挙に除去され
る。この段階で脱カルボニル化された3″位の水酸
基はエピ位に反転されたまゝに留まるので、3″−
エピ−3′，3′a：4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデ
ンジヒドロストレプトマイシンが生成される。さ
らにこの工程Ｈでは、該化合物から3′，3′a；4″，
6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデン基の脱離も行う
が、これには常用のイソプロピリデン基脱離法を
適用でき、例えば、酢酸水中で加水分解するのが
よい。これによつて、第１工程図で式（′）で
示される目的の3″−エピジヒドロストレプトマイ
シンが生成される。 前述の製造法では、保護基としてベンジルオキ
シカルボニル基、イソプロピリデン基、アセチル
基を用いた場合について説明したが、これら保護
基と均等的に働く公知のアミノ保護基、公知のグ
アニジル基保護基公知のヒドロキシル保護基を使
用できることは自明であろう。 更に、本発明の化合物3″−エピストレプトマイ
シンは今回合成された3″−エピジヒドロストレプ
トマイシンから出発して製造できる。このような
3″−エピストレプトマイシンの製造法の概要は、
以下の第２工程図に示される。こゝでも、第１工
程図と同様に、各工程で反応を受けない部分の基
の表示を略し反応により変化した部分のみを主体
に表示した省略表現法を各生成物の構造式に用い
た。 以下、第２工程図の各工程について説明し、
3″エピストレプトマイシンの具体的な製造例は実
施例２で示す。 出発物質の3″−エピジヒドロキシストレプトマ
イシンは第１工程図で式（′）で示される化合
物である。工程において、式（′）の化合物
の2″位メチルアミノ基を保護するのであるが、こ
れには第１工程図の工程Ａと同様に塩化ベンジル
オキシカルボニルを作用させる。これで、式(9)の
2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3″−エピジ
ヒドロストレプトマイシンが塩酸塩として得られ
る。 次に工程Ｊにおいて式(9)の化合物の3′位，3′a
位の水酸基の一対を保護するのであるが、このた
めには、式(9)の化合物を無水DMF中でｐ−トル
エンスルホン酸の存在下に１モル比より過剰の量
の２，２−ジメトキシプロパンを作用させるのが
好ましい。このようにすると、所望のモノ−Ｏ−
イソプロピリデン化生成物が、副成のポリ−Ｏ−
イソプロピリデン化生成物を混成されるから、後
者を酢酸水溶液で加水分解処理することによつ
て、所望のモノ−Ｏ−イソプロピリデン化生成物
に転化させる。これによつて、式(10)の2″−Ｎ−ベ
ンジルオキシカルボニル−3″−エピ−3′，3′a−
Ｏ−イソプロピリデンジヒドロストレプトマイシ
ンが生成される。 次の工程Ｋにおいては、式(10)の化合物中の水酸
基のすべて及びグアニジル基のすべてを保護する
のであるが、このためには、第１工程図の工程Ｃ
と全く同様に酢酸ナトリウムの存在下に無水酢酸
を作用させるアセチル化により実施できる。工程
Ｋにより式(11)のテトラーN^G−アセチル−２，５，
６，3″，4″，6″−ヘキサーＯ−アセチル−2″−Ｎ
−ベンジルオキシカルボニル−3″−エピ−3′，
3′a−Ｏ−イソプロピリデンジヒドロストレプト
マイシンが生成される。その後、工程Ｌにおいて
化合物(11)の脱イソプロピリデン化を行い第１工程
図の工程Ｈと同様に酢酸加水分解法で式(12)の化合
物、すなわちテトラーN^G−アセチル−２，５，
６，3″，4″，6″−ヘキサーＯ−アセチル−2″−Ｎ
−ベンジルオキシカルボニル−3″−エピジヒドロ
ストレプトマイシンを得る。 次の工程Ｍにおいては、化合物(12)の3′−ヒドロ
キシメチル基を酸化してアルデヒド基に変換させ
るのであるが、この目的には、ピリジン、トリフ
ルオロ酢酸及びジシクロヘキシカルボジイミドの
存在下に無水ジメチルスルホキシド（酸化剤とし
て、また反応溶媒として働く）を化合物(12)に作用
させるのが好ましい。これによつて、テトラ−
N^G−アセチル−２，５，６，3″，4″，6″−ヘキ
サーＯ−アセチル−2″−Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニル−3″−エピストレプトマイシン（第２工程
図には図示されない）が生成される。次に、この
アルデヒド体からアセチル基を脱離するが、この
ためにはメタノール中で濃アンモニア水で加水分
解するのが便利である。これによつて、式（13）
の2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3″−エピ
ストレプトマイシンが生成される。 この脱アセチル化反応の後に、最後の工程にお
いて、2″位の脱ベンジルオキシカルボニル反応を
行うと、目的とする式（″）の３−エピ−スト
レプトマイシンが得られる。この際、2″位のベン
ジルオキシカルボニル基を脱離させるには、パラ
ジウム黒のような触媒の存在下に水素を作用させ
る如き常用の接触的加水素分解法が便利に応用で
きる。 なお、第１工程図の中間体としての式(2)の化合
物を経て式（′）の3″−エピ−ジヒドロストレ
プトマイシンを製造する別のルートの概要を次の
第３工程図に示す。 第３工程図において、工程ＯはＮ，Ｏ−アセチ
ル化であつて第１工程図の工程Ｃ又は第２工程図
の工程Ｋと同様に行える。工程Ｐは脱ベンジルオ
キシカルボニル化であつて、第１工程図の工程Ｄ
と同様に行える。工程Ｑは3″位の選択的脱アセチ
ル化であつて工程Ｅと同様に行える。工程Ｒは再
び2″位のメチルアミノ基のベンジルオキシカルボ
ニル化であつて工程Ｆと同様に行える。工程Ｓ
は、3″位水酸基のメタンスルホニル化であり、こ
れは１モル比又は実質的に１モル比の量のメタン
スルホニルクロライドをピリジン中で−50〜50℃
の温度で化合物（17）に作用することにより実施
できる。工程Ｔは、2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル
化反応であつて、化合物（18）を２−メトキシエ
タノール中で酢酸ナトリウムの存在下に50〜100
℃の温度に加熱することによつて行える（実施例
３の(ヘ)参照）。あるいは別法として、化合物（18）
をメタノール中のナトリウム・ムチラートと−20
〜50℃の温度、好ましくは室温で反応させること
によつても工程Ｔは実施できる（実施例３の(ト)参
照）。この工程Ｔでは、3″−メチルスルホニルオ
キシ基が2″−ベンジルオキシカルボニル（メチ
ル）アミノ基と縮合して環化が起り、2″，3″−
Ｎ，Ｏ−カルボニル基が形成され、またこれと同
時にアセチル基の全部が脱離する反応も起る。 工程Ｕは、化合物（19）、すなわち2″，3″N，
Ｏ−カルボニル−3″−エピジヒドロストレプトマ
イシンのシス−2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルバメート環
の開裂を行う反応であつてテトラヒドロフラン中
で水酸化バリウムの存在下に化合物（19）を加水
分解することによつて行える。これにより目的の
3″−エピジヒドロストレプトマイシン（′）が
得られる。 第３工程図の方法は実施例３で具体的に説明す
る。 次に本発明の新規化合物の製造を実施例により
例示的に説明する。 実施例 １ (イ) 2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルジヒドロ
ストレプトマイシン硫酸塩の製造（工程Ａ） ジヒドロストレプトマイシン3/2硫酸塩73ｇを
水１とアセトン１の混液に溶解し、ついで炭
酸ナトリウム16ｇを溶解した。溶液を０℃に冷却
し、撹拌しながら塩化ベンジルオキシカルボニル
30mlを加えた。反応液を０℃にて４時間、さらに
常温にて15時間反応せしめた。 反応液に2M硫酸水を加え中和し、これを700ml
まで減圧で濃縮した。この溶液を酢酸エチルにて
抽出し、水層を減圧で濃縮し固形物を得た。固形
物はメタノールに溶解して不溶物を去した。メ
タノール溶液は減圧で濃縮乾固し表題化合物（第
１工程図の式２）を得た。収量80ｇ（98％） (ロ) 2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3′，
3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピリデンジヒ
ドロストレプトマイシン２炭酸塩の製造（工程
Ｂ） 工程Ａで得た物質4.98ｇを無水ジメチルホルム
アミド100mlに溶解し、ついでｐ−トルエンスル
ホン酸330mgを溶解した。この溶液に２，２−ジ
メトキシプロパン4.5mlを加え40℃で18時間反応
せしめた。反応液のPHを４に保つため５時間後、
８時間後、15時間後にｐ−トルエンスルホン酸
220mgを各々加えた。反応液にトリエチルアミン
0.4mlを加え、減圧で少量になるまで濃縮後エー
テルを加えて沈殿物を得、この沈澱物をエーテル
にて十分洗浄した後水に溶解しダウエツクス１×
２レジン（Ｃ型）のカラムを通過せしめた。溶
出液を濃縮し種々のＯ−イソプロピリデン化混成
物よりなる固形物を得た。固形物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーによりベンゼン−ピリジ
ン−エタノール−水−酢酸（12：６：６：２：
１）を展開系として生成混合物を分離精製し表題
化合物（第１工程図の式３）を得た。収量2.08ｇ
（39％） 表題化合物炭酸塩〔α〕²³ _D−67゜（c1，水） 元素分析 実測値：C50.21，H6.74，N11.71％
C₃₅H₅₅N₇O₁₄・H₂CO₃として 計算値：C50.28，H6.68，N11.40％ (ハ) テトラーN^G−アセチル２，５，６，3″−テ
トラーＯ−アセチル−2″−Ｎ−ベンジルオキシ
カルボニル−3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプ
ロピリデンジヒドロストレプトマイシンの製造
（工程Ｃ） 工程Ｂで得た物質3.75ｇを無水酢酸38mlに懸濁
させ、次いで無水酢酸ナトリウム3.5.4ｇを加え、
激しく撹拌しながら75℃にて18時間アセチル化反
応せしめた。 反応液を室温に戻した後、減圧で少量になるま
で濃縮しこれにシクロヘキサンを加えて沈殿物を
得、シクロヘキサンにて十分洗浄した。この固形
物をクロロホルムに溶解し、この溶液は炭酸水素
ナトリウム飽和水溶液、さらに水で洗い、乾燥後
減圧で濃縮した。得られた固形物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーによりトルエン−アセト
ン（４：１）を展開系として精製し、表題化合物
（第１工程図の式４）を得た。収量2.4ｇ（49％）
〔α〕²³ _D−39゜（c1，クロロホルム） 元素分析 実測値：C53.15，H6.21，N8.40％
C₅₁T₇₁N₇O₂₂・H₂Oとして 計算値：C53.16，H6.39，N8.51％ (ニ) テトラーN^G−アセチル２，５，６，3″−テ
トラ−Ｏ−アセチル−3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ
−イソプロピリデンジヒドロストレプトマイシ
ンの製造（工程Ｄ） 工程Ｃで得た物質22.1mgをエタノール0.4mlに
溶解し、パラジウム黒を加え常温常圧下水素で２
時間還元することにより2″−Ｎ−ベンジルオキシ
カルボニル基を脱離した。反応液を過し濃縮し
た。得られた固形物をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーによりクロロホルム−エタノール
（18：１）を展開系として精製し、表題化合物
（第１工程図の式５）を得た。収量16.8mg（86％） 〔α〕²³ _D−48゜（c1，クロロホルム） 元素分析 実測値：C50.35，H6.31，N9.38％
C₄₃H₆₅N₇C₂₀・1/2H₂CO₃・1/2H₂Oとして 計算値：C50.23，H6.49，N9.43％ (ホ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６−トリ
−０−アセチル−3′，3′a，4″，6″−ジ−Ｏ−イ
ソプロピリデンジヒドロストレプトマイシンの
製造（工程Ｅ） 工程Ｄで得た物質299mgをエタノール６mlに溶
解し27℃にて３日間放置した。3″−Ｏ−アセチル
基の選択的脱離が起きた。反応液を減圧で濃縮
し、得られた固形物をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーによりクロロホルム−エタノール
（15：１）を展開系として分離精製し、表題化合
物（第１工程図の式６）を得た。収量100mg（35
％） 〔α〕²³ _D−48゜（c1，クロロホルム） 元素分析 実測値：C49.95，H6.13，N10.17％
C₄₁H₆₃N₇O₉・1/2H₂CO₃として 計算値：C50.40，H6.52，N9.91％ (ヘ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６−トリ
−Ｏ−アセチル−2″−Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニル−3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピ
リデンジヒドロストレプトマイシンの製造（工
程Ｆ） 工程Ｅで得た物質23.2mgをクロロホルム4.2ml
に溶解し、次いで0.7％炭酸水素ナトリウム水溶
液を2.8mlを加え、この懸濁液を０℃に冷却し、
撹拌しながら塩化ベンジルオキシカルボニル
0.013mlを加え、混合液を０℃に30分、さらに常
温にて１時間撹拌しながら反応せしめた。反応液
よりクロロホルム層をとり出し、水にて洗い、乾
燥後減圧で濃縮した。得られた油状物質にヘキサ
ンを加えて沈殿物を得、ヘキサンにて十分洗浄し
た。この固形物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フイーによりベンゼン−アセトン（７：３）を展
開系として精製し、表題化合物（第１工程図の式
７）を得た。収量25.8mg（98％） 〔α〕²³ _D−52゜（c1，クロロホルム） 元素分析 実測値：C53.47，H6.41，N9.30％
C₄₉H₆₉N₇O₂₁として 計算値：C53.89，H6.37，N8.98％ (ト) テトラーN^G−アセチル−２，５，６−トリ
−Ｏ−アセチル−2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル
−3″−エピ−3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプ
ロピリデンジヒドロストレプトマイシン製造
（工程Ｇ） 工程Ｆで得た物質529mgを無水ジクロルメタン
12mlに溶解し、次いで無水ピリジン1.3mlを加え、
この溶液を−50℃に冷却し、無水トリフルオロメ
タンスルホン酸0.182mlを加え、５℃にて3.5時間
反応せしめ、再び−50℃に冷却し、無水ピリジン
0.3ml、無水トリフルオロメタンスルホン酸0.05
mlを加え、５℃にてさらに２時間反応せしめた。
これによつて、テトラーN^G−アセチル−２，５，
６−トリ−Ｏ−アセチル−2″−Ｎ−ベンジルオキ
シカルボニル−3″−Ｏ−トリフルオロメチルスル
ホニル−3′，3′a；4″，6″−ジ−Ｏ−イソプロピリ
デンジヒドロストレプトマイシンが生成される。
反応液に水数滴を加え30分常温にて放置した後、
クロロホルムで希釈し、反応溶液は10％硫酸水素
カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム飽和水溶
液、さらに水で洗い乾燥後減圧で濃縮し、ガラス
状物質として、相当する3″−トリフルオロメチル
スルホニル誘導体を得た。これをピリジン12mlに
溶解し、65℃にて１時間反応せしめた。この際、
3″−トリフルオロメチルスルホニルオキシ基と
2″−ベンジルオキシカルボニル（メチル）アミノ
基が縮合して、環状の2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルバメ
ート基が形成された。これと同時に、3″位ｃにお
ける立体配位の逆転が起きた。反応液を減圧で濃
縮し、得られた固形物をクロロホルムに溶解し、
この溶液は、10％硫酸水素カリウム水溶液、炭酸
水素ナトリウム飽和水溶液、さらに水で洗い、乾
燥後減圧で濃縮した。得られた固形物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイーによりベンゼン−ア
セトン（９：５）を展開系として精製し表題化合
物（第１工程図の式８）を得た。収量244mg（46
％） 〔α〕²³ _D−60゜（c1，クロロホルム） 元素分析 実測値：C50.38，H5.86，N9.53％
C₄₂H₆₁N₇O₂₀・H₂Oとして 計算値：C50.34，H6.34，N9.79％ (チ) 3″−エピジヒドロストレプトマイシン炭酸塩
の製造（工程Ｈ） 工程Ｇで得た物質193mgをテトラヒドロフラン
６mlに溶解し5.5％水酸化バリウム水溶液04mlを
加え、40℃にて撹拌しながら40時間反応せしめ、
アセチル基、2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル基（す
なわち2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルバメート環）を加水
分解によりを脱離せしめた。 反応液に炭酸ガスを導入後、反応液を過し、
液を減圧で濃縮した。得られた固形物を75％酢
酸水溶液に溶解し55℃にて71時間加温しイソプロ
ピリデン基を脱離せしめた。反応液を減圧で濃縮
し、、得られたガラス状固体を水に溶解し、アン
バーライトCG−50（NH₄型）のカラムに入れた
後、炭酸アンモニウム水溶液の濃度勾配溶出で展
開し、目的物質を含むフラクシヨンをとり、この
フラクシヨンを減圧で濃縮し、さらに濃縮液中に
見出される炭酸アンモニウムが無くなまで水の添
加による希釈と、減圧濃縮をくり返えすと、白色
固体として表題化合物（第１工程図の式′）を
得た。収量22mg（17％） 〔α〕²³ _D−79゜（c0.9，水） 元素分析 実測値：C39.63，H6.47，
N14.33C₂₁H₄₁N₇O₁₂・3/2H₂CO₃として 計算値：C39.94，H6.55，N14.49 プロトン核磁気共鳴スペクトル（重水中） δ1.24（ダブレツト，3H，J₄′，₅′6.5Hz，cCH₃）、 δ2.39（シングレツト，3H，NCH₃）、 δ2.81（トリプレツト，1H，J₁″，₂″4Hz，J₂″，₃
″〜
3.5Hz，Ｈ−2″）、 δ4.25（トリプレツト，1H，J₃″，₄″〜３Hz，Ｈ−
3″） 実施例 ２ (イ) 2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3″−エ
ピ−ジヒドロストレプトマイシン２塩酸塩の製
造（工程Ｉ） 3″−エピジヒドロストレプトマイシン炭酸塩
124mgを水2.1mlとアセトン1.1mlの混液に溶解し、
ついで無水炭酸ナトリウム23mgを溶解した。溶液
０℃を冷却し、撹拌しながら塩化ベンジルオキシ
カルボニル0.033mlを加え、０℃にて１時間さら
に常温にて４時間反応せしめた。反応液に1M塩
酸水を加え、PHを約７に保ちながら減圧で濃縮乾
固し、これを熱エタノールに溶解して不溶物を
去した。エタノール溶液は減圧で濃縮乾固後、少
量の水に溶解しダウエツクス１×２レジン（Ｃ
型）のカラムを通過せしめた。溶出液を濃縮乾固
して２塩酸塩の形の表題化合物（第２工程図の式
９）を得た。収量87mg（60％）、〔α〕²³ _D−66゜（c1
，
水） (ロ) 2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3″−エ
ピ−3′，3′a−Ｏ−イソプロピリデンジヒドロ
ストレプトマイシン２塩酸塩の製造（工程Ｊ） 工程Ｉで得た物質98mgを無水ジメチルホルムア
ミド1.3mlに溶解し、ついでｐ−トルエンスルホ
ン酸3.3mgを溶解した。この溶液に、２，２−ジ
メトキシプロパン0.1mlを加え40℃で８時間反応
せしめた。（イソプロピリデン基の導入）反応液
にトリエチレンアミン0.04mlを加え、減圧で少量
になるまで濃縮後、エーテルを加えて、沈殿物を
得、エーテルにて十分洗浄した後、この固形物を
酢酸−メタノール（１：４）の混液1.6mlに溶解
し50℃で４時間反応せしめた。これにより、
3′位，3′a位以外のヒドロキシル基に導入された
イソプロピリデン基を脱離する加水分解反応が起
る。反応液を減圧で少量になるまで濃縮後、アセ
トンを加えて沈殿物を得た。この固形物をセルロ
ースカラムクロマトグラフイーによりピリジン−
酢酸エチル−10％酢酸水（２：２：１）を展開系
として精製し、所望の生成物を含む溶出液フラク
シヨンを集め、減圧下に濃縮乾固し、得られた固
形物を水に溶解しダウエツクス１×２レジン（Ｃ
型）のカラムを通過せしめ、溶出液を濃縮乾固
し２塩酸塩としての表題化合物（第２工程図の式
10）を得た。収量36mg（収率35％） 〔α〕²³ _D−65゜（c1，水） 実測値：C46.02，H6.81，N11.55，Ｃ8.97％
C₃₂H₅₁N₇O₁₄・2HCとして 計算値：C46.27，H6.43，N11.80，Ｃ8.54％ (ハ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６，3″，
4″，6″−ヘキサーＯ−アセチル−2″−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニル−3″−エピ−3′，3′a−
Ｏ−イソプロピリデンジヒドロストレプトマイ
シンの製造（工程Ｋ） 工程Ｊで得た物質78mgを無水酢酸1.65mlに懸濁
させ、次いで無水酢酸ナトリウム88mgを加え、激
しく撹拌しながら75℃にて18時間アセチル化反応
せしめた。反応液を室温に戻した後、減圧で少量
になるまで濃縮しこれにシクロヘキサンを加えて
沈殿物を得、シクロヘキサンにて十分洗浄した後
この固形物をクロロホルムに溶解し、この溶液を
炭酸水素ナトリウム飽和水溶液、さらに水で洗
い、乾燥後減圧で濃縮した。得られた固形物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーによりクロロ
ホルムエタノール（30：１）を展開系として精製
し、表題化合物（第２工程図の式11）を得た。収
量76.3mg（69％）、〔α〕²³ _D−41゜（c1，クロロホル
ム） (ニ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６，3″，
4″，6″−ヘキサーＯ−アセチル−2″−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニル−3″−エピジヒドロスト
レプトマイシンの製造（工程Ｌ） 工程Ｋで得た物質83mgをジオキサン−水−酢酸
（１：１：６）の混液3.4mlに溶解し、55℃で50時
間反応せしめた。3′，3′a−Ｏ−イソプロピリデ
ン基の脱離反応液にトルエンを加えて数回濃縮を
くり返し、少量になつたところへシクロヘキサン
を加えて沈殿物を得シクロヘキサンにて十分洗浄
し、得られた固形物をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーによりクロロホルム−エタノール
（25：１）を展開系として精製し表題化合物（第
２工程図の式12）を得た。収量46.5mg（収率58
％）、〔α〕²³ _D−42゜（c1，クロロホルム） (ホ) 2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−3″−エ
ピストレプトマイシン２塩酸塩の製造（工程
Ｍ） 工程Ｌで得た物質63mgを無水ジメチルスルホキ
シド0.35mlに溶解しピリジン0.035ml、トリフル
オロ酢酸0.018mlを加え、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド82mgを無水ジメチルスルホキシド0.4
mlに溶解したものを加え、常温にて90分撹拌反応
せしめた。この反応により、3′−ヒドロキシメチ
ル基は酸化されてアルデヒド基になり、テトラー
N^G−アセチル−２，５，６，3″，4″，6″−Ｏ−
ヘキサーＯ−アセチル−2″−Ｎ−ベンジルオキシ
カルボニル−3″−エピストレプトマイシンが生成
される。この反応で生じた不溶物（Ｎ，Ｎ−ジシ
クロヘキシル尿素よりなる）を去し、液をシ
クロヘキサンにて十分洗浄した後、クロロホルム
にて希釈しさらに飽和食塩水にて洗浄し、乾燥後
減圧で濃縮乾固した。得られた固形物を濃アンモ
ニア水−メタノール（１：14）の混液2.8mlに溶
解し、常温にて３時間反応せしめた。（脱アセチ
ル化）反応液を減圧で濃縮乾固し、得られた固形
物を水に溶解し、不溶物は去した。液をダウ
エツクス１×２レジン（Ｃ型）カラムクロマト
グラフイーにより水を展開系として精製し、目的
物質を含むフラクシヨンを集め0.1M塩酸水を加
えて中和後濃縮後、さらに0.1M塩酸水を加えて
PHを約４とした後、アセトンを加えて沈殿物を
得、十分アセトンにて洗浄し、２塩酸塩の形の表
題化合物（第２工程図の式13）を得た。収量4.8
ml（11％）、〔α〕²³ _D−66゜（c1，水） プロトン核磁気共鳴スペクトル（D₂O中） δ3.05（シングレツト，3H，NCH₃） (ヘ) 3″−エピストレプトマイシン３塩酸塩の製造
（工程Ｎ） 工程Ｍで得た物質26mgを水0.9mlに溶解し、〜
0.05mlのラネーニツケルを加えてよく撹拌した
後、過し液に酢酸を加えてPH４とし、これに
パラジウム黒〜0.15mlを加え水素圧３Kg／cm²下で
１時間還元した。反応液を過し濃縮乾固した。
得られた固形物をダウエツクス１×２レジン（Ｃ
型）カラムクロマトグラフイーにより水を展開
系として精製し無色固体として３塩酸塩の形の表
題化合物（第２工程図の式″）を得た。収量
13.2mg（56％）、〔α〕²³ _D−80゜ （c1，水） 実測値：C35.22，H6.51，N13.58％
C₂₁H₃₉N₇O₁₂・3HC・H₂Oとして C35.58，H6.26，N13.83％ 実施例 ３ (イ) テトラーーN^G−アセチル−２，５，６，
3′a，3″，4″，6″−ヘプタ−Ｏ−アセチル−
2″−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルジヒドロス
トレプトマイシンの製造（工程Ｏ） 実施例１、工程Ａで得た2″−Ｎ−ベンジルオキ
シカルボニルジヒドロストレプトマイシン18.0ｇ
を無水酢酸180mlに懸濁させ、次いで無水酢酸ナ
トリウム18ｇを加え、激しく撹拌しながら75℃に
て18時間アセチル化反応せしめた。反応液を常温
にもどした後、減圧濃縮した。得られた残渣にク
ロロホルム1.2を用いて抽出し、50mlの飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液で３回、水50mlで３回順
次洗浄し、有機層を乾燥後減圧濃縮した。得られ
た残渣はクロロホルムにとかしヘキサンの添加に
より沈殿させて固体とした後、この固体をさらに
ヘキサンで洗い乾燥させ、表題化合物（第３工程
図の式14）を得た。収量25.5ｇ（98％）、〔α〕²³ _D
−72゜ （c1，クロロホルム） 元素分析 実測値 C52.01 H5.92 N8.35％ 計算値C₅₁H₆₉N₇O₂₅としてC51.90 H5.89N8.31
％ (ロ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６，3′a，
3″，4″，6″−ヘプタ−Ｏ−アセチルジヒドロス
トレプトマイシンの製造（工程Ｐ） 工程Ｏで得た物質1.896ｇをエタノール20mlに
溶解し、パラジウム黒を加え、常温、常圧下に水
素で１時間還元した。2″−Ｎ−ベンジルオキシカ
ルボニル基の脱離反応液を過し、濃縮した。反
応はほぼ定量的に進行し、表題化合物（第３工程
図の式15）を1.562ｇ（93％）で得た。 〔α〕²⁵ _D−82゜（c1 クロロホルム） 元素分析 実測値 C49.17 H6.09 N9.12％ 計算値C₄₃H₆₃N₇O₂₃としてC49.38 H6.07
N9.37％ (ハ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６，3′a，
4″，6″−ヘキサーＯ−アセチルジヒドロストレ
プトマイシンの製造（工程Ｑ） 工程Ｐで得た物質513mgをエタノール10mlに溶
解し、25℃にて、35時間反応せしめた（3″位から
の選択的脱アセチル化）。この時炭酸ガスをゆつ
くり吹き込んで反応液のPHを７となるようにし
た。反応液を減圧濃縮し、得られた固体をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーによりクロロホル
ム−エタノール（10：１）を展開系として、分離
精製し、表題化合物第３工程図の化合物（16）に
相当を得た。収量222mg（43％）、原料回収194mg、
〔α〕²⁵ _D−71゜ （c1 クロロホルム） 元素分析 実測値 C48.86 H6.07 N9.54％ 計算値C₄₁H₆₁N₇O₂₂としてC49.05 H6.12
N9.77％ (ニ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６，3′a，
4″，6″−ヘキサ−Ｏ−アセチル−2″−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニルジヒドロストレプトマイ
シンの製造（工程Ｒ） 工程Ｑで得た物質979mgをクロロホルム180mlに
溶解し、次いで0.7％炭酸水素ナトリウム水溶液
を120ml加え、この懸濁液を０℃に冷却し撹拌し
ながら、ベンジルオキシカルボニルクロリド0.55
mlを加え、反応液を０℃に30分、さらに常温にて
30分撹拌しながら反応せしめた。2″−Ｎ−ベンジ
ルオキシカルボニル基の再導入反応液よりクロロ
ホルム層を分離し、水にて洗浄し乾燥後減圧で濃
縮した。得られた油状物質にシクロヘキサンを加
えて沈殿物を得、シクロヘキサンにて十分洗浄し
た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフ
イーにより、クロロホルム−エタノール（20：
１）を展開系として精製し、表題化合物（第３工
程図の式17）を得た。収量817mg（74％）、〔α〕_D
−71゜（c1 クロロホルム） (ホ) テトラーN^G−アセチル−２，５，６，3′a，
4″，6″−ヘキサーＯ−アセチル−2″−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニル−3″−Ｏ−メチルスルホ
ニルジヒドロストレプトマイシンの製造（工程
Ｓ） 工程Ｒで得た物質975mgを無水ピリジン34mlに
溶解し、０℃で塩化メタンスルホニル0.5mlを加
えた。さらに０℃で１時間、常温で１時間反応せ
しめた。3″−Ｏ−メチルスルホニル基導入再び０
℃下、水を少量加え、数分後約60mlの水に反応液
を注加した。クロロホルム100mlで抽出を行ない、
有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食
塩水で順次洗浄し、乾燥後減圧濃縮した。得られ
た固体をシリカゲルカラムクロマトグラフイーに
よりクロロホルム−エタノール（25：１）を展開
系として精製し、表題化合物（第３工程図の式
18）を得た。 収量944mg（91％）、〔α〕²⁵ _D−72゜（c1 クロロホル
ム） 元素分析 実測値 C49.09 H5.64 N7.76 S2.73％
C₅₀H₆₉N₇O₂₆Sとして 計算値C49.38 H5.72 N8.06 S2.64％ (ヘ) 2″，3″，Ｎ，Ｏ−カルボニル−3″−エピ−ジ
ヒドロストレプトマイシン炭酸塩の製造（工程
Ｔ） 工程Ｓで得た物質359mgを２−メトキシエタノ
ール７mlに溶解させ、酢酸ナトリウム・３水和物
を358mg加え、溶解させた後95℃にて73時間反応
せしめた。この際、2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル
基が環化、形成され、また同時にアセチル基の脱
離も起きた。反応液を減圧で濃縮し固体を得た。
これを水に溶解し、Dowex1×２（OH型）にてイ
オン交換カラムクロマトグラフイー展開溶媒，水
を行ない、目的物を含むフラクシヨンを集め、
0.5Mの塩酸で中和した後、減圧濃縮した。さら
に得られた固体を水に溶解し、アンバーライト
CG50（NH⁺ ₄型）にてイオン交換カラムクロマト
グラフイーを炭酸アンモニウム水溶液の濃度勾配
溶出にして行ない、目的物を含むフラクシヨンを
減圧濃縮し、さらに炭酸アンモニウムが除去され
るまで水の添加と減圧濃縮とをくり返して、表題
化合物（第３工程図の式19）を含む混合物として
固体を得た。 収量153mg（76％） (ト) 2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル−3″−エピジヒ
ドロストレプトマイシン炭酸塩の製造（工程Ｔ
の別法） 工程Ｓで得た物質451mgを0.2Mナトリウムメチ
ラートメタール溶液９mlに溶解し、常温にて２時
間反応せしめた。これにより2″，3″−Ｎ，Ｏ−カ
ルバメート基の形成とアセチル基の脱離が起き
た。反応液に1M塩酸水を加えて中和し、減圧で
濃縮し、これをアンバーライトCG−50（NH₄型）
のカラムに入れた後炭酸アンモニウム水溶液の濃
度勾配溶出で展開し、目的物質を含むフラクシヨ
ンをとり、このフラクシヨンを減圧で濃縮し、さ
らに炭酸アンモニウムが除去されるまで水の添加
と減圧濃縮とをくり返して炭酸塩の形の表題化合
物（第３工程図の式19）を得た。収量157mg（63
％） 〔α〕²⁵ _D−90゜（c1，水） 元素分析 実測値：C38.08，H6.24，N12.97％
C₂₂H₃₉N₇O₁₃・2H₂CO₃・H₂Oとして 計算値：C38.34，H6.03，N13.05％ (チ) 3″−エピジヒドロストレプトマイシン3/2炭
酸塩の製造（工程Ｕ） 工程Ｔで得た物質128mgに5.5％水酸化バリウム
水溶液3.9mlを加え、40℃にて撹拌しながら20時
間反応せしめ2″，3″−Ｎ，Ｏ−カルボニル基を脱
離せしめた。 反応液に炭酸ガスを導入後、反応液を過し、
液をアンバーライトCG−50（NH₄型）のカラ
ムに入れた後炭酸アンモニウム水溶液の濃度勾配
溶出で展開し、目的物質を含むフラクシヨンをと
りこのフラクシヨンを減圧で濃縮し、さらに炭酸
アンモニウムが除去されるまで水の添加と減圧濃
縮とをくり返して、白色固体として表題化合物
（第３工程図の式′）を得た。収量42mg（36％）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記の一般式 （式中Ｒは−CH₂OHまたは−CHOを示す）で
   示されるストレプトマイシン又はジヒドロストレ
   プトマイシンの3″−エピ誘導体またはこれの酸付
   加塩。