JPH0242441A - 光学用薄膜体 - Google Patents
光学用薄膜体Info
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- JPH0242441A JPH0242441A JP63078999A JP7899988A JPH0242441A JP H0242441 A JPH0242441 A JP H0242441A JP 63078999 A JP63078999 A JP 63078999A JP 7899988 A JP7899988 A JP 7899988A JP H0242441 A JPH0242441 A JP H0242441A
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- JP
- Japan
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- thin film
- norbornene
- optical thin
- polymer
- film body
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光学用薄膜体に関し、さらに詳しくは、短波長
領域における光透過率の高い光学用薄膜体に間する。
領域における光透過率の高い光学用薄膜体に間する。
（従来の技術）
従来、半導体微細加工技術はフォトリソグラフィーが主
流となっているが、半導体素子もＬＳＩからＶＬＳ Ｉ
へ高密度化してフォトリソグラフィーでの限界が２〜３
ミクロンとされており、超微細加工技術の開発が進めら
れ電子線やＸ線と共に遠紫外線等が注目されている。そ
して、従来、ＬＳ【の製造のためのフォトリソグラフィ
ーにおいては光源に紫外線（３５０〜４５０ｎｍ）を使
用しているが、近年、集積度の高いウェハやチップの製
造のために３００ｎｍ程度あるいはそれ以下の短波長の
紫外線で露光する技術が開発されてきている。ところが
、従来からある光学用のプラスチック、例えば、ポリカ
ーボネートやポリメチルメータクリレートなどは、３０
０ｎｍにおける光透過率が５０％以下と低く、これら短
波長の領域においてはフォトレジストの保護膜等の用途
には用いることができなかった。又、従来用いられてい
るニトロセルロース膜の場合も３００ｎｍ以下では、急
激に透過率が低下するため、それ以下の短波長では使用
できなかった。
流となっているが、半導体素子もＬＳＩからＶＬＳ Ｉ
へ高密度化してフォトリソグラフィーでの限界が２〜３
ミクロンとされており、超微細加工技術の開発が進めら
れ電子線やＸ線と共に遠紫外線等が注目されている。そ
して、従来、ＬＳ【の製造のためのフォトリソグラフィ
ーにおいては光源に紫外線（３５０〜４５０ｎｍ）を使
用しているが、近年、集積度の高いウェハやチップの製
造のために３００ｎｍ程度あるいはそれ以下の短波長の
紫外線で露光する技術が開発されてきている。ところが
、従来からある光学用のプラスチック、例えば、ポリカ
ーボネートやポリメチルメータクリレートなどは、３０
０ｎｍにおける光透過率が５０％以下と低く、これら短
波長の領域においてはフォトレジストの保護膜等の用途
には用いることができなかった。又、従来用いられてい
るニトロセルロース膜の場合も３００ｎｍ以下では、急
激に透過率が低下するため、それ以下の短波長では使用
できなかった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明者らは前記問題を解決すべく鋭意研究の結果、ノ
ルボルネン系化合物をモノマー成分として含む付加型（
共）重合体を用いれば短波長領域における光透過率の高
い光学用薄膜体が得られることを見い出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに到った。
ルボルネン系化合物をモノマー成分として含む付加型（
共）重合体を用いれば短波長領域における光透過率の高
い光学用薄膜体が得られることを見い出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに到った。
（課題を解決するための手段）
かくして本発明によれば、ノルボルネン系モノマーの付
加型重合体、またはノルボルネン系モノマーとオレフィ
ンとの付加型共重合体から形成されることを特徴とする
光学用薄膜体が提供される。
加型重合体、またはノルボルネン系モノマーとオレフィ
ンとの付加型共重合体から形成されることを特徴とする
光学用薄膜体が提供される。
本発明で用いられるノルボルネン系モノマーはノルボル
ネン骨格を分子中に有するものであり、下記−等式（Ｉ
）で示される構造をしている。
ネン骨格を分子中に有するものであり、下記−等式（Ｉ
）で示される構造をしている。
（式中ＲＩ、 ＲＩ ２は水素又は炭化水素残基であっ
て、各同−又は異なっていてもよく、更にＲ９又はＲ１
１ｌとＲｌ １又はＲ１２は互に環を形成していてもよ
い。ｎはＯ又は１以上の正数であって、Ｒ５−Ｒ８が複
数回繰り返される場合にはこれらは各同−又は異なって
いてもよい。） かかるノルボルネン系モノマーの具体例としては、ノル
ボルネン、メチルノルボルネン、エチルノルボルネン、
ジメチルノルボルネン、ビニルノルボルネン、エチリデ
ンノルボルネンなどのような２環体、ジシクロペンタジ
ェン、ジヒドロジシクロペンタジェン、メチルジシクロ
ペンタジェンなとのような３環体、１，４，５．８−ジ
メタノ−１，２，３，４，４ａ、５，８．８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン、２−メチル−１，４，５，８−ジメ
タノ−１，２，３，４，４ａ、５，８．８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン、２−エチル−１，４，５，８−ジメタ
ノ−１，２゜３．４．４ａ、５，８，８ａ−オクタヒド
ロナフタレンなどのような４環体、１，４，５．８−ジ
メタノ−ｉ 、２，３，４．４ａ、４ｂ、５＋ ８ ＋
８１ ＋ ９８−デカヒドロ−９Ｈ−フルオレン、４
，９，５．８−ジメタノ−２，３，３ａ、４．４ａ＋５
．８，８ａ、９．９ａ−デカヒドロ−１■−ベンゾイン
デンなどのような５環体、さらにはそれ以上の多環体の
ノルボルネン系化合物などが例示されるが、通常、６環
体程度までの多環体が用いられ、なかでも、４環体のも
のが賞月される。
て、各同−又は異なっていてもよく、更にＲ９又はＲ１
１ｌとＲｌ １又はＲ１２は互に環を形成していてもよ
い。ｎはＯ又は１以上の正数であって、Ｒ５−Ｒ８が複
数回繰り返される場合にはこれらは各同−又は異なって
いてもよい。） かかるノルボルネン系モノマーの具体例としては、ノル
ボルネン、メチルノルボルネン、エチルノルボルネン、
ジメチルノルボルネン、ビニルノルボルネン、エチリデ
ンノルボルネンなどのような２環体、ジシクロペンタジ
ェン、ジヒドロジシクロペンタジェン、メチルジシクロ
ペンタジェンなとのような３環体、１，４，５．８−ジ
メタノ−１，２，３，４，４ａ、５，８．８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン、２−メチル−１，４，５，８−ジメ
タノ−１，２，３，４，４ａ、５，８．８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン、２−エチル−１，４，５，８−ジメタ
ノ−１，２゜３．４．４ａ、５，８，８ａ−オクタヒド
ロナフタレンなどのような４環体、１，４，５．８−ジ
メタノ−ｉ 、２，３，４．４ａ、４ｂ、５＋ ８ ＋
８１ ＋ ９８−デカヒドロ−９Ｈ−フルオレン、４
，９，５．８−ジメタノ−２，３，３ａ、４．４ａ＋５
．８，８ａ、９．９ａ−デカヒドロ−１■−ベンゾイン
デンなどのような５環体、さらにはそれ以上の多環体の
ノルボルネン系化合物などが例示されるが、通常、６環
体程度までの多環体が用いられ、なかでも、４環体のも
のが賞月される。
これらノルボルネン系モノマーは単一で用いても良いし
、二種以上の混合物として用いても良い。
、二種以上の混合物として用いても良い。
本発明における付加型重合体は前記ノルボルネン系モノ
マーの付加型重合体、またはノルボルネン系モノマーと
オレフィンとの付加型共重合体である。かかる共重合可
能なオレフィンとしてはα−オレフィンや環状オレフィ
ンなどである。α−オレフィンは、炭素原子数２〜２ｏ
、好適には２〜１０のα−オレフィンであって、例えば
エチレン、プロピレン、１−ブテン、３−メチル−１−
ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、４
−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン
、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−
へキサデセン、１−エイコセン、スチレン、α−メチル
スチレンなどが例示され、なかでもエチレンが共重合性
の面から好ましい。又、環状オレフィンは、架橋のない
シクロオレフィン、例えばシクロペンテン、シクロヘキ
セン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシ
クロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロ
ヘキセン等が例示される。
マーの付加型重合体、またはノルボルネン系モノマーと
オレフィンとの付加型共重合体である。かかる共重合可
能なオレフィンとしてはα−オレフィンや環状オレフィ
ンなどである。α−オレフィンは、炭素原子数２〜２ｏ
、好適には２〜１０のα−オレフィンであって、例えば
エチレン、プロピレン、１−ブテン、３−メチル−１−
ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、４
−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン
、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−
へキサデセン、１−エイコセン、スチレン、α−メチル
スチレンなどが例示され、なかでもエチレンが共重合性
の面から好ましい。又、環状オレフィンは、架橋のない
シクロオレフィン、例えばシクロペンテン、シクロヘキ
セン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシ
クロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロ
ヘキセン等が例示される。
本発明の重合体を製造するためには、ノルボルネン系モ
ノマーを単独、またはノルボルネン系モノマーとオレフ
ィンとを通常のチーグラー系触媒使用して重合すればよ
い。
ノマーを単独、またはノルボルネン系モノマーとオレフ
ィンとを通常のチーグラー系触媒使用して重合すればよ
い。
チタン化合物としては、ＴＩＣＱａ、Ｔ ｉ Ｂ ｒａ
、Ｔ ｉ Ｃ１１３、ＴｉＢｒ３等のハロゲン化チタン
あるいはＴ ｌ （ＯＲ） ｍＸ ４−＃ （ただし、
Ｒはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、シ
クロヘキシル、フェニル等の炭化水素残基、Ｘはハロゲ
ンを表す。ｍはＯ＜ｍ≦４の範囲である。）で示される
チタン化合物を挙げることができる。
、Ｔ ｉ Ｃ１１３、ＴｉＢｒ３等のハロゲン化チタン
あるいはＴ ｌ （ＯＲ） ｍＸ ４−＃ （ただし、
Ｒはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、シ
クロヘキシル、フェニル等の炭化水素残基、Ｘはハロゲ
ンを表す。ｍはＯ＜ｍ≦４の範囲である。）で示される
チタン化合物を挙げることができる。
バナジウム化合物としては、Ｖ ＣＱ ａ、ＶＢｒ４、
Ｖ ＣＱ ３、■Ｂｒ３等のハロゲン化バナジウム、Ｖ
ＯＣｌ２、ＶＯＢｒ３、ＶＯＣ’１２、ＶＯＢｒ２等の
オキシハロゲン化バナジウムあるいはＶＯ（ＯＲ）−Ｘ
３−− （ただし、Ｒは上記と同様の炭化水素残基、Ｘ
はハロゲンを表す。ｍはＯ＜ｍ≦３の範囲である。）で
示されるバナジウム化合物を挙げることができる。
Ｖ ＣＱ ３、■Ｂｒ３等のハロゲン化バナジウム、Ｖ
ＯＣｌ２、ＶＯＢｒ３、ＶＯＣ’１２、ＶＯＢｒ２等の
オキシハロゲン化バナジウムあるいはＶＯ（ＯＲ）−Ｘ
３−− （ただし、Ｒは上記と同様の炭化水素残基、Ｘ
はハロゲンを表す。ｍはＯ＜ｍ≦３の範囲である。）で
示されるバナジウム化合物を挙げることができる。
チタン化合物またはバナジウム化合物と共に使用するア
ルキルアルミニウム系化合物は、−等式Ｒ’ 、ｋＱ
Ｘ’ ３−− （ただし、Ｒ′はメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル等の炭化水素残基
、を表す。Ｘ′はハロゲンを表す。ｍはＯ＜ｍ≦３の範
囲である。）で示される。
ルキルアルミニウム系化合物は、−等式Ｒ’ 、ｋＱ
Ｘ’ ３−− （ただし、Ｒ′はメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル等の炭化水素残基
、を表す。Ｘ′はハロゲンを表す。ｍはＯ＜ｍ≦３の範
囲である。）で示される。
アルキルアルミニウム系化合物は、例えばトリアルキル
アルミニウム、ジアルキルアルミニウムハライド、アル
キルアルミニウムシバライドまたはこれらの任意の混合
物あるいはこれらとアルキルアルミニウムトリハライド
との混合物などを例示することができる。
アルミニウム、ジアルキルアルミニウムハライド、アル
キルアルミニウムシバライドまたはこれらの任意の混合
物あるいはこれらとアルキルアルミニウムトリハライド
との混合物などを例示することができる。
本発明において使用されるチーグラー系触媒はチタン化
合物、マグネシウム化合物に担持されたチタン化合物、
バナジウム化合物などのような遷移金属と、アルキルア
ルミニウム系化合物のような還元剤とからなる触媒であ
る。
合物、マグネシウム化合物に担持されたチタン化合物、
バナジウム化合物などのような遷移金属と、アルキルア
ルミニウム系化合物のような還元剤とからなる触媒であ
る。
重合は炭化水素溶媒中で行われる。例えば、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、灯油のような脂肪族炭化水素、シ
クロヘキサンのような脂環族炭化水素、ベンゼン、トル
エン、キシレンのような芳香族炭化水素を単独で、また
は混合して溶媒に用いることができる。
ヘプタン、オクタン、灯油のような脂肪族炭化水素、シ
クロヘキサンのような脂環族炭化水素、ベンゼン、トル
エン、キシレンのような芳香族炭化水素を単独で、また
は混合して溶媒に用いることができる。
重合温度は一５０〜３００℃、好ましくは一３０〜２０
０℃、重合圧力は一般にはＯ〜５０にｇ／ ｃ ｍ２、
好ましくはθ〜２０にｇＩＣ１１２に保持される。
０℃、重合圧力は一般にはＯ〜５０にｇ／ ｃ ｍ２、
好ましくはθ〜２０にｇＩＣ１１２に保持される。
また重合体の分子量調整のため適宜、水素のような分子
量調整剤を存在させることができる。
量調整剤を存在させることができる。
本発明の重合体におけるノルボルネン系モノマー／オレ
フィンの組成割合（モル比）は１００１０〜５１９５、
好ましくは９０／ １０〜ｌ Ｏ／ ９０． さらに
好ましくは８０／２０〜１５／８５である。
フィンの組成割合（モル比）は１００１０〜５１９５、
好ましくは９０／ １０〜ｌ Ｏ／ ９０． さらに
好ましくは８０／２０〜１５／８５である。
このようにして製造された付加型（共）重合体は、前記
ノルボルネン系モノマーのノルボルネン骨格の炭素−炭
素二重結合部分が開いて該モノマー単独、あるいはオレ
フィンと重合したものであり、例えば、重合体中のノル
ボルネン系モノマーの構成単位は特開昭６１−２９２６
０１． 同６１−２１１２１５号公報に開示されてい
るような構造をとっている。
ノルボルネン系モノマーのノルボルネン骨格の炭素−炭
素二重結合部分が開いて該モノマー単独、あるいはオレ
フィンと重合したものであり、例えば、重合体中のノル
ボルネン系モノマーの構成単位は特開昭６１−２９２６
０１． 同６１−２１１２１５号公報に開示されてい
るような構造をとっている。
付加型（共）重合体の分子量は１３５℃デカリン中で測
定した固有粘度〔η〕で０．１〜２０ａＱ ／ｇ特に０
．３〜ｌＯａ ／ｇの範囲のものがよく、また結晶化度
（Ｘ線回折法）が５％以下とくにＯｚのものが好適であ
る。
定した固有粘度〔η〕で０．１〜２０ａＱ ／ｇ特に０
．３〜ｌＯａ ／ｇの範囲のものがよく、また結晶化度
（Ｘ線回折法）が５％以下とくにＯｚのものが好適であ
る。
以上の構成の重合体は、実質的に非品性なので透明性が
良好であり、成形収縮がなくて寸法安定性に優れている
。しかも耐熱性にも優れている。すなわち、ガラス転移
温度（Ｔｇ）が通常５０〜２２０℃、多くが６０〜２１
０℃の範囲にあり、熱変形温度が通常４０〜２１０℃、
多くが５０〜２００℃の範囲にある。また屈折率（ｎｏ
ｏ）が通常１．４７〜１．５８、多くが１．５０〜１．
５６の範囲内にあり、プラスチックスの中では高屈折率
である。
良好であり、成形収縮がなくて寸法安定性に優れている
。しかも耐熱性にも優れている。すなわち、ガラス転移
温度（Ｔｇ）が通常５０〜２２０℃、多くが６０〜２１
０℃の範囲にあり、熱変形温度が通常４０〜２１０℃、
多くが５０〜２００℃の範囲にある。また屈折率（ｎｏ
ｏ）が通常１．４７〜１．５８、多くが１．５０〜１．
５６の範囲内にあり、プラスチックスの中では高屈折率
である。
本発明の光学用薄膜体は前記付加型（共）重合体から形
成される。光学用薄膜体として成形する方法には各種の
方法があるが、これらの重合体はトルエン等の溶剤に可
溶性であるため、キャスト法、スピンコード法等の成形
方法により成形することができる。一般に、溶融押出成
形等の加熱を必要とする成形法では成形時に着色する傾
向が見られる。ところが、キャスト法やスピンコード法
などにより加熱をせずに造膜すると着色や劣化のない透
明な薄膜体が得られ、しかも得られた薄膜体は、例えば
膜厚が１０μｍの場合に波長２５０〜５００ｎｎ＋での
光透過率が８（Ｈ以上と高く、他の透明性フィルムにな
い利点を有する。
成される。光学用薄膜体として成形する方法には各種の
方法があるが、これらの重合体はトルエン等の溶剤に可
溶性であるため、キャスト法、スピンコード法等の成形
方法により成形することができる。一般に、溶融押出成
形等の加熱を必要とする成形法では成形時に着色する傾
向が見られる。ところが、キャスト法やスピンコード法
などにより加熱をせずに造膜すると着色や劣化のない透
明な薄膜体が得られ、しかも得られた薄膜体は、例えば
膜厚が１０μｍの場合に波長２５０〜５００ｎｎ＋での
光透過率が８（Ｈ以上と高く、他の透明性フィルムにな
い利点を有する。
キャスト成形法に使用できる溶剤としては、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ｎ
−ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素
、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素、メチレンジク
ロリド、ジクロルエタン、ジクロルエチレン、テトラク
ロルエタン、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン、トリ
クロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素等が挙げられ
、これらの二種以上を混合して使用してもよい。樹脂溶
液の濃度は薄膜体の所望の厚みに応じて適宜定めること
ができるが、通常、０．１〜５０重量％の範囲が好まし
い。
ンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ｎ
−ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素
、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素、メチレンジク
ロリド、ジクロルエタン、ジクロルエチレン、テトラク
ロルエタン、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン、トリ
クロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素等が挙げられ
、これらの二種以上を混合して使用してもよい。樹脂溶
液の濃度は薄膜体の所望の厚みに応じて適宜定めること
ができるが、通常、０．１〜５０重量％の範囲が好まし
い。
スピンコード法に使用できる溶剤としては沸点が一６０
〜２５０℃、好ましくは３０〜２３０℃の有機溶剤であ
り、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素、メ
チレンジクロリド、ジクロルエタン、ジクロルエチレン
、テトラクロルエタン、クロルベンゼン、ジクロルベン
ゼン、トリクロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素等
が挙げられ、これらの二種以上を混合して使用してもよ
い。
〜２５０℃、好ましくは３０〜２３０℃の有機溶剤であ
り、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素、メ
チレンジクロリド、ジクロルエタン、ジクロルエチレン
、テトラクロルエタン、クロルベンゼン、ジクロルベン
ゼン、トリクロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素等
が挙げられ、これらの二種以上を混合して使用してもよ
い。
樹脂溶液の濃度は０．０１〜５０重量％、好ましくは０
．５〜２０重ｊｉ％であり、回転数は１０−１０，００
０ ｒｐｍ。
．５〜２０重ｊｉ％であり、回転数は１０−１０，００
０ ｒｐｍ。
好ましくは１００〜６．ＯＯＯｒｐｍである。得られた
成形品はコンパクトディスク、ビデオディスク、コンピ
ュータディスク等の光学記録材料の表面保護膜の他に透
明性、耐湿性、耐熱性等の特性を生かしてフォトレジス
トの保護膜、フォトレジストのキャリアフィルム等に用
いることができる。特に、本発明の光学用薄膜体は２５
０〜５００ｎｍの光透過率が８０％以上と高いのでフォ
トリソグラフィーの超微細加工技術におけるフォトレジ
スト保護用膜体等として有用である。
成形品はコンパクトディスク、ビデオディスク、コンピ
ュータディスク等の光学記録材料の表面保護膜の他に透
明性、耐湿性、耐熱性等の特性を生かしてフォトレジス
トの保護膜、フォトレジストのキャリアフィルム等に用
いることができる。特に、本発明の光学用薄膜体は２５
０〜５００ｎｍの光透過率が８０％以上と高いのでフォ
トリソグラフィーの超微細加工技術におけるフォトレジ
スト保護用膜体等として有用である。
（実施例）
以下に実施例および参考例を挙げて本発明をさらに具体
的に説明する。なお、実施例、比較例及び参考例中の部
及び％はとくに断りのないかぎり重量基準である。
的に説明する。なお、実施例、比較例及び参考例中の部
及び％はとくに断りのないかぎり重量基準である。
実施例１
撹拌翼を備えた２Ｑガラス製重合器を用いて、連続的に
エチレンと２−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１
゜２．３，４．４ａ、５，８．８ａ−オクタヒドロナフ
タレン（以下Ｍ−ＤＭＯＮと略称）との共重合反応を以
下の如く行った。
エチレンと２−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１
゜２．３，４．４ａ、５，８．８ａ−オクタヒドロナフ
タレン（以下Ｍ−ＤＭＯＮと略称）との共重合反応を以
下の如く行った。
すなわち、重合器内でのＭ−０Ｍ０８１１度が６０ｇ／
１１となるように重合器内上部からＭ−ＤＭＯＮのト
ルエン溶液を０．９Ｑ／ｈｒ、 触媒として重合器内
でのｖ濃度が０．５ｍｍｏｌ／ ＱとなるようにＶＯ（
ＯＣ２）１ｓ）Ｃｈのトルエン溶液を０．７１１／ｈｒ
、 重合器内でのＡＩＪＩ度が２ｍｍｏｌ／Ｒとなる
ようにＡＩ（Ｃ２■ｓ）＋ 、６ＣＩ１．Ｓのトルエン
溶液を０．４９ ／ｈｒの速度でそれぞれ重合器中に連
続的に供給し、一方重合器下部から重合器中に重合液が
常に１２になるように連続的に抜き出す。また重合器上
部からエチレンを２５１１／ｈｒ、Ｎ２を８０ ’Ｊ
／ｈｒ、 Ｎ２を２Ｓｌ／ｈｒの速度で供給する。共重
合反応は冷媒を用いることにより１０℃にコントロール
して行った。
１１となるように重合器内上部からＭ−ＤＭＯＮのト
ルエン溶液を０．９Ｑ／ｈｒ、 触媒として重合器内
でのｖ濃度が０．５ｍｍｏｌ／ ＱとなるようにＶＯ（
ＯＣ２）１ｓ）Ｃｈのトルエン溶液を０．７１１／ｈｒ
、 重合器内でのＡＩＪＩ度が２ｍｍｏｌ／Ｒとなる
ようにＡＩ（Ｃ２■ｓ）＋ 、６ＣＩ１．Ｓのトルエン
溶液を０．４９ ／ｈｒの速度でそれぞれ重合器中に連
続的に供給し、一方重合器下部から重合器中に重合液が
常に１２になるように連続的に抜き出す。また重合器上
部からエチレンを２５１１／ｈｒ、Ｎ２を８０ ’Ｊ
／ｈｒ、 Ｎ２を２Ｓｌ／ｈｒの速度で供給する。共重
合反応は冷媒を用いることにより１０℃にコントロール
して行った。
重合器下部から連続的に抜き出されたポリマー重合液に
はメタノールを少量添加して重合反応を停止させ、次い
で大量のイソプロピルアルコール中に投入して生成共重
合体を析出させ、さらにイソプロピルアルコールで洗浄
した。この時共重合体は３０ｇ／ｈｒの速度で得られた
。洗浄後の共重合体は１００℃で一昼夜減圧乾燥した。
はメタノールを少量添加して重合反応を停止させ、次い
で大量のイソプロピルアルコール中に投入して生成共重
合体を析出させ、さらにイソプロピルアルコールで洗浄
した。この時共重合体は３０ｇ／ｈｒの速度で得られた
。洗浄後の共重合体は１００℃で一昼夜減圧乾燥した。
尚、この重合に際し利用した装置、器具類はダストフリ
ーのアセトンで洗浄し、溶媒はフィルター処理後蒸溜精
製したものを利用するなどダスト対策を行っている。
ーのアセトンで洗浄し、溶媒はフィルター処理後蒸溜精
製したものを利用するなどダスト対策を行っている。
このようにして得られた共重合体（１）は、” Ｃ−Ｎ
ＭＲ分析によるとエチレンが５５モＪＬ！含まれており
、１３５℃デカリン中で測定した〔η〕は０．６４（Ｌ
ｌｌ／ｇ１デュポン社製ＤＭＡ社製０損Ａ弾性率（Ｅ”
）を５℃／ｗｉｎの昇温速度で測定し、そのピーク温度
から求めたＴｇが１３９℃、アツベの屈折率計で測定し
たｎ２会が１．５３７であった。
ＭＲ分析によるとエチレンが５５モＪＬ！含まれており
、１３５℃デカリン中で測定した〔η〕は０．６４（Ｌ
ｌｌ／ｇ１デュポン社製ＤＭＡ社製０損Ａ弾性率（Ｅ”
）を５℃／ｗｉｎの昇温速度で測定し、そのピーク温度
から求めたＴｇが１３９℃、アツベの屈折率計で測定し
たｎ２会が１．５３７であった。
実施例２
実施例１の重合におけるＭ−ＤＭＯＮの代わりに第１表
のノルボルネン系モノマーを用いる他は実施例１に準じ
て共重合体（Ｉｔ）及び（ＩＩＩ）を得た。各共重合体
のエチレン含有モル％、 〔η〕及びＴｇを測定し、第
１表に示した。
のノルボルネン系モノマーを用いる他は実施例１に準じ
て共重合体（Ｉｔ）及び（ＩＩＩ）を得た。各共重合体
のエチレン含有モル％、 〔η〕及びＴｇを測定し、第
１表に示した。
第１表
零１：ｌ、４，５，８−シーメタノ−１，２，３，４ａ
、５，８．８ａ−オクタヒドロナフタしンを示す。
、５，８．８ａ−オクタヒドロナフタしンを示す。
零２：６−エチルヒーシクロ［２，２，１１へ７０トー
２−エンを示す。
２−エンを示す。
実施例３
共重合体（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の１５ｚクロルベンゼン溶
液を平滑なガラス板上にｌｏｏｏｒｐｍＸ １分間でス
ピンコードした後１００℃で２時間乾燥した。その後、
ガラス板とともに純水中で超音波振動を加えることによ
りポリマーの薄膜体を得た。膜厚は４．５μｍであった
。得られた薄膜体の光線透過率を第２表にボす。
液を平滑なガラス板上にｌｏｏｏｒｐｍＸ １分間でス
ピンコードした後１００℃で２時間乾燥した。その後、
ガラス板とともに純水中で超音波振動を加えることによ
りポリマーの薄膜体を得た。膜厚は４．５μｍであった
。得られた薄膜体の光線透過率を第２表にボす。
尚、比較のために従来のニトロセルロース膜（商品名Ｂ
Ｂ−２，８５型膜、アドバンストセミコンダクタープロ
ダクツ社製）の光線透過率を第２表に示す。
Ｂ−２，８５型膜、アドバンストセミコンダクタープロ
ダクツ社製）の光線透過率を第２表に示す。
第２表
Claims (1)
- （１）ノルボルネン系モノマーの付加型重合体、または
ノルボルネン系モノマーとオレフィンとの付加型共重合
体から形成されることを特徴とする光学用薄膜体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63078999A JPH0242441A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光学用薄膜体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63078999A JPH0242441A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光学用薄膜体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242441A true JPH0242441A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=13677591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63078999A Pending JPH0242441A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光学用薄膜体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242441A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998020394A1 (en) * | 1996-11-04 | 1998-05-14 | The B.F. Goodrich Company | Photodefinable dielectric compositions |
| JP2010152308A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 新規ペリクル及びその製法 |
| US7785655B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-08-31 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing system and method of dispensing liquid crystal material using same |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63078999A patent/JPH0242441A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998020394A1 (en) * | 1996-11-04 | 1998-05-14 | The B.F. Goodrich Company | Photodefinable dielectric compositions |
| US7785655B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-08-31 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing system and method of dispensing liquid crystal material using same |
| JP2010152308A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 新規ペリクル及びその製法 |
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