JPH024265U - - Google Patents

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JPH024265U
JPH024265U JP8222188U JP8222188U JPH024265U JP H024265 U JPH024265 U JP H024265U JP 8222188 U JP8222188 U JP 8222188U JP 8222188 U JP8222188 U JP 8222188U JP H024265 U JPH024265 U JP H024265U
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JP
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anode
semiconductor substrate
cathode side
bevel groove
substrate
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JP8222188U
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案による半導体素子の一実施
例としてのGTOサイリスタの基板端面近傍の要
部断面図、第2図は、従来例のGTOサイリスタ
の基板端面近傍の要部断面図、第3図は、第1図
に示した実施例の素子の、半導体基板の端面形成
前後の過程を示す断面図である。 1……Mo板、2……A、4……カソード電
極、5……ゲート電極、6……ベベル溝、7……
シリコンゴム、21……Aあがり、31……p
エミツタ、32……nベース、33……pベース
、34……nエミツタ、35……空乏層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. アノード、ベース、カソードの各層が形成され
    た半導体基板の最周縁端より内側に、カソード側
    表面からアノード層に達するベベル溝が設けられ
    ているものにおいて、このベベル溝の外側の基板
    端面のカソード側エツジ部に、パツシベーシヨン
    用レジンの被覆によつても露出しない程度の面取
    りが施されていることを特徴とするアノードシヨ
    ート形サイリスタ。
JP8222188U 1988-06-21 1988-06-21 Pending JPH024265U (ja)

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JP8222188U JPH024265U (ja) 1988-06-21 1988-06-21

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JPH024265U true JPH024265U (ja) 1990-01-11

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JP8222188U Pending JPH024265U (ja) 1988-06-21 1988-06-21

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002235801A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Tokai Rubber Ind Ltd 自動車用燃料電池の組付装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4967580A (ja) * 1972-10-09 1974-07-01
JPS55134969A (en) * 1979-04-09 1980-10-21 Toshiba Corp Semiconductor device and manufacture thereof
JPS6387767A (ja) * 1986-10-01 1988-04-19 Toshiba Corp 圧接型電力用半導体装置

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